CN110828177B - 一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器及其制备方法 - Google Patents
一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110828177B CN110828177B CN201911029462.5A CN201911029462A CN110828177B CN 110828177 B CN110828177 B CN 110828177B CN 201911029462 A CN201911029462 A CN 201911029462A CN 110828177 B CN110828177 B CN 110828177B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- perovskite
- pcbm
- metal electrode
- conductive substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 title claims abstract description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000013508 migration Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000005012 migration Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- -1 halogen anions Chemical class 0.000 abstract description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 5
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 abstract description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 7
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100029469 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 101710097421 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器及其制备方法,包括依次层状分布的导电衬底、绝缘层、钙钛矿层、PCBM层以及金属电极层,钙钛矿层在光照发生离子迁移(光致离子诱导迁移),PCBM层对迁移的离子进行捕获,改变金属电极层和透明导电衬底之间的内建电场,从而改变金属电极层和透明导电衬底之间的介电常数。钙钛矿材料具有受到光照产生离子迁移的特性,不同于小极化子,光照下钙钛矿材料中的卤素阴离子会被PCBM的捕获作用下逐渐在PCBM层内富集,与残留在钙钛矿层内的阳离子逐渐形成内建电场,光照越强,PCBM层内富集的卤素离子越多,相应内建电场越强,金属电极层和透明导电衬底之间的介电常数越大,抑制了离子复合,提升了载流子的寿命。
Description
【技术领域】
本发明涉及一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器及其制备方法,属于光敏电容器领域。
【背景技术】
光电容效应是一种内光电效应,是指在外部光照下半导体或绝缘体物质的介电常数或电容常数发生变化的情况。一般情况下,绝大多数半导体或绝缘体的光电容变化不显著。实验发现在较强辐射条件下或者某些特殊材料(如ZnS-CdS、SrTiO3、有机聚合物)中,光致变容效应十分显著。在精密电子仪器设中必须考虑光致变容的影响,需要对电容元件做必要的避光。与此同时光电容效应在光电领域也有着重要潜在应用。光敏电容器是基于光致变电容效应原理的一种光电器件,通过调节光照改变其内部电容,从而实现对电路中电容的调控。
光敏电容器是小众领域,现阶段相关研究不多。以中国专利2015104650037为例,其公开了一种基于小分子极化效应的光敏电容器。介电测量的频率范围通常为102—106Hz,对应的介电响应时间为10-6—10-2s。因此普通半导体中光生载流子的寿命相对上述特征时间太短,如果不考虑空间电荷极化效应,光生载流子对介电常数的贡献可以忽略。在中国专利2015104650037中由于采用小极化子类型的半导体,其光生载流子即小极化子的寿命相对该特征时间足够长,能极大的增加电偶极子浓度,进而增大介电常数,改变电容。但是此专利中其材料的分子极化取向必须依靠外加电场来实现,在使用条件上来说具有很大的限制作用,光致电容的灵敏度有限。
【发明内容】
本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术的不足而提供一种介电常数变化更大的基于卤化物钙钛矿的光敏电容器及其制备方法。
解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器的制备方法,包括依次层状分布的导电衬底、绝缘层、钙钛矿层、PCBM层以及金属电极层,钙钛矿层在光照发生离子迁移(光致离子诱导迁移),PCBM层对迁移的离子进行捕获,改变金属电极层和透明导电衬底之间的内建电场,从而改变金属电极层和透明导电衬底之间的介电常数。
本发明的有益效果为:
钙钛矿材料具有受到光照产生离子迁移的特性,不同于小极化子,光照下钙钛矿材料中的卤素阴离子会被PCBM的捕获作用下逐渐在PCBM层内富集,与残留在钙钛矿层内的阳离子逐渐形成内建电场,光照越强,PCBM层内富集的卤素离子越多,相应内建电场越强,金属电极层和透明导电衬底之间的介电常数越大,抑制了离子复合,提升了载流子的寿命。同时由于钙钛矿层和PCBM层之间的层状结构,保证了钙钛矿层和PCBM层之间具备充足的定向内建电场,不同于将钙钛矿和PCBM混合的形式产生方向各异的内建电场。本发明在光照持续增加的过程中PCBM对离子的吸附过程是加速进行的,故而光照强度越大,光照波长与钙钛矿能级越为匹配,光敏电容器的敏感程度越高。
本发明所述卤化物钙钛矿层材质选用CH3NH3PbX3或CsPbX3(X3=I3,Br3,Cl3,或I2Br,IBr2)。
本发明所述金属电极层为与CH3NH3PbX3或CsPbX3能级相匹配的Au电极。
本发明所述钙钛矿层厚度为300-500nm,PCBM层厚度为钙钛矿层厚度的10-30%,金属电极层厚度为50-100nm。
本发明所述导电衬底为Al/Si(重掺杂)/SiO2层。
一种一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器的制备方法,包括如下步骤:步骤①:在导电衬底表面旋涂钙钛矿前驱液,加热处理在导电衬底表面形成钙钛矿层;步骤②:在钙钛矿层表面制备PCBM层;步骤③:在PCBM层上蒸镀金属电极层。
本发明的其他特点和优点将会在下面的具体实施方式中详细的揭露。
【具体实施方式】
下面结合本发明实施例对本发明实施例的技术方案进行解释和说明,但下述实施例仅为本发明的优选实施例,并非全部。基于实施方式中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其他实施例,都属于本发明的保护范围。
在下文描述中,出现诸如术语“内”、“外”、“上”、“下”、“左”、“右”等指示方位或者位置关系仅是为了方便描述实施例和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
实施例1:
本实施例提供了一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器,其具体制备方法如下:
选用一块n型重掺杂的400微米厚的硅片,硅片的一侧蒸镀有导电金属铝,硅片的表面具有150nm的SiO2层,将该SiO2层作为导电衬底。
将CH3NH3I和PbI2以摩尔比1:1溶解于DMF和DMSO混合溶剂中形成钙钛矿前驱液,将钙钛矿前驱液旋涂至透明导电衬底上,并在90℃下进行低温退火,以在透明导电衬底的表面形成CH3NH3PbI3层,该CH3NH3PbI3层厚度为450nm左右。
将PCBM溶于氯苯中,旋涂至CH3NH3PbI3层的表面,以形成PCBM层。其中PCBM层的厚度为50nm左右。
在PCBM层的表面蒸镀金属电极层Au。
至此自供电行为的钙钛矿光电探测器制备完成,结构如下:Al/Si(n++)/SiO2/CH3NH3PbI3/PCBM/Au。
在无光照下,测试偏压为15V时,光敏电容器的电容为40pF。
在强度为10mW/cm2白光照射下,测试偏压为15V时,光敏电容器的电容为55pF。
在强度为20mW/cm2白光照射下,测试偏压为15V时,光敏电容器的电容为76pF。
在强度为40mW/cm2白光照射下,测试偏压为15V时,光敏电容器的电容为126pF。
在强度为60mW/cm2白光照射下,测试偏压为15V时,光敏电容器的电容为151pF。
在强度为100mW/cm2白光照射下,测试偏压为15V时,光敏电容器的电容为160pF。
在强度为120mW/cm2白光照射下,测试偏压为15V时,光敏电容器的电容为161pF。
可以看到随着光照强度的增加,光敏电容器的电容逐渐增强,每相差10mW/cm2,电容提升量分别为15pF、21pF、50pF、25pF、9pF和1pF。其原因可能在于前期钙钛矿光电探测器内部的内建电场并不强,CH3NH3PbI3内部的阴离子迁移并不明显,而中期随着光照增强,阴离子处于加速迁移的过程。后期随着PCBM对阴离子吸附的逐渐饱,电容达到极大值。
实施例2:
本实施例与实施例1的区别在于使用不同的钙钛矿类型材料。
选用一块n型重掺杂的400微米厚的硅片,硅的一侧蒸镀有导电金属铝,硅片的表面具有150nm的SiO2层,将该SiO2层作为衬底。
将CsI和PbI2以摩尔比1:1溶解于DMF和DMSO混合溶剂中形成钙钛矿前驱液,将钙钛矿前驱液旋涂至透明导电衬底上,并在250℃下进行低温退火,以在透明导电衬底的表面形成CsPbI3层,该CsPbI3层厚度为400nm左右。
将PCBM溶于氯苯中,旋涂至CH3NH3PbI3层的表面,以形成PCBM层。其中PCBM层的厚度为50nm左右。
在PCBM层的表面蒸镀金属电极层。
至此基于全无机杂化卤化物钙钛矿的光敏电容器制备完成,结构如下:Al/Si(n++)/SiO2/CsPbI3/PCBM/Au。
在无光照下,测试偏压为15V时,光敏电容器的电容为30pF。
在强度为10mW/cm2白光照射下,测试偏压为10V时,光敏电容器的电容为50pF。
在强度为20mW/cm2白光照射下,测试偏压为10V时,光敏电容器的电容为66pF。
在强度为40mW/cm2白光照射下,测试偏压为10V时,光敏电容器的电容为88pF。
在强度为60mW/cm2白光照射下,测试偏压为10V时,光敏电容器的电容为107pF。
在强度为100mW/cm2白光照射下,测试偏压为10V时,光敏电容器的电容为123pF。
在强度为100mW/cm2白光照射下,测试偏压为10V时,光敏电容器的电容为122pF。
可以看到随着光照强度的增加,光敏电容器的电容逐渐增强,每相差10mW/cm2,电容提升量分别为20pF、16pF、22pF、19pF、16pF和-1pF。可以看到电容的增量大致维持在20pF,变化较为稳定。由此可以知道CsPbI3的离子迁移随光照强度大致为线性提升关系。
实施例3:
本实施例与实施例1的区别在于,PCBM层的厚度为100nm左右。
在无光照下,测试偏压为15V时,光敏电容器的电容为42pF。
在强度为10mW/cm2白光照射下,测试偏压为15V时,光敏电容器的电容为62pF。
在强度为20mW/cm2白光照射下,测试偏压为15V时,光敏电容器的电容为88pF。
在强度为40mW/cm2白光照射下,测试偏压为15V时,光敏电容器的电容为148pF。
在强度为60mW/cm2白光照射下,测试偏压为15V时,光敏电容器的电容为193pF。
在强度为100mW/cm2白光照射下,测试偏压为15V时,光敏电容器的电容为210pF。
在强度为120mW/cm2白光照射下,测试偏压为15V时,光敏电容器的电容为217pF。
在强度为140mW/cm2白光照射下,测试偏压为15V时,光敏电容器的电容为217pF。
可以看到随着光照强度的增加,光敏电容器的电容逐渐增强,每相差10mW/cm2,电容提升量分别为20pF、26pF、60pF、45pF、17pF、7pF和0pF。
PCBM层厚度的增加会使得电容随光照强度变化更加敏感,同时对最大电容有所增加。这是由于更多的PCBM可以增加对离子捕获的能力,同时饱和量更大。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,熟悉该本领域的技术人员应该明白本发明包括但不限于上面具体实施方式中描述的内容。任何不偏离本发明的功能和结构原理的修改都将包括在权利要求书的范围中。
Claims (3)
1.一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器,其特征在于:包括依次层状分布的导电衬底、绝缘层、钙钛矿层、PCBM层以及金属电极层,钙钛矿层在光照发生离子迁移,PCBM层对迁移的离子进行捕获,改变金属电极层和透明导电衬底之间的内建电场,从而改变金属电极层和透明导电衬底之间的介电常数,钙钛矿层厚度为300-500nm,PCBM层厚度为钙钛矿层厚度的10-30%,金属电极层厚度为50-100nm,卤化物钙钛矿层材质选用CsPbX3,X为I、Br、Cl中一种或者几种的组合。
2.根据权利要求1所述的基于卤化物钙钛矿的光敏电容器,其特征在于:金属电极层为与CsPbX3能级相匹配的Au电极。
3.一种如权利要求1或2所述的基于卤化物钙钛矿的光敏电容器的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤①:在导电衬底表面旋涂钙钛矿前驱液,加热处理在导电衬底表面形成钙钛矿层;步骤②:在钙钛矿层表面制备PCBM层;步骤③:在PCBM层上蒸镀金属电极层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911029462.5A CN110828177B (zh) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911029462.5A CN110828177B (zh) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110828177A CN110828177A (zh) | 2020-02-21 |
CN110828177B true CN110828177B (zh) | 2021-10-01 |
Family
ID=69550695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911029462.5A Active CN110828177B (zh) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110828177B (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2201718Y (zh) * | 1994-04-28 | 1995-06-21 | 东南大学 | 高灵敏度光敏电容器 |
CN101609855A (zh) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | 群康科技(深圳)有限公司 | 光敏电容、光感测电路、基板及其制造工艺和显示装置 |
CN105097992A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-11-25 | 河南科技大学 | 一种光敏电容器的制备方法 |
CN105742505A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-07-06 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 一种高性能钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN108011043A (zh) * | 2017-10-28 | 2018-05-08 | 西安电子科技大学 | 基于CH3NH3PbI3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法 |
-
2019
- 2019-10-28 CN CN201911029462.5A patent/CN110828177B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2201718Y (zh) * | 1994-04-28 | 1995-06-21 | 东南大学 | 高灵敏度光敏电容器 |
CN101609855A (zh) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | 群康科技(深圳)有限公司 | 光敏电容、光感测电路、基板及其制造工艺和显示装置 |
CN105097992A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-11-25 | 河南科技大学 | 一种光敏电容器的制备方法 |
CN105742505A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-07-06 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 一种高性能钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN108011043A (zh) * | 2017-10-28 | 2018-05-08 | 西安电子科技大学 | 基于CH3NH3PbI3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110828177A (zh) | 2020-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Zhang et al. | Marked passivation effect of naphthalene‐1, 8‐dicarboximides in high‐performance perovskite solar cells | |
Hu et al. | Hematite electron-transporting layers for environmentally stable planar perovskite solar cells with enhanced energy conversion and lower hysteresis | |
Chen et al. | Molecular engineered hole‐extraction materials to enable dopant‐free, efficient p‐i‐n perovskite solar cells | |
Kim et al. | Dopant-free polymeric hole transport materials for highly efficient and stable perovskite solar cells | |
Bach et al. | Characterization of Hole Transport in a New Class of Spiro‐Linked Oligotriphenylamine Compounds | |
Liu et al. | Influence of π-linker on triphenylamine-based hole transporting materials in perovskite solar cells | |
Guo et al. | Effect of energy alignment, electron mobility, and film morphology of perylene diimide based polymers as electron transport layer on the performance of perovskite solar cells | |
Nishimura et al. | Hole-transporting materials with a two-dimensionally expanded π-system around an azulene core for efficient perovskite solar cells | |
Shen et al. | Crowning Lithium Ions in Hole‐Transport Layer toward Stable Perovskite Solar Cells | |
US9929343B2 (en) | Organic semiconductor doping process | |
Wang et al. | Defect passivation by amide-based hole-transporting interfacial layer enhanced perovskite grain growth for efficient p–i–n perovskite solar cells | |
Gong et al. | Dopant-free 3, 3′-bithiophene derivatives as hole transport materials for perovskite solar cells | |
Zheng et al. | Radical polymers as interfacial layers in inverted hybrid perovskite solar cells | |
Shen et al. | Stabilizing formamidinium lead iodide perovskite by sulfonyl‐functionalized phenethylammonium salt via crystallization control and surface passivation | |
WO2015042609A1 (en) | Multiple donor/acceptor bulk heterojunction solar cells | |
Sun et al. | A new hole transport material for efficient perovskite solar cells with reduced device cost | |
Xu et al. | Synchronous modulation of defects and buried interfaces for highly efficient inverted perovskite solar cells | |
CN110364626B (zh) | 一种窄带光电探测器及其制备方法 | |
Cui et al. | Propeller-shaped, triarylamine-rich, and dopant-free hole-transporting materials for efficient n–i–p perovskite solar cells | |
Chevrier et al. | Well-designed poly (3-hexylthiophene) as hole transporting material: A new opportunity for solid-state dye-sensitized solar cells | |
Meng et al. | Dopant‐Free Hole Transporting Molecules for Highly Efficient Perovskite Photovoltaic with Strong Interfacial Interaction | |
Luo et al. | Uniform stepped interfacial energy level structure boosts efficiency and stability of CsPbI2Br solar cells | |
Al Kurdi et al. | A naphthalene diimide side-chain polymer as an electron-extraction layer for stable perovskite solar cells | |
Jiang et al. | Polyacetylene derivatives in perovskite solar cells: from defect passivation to moisture endurance | |
Zhang et al. | The effects of pyridine molecules structure on the defects passivation of perovskite solar cells |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |