CN101609855A - 光敏电容、光感测电路、基板及其制造工艺和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种光敏电容、光感测电路、薄膜晶体管基板及其制造工艺和液晶显示装置。该光敏电容包括一电容电极、一设置在该电容电极上的绝缘层和一设置在该绝缘层上的半导体层。其中，该半导体层包括依次设置在该绝缘层上的非掺杂非晶硅层和掺杂非晶硅层。该光敏电容的电容值随光强度变化而变化。该光敏电容的结构简单。
Description
技术领域
本发明是关于一种光敏电容、光感测电路、薄膜晶体管基板及其制造工艺和液晶显示装置。
背景技术
显示装置一般包括液晶显示装置、等离子显示装置和有机电激发光显示装置等，其广泛应用于各种信息、通讯、消费性电子产品之中。液晶显示装置因具有低辐射性、体积轻薄短小和耗电低等特点，现已广泛应用于手机、个人数字助理、笔记型计算机、个人计算机和电视等领域。液晶显示装置作为一种显示装置，其显示亮度是一主要性能参数。为满足不同情形的显示亮度需求，需要对液晶显示装置的亮度进行调整。
请参阅图1，其是一种现有技术液晶显示装置的结构示意图。该液晶显示装置1包括一液晶面板11和一背光模组12。该液晶面板11与该背光模组12层叠设置。
请一并参阅图2，其是图1所示的液晶面板11的结构示意图。该液晶面板11通常包括一薄膜晶体管基板101、一彩色滤光片基板102和一夹于该薄膜晶体管基板101与该彩色滤光片基板102间的液晶层(图未示)。
该薄膜晶体管基板101包括一显示区域111和一相邻该显示区域111的非显示区域110。
该非显示区域110上设置一光感测系统112和一驱动电路(未标示)。该驱动电路为该液晶面板11提供工作电压与数据信号。该光感测系统112连接到该背光模组12，其根据外界环境光强度对应调整该背光模组12的亮度。
请一并参阅图3，其是图2所示液晶面板11上的光感测系统112的模块图。该光感测系统112包括一光感应器113和一背光控制电路114。该光感应器113根据环境光的强弱对应产生不同大小的电流信号，并传输该电流信号到该背光控制电路114。该背光控制电路114根据该电流信号对应控制该背光模组12的亮度，使其工作于与当前环境光匹配的亮度。
该显示区域111内设置多个呈矩阵排布的薄膜晶体管(未标示)，该多个薄膜晶体管作为开关元件控制该液晶面板11的每一像素是否加载数据电压，进而控制穿过该液晶层的光的偏振态。该彩色滤光片基板102对穿过该液晶层的光进行滤色以使该液晶面板11实现彩色显示。
但是，该通过感测环境光进而对应产生不同大小电流信号的光感应器113的结构通常较复杂，且需要额外制作该光感应器113，并且利用额外的工序将该光感应器113结合在制作完成后的该薄膜晶体管基板101的非显示区域110，而该光感应器113在利用额外的工序将其结合在该薄膜晶体管基板101的过程中，因该光感应器113极易受外界影响(如静电、碰撞等)而损坏，导致采用此种制造工艺的液晶面板11可靠性较差。相应地，该液晶显示装置1的零件数目较多且成本较高。
发明内容
为了解决现有技术中光感应器结构较复杂的问题，有必要提供一种结构简单的光敏电容。
为了解决现有技术中光感应器结构较复杂的问题，有必要提供一种结构简单的光感测电路。
为了解决现有技术中薄膜晶体管可靠性较差的问题，也有必要提供一种可靠性较好的薄膜晶体管基板。
为了解决现有技术中薄膜晶体管可靠性较差的问题，也有必要提供一种可靠性较好的薄膜晶体管基板的制造工艺。
为了解决液晶显示装置的零件数目较多且成本较高的问题，还有必要提供一种零件数目较少且成本较低的液晶显示装置。
一种光敏电容，其包括一电容电极、一设置在该电容电极上的绝缘层和一设置在该绝缘层上的半导体层。其中，该半导体层包括依次设置在该绝缘层上的非掺杂非晶硅层和掺杂非晶硅层。该光敏电容的电容值随光强度变化而变化。
一种光感测电路，其包括一电源、一电阻和一光敏电容。该电源经由该电阻为该光敏电容提供电压信号。其中，该光敏电容包括一电容电极、一设置在该电容电极上的绝缘层和一设置在该绝缘层上的半导体层。该半导体层包括依次设置在该绝缘层上的非掺杂非晶硅层和掺杂非晶硅层。该光敏电容的电容值随光强度变化而变化。
一种薄膜晶体管基板，其包括一基板、在该基板上形成的多个薄膜晶体管和一光敏电容。该光敏电容包括一电容电极、一设置在该电容电极上的绝缘层和一设置在该绝缘层上的半导体层。其中，该半导体层包括依次设置在该绝缘层上的非掺杂非晶硅层和掺杂非晶硅层。该光敏电容的电容值随光强度变化而变化。
一种薄膜晶体管基板的制造工艺，其步骤包括提供一绝缘基板；在该绝缘基板上沉积一金属层；对该金属层进行刻蚀形成一栅极和一电容电极；在该栅极和该电容电极上依次沉积一绝缘层、一非掺杂非晶硅层和一掺杂非晶硅层；对该非掺杂非晶硅层和该掺杂非晶硅层进行刻蚀，在该栅极和该电容电极正上方分别形成一半导体层；在该绝缘层和该半导体层上沉积一金属层；对该金属层进行刻蚀，在该栅极正上方的半导体层上形成一源极和一漏极；在该绝缘层、在该电容电极正上方的半导体层、源极和漏极上沉积一钝化层；在该钝化层上形成一像素电极槽和一导通电极槽，并分别暴露该漏极和该半导体层；在该钝化层上、暴露的漏极上、半导体层上、像素电极槽内和导通电极槽内沉积一导体层；在该导体层上形成一像素电极和一导通电极。
一种薄膜晶体管基板的制造工艺，其步骤包括提供一绝缘基板；在该绝缘基板上沉积一金属层；对该金属层进行刻蚀形成一栅极和一电容电极；在该栅极和该电容电极上依次沉积一绝缘层、一非掺杂非晶硅层和一掺杂非晶硅层；对该非掺杂非晶硅层和该掺杂非晶硅层进行刻蚀，在该栅极和该电容电极正上方分别形成一半导体层；在该绝缘层和该半导体层上沉积一金属层；对该金属层进行刻蚀，在该栅极正上方的半导体层上形成一源极和一漏极，同时在该绝缘层上形成一金属电极层，且该金属电极层与该电容电极正上方的半导体层一侧面相连接；在该绝缘层、该电容电极正上方的半导体层、金属电极层、源极和漏极上沉积一钝化层；在该钝化层上形成一像素电极槽和一导通电极槽，并分别暴露该漏极和该金属电极层；在该钝化层上、暴露的漏极上、金属电极层上、像素电极槽内和导通电极槽内沉积一导体层；在该导体层上形成一像素电极和一导通电极。
一种液晶显示装置，其包括一彩色滤光片基板、一与该彩色滤光片基板相对应的薄膜晶体管基板和一夹于该二基板之间的液晶层。其中，该薄膜晶体管基板包括一光敏电容。该光敏电容包括一电容电极、一设置在该电容电极上的绝缘层和一设置在该绝缘层上的半导体层。该半导体层包括依次设置在该绝缘层上的非掺杂非晶硅层和掺杂非晶硅层。该光敏电容的电容值随光强度变化而变化。
一种液晶显示装置，其包括一彩色滤光片基板、一与该彩色滤光片基板相对应的薄膜晶体管基板、一夹于该二基板之间的液晶层、一与该薄膜晶体管基板电性连接的电路板和一光感测电路。其中，该光感测电路包括一光敏电容、一电阻和一电源。该光敏电容设置在该薄膜晶体管基板内。该电阻和该电源设置在该电路板上。该电源经由该电阻为该光敏电容提供电压信号。该光敏电容包括一电容电极、一设置在该电容电极上的绝缘层和一设置在该绝缘层上的半导体层。该半导体层包括依次设置在该绝缘层上的非掺杂非晶硅层和掺杂非晶硅层。该光敏电容的电容值随光强度变化而变化。
与现有技术相比，本发明光敏电容和光感测电路的结构都较简单。该光敏电容的电容值随着光强度变化而变化。当光强度增强时，该光敏电容的电容值增大，当光强度减弱时，该光敏电容的电容值减小。因此，该光感测电路的输出端输出的正弦交流电压信号的相位大小也会相应地改变。而在本发明薄膜晶体管基板的制造工艺中，该光敏电容是与该薄膜晶体管共同形成在该基板上，且该光敏电容的各组成部分都与该薄膜晶体管的相应组成部分在同一步骤中形成。该导通电极与该像素电极也是在同一步骤中形成。因此，该光敏电容无需通过额外的工序设置在该薄膜晶体管基板上，避免该光敏电容设置过程中受撞击或者静电打击而损坏，使采用该薄膜晶体管基板的液晶面板可靠性较高。该光敏电容在形成该薄膜晶体管时一并形成，成为该薄膜晶体管基板的组成部分，从而该液晶显示装置的零件数目较少且制造成本降低。
附图说明
图1是一种现有技术液晶显示装置的结构示意图。
图2是图1所示的液晶面板的结构示意图。
图3是图2所示液晶面板上的光感测系统的模块图。
图4是本发明液晶显示装置第一实施方式的结构示意图。
图5是图4所示的液晶面板的结构示意图。
图6是图5中薄膜晶体管基板的剖视结构示意图。
图7是图5所示液晶面板的光感测电路的电路结构示意图。
图8是图6所示薄膜晶体管基板的制造工艺流程图。
图9到图13是图6所示薄膜晶体管基板的制造工艺示意图。
图14是本发明液晶显示装置第二实施方式的剖视结构示意图。
具体实施方式
请参阅图4，其是本发明液晶显示装置第一实施方式的结构示意图。该液晶显示装置2包括一液晶面板21和一背光模组22。该液晶面板21与该背光模组22层叠设置。
请一并参阅图5，其是图4所示的液晶面板21的结构示意图。该液晶面板21包括一薄膜晶体管基板201、一彩色滤光片基板202、一夹于该薄膜晶体管基板201与该彩色滤光片基板202间的液晶层(图未示)、一与该薄膜晶体管基板201电连接的软性电路板281和一背光控制电路280。该软性电路板281上设置有一交流电源270和一电阻R。
请一并参阅图6，其是图5中薄膜晶体管基板201的剖视结构示意图。该薄膜晶体管基板201包括一透明绝缘的基板210、多个薄膜晶体管211、一光敏电容212、一导通电极209和一像素电极260。其中，该薄膜晶体管211、该光敏电容212、该导通电极209与该像素电极260设置在该基板210的同侧，且该薄膜晶体管211与该光敏电容212相互绝缘。
该薄膜晶体管基板201的结构具体包括该基板210、位于该基板210上的一栅极203和一电容电极221、位于该栅极203、该电容电极221和该基板210上的一绝缘层204、位于该栅极203上方且与该栅极203相对应的一半导体层205、位于该电容电极221正上方且与该电容电极221相对应的一半导体层222、位于该半导体层205和该绝缘层204上的一源极206与一漏极207、位于该源极206、该漏极207、该半导体层222与该绝缘层204上的一钝化层208、分别贯穿该钝化层208的一像素电极槽(未标示)和一导通电极槽(未标示)、位于该钝化层208上并通过该像素电极槽与该漏极207电连接的该像素电极260和位于该钝化层208上并通过该导通电极槽与该半导体层222电连接的该导通电极209。其中，该栅极203、该绝缘层204、该半导体层205、该源极206和该漏极207形成该薄膜晶体管211。该电容电极221、该绝缘层204和该半导体层222形成该光敏电容212。该半导体层205包括依次层叠设置的非掺杂非晶硅层230和掺杂非晶硅层231。该半导体层222包括依次层叠设置的非掺杂非晶硅层240和掺杂非晶硅层241，且其图案小于该电容电极221的图案。该电容电极221与该栅极203在同一步骤中形成，且为同种导电材料。该半导体层205与该半导体层222在同一步骤中形成，且为同种半导体材料。该导通电极209与该像素电极260在同一步骤中形成，且为同种透明导电材料。
由上述可知，该电容电极221与该半导体层222分别为该光敏电容212的二极板。该交流电源270、该电阻R与该光敏电容212组成一光感测电路282，如图7所示。请一并参阅图7，其是该光感测电路282的电路结构示意图。该光敏电容212的一极板接地，另一极板定义为输出端Vout。该输出端Vout连接到该电阻R。该交流电源270的一端与该外部电阻R连接，另一端接地，其经由该电阻R为该光敏电容212提供正弦交流电压信号。
该光敏电容212的基本原理如下所述：
因为该半导体层222的图案小于该电容电极221的图案，因此该半导体层222仅能感测到外界环境光，而不能感测到来自背光模组22的光线。在未感测到外界环境光时，该光敏电容212的半导体层222内含有相对少量的能够参与导电的载流子，即电子与空穴，此时，该光敏电容212的电容值较小。在感测到外界环境光时，该半导体层222共价键中的电子获得了能量，因此其内产生的能够参与导电的电子与空穴增多，进而，该光敏电容212的电容值也会相应地增大。总之，该光敏电容212的电容值大小与外界环境光强度变化的关系为：当外界环境光强度增强时，该光敏电容212的电容值则会相应地增大，当外界环境光强度减弱时，该光敏电容212的电容值则会相应地减小。因此，当外界环境光强度变化时，该输出端Vout则输出不同的电压信号到该背光控制电路280。
该背光控制电路280首先测量该输出的电压信号的相位大小，然后将该交流电源270输入的正弦交流电压信号的相位值与该测量得到的相位值进行比较，并将比较得到的二相位值的差值与前一次量测比较所得到的结果进行比较，若该二相位值的差值增大时，表明该外界环境光强度增强，若该二相位值的差值减小时，表明该外界环境光强度减弱。由此，该背光控制电路280对应控制该背光模组22的亮度。
请一并参阅图8到图13，图8是图6所示薄膜晶体管基板201的制造工艺流程图。图9到图13是图6所示薄膜晶体管基板201的制造工艺示意图。详述如下：
步骤S1：形成栅极和电容电极；
如图9所示，提供该基板210，在该基板210上利用物理气相沉积一金属层，然后涂覆一光致抗蚀剂层在该金属层，并对该光致抗蚀剂层进行曝光显影，使该光致抗蚀剂层形成一预定的图案，接下来对该金属层进行刻蚀，使该金属层图案化，形成该栅极203和该电容电极221。其中，该金属层的材料可为铝(Al)系金属、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)或铜(Cu)。
步骤S2：形成绝缘层和半导体层；
如图10所示，在该栅极203和该电容电极221上用化学气相沉积方法依次沉积氮化硅(SiNx)形成该绝缘层204、非晶硅层薄膜与重掺杂非晶硅薄膜，并在该重掺杂非晶硅薄膜上涂覆光致抗蚀剂层，对该光致抗蚀剂层进行曝光显影，使该光致抗蚀剂层形成一预定的图案，然后对该非晶硅薄膜与重掺杂非晶硅薄膜进行刻蚀，使其图案化，分别形成该非掺杂非晶硅层230与掺杂非晶硅层231，也即该半导体层205，同时，还分别形成该非掺杂非晶硅层240与掺杂非晶硅层241，也即该半导体层222。
步骤S3：形成源极和漏极；
如图11所示，利用物理气相沉积法在该掺杂非晶硅层231、241和该绝缘层204上形成一金属层，并在该金属层上涂覆光致抗蚀剂层，对光致抗蚀剂层进行曝光显影，使光致抗蚀剂层形成一预定的图案，然后对金属层进行刻蚀，使其图案化。同时，利用干刻蚀方法将重掺杂非晶硅层231刻蚀到该非掺杂非晶硅层230，使该重掺杂非晶硅层231上形成一沟道。从而，形成该薄膜晶体管211的源极206和漏极207。其中，该金属层的材料可为铝合金、铝(Al)、钼(Mo)、钽(Ta)或钼钨(Mo W)合金。
步骤S4：形成钝化层；
如图12所示，利用化学气相沉积法在该源极206、漏极207、掺杂非晶硅层241和该绝缘层204上沉积一钝化层；涂布一光致抗蚀剂层在该钝化层上，对该光致抗蚀剂层进行曝光显影，使该光致抗蚀剂层上形成预定的特定图案，利用具特定图案的光致抗蚀剂层对该钝化层进行刻蚀，使该钝化层上分别形成一暴露该漏极207的像素电极槽232和一暴露该掺杂非晶硅层241的导通电极槽233，进而形成该钝化层208。
步骤S5：形成像素电极的导通电极；
如图13所示，利用物理气相沉积法在该钝化层208的表面、该像素电极槽232内、暴露的漏极207上、该导通电极槽233内和暴露的掺杂非晶硅层241上沉积一透明导电层；然后，在该透明导电层上沉积一光致抗蚀剂层，对该光致抗蚀剂层进行曝光显影，形成一特定图案，利用该特定图案的光致抗蚀剂层和刻蚀制造工艺使该透明导电层图案化，形成该像素电极260和该导通电极209。其中，该透明导电层的材料可为氧化铟锡或者氧化铟锌。该导通电极209与该像素电极260位于同一层，经同一掩膜制造工艺形成，该导通电极209与该像素电极260相互间隔且绝缘。
相较于现有技术，本发明光敏电容212和光感测电路282的结构都较简单，该光敏电容212的电容值随着外界环境光强度变化而变化。当外界环境光增强时，该光敏电容212的电容值增大，当外界环境光强度减弱时，该光敏电容212的电容值减小。因此，该光感测电路282的输出端Vout输出到该背光控制电路280的正弦交流电压信号的相位大小也会相应地改变。而在本发明薄膜晶体管基板201的制造工艺中，该光敏电容212是与该薄膜晶体管212共同形成在该基板210上，且该光敏电容212的各组成部分都与该薄膜晶体管211的相应组成部分在同一步骤中形成。该导通电极209与该像素电极260也是在同一步骤中形成。因此，该光敏电容212无需通过额外的工序设置在该薄膜晶体管基板201上，避免该光敏电容212设置过程中受撞击或者静电打击而损坏，使采用该薄膜晶体管基板201的液晶面板21可靠性较高。该光敏电容212在形成该薄膜晶体管时一并形成，成为该薄膜晶体管基板201的组成部分，从而该液晶显示装置2的零件数目较少且制造成本降低。
请参阅图14，其是本发明液晶显示装置第二实施方式的剖视结构示意图。其与第一实施方式的液晶显示装置2的区别在于：该液晶显示装置(未标示)的薄膜晶体管基板301进一步包括一金属电极层361。该金属电极层361设置在该绝缘层304上并与该半导体层322的一侧面相连接，且其通过该钝化层308上的导通电极槽(未标示)与该导通电极309电连接。
相较于第一实施方式，由于该金属电极层361的电阻通常小于构成该导通电极309的材料的电阻，所以外部电路(图未示)最后经由该金属电极层361提供给该光敏电容312的信号，例如交流电压信号，则该交流电压信号失真会较小。
该薄膜晶体管基板301的制造工艺与该薄膜晶体管基板201的制造工艺的不同之处在于：在形成该薄膜晶体管311的源极306和漏极307时，一并形成该金属电极层361，并在形成该钝化层308上的导通电极槽时，该导通电极槽位于该金属电极层361的上方。
本发明并不限于上述实施方式所述，其也可具有其它变更设计。如该薄膜晶体管基板201、301可包括多个光敏电容212、312，该多个光敏电容212、312在形成该薄膜晶体管211、311时一并形成。由于该多个光敏电容212、312相互独立，可以分别独立设置在该薄膜晶体管基板201、301内的多个区域，使对环境光感测更加全面。该软性电路板281也可为一印刷电路板。
该背光控制电路280也可通过测量该输出端Vout输出的电压信号的模值的绝对值大小变化，进而对应控制该背光模组22的亮度。若该背光控制电路280所量测的输出的电压信号的模值的绝对值变小时，表明该外界环境光强度增强，若该背光控制电路280所量测的输出的电压信号的模值的绝对值变大时，表明该外界环境光强度减弱。
Claims (10)
1.一种光敏电容，其包括：
一电容电极；
一设置在该电容电极的绝缘层；和
一设置在该绝缘层上的半导体层；
其特征在于：该半导体层包括依次设置在该绝缘层上的非掺杂硅层和掺杂硅层，该光敏电容的电容值随光强度变化而变化。
2.如权利要求1所述的光敏电容，其特征在于：该半导体层位于该电容电极的正上方，且其图案小于该电容电极的图案，该电容电极是采用下列材料的一种：铝系金属、钼、铬、钽或铜，当光强度增强时，该光敏电容的电容值增大，当光强度减弱时，该光敏电容的电容值减小。
3.一种光感测电路，其特征在于：该光感测电路包括一电源、一电阻和一光敏电容，该电源经由该电阻为该光敏电容提供电压信号，其中，该光敏电容包括一电容电极、一设置在该电容电极上的绝缘层和一设置在该绝缘层上的半导体层，该半导体层包括依次设置在该绝缘层上的非掺杂硅层和掺杂硅层，该光敏电容的电容值随光强度变化而变化。
4.如权利要求3所述的光感测电路，其特征在于：该光感测电路进一步包括一输出端，该光敏电容的电容电极与该半导体层中之一为接地端，另一为非接地端，该电源包括一接地端和一非接地端，该二接地端都接地，该光敏电容的非接地端经由该电阻连接到该电源的非接地端，该输出端连接到该光敏电容的非接地端，进而，该输出端输出的电压信号随光强度变化而变化。
5.如权利要求3所述的光感测电路，其特征在于：该电源经由该电阻提供正弦交流电压信号到该光敏电容，当光强度增强时，该光敏电容的电容值增大，进而，该输出端输出的电压信号的模值的绝对值减小，该电源输出的正弦交流电压信号的相位与该输出端输出的电压信号的相位的差值增大，当光强度减弱时，该光敏电容的电容值减小，进而，该输出端输出的电压信号的模值的绝对值增大，该电源输出的正弦交流电压信号的相位与该输出端输出的电压信号的相位的差值减小。
6.一种薄膜晶体管基板，其包括一基板、在该基板上形成的多个薄膜晶体管和一光敏电容，其特征在于：该光敏电容包括：
一电容电极；
一设置在该电容电极上的绝缘层；和
一设置在该绝缘层上的半导体层；
其中，该半导体层包括依次设置在该绝缘层上的非掺杂硅层和掺杂硅层，该光敏电容的电容值随光强度变化而变化。
7.一种薄膜晶体管基板的制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：
提供一绝缘基板；
在该绝缘基板上沉积一金属层；
对该金属层进行刻蚀形成一栅极和一电容电极；
在该栅极和该电容电极上依次沉积一绝缘层、一非掺杂硅层和一掺杂硅层；
对该非掺杂硅层和该掺杂硅层进行刻蚀，在该栅极和该电容电极的正上方分别形成一半导体层；
在该绝缘层和该半导体层上沉积一金属层；
对该金属层进行刻蚀，在该栅极正上方的半导体层上形成一源极和一漏极；
对该绝缘层、该电容电极正上方的半导体层、源极和漏极上沉积一钝化层；
对该钝化层上形成一像素电极槽和一导通电极槽，并分别暴露该漏极和该半导体层；
对该钝化层上、暴露的漏极上、半导体层上、像素电极槽内和导通电极槽内沉积一导体层；
对该导体层上形成一像素电极和一导通电极。
8.一种薄膜晶体管基板的制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：
提供一绝缘基板；
在该绝缘基板上沉积一金属层；
对该金属层进行刻蚀形成一栅极和一电容电极；
在该栅极和该电容电极上依次沉积一绝缘层、一非掺杂硅层和一掺杂硅层；
对该非掺杂硅层和该掺杂硅层进行刻蚀，在该栅极和该电容电极的正上方分别形成一半导体层；
在该绝缘层和该半导体层上沉积一金属层；
对该金属层进行刻蚀，在该栅极正上方的半导体层上形成一源极和一漏极，同时在该绝缘层上形成一金属电极层，且该金属电极层与该电容电极正上方的半导体层一侧面相连接；
在该绝缘层、该电容电极正上方的半导体层、金属电极层、源极和漏极上沉积一钝化层；
在该钝化层上形成一像素电极槽和一导通电极槽，并分别暴露该漏极和该金属电极层；
在该钝化层上、暴露的漏极上、金属电极层上、像素电极槽内和导通电极槽内沉积一导体层；
在该导体层上形成一像素电极和一导通电极。
9.一种液晶显示装置，其包括：
一彩色滤光片基板；
一与该彩色滤光片基板相对应的薄膜晶体管基板；和
一夹于该二基板之间的液晶层；
其特征在于：该薄膜晶体管基板包括一光敏电容，该光敏电容包括一电容电极、一设置在该电容电极上的绝缘层和一设置在该绝缘层上的半导体层，该半导体层包括依次设置在该绝缘层上的非掺杂硅层和掺杂硅层，该光敏电容的电容值随光强度变化而变化。
10.一种液晶显示装置，其包括：
一彩色滤光片基板；
一与该彩色滤光片基板相对应的薄膜晶体管基板；
一夹于该二基板之间的液晶层；
一与该薄膜晶体管基板电性连接的电路板；和
一光感测电路；
其特征在于：该光感测电路包括一光敏电容、一电阻和一电源，该光敏电容设置在该薄膜晶体管基板内，该电阻和该电源设置在该电路板上，该电源经由该电阻为该光敏电容提供电压信号，该光敏电容包括一电容电极、一设置在该电容电极上的绝缘层和一设置在该绝缘层上的半导体层，该半导体层包括依次设置在该绝缘层上的非掺杂硅层和掺杂硅层，该光敏电容的电容值随光强度变化而变化。
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: QIMEI ELECTRONIC CO LTD Free format text: FORMER OWNER: INNOLUX DISPLAY CO., LTD. Effective date: 20120227 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20120227 Address after: 518109 Longhua, Shenzhen, town, Foxconn science and Technology Industrial Park E District, building 1, floor 4, Applicant after: Qunkang Technology (Shenzhen) Co., Ltd. Co-applicant after: Chimei Optoelectronics Co., Ltd. Address before: 518109 Longhua, Shenzhen, town, Foxconn science and Technology Industrial Park E District, building 1, floor 4, Applicant before: Qunkang Technology (Shenzhen) Co., Ltd. Co-applicant before: Innolux Display Group |
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| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: INNOLUX DISPLAY CORPORATION Free format text: FORMER OWNER: QIMEI ELECTRONIC CO LTD Effective date: 20130822 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20130822 Address after: 518109 Longhua, Shenzhen, town, Foxconn science and Technology Industrial Park E District, building 1, floor 4, Applicant after: Qunkang Technology (Shenzhen) Co., Ltd. Applicant after: Innolux Display Group Address before: 518109 Longhua, Shenzhen, town, Foxconn science and Technology Industrial Park E District, building 1, floor 4, Applicant before: Qunkang Technology (Shenzhen) Co., Ltd. Applicant before: Chimei Optoelectronics Co., Ltd. |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |