CN101593756A - 薄膜晶体管基板、薄膜晶体管基板制造方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种薄膜晶体管基板、薄膜晶体管基板制造方法及电湿润式显示装置。该薄膜晶体管基板包括一显示区、位于该显示区至少一侧的至少一接触区、一包围该显示区和该接触区并用于设置框胶的框胶设置区、多个设置于该显示区的像素电极和设置于该接触区的至少一公共电极，且该薄膜晶体管基板裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

Description

薄膜晶体管基板、薄膜晶体管基板制造方法及显示装置

技术领域

本发明是关于一种薄膜晶体管基板、薄膜晶体管基板制造方法及电湿润式显示装置。

背景技术

如今，诸多光电技术正在快速的发展且应用于下一代平板显示器，如投影显示器(Projection Display)、可挠式显示器(FlexibleDispaly)等。在此环境下，一种基于电湿润原理的显示装置由于其响应速度快、视角广、耗电量小、轻薄便携等优点受到广泛的关注。

请参阅图1，是一种现有技术揭示的基于电湿润原理的反射式显示装置的平面结构示意图。该显示装置1包括多个呈矩阵排列的像素10，通过控制该像素10显示不同的灰阶以组成该显示装置1所需显示的画面。

请参阅图2，是图1所示显示装置1的一像素10的放大剖视结构示意图。该像素10包括一对向基板11、一与其相对的薄膜晶体管基板12和设置于该二基板11、12之间的四间隔壁13，该四间隔壁13依序首尾相接并与该二基板11、12形成一收容空间14。

该对向基板11是使用透光材料制成，如玻璃或塑料。该对向基板11邻近该收容空间14的表面设置有一公共电极111，该公共电极111由透明的导电材料制成。

该收容空间14由互不相融(Immiscible)的一第一液体15和一第二液体16充满。例如，该第一液体15可以是导电的水，该第二液体16可以是黑色的油。

该薄膜晶体管基板12邻近该收容空间14的表面依序设置有一主动元件(图未示)、一反射电极121和一绝缘层122。由于该反射电极121采用纯铝制成，因此具有较高的反射率。该绝缘层122是由疏水性(Hydrophobic)材料制成，如无定型的含氟聚合物(AmorphousFluoropolymer)。

由于该绝缘层122的疏水性，即在该绝缘层122、第一液体15和第二液体16三者之间的表面张力(Interfacial Tension)作用下，该第二液体16充分覆盖该绝缘层122。由于该第二液体16呈黑色，其吸收了绝大部分自该对向基板11方向射入的光束，因此此时的像素10为暗态(Off State)。

请一并参阅图3，是图2所示像素10亮态结构示意图。当一电压差被施加在该公共电极111与该反射电极121之间时，由于该第一液体15与该公共电极111相接触使该第一液体15与该公共电极111上的电压相同。该第一液体15与该反射电极121各自所载的异性电荷的吸引力破坏了暗态时分子张力的平衡态，即此时电势能的介入使该绝缘层122与第一液体15倾向于接触，因此该第一液体15将该第二液体16排开，从而自该对向基板11方向射入的光束经过上述被排开的部分所对应的反射电极121反射，实现亮态(OnState)。

但是，由于为该公共电极111和反射电极121分别提供电压差的驱动电路(图未示)通常设置在该薄膜晶体管基板12，因此位于薄膜晶体管基板12的该驱动电路需要与位于对向基板11的公共电极111电连接，因此该显示装置1结构较复杂。同时，该公共电极111对光具有一定吸收作用，使该显示装置1光利用率下降，光学质量较差。

发明内容

为了解决现有技术结构复杂且光学质量较差的问题，有必要提供一种结构简单且光学质量较佳的电湿润式显示装置。

同时，也有必要提供该电湿润式显示装置所采用的薄膜晶体管基板。

同时，也有必要提供上述薄膜晶体管基板的制造方法。

一种薄膜晶体管基板，其包括一显示区、位于该显示区至少一侧的至少一接触区、一包围该显示区和该接触区并用于设置框胶的框胶设置区、多个设置于该显示区的像素电极和设置于该至少一接触区的至少一公共电极，且该薄膜晶体管基板裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

一种电湿润式显示装置，其包括一对向基板、一与该对向基板相对设置的薄膜晶体管基板、设置于该对向基板和该薄膜晶体管基板之间并与该对向基板和该薄膜晶体管基板配合形成一收容空间的一框胶、一设置于该收容空间内的极性的第一液体和一与该第一液体不相融且设置于该收容空间内的非极性的第二液体，其中，该薄膜晶体管基板包括位于该框胶在该薄膜晶体管基板界定的区域内的至少一接触区、位于该框胶在该薄膜晶体管基板限定的区域内的一显示区、多个设置于该显示区的像素电极、一设置于该像素电极的亲油性绝缘层图案和至少一设置于该至少一接触区的公共电极，且该薄膜晶体管基板裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

一种薄膜晶体管基板，其包括一第一区域、一位于该第一区域外围用于设置框胶的框胶设置区、设置于该第一区域内的多个像素电极和至少一设置于该第一区域内的公共电极，该公共电极与该像素电极绝缘，且该薄膜晶体管基板裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

一种电湿润式显示装置，其包括一对向基板、一与该对向基板相对设置的薄膜晶体管基板、设置于该对向基板和该薄膜晶体管基板之间并与该对向基板和该薄膜晶体管基板配合形成一收容空间的一框胶、交叉设置于该对向基板和该薄膜晶体管基板的多个间隔壁、一设置于该收容空间内的极性的第一液体和一第二液体，该框胶在该薄膜晶体管基板上界定一第一区域，该间隔壁位于该第一区域内，该第二液体位于该间隔壁界定的区域内，其中，该薄膜晶体管基板包括设置于该间隔壁界定的区域内的多个像素电极和至少一设置于该第一区域内的公共电极，该公共电极与该像素电极绝缘，且该薄膜晶体管基板裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

一种薄膜晶体管基板制造方法，其包括如下步骤：提供一基底；在该基底上形成至少一电容电极线和多条扫描线；在该电容电极线、该扫描线和该基底上形成一第一绝缘层；在该第一绝缘层上形成多条数据线；在该第一绝缘层和该数据在线形成一钝化层；对应该电容电极线位置形成一贯穿该钝化层和该第一绝缘层的通孔；在该钝化层上间隔形成一公共电极和多个像素电极，使该公共电极通过该通孔与该电容电极线电连接；在该像素电极上形成一亲油性绝缘层图案，并裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

一种薄膜晶体管基板，其包括一基底、一设置于该基底上的多个栅极、多条扫描线和多条电容电极线、一设置于该多个栅极、该扫描线、电容电极线和该基底上的栅极绝缘层、设置于该栅极绝缘层上的一半导体图案和多条数据线、设置于该半导体图案和该栅极绝缘层上的多个源极和多个漏极、一设置于该栅极绝缘层、该数据线、该源极、该漏极和该半导体图案上的钝化层、设置于该钝化层上的多个像素电极和一公共电极和一设置于该像素电极上的亲油性绝缘层图案，该薄膜晶体管基板裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

一种电湿润式显示装置，其包括一对向基板、一与该对向基板相对设置的薄膜晶体管基板、设置于该对向基板和该薄膜晶体管基板之间并与该对向基板和该薄膜晶体管基板配合形成一收容空间的一框胶、一设置于该收容空间内的极性的第一液体和一设置于该收容空间内的非极性的第二液体，其中，该薄膜晶体管基板包括一基底、一设置于该基底上的多个栅极、多条扫描线和多条电容电极线、一设置于该多个栅极、该扫描线、电容电极线和该基底上的栅极绝缘层、设置于该栅极绝缘层上的一半导体图案和多条数据线、设置于该半导体图案和该栅极绝缘层上的多个源极和多个漏极、一设置于该栅极绝缘层、该数据线、该源极、该漏极和该半导体图案上的钝化层、设置于该钝化层上的多个像素电极和一公共电极和一设置于该像素电极上的亲油性绝缘层图案，该薄膜晶体管基板裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

一种薄膜晶体管基板制造方法，其包括如下步骤：提供一基底；在该基底上形成多个栅极、多条扫描线和多条电容电极线；在该多个栅极、该扫描线、电容电极线和该基底上形成一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层上形成一半导体图案和多条数据线；在该半导体图案和该栅极绝缘层上形成多个源极和多个漏极；在该栅极绝缘层、该数据线、该源极、该漏极和该半导体图案上形成一钝化层；在该钝化层上形成多个像素电极和一公共电极；在该像素电极上形成一亲油性绝缘层图案，并裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

与现有技术相比，本发明的电湿润式显示装置由于其公共电极和像素电极均位于该薄膜晶体管基板上，无须将公共电压导接到对向基板上，且不会对用于显示画面的光束造成影响，因此该电湿润式显示装置结构较简单，光学质量较佳。

与现有技术相比，本发明的薄膜晶体管基板和薄膜晶体管基板制造方法由于其公共电极和像素电极均位于该薄膜晶体管基板上，无须将公共电压导接到其它基板上，因此该薄膜晶体管基板使用较方便。

附图说明

图1是本发明触控液晶显示装置第一实施方式的侧面结构示意图。

图2是图1所示电容传感层的平面结构示意图。

图3是图1所示触控液晶显示装置的工作原理示意图。

图4是本发明触控液晶显示装置第二实施方式的结构示意图。

图5是本发明触控液晶显示装置第三实施方式的结构示意图。

图6是本发明触控液晶显示装置第四实施方式的结构示意图。

图7是图6所示第一和第二电容传感层的立体结构示意图。

图8是本发明触控液晶显示装置第五实施方式的结构示意图。

图9是本发明触控液晶显示装置第六实施方式的结构示意图。

图10是图9所示第一和第二电容传感层的立体结构示意图。

图11是本发明触控液晶显示装置第七实施方式的结构示意图。

具体实施方式

请参阅图4，是本发明电湿润式显示装置第一实施方式的局部结构示意图。该电湿润式显示装置4是透射式显示装置，其包括一对向基板41、一与该对向基板41相对设置的薄膜晶体管基板42、一位于该对向基板41和该薄膜晶体管基板42之间的框胶49、位于该对向基板41和该薄膜晶体管基板42之间的多个成行列交叉排列之间隔壁43和一与该薄膜晶体管基板42邻近设置的背光模组(图未示)。该薄膜晶体管基板42包括一框胶设置区(未标示)。该框胶49设置于该框胶设置区且抵接该二基板41、42并与该二基板41、42配合形成一封闭的第一收容空间441，且该框胶49在该薄膜晶体管基板42界定一第一区域48。该第一区域48包括一显示区481和一接触区482。该间隔壁43设置于该薄膜晶体管基板42的显示区481并界定多个呈矩阵排列的像素区40，且该间隔壁43与该薄膜晶体管基板42配合形成多个第二收容空间442。其中，该间隔壁43的高度小于该框胶49的高度。

该第一收容空间441内由互不相融的一第一液体45和一第二液体46充满。该第二液体46位于每一第二收容空间442中，且该第二液体46相对于该薄膜晶体管基板42的高度小于该间隔壁43的高度。该第一液体45可以是水或盐溶液等导电液体或极性液体，如氯化钾(KCl)溶解于水和普通酒精(Ethyl Alcohol)混合液后所形成的溶液。该第二液体46可以是着黑色的链烷或烷烃(Alkane)等非极性液体，如十六烷(Hexadecane)或油，以作为一种遮蔽液体。

请一并参阅图5和图6，图5是图4所示电湿润式显示装置4薄膜晶体管基板42的平面结构局部示意图，图6是图5所示薄膜晶体管基板42沿VI-VI方向剖视示意图。该薄膜晶体管基板42包括一玻璃的基底420、设置于该基底420上的多个栅极421、多条相互平行间隔的扫描线422和多条相互平行间隔的电容电极线423、设置于该栅极421、扫描线422和该电容电极线423上的栅极绝缘层424、设置于该栅极绝缘层424上的一半导体图案425和多条相互平行间隔的数据线426、设置于该半导体图案425和该栅极绝缘层424上的多个源极427和多个漏极428、一设置于该栅极绝缘层424、该数据线426、该源极427、该漏极428和该半导体图案425上的钝化层429、设置于该钝化层429上的多个像素电极430和一公共电极431、和一设置于该像素电极430上的亲油性绝缘层图案432。

该数据线426平行于该显示区481与该接触区482的交界线。该扫描线422与该数据线426相互垂直，每一扫描线422和每一数据线426均对应一间隔壁43并夹在间隔壁43与基底420之间，二相邻扫描线422与二相邻数据线426交叉界定的最小区域与该像素区40一一对应。该电容电极线423自该接触区482延伸至该显示区481并与该扫描线422交替设置，使每一电容电极线423穿过一行像素区40。每一栅极421、每一源极427、每一漏极428、每一像素电极430对应一像素区40，该栅极421电连接至对应的扫描线422，该源极427电连接至对应的数据线426，该漏极428通过一贯穿该钝化层429的第一通孔433电连接至对应的像素电极430。该公共电极431位于该接触区482，并通过一贯穿该钝化层429和该栅极绝缘层424的第二通孔434电连接至该电容电极线423。该公共电极431和该像素电极430由透明导电材料制成，如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。

对于每一像素区40，该栅极421、该栅极绝缘层424、该半导体图案425、该源极427和该漏极428配合形成一薄膜晶体管，用来控制对应的像素电极430的充电或不充电；穿过该像素区40的电容电极线423、该栅极绝缘层424、该钝化层429和该像素电极430层叠形成一储存电容，用来维持该像素电极430的电压。

该电湿润式显示装置4工作时，该公共电极431被施加一公共电压，每一像素电极430被施加对应的灰阶电压。由于该公共电极431与位于该接触区482的该第一液体45接触，可以使该第一液体45与该公共电极431电连接从而具有与公共电极431相同的电压。通过改变每一像素电极430被施加的灰阶电压的大小来控制该第一液体45排开该第二液体46多寡来使该电湿润式显示装置4正常显示图像。

相较于现有技术，本发明电湿润式显示装置4由于其公共电极431和像素电极430均位于该薄膜晶体管基板42，无须将公共电压导接至该对向基板41上，因此该电湿润式显示装置4结构较简单。且，由于该公共电极431位于该像素区40旁边，因此不会对穿过像素区40的光束造成影响，因此该电湿润式显示装置4光学质量较佳。

请一并参阅图7，是图6所示薄膜晶体管基板42的制造流程图。该薄膜晶体管基板42的制造方法包括如下步骤：

步骤S1：形成栅极金属层；

提供一玻璃基底420，在该基底420上依序形成一栅极金属层和一第一光致抗蚀剂层。

步骤S2：形成栅极421、扫描线422和电容电极线423；

提供一第一掩膜对该第一光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定的第一光致抗蚀剂图案；以第一光致抗蚀剂图案为阻挡物对该栅极金属层进行刻蚀，形成该栅极421、扫描线422和电容电极线423的图案，移除第一光致抗蚀剂图案。

步骤S3：形成栅极绝缘层424和半导体层；

在该栅极421、该扫描线422、该电容电极线423和该玻璃基底420上形成该栅极绝缘层424、一半导体层和一第二光致抗蚀剂层。

步骤S4：形成半导体图案425；

提供一第二掩膜对该第二光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定的第二光致抗蚀剂图案；以第二光致抗蚀剂图案为阻挡物对该掺杂非晶硅层和该非晶硅层进行刻蚀，进而形成该半导体图案425，移除第二光致抗蚀剂图案。

步骤S5：形成源/漏极金属层；

在该玻璃基底420和该半导体图案425上形成一源/漏极金属层和一第三光致抗蚀剂层。

步骤S6：形成源极427、漏极428和该数据线426；

提供一第三掩膜对该第三光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定的第三光致抗蚀剂图案；以第三光致抗蚀剂图案为阻挡物对该源/漏极金属层进行刻蚀，进而形成该源极427、该漏极428和该数据线426，移除第三光致抗蚀剂图案。

步骤S7：形成钝化层429；

在该栅极绝缘层424、源极447、漏极448、该数据线426和该半导体图案423上依序沉积形成该钝化层424和一第四光致抗蚀剂层。

步骤S8：形成贯穿该钝化层424的第一通孔433和第二通孔434；

提供一第四掩膜对该第四光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定第四光致抗蚀剂图案；以第四光致抗蚀剂图案为阻挡物对该钝化层424进行刻蚀，进而形成该第一通孔433和该第二通孔434，移除第四光致抗蚀剂图案。

步骤S9：形成一透明导电层；

在该钝化层424上和该二通孔433、434内形成一透明导电层层和一第五光致抗蚀剂层。

步骤S10：形成公共电极431和像素电极430；

提供一第五掩膜对该第五光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定的第五光致抗蚀剂图案；以第五光致抗蚀剂图案为阻挡物对该透明导电层进行刻蚀，进而定义出该公共电极431和像素电极430的图案，移除第五光致抗蚀剂图案。

步骤S11：形成亲油性绝缘层图案432；

在该像素电极430上形成该亲油性绝缘层图案432。

请参阅图8，是本发明电湿润式显示装置第二实施方式的局部结构剖视示意图。该电湿润式显示装置5与该电湿润式显示装置4大体相同，其主要区别在于：该电湿润式显示装置5为反射式显示装置，其薄膜晶体管基板52的像素电极530由反射率较高的金属铝(Al)制成。

该薄膜晶体管基板52的制造方法与该薄膜晶体管基板42的制造方法大体相同，该薄膜晶体管基板52的制造方法为：

步骤S1：形成栅极金属层；

步骤S2：形成栅极521、扫描线(图未示)和电容电极线523；

步骤S3：形成栅极绝缘层524和半导体层；

步骤S4：形成半导体图案525；

步骤S5：形成源/漏极金属层；

步骤S6：形成源极527、漏极528和该数据线526；

步骤S7：形成钝化层529；

步骤S8：形成贯穿该钝化层524的第一通孔533和第二通孔534；

步骤S9：形成一透明导电层；

步骤S10：形成公共电极531；

步骤S11：形成一金属铝层；

在该钝化层524上、该公共电极531和该第一通孔533内依序形成一金属铝层和一第六光致抗蚀剂层。

步骤S12：形成像素电极530；

提供一第六掩膜对该第六光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定的光致抗蚀剂图案；对该金属铝层进行刻蚀，进而定义出该像素电极530的图案，移除第六光致抗蚀剂层。

步骤S13：形成亲油性绝缘层图案532。

请参阅图9，是本发明电湿润式显示装置第三实施方式的结构示意图。该电湿润式显示装置6与该电湿润式显示装置5大体相同，其主要区别在于：该电湿润式显示装置6的薄膜晶体管基板62的像素电极630为多层结构。该像素电极630包括一设置于该钝化层624上的连接层651、一设置于该连接层651上的阻障层652、一设置于该阻障层652上的反射层653和一设置于该反射层653上的保护层654。该连接层651由质地较坚固的氧化铟锡制成，该反射层653由反射率较高的金属铝制成，该阻障层652由与氧化铟锡和铝均化学稳定的钼(Mo)制成，该保护层654由化学性质稳定且透光率较高的氧化铝(Al₂O₃)制成。

相较与第一实施方式，由于该电湿润式显示装置6的像素电极630为多层结构，该连接层651可以使该反射电极630电连接更为可靠，该保护层654可以防止该反射层653被腐蚀，因此该电湿润式显示装置6可靠性更佳。

该薄膜晶体管基板62的制造方法与该薄膜晶体管基板52的制造方法大体相同，该薄膜晶体管基板62的制造方法为：

步骤S1：形成栅极金属层；

步骤S2：形成栅极621、扫描线(图未示)和电容电极线623；

步骤S3：形成栅极绝缘层624和半导体层；

步骤S4：形成半导体图案625；

步骤S5：形成源/漏极金属层；

步骤S6：形成源极627、漏极628和该数据线626；

步骤S7：形成钝化层629；

步骤S8：形成贯穿该钝化层624的第一通孔623和第二通孔634；

步骤S9：形成一透明导电层；

步骤S10：形成公共电极631和该连接层651；

步骤S11：依序形成一金属钼层、一金属铝层和一氧化铝层；

在该钝化层624上、该公共电极631和该连接层651上依序形成一金属钼层和一金属铝层。其中该金属铝层为纯铝材料，厚度为1000A。尔后置于大气压化学气相沉积(Atmospheric PressureChemical Vapor Deposition，APCVD)或电浆辅助化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)的气室(Chamber)中并通入氧气以产生氧电浆，利用该氧电浆与该纯铝材料进行化学反应，在该纯铝表面形成一氧化铝(Al₂O₃)层，操作温度在25至600摄氏度之间，压力约为1.333×104至6.555×104N/m2，操作时间小于等于1分钟。在该氧化铝层表面沉积一第六光致抗蚀剂层。其中，该氧电浆力量的作用可以使该纯铝表面自然形成的突起平坦化。

步骤S12：形成像素电极630；

提供一第六掩膜对该第六光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定的光致抗蚀剂图案；对该金属钼层和金属铝层进行刻蚀，进而定义出该阻障层652、该反射层653和该保护层654，进而形成该像素电极630，移除第六光致抗蚀剂层。

步骤S13：形成亲油性绝缘层图案632。

请一并参阅图10和图11，图10是本发明电湿润式显示装置第四实施方式的局部结构剖视示意图。图11是图10所示电湿润式显示装的薄膜晶体管基板72的局部结构平面示意图。该电湿润式显示装置7与该电湿润式显示装置4大体相同，其主要区别在于：该电湿润式显示装置7的薄膜晶体管基板72包括二接触区782和位于该二接触区782间的一显示区781。每一接触区782设置有一公共电极731。该至少一电容电极线723自一接触区782延伸至另一接触区782。每一公共电极731电连接至该电容电极线723。

相较于第一实施方式，由于该电湿润式显示装置7的电容电极线723与该第一液体75并联，因此该电湿润式显示装置7的公共电压均匀性较佳。

Claims (19)

1.一种薄膜晶体管基板，其包括：

一显示区；

至少一接触区，其位于该显示区至少一侧；

一框胶设置区，其包围该显示区和该接触区，用于设置框胶；

多个像素电极，设置于该显示区；和

至少一公共电极，其特征在于：该至少一公共电极设置于该至少一接触区，且该薄膜晶体管基板裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该薄膜晶体管基板进一步包括至少一电容电极线，该至少一电容电极线与该像素电极绝缘层叠，该至少一公共电极与该至少一电容电极线电连接。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该至少一电容电极线自该至少一接触区延伸至该显示区。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该薄膜晶体管基板所包括的该至少一接触区的数量为两个，该薄膜晶体管基板所包括的该至少一公共电极的数量为两个，该两个接触区分别设置于该显示区相对两侧，每一该接触区设置有一该公共电极。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该薄膜晶体管基板进一步包括至少一电容电极线，该至少一电容电极线与该像素电极绝缘层叠，该两个公共电极与该至少一电容电极线电连接。

6.一种电湿润式显示装置，其包括：

一对向基板；

一薄膜晶体管基板，其与该对向基板相对设置；

一框胶，其设置于该对向基板和该薄膜晶体管基板之间，并与该对向基板和该薄膜晶体管基板配合形成一收容空间；

一极性的第一液体，其设置于该收容空间内；和

一与该第一液体不相融的非极性的第二液体，其设置于该收容空间内；

其中，该薄膜晶体管基板包括：

至少一接触区和一显示区，该至少一接触区和该显示区位于该框胶在该薄膜晶体管基板界定的区域内；

多个像素电极，设置于该显示区；

一亲油性绝缘层图案，设置于该像素电极，和

至少一公共电极，其特征在于：该至少一公共电极设置于该至少一接触区，且该薄膜晶体管基板裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

7.如权利要求6所述的电湿润式显示装置，其特征在于：该至少一公共电极与该第一液体电接触，该像素电极与该第一液体相绝缘。

8.一种薄膜晶体管基板，其包括：

一第一区域；

一位于该第一区域外围的框胶设置区，该框胶设置区用于设置框胶；

设置于该第一区域内的多个像素电极；和

至少一设置于该第一区域内的公共电极，该至少一公共电极与该像素电极绝缘，其特征在于：该薄膜晶体管基板裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该薄膜晶体管基板进一步包括至少一电容电极线，该至少一电容电极线与该像素电极绝缘层叠，该至少一公共电极与该至少一电容电极线电连接。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该至少一公共电极的数量为两个，该两个公共电极分别设置于该像素电极相对两侧且均与该至少一电容电极线电连接。

11.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该薄膜晶体管基板进一步包括一基底、多条相互平行间隔设置的扫描线，多条与该扫描线垂直且间隔设置的数据线、一第一绝缘层、一钝化层和一亲油性绝缘层图案，该电容电极线和该扫描线设置于该基底，该第一绝缘层设置于该至少一电容电极线、扫描线和该基底，该数据线设置于该第一绝缘层，该钝化层设置于该第一绝缘层和该数据线，该至少一公共电极和该像素电极间隔设置于该钝化层，该亲油性绝缘层图案设置于该像素电极上。

12.一种电湿润式显示装置，其包括：

一对向基板；

一薄膜晶体管基板，其与该对向基板相对设置；

一框胶，其设置于该对向基板和该薄膜晶体管基板之间，该框胶与该对向基板和该薄膜晶体管基板配合形成一收容空间，并在该薄膜晶体管基板界定一第一区域；

多个交叉的间隔壁，设置于该第一区域内；

一极性的第一液体，其设置于该收容空间内；和

一非极性的第二液体，其设置于该间隔壁界定的区域内；

其中，该薄膜晶体管基板包括：

设置于该间隔壁界定的区域内的多个像素电极；和

至少一设置于该第一区域内的公共电极，该公共电极与该像素电极绝缘，其特征在于：该薄膜晶体管基板裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

13.如权利要求12所述的电湿润式显示装置，其特征在于：该公共电极与该第一液体电接触，该像素电极与该第一液体相绝缘。

14.一种薄膜晶体管基板制造方法，其包括如下步骤：

提供一基底；

在该基底上形成至少一电容电极线和多条扫描线；

在该电容电极线、该扫描线和该基底上形成一第一绝缘层；

在该第一绝缘层上形成多条数据线；

在该第一绝缘层和该数据线形成一钝化层；

对应该电容电极线位置形成一贯穿该钝化层和该第一绝缘层的通孔；

在该钝化层上间隔形成一公共电极和多个像素电极，使该公共电极通过该通孔与该电容电极线电连接；

在该像素电极上形成一亲油性绝缘层图案，并裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

15.一种薄膜晶体管基板，其包括：

一基底；

一设置于该基底上的多个栅极、多条扫描线和多条电容电极线；

一设置于该多个栅极、该扫描线、电容电极线和该基底上的栅极绝缘层；

设置于该栅极绝缘层上的一半导体图案和多条数据线；

设置于该半导体图案和该栅极绝缘层上的多个源极和多个漏极；

一设置于该栅极绝缘层、该数据线、该源极、该漏极和该半导体图案上的钝化层；

设置于该钝化层上的多个像素电极和一公共电极；和

一设置于该像素电极上的亲油性绝缘层图案，其特征在于：该薄膜晶体管基板裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

16.如权利要求15所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该像素电极为一多层结构，其包括一设置于该钝化层上的连接层、一设置于连接层上的阻障层、一设置于该阻障层上的反射层和一设置于该反射层上的保护层。

17.如权利要求16所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该连接层的材料为氧化铟锌，该阻障层的材料为钼，该反射层的材料为铝，该保护层的材料为氧化铝。

18.一种电湿润式显示装置，其包括：

一对向基板；

一薄膜晶体管基板，其与该对向基板相对设置；

一框胶，其设置于该对向基板和该薄膜晶体管基板之间，并与该对向基板和该薄膜晶体管基板配合形成一收容空间；

一极性的第一液体，其设置于该收容空间内；和

一非极性的第二液体，其设置于该收容空间内；

其中，该薄膜晶体管基板包括：

一基底；

一设置于该基底上的多个栅极、多条扫描线和多条电容电极线；

一设置于该多个栅极、该扫描线、电容电极线和该基底上的栅极绝缘层；

设置于该栅极绝缘层上的一半导体图案和多条数据线；

设置于该半导体图案和该栅极绝缘层上的多个源极和多个漏极；

一设置于该栅极绝缘层、该数据线、该源极、该漏极和该半导体图案上的钝化层；

设置于该钝化层上的多个像素电极和一公共电极；和

设置于该像素电极上的亲油性绝缘层图案，其特征在于：该薄膜晶体管基板裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

19.一种薄膜晶体管基板制造方法，其包括如下步骤：

提供一基底；

在该基底上形成多个栅极、多条扫描线和多条电容电极线；

在该多个栅极、该扫描线、电容电极线和该基底上形成一栅极绝缘层；

在该栅极绝缘层上形成一半导体图案和多条数据线；

在该半导体图案和该栅极绝缘层上形成多个源极和多个漏极；

在该栅极绝缘层、该数据线、该源极、该漏极和该半导体图案上形成一钝化层；

在该钝化层上形成多个像素电极和一公共电极；

在该像素电极上形成一亲油性绝缘层图案，并裸露出该至少一公共电极的至少一部分。

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