CN101571602A - 用于增加蓝光透光率的抗反射涂层结构及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其包括有：一基板及一涂层模块。该涂层模块形成于该基板的一前表面上，并且该涂层模块由多层预定涂层、多层含铝氧化物涂层、与多层金属涂层彼此相互交替相叠而组成。

Description

用于增加蓝光透光率的抗反射涂层结构及其制作方法

技术领域

本发明涉及一种涂层结构及其制作方法，特别是涉及一种用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构及其制作方法。

背景技术

现有的抗反射光学涂层的多层系统皆利用一通则，该通则为该光学涂层的表层的物质具有一低折射率，例如SiO₂，折射率为1.46，或MgF₂，折射率为1.38。然而，当将该抗反射涂层运用于显示器工业时，例如具抗静电效果的计算机屏幕或用于液晶显示器或电浆显示器的低反射玻璃时，在大量生产的过程中，存在一些瓶颈，其原因是该光学涂层结构的导电层由一绝缘层(例如SiO₂或MgF₂)所烧制而成。

一抗反射涂层的基本设计规则为，布置于一基板表面的第一层为具高折射率的物质所构成(标示为H)，其后接着一具低折射率的物质所构成(标示为L)的第二层，因此，现有的抗反射涂层的多层结构的规则为HLHL或HLHLHL，以高折射率(H)的物质为ITO而低折射率(L)的物质为SiO₂为例子，该四层结构分别为Glass/ITO/SiO₂/ITO/SiO₂。因为ITO是一透明的导电物质，该多层结构的涂层的导电性低于每平方100奥姆(Ω)，而且当该导电涂层连结至地时，可用于电磁干扰(EMI)频障或静电放电。然而，问题是该现有的光学多层结构的表面物质为SiO₂，且其厚度为1000埃

该SiO₂的物质特性为高密度、具有惰性和一良好的电绝缘层，在运用传统的抗反射涂层于显示器工业的过程中，电性接触由外部的SiO₂层所隔离的该烧制的ITO层是困难的，在使一金属接触该ITO层的接地过程中，需要使用一超音波焊接方法去打破该SiO₂层，以确保锡球与该ITO层产生良好接触，此一方法为大量生产抗反射涂层的瓶颈。

另一方面，由于液态锡和超音波的曝露能量的缘故，该超音波焊接方法产生微细的污染物，此外，该超音波焊接方法亦会于每一汇流线上产生非持久性的接触阻抗，这是因为超音波焊接方法无法保证能够均匀的以相同的深度打破该绝缘层而得到一均匀的接触阻抗。

上述的缺点会降低在运用现有的抗电磁干扰和抗反射涂层的制作过程的合格率和可靠度。

再者，请参考图1A所示，其为现有光线穿过未加工的玻璃的透光率(lighttransmittance)与光波长(light wavelength)的特性曲线图。由图中可知，当光线穿过未加工的玻璃时(玻璃上没有成形任何的涂层)，不同的光波长皆具有约92％相同的光穿透率。

另外，请参阅图1B所示，其为现有光线穿过已加工的玻璃的透光率(lighttransmittance)与光波长(light wavelength)的特性曲线图。由图中可知，当光线穿过已加工的玻璃时(玻璃上已成形有一预定的防电磁干扰(EMI)涂层)，不同的光波长具有不同百分比的光穿透率。尤其是针对偏蓝光(最左边区域)及偏红光(最右边区域)的光波长，其透光率皆明显的降低至10％左右。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，该低电阻光衰减抗反射涂层可运用于半导体、光学头、液晶显示器、阴极射线管、建筑玻璃、触控式传感器、屏幕滤波器、塑料网板涂层等工业。

本发明的另一目的是提供一种用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，该低电阻光衰减抗反射涂层的表层的物质为一可穿透的表面导电层，而该可穿透的表面导电层的光反射率低于0.5％，该低电阻光衰减抗反射涂层的阻抗介于每平方0.5Ω与0.7Ω之间，而其穿透率为55％至70％。

本发明的另一目的是提供一种用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，本发明的涂层结构其具有高导电性的特性，当其运用于电浆显示器的制造时，其具有电磁干扰屏障、光学视角低反射、高表面硬度抗刮性、适度的光衰减效应等优点。例如，本发明的涂层结构的表面阻抗介于每平方0.5Ω与0.7Ω之间，以及具有足够硬度去通过军事标准MIL-C-48497的耐刮测试。

本发明的另一目的是提供一种用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，于完成涂层模块的制作后，首先，设置一遮板于该涂层模块的上表面，其中该遮板的尺寸小于该涂层模块，以使得该涂层模块的上表面的边缘曝露出来；然后，涂布一层导电层于该涂层模块的上表面的边缘，以供接地，而达到良好的电性接触。其中，该导电层可为银浆(silver paste)。

本发明的另一目的是提供一种用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其通过多层含铝氧化物涂层的使用，以产生颜色偏蓝色的透光。

为了达成上述目的，本发明提供了一种用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其特征在于，包括有：

一基板；以及

一涂层模块，形成于该基板的一前表面上，并且该涂层模块由多层预定涂层、多层含铝氧化物涂层、与多层金属涂层彼此相互交替相叠而组成。

所述的用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其中，这些预定涂层为多层碳硅化合物涂层或多层具有碳硅化合物与含钛氧化物的混合物涂层。

所述的用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其中，该涂层模块包括：

一第一涂层，形成于该基板的一前表面上；

一第一转色涂层，形成于该第一涂层上；

一第二涂层，形成于该第一转色涂层上；

一第二转色涂层，形成于该第二涂层上；

一第三涂层，形成于该第二转色涂层上；

一第三转色涂层，形成于该第三涂层上；

一第四涂层，形成于该第三转色涂层上；

一第四转色涂层，形成于该第四涂层上；

一第五涂层，形成于该第四转色涂层上；

一第五转色涂层，形成于该第五涂层上；

一第六涂层，形成于该第五转色涂层上；

一第六转色涂层，形成于该第六涂层上；

一第七涂层，形成于该第六转色涂层上；

一第七转色涂层，形成于该第七涂层上；

一第八涂层，形成于该第七转色涂层上；

一第八转色涂层，形成于该第八涂层上；以及

一第九涂层，形成于该第八转色涂层上；

其中，该第一涂层、该第三涂层、该第五涂层、该第七涂层、及该第九涂层皆为碳硅化合物涂层；该第一转色涂层、该第二转色涂层、该第三转色涂层、该第四转色涂层、该第五转色涂层、该第六转色涂层、该第七转色涂层、及该第八转色涂层皆为含铝氧化物涂层；该第二涂层、该第四涂层、该第六涂层、及该第八涂层皆为金属涂层；

其中，该第一转色涂层、该第二转色涂层、该第三转色涂层、该第四转色涂层、该第五转色涂层、该第六转色涂层、该第七转色涂层、及该第八转色涂层的厚度皆为3nm～6nm。

所述的用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其中，该涂层模块包括：

一第一涂层，形成于该基板的一前表面上；

一第一转色涂层，形成于该第一涂层上；

一第二涂层，形成于该第一转色涂层上；

一第二转色涂层，形成于该第二涂层上；

一第三涂层，形成于该第二转色涂层上；

一第三转色涂层，形成于该第三涂层上；

一第四涂层，形成于该第三转色涂层上；

一第四转色涂层，形成于该第四涂层上；

一第五涂层，形成于该第四转色涂层上；

一第五转色涂层，形成于该第五涂层上；

一第六涂层，形成于该第五转色涂层上；

一第六转色涂层，形成于该第六涂层上；

一第七涂层，形成于该第六转色涂层上；

一第七转色涂层，其形成于该第七涂层上；

一第八涂层，形成于该第七转色涂层上；

一第八转色涂层，形成于该第八涂层上；以及

一第九涂层，形成于该第八转色涂层上；

其中，该第一涂层、该第三涂层、该第五涂层、该第七涂层、及该第九涂层皆为具有碳硅化合物与含钛氧化物的混合物涂层；该第一转色涂层、该第二转色涂层、该第三转色涂层、该第四转色涂层、该第五转色涂层、该第六转色涂层、该第七转色涂层、及该第八转色涂层皆为含铝氧化物涂层；该第二涂层、该第四涂层、该第六涂层、及该第八涂层皆为金属涂层；

其中，该第一转色涂层、该第二转色涂层、该第三转色涂层、该第四转色涂层、该第五转色涂层、该第六转色涂层、该第七转色涂层、及该第八转色涂层的厚度皆为3nm～6nm。

所述的用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其中，这些碳硅化合物涂层为碳化硅，该含钛氧化物为二氧化钛，这些含铝氧化物涂层为三氧化二铝，并且这些金属涂层为银。

所述的用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其中，这些碳硅化合物涂层的折射率高于这些金属涂层，并且该碳硅化合物与该含钛氧化物的比例为40％∶60％，并且这些混合物涂层的折射率高于这些金属涂层。

所述的用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其中，更进一步包括：一涂布于该涂层模块上表面的四周边缘的导电层，以供接地。

为了达成上述目的，本发明还提供了一种用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一基板；以及

形成一涂层模块于该基板的一前表面上，其中该涂层模块由多层预定涂层、多层含铝氧化物涂层、与多层金属涂层彼此相互交替相叠而组成。

所述的用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构的制作方法，其中，这些预定涂层为多层碳硅化合物涂层或多层具有碳硅化合物与含钛氧化物的混合物涂层。

所述的用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构的制作方法，其中，更进一步包括：

设置一遮板于该涂层模块的上表面，其中该遮板的尺寸小于该涂层模块，以使得该涂层模块的上表面的边缘曝露出来；以及

涂布一层导电层于该涂层模块的上表面的边缘，以供接地。

因为本发明的涂层结构的表层有良好的导电特性，该用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构可以降低接地制作过程所需的工作负荷和增加大量生产的合格率和可靠度，其可运用于液晶显示器或电浆显示器的玻璃基板或塑料基板上。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1A为现有光线穿过未加工的玻璃的透光率(light transmittance)与光波长(light wavelength)的特性曲线图；

图1B为现有光线穿过已加工的玻璃的透光率(light transmittance)与光波长(light wavelength)的特性曲线图；

图2A为本发明用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构的第一实施例的结构示意图；

图2B为本发明用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构的第一实施例的上视示意图；

图2C1及图2C2为本发明用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构的制作方法的第一实施例的流程图；

图3A为本发明用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构的第一实施例的结构示意图；

图3B为本发明用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构的第一实施例的俯视示意图；

图3C1及图3C2为本发明用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构的制作方法的第一实施例的流程图；

图4为本发明用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构的透光率(light transmittance)与光波长(light wavelength)的特性曲线图；

图5为本发明用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构的CIE xy色度坐标图(xy chromaticity diagram)。

其中，附图标记：

基板        Sa、Sb

涂层模块    Ma、Mb

第一涂层    1a、1b

第二涂层    2a、2b

第三涂层    3a、3b

第四涂层    4a、4b

第五涂层    5a、5b

第六涂层    6a、6b

第七涂层    7a、7b

第八涂层    8a、8b

第九涂层    9a、9b

第一转色涂层C1a、C1b

第二转色涂层C2a、C2b

第三转色涂层C3a、C3b

第四转色涂层C4a、C4b

第五转色涂层C5a、C5b

第六转色涂层C6a、C6b

第七转色涂层C7a、C7b

第八转色涂层C8a、C8b

遮板        Ba、Bb

导电层      Ca、Cb

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明的技术方案作进一步更详细的描述。

请参考图2A所示，本发明第一实施例所提供的低电阻光衰减抗反射涂层结构包括有：一基板Sa及一涂层模块Ma。

其中，该基板Sa可为一塑料薄膜(plastic film)或一玻璃(glass)。而该涂层模块Ma可为电浆显示器(plasma display)或液晶显示器(liquid crystaldisplay)的基本涂层。

再者，该涂层模块Ma包括：一第一涂层1a，其形成于该基板Sa的一前表面上；一第一转色涂层C1a，其形成于该第一涂层1a上；一第二涂层2a，其形成于该第一转色涂层C1a上；一第二转色涂层C2a，其形成于该第二涂层2a上；一第三涂层3a，其形成于该第二转色涂层C2a上；一第三转色涂层C3a，其形成于该第三涂层3a上；一第四涂层4a，其形成于该第三转色涂层C3a上；一第四转色涂层C4a，其形成于该第四涂层4上；一第五涂层5a，其形成于该第四转色涂层C4a上；一第五转色涂层C5a，其形成于该第五涂层5a上；一第六涂层6a，其形成于该第五转色涂层C5a上；一第六转色涂层C6a，其形成于该第六涂层6a上；一第七涂层7a，其形成于该第六转色涂层C6a上；一第七转色涂层C7a，其形成于该第七涂层7a上；一第八涂层8a，其形成于该第七转色涂层C7a上；一第八转色涂层C8a，其形成于该第八涂层8a上；一第九涂层9a，其形成于该第八转色涂层C8a上。

其中，该第一涂层1a、该第三涂层3a、该第五涂层5a、该第七涂层7a、及该第九涂层9a皆为碳硅化合物涂层；该第一转色涂层C1a、该第二转色涂层C2a、该第三转色涂层C3a、该第四转色涂层C4a、该第五转色涂层C5a、该第六转色涂层C6a、该第七转色涂层C7a、及该第八转色涂层C8a皆为含铝氧化物涂层；该第二涂层2a、该第四涂层4a、该第六涂层6a、及该第八涂层8a皆为金属涂层。

因此，该涂层模块Ma形成于该基板Sa的一前表面上，并且该涂层模块Ma由多层碳硅化合物涂层(多层预定涂层)、多层含铝氧化物涂层、与多层金属涂层彼此相互交替相叠而组成。此外，这些碳硅化合物涂层为碳化硅(SiC)，这些含铝氧化物涂层为三氧化二铝(Al₂O₃)，并且这些金属涂层为银(Ag)。

再者，该第一涂层、该第三涂层、该第五涂层、该第七涂层、及该第九涂层的折射率(refractive index)皆为2.6，并且该第二涂层、该第四涂层、该第六涂层、及该第八涂层的折射率(refractive index)皆介于0.1～0.5之间。另外，该第一涂层的厚度为30nm；该第二涂层的厚度介于10nm～18nm之间；该第三涂层的厚度为66nm；该第四涂层的厚度介于10nm～18nm之间；该第五涂层的厚度为60nm；该第六涂层的厚度介于10nm～18nm之间；该第七涂层的厚度为70nm；该第八涂层的厚度介于10nm～18nm之间；该第九涂层的厚度为40nm；以及，该第一转色涂层C1a、该第二转色涂层C2a、该第三转色涂层C3a、该第四转色涂层C4a、该第五转色涂层C5a、该第六转色涂层C6a、该第七转色涂层C7a、及该第八转色涂层C8a的厚度皆为3nm～6nm。

此外，该第一涂层1a、该第三涂层3a、该第五涂层5a、该第七涂层7a、及该第九涂层9a的碳硅化合物涂层皆由直流或脉冲直流溅镀法(DC orAC magnetron sputtering method)所形成，并且该第二涂层2a、该第四涂层4a、该第六涂层6a、及该第八涂层8a的金属涂层皆由直流或脉冲直流溅镀法(DC or AC magnetron sputtering method)所形成。并且，该第一涂层1a至该第九涂层9a由同轴或滚子对滚子真空系统的蒸镀或溅镀方法(in-lineor roll-to-roll vacuum evaporation/sputtering method)所形成。

请参阅图2B所示，本发明第一实施例的低电阻光衰减抗反射涂层结构更进一步包括：一涂布于该涂层模块Ma上表面的四周边缘的导电层Ca，以供接地。亦即，该用于接地的导电层Ca涂布于该涂层模块Ma的第九涂层9a的上表面的四周边缘。换言之，于完成该涂层模块Ma的制作后，首先，设置一遮板Ba于该涂层模块Ma的上表面，其中该遮板Ba的尺寸小于该涂层模块Ma，以使得该涂层模块Ma的上表面的边缘曝露出来；然后，涂布一层导电层Ca于该涂层模块Ma的上表面的边缘，以供接地，而达到良好的电性接触。最后，移除该遮板Ba。其中，该导电层Ca可为银浆(silver paste)。

请参阅图2C1及图2C2所示，本发明第一实施例的低电阻光衰减抗反射涂层结构的制作方法，其步骤包括有：

步骤S100：提供一基板Sa；

步骤S102：形成一第一涂层1a于该基板Sa的该前表面上，其中该第一涂层1a为碳硅化合物涂层；

步骤S104：形成一第一转色涂层C1a于该第一涂层1a上，其中该第一转色涂层C1a为含铝氧化物涂层；

步骤S106：形成一第二涂层2a于该第一转色涂层C1a上，其中该第二涂层2a为金属涂层；

步骤S108：形成一第二转色涂层C2a于该第二涂层2a上，其中该第二转色涂层C2a为含铝氧化物涂层；

步骤S110：形成一第三涂层3a于该第二转色涂层C2a上，其中该第三涂层3a为碳硅化合物涂层；

步骤S112：形成一第三转色涂层C3a于该第三涂层3a上，其中该第三转色涂层C3a为含铝氧化物涂层；

步骤S114：形成一第四涂层4a于该第三转色涂层C3a上，其中该第四涂层4a为金属涂层；

步骤S116：形成一第四转色涂层C4a于该第四涂层4a上，其中该第四转色涂层C4a为含铝氧化物涂层；

步骤S118：形成一第五涂层5a于该第四转色涂层C4a上，其中该第五涂层5a为碳硅化合物涂层；

步骤S120：形成一第五转色涂层C5a于该第五涂层5a上，其中该第五转色涂层C5a为含铝氧化物涂层；

步骤S122：形成一第六涂层6a于该第五转色涂层C5a上，其中该第六涂层6a为金属涂层；

步骤S124：形成一第六转色涂层C6a于该第六涂层6a上，其中该第六转色涂层C6a为含铝氧化物涂层；

步骤S126：形成一第七涂层7a于该第六转色涂层C6a上，其中该第七涂层7a为碳硅化合物涂层；

步骤S128：形成一第七转色涂层C7a于该第七涂层7a上，其中该第七转色涂层C7a为含铝氧化物涂层；

步骤S130：形成一第八涂层8a于该第七转色涂层C7a上，其中该第八涂层8a为金属涂层；

步骤S132：形成一第八转色涂层C8a于该第八涂层8a上，其中该第八转色涂层C8a为含铝氧化物涂层；最后

步骤S134：形成一第九涂层9a于该第八转色涂层C8a上，其中该第九涂层9a为碳硅化合物涂层。

请参考图3A所示，本发明第二实施例所提供的低电阻光衰减抗反射涂层结构包括有：一基板Sb及一涂层模块Mb。

其中，该基板Sb可为一塑料薄膜(plastic film)或一玻璃(glass)。而该涂层模块Mb可为电浆显示器(plasma display)或液晶显示器(liquid crystaldisplay)的基本涂层。

再者，该涂层模块Mb包括：一第一涂层1b，其形成于该基板Sb的一前表面上；一第一转色涂层C1b，其形成于该第一涂层1b上；一第二涂层2b，其形成于该第一转色涂层C1b上；一第二转色涂层C2b，其形成于该第二涂层2b上；一第三涂层3b，其形成于该第二转色涂层C2b上；一第三转色涂层C3b，其形成于该第三涂层3b上；一第四涂层4b，其形成于该第三转色涂层C3b上；一第四转色涂层C4b，其形成于该第四涂层4b上；一第五涂层5b，其形成于该第四转色涂层C4b上；一第五转色涂层C5b，其形成于该第五涂层5b上；一第六涂层6b，其形成于该第五转色涂层C5b上；一第六转色涂层C6b，其形成于该第六涂层6b上；一第七涂层7b，其形成于该第六转色涂层C6b上；一第七转色涂层C7b，其形成于该第七涂层7b上；一第八涂层8b，其形成于该第七转色涂层C7b上；一第八转色涂层C8b，其形成于该第八涂层8b上；一第九涂层9b，其形成于该第八转色涂层C8b上。

其中，该第一涂层1b、该第三涂层3b、该第五涂层5b、该第七涂层7b、及该第九涂层9b皆为具有碳硅化合物与含钛氧化物的混合物涂层；该第一转色涂层C1b、该第二转色涂层C2b、该第三转色涂层C3b、该第四转色涂层C4b、该第五转色涂层C5b、该第六转色涂层C6b、该第七转色涂层C7b、及该第八转色涂层C8b皆为含铝氧化物涂层；该第二涂层2b、该第四涂层4b、该第六涂层6b、及该第八涂层8b皆为金属涂层。

因此，该涂层模块Mb形成于该基板Sb的一前表面上，并且该涂层模块Mb由多层具有碳硅化合物与含钛氧化物的混合物涂层(多层预定涂层)、多层含铝氧化物涂层、与多层金属涂层彼此相互交替相叠而组成。此外，该碳硅化合物为碳化硅(SiC)，该含钛氧化物为二氧化钛(TiO₂)，这些含铝氧化物涂层为三氧化二铝(Al₂O₃)，并且这些金属涂层为银(Ag)。

再者，该第一涂层、该第三涂层、该第五涂层、该第七涂层、及该第九涂层的折射率(refractive index)皆为2.5，并且该第二涂层、该第四涂层、该第六涂层、及该第八涂层的折射率(refractive index)皆介于0.1～0.5之间。另外，该第一涂层的厚度为30nm；该第二涂层的厚度介于15nm之间；该第三涂层的厚度为66nm；该第四涂层的厚度介于15nm之间；该第五涂层的厚度为60nm；该第六涂层的厚度介于15nm之间；该第七涂层的厚度为70nm；该第八涂层的厚度介于15nm之间；该第九涂层的厚度为40nm；以及，该第一转色涂层C1b、该第二转色涂层C2b、该第三转色涂层C3b、该第四转色涂层C4b、该第五转色涂层C5b、该第六转色涂层C6b、该第七转色涂层C7b、及该第八转色涂层C8b的厚度皆为3nm～6nm。

此外，该第一涂层1b、该第三涂层3b、该第五涂层5b、该第七涂层7b、及该第九涂层9b的碳硅化合物涂层皆由直流或脉冲直流溅镀法(DC orAC magnetron sputtering method)所形成，并且该第二涂层2b、该第四涂层4b、该第六涂层6b、及该第八涂层8b的金属涂层皆由直流或脉冲直流溅镀法(DC or AC magnetron sputtering method)所形成。并且，该第一涂层1b至该第九涂层9b由同轴或滚子对滚子真空系统的蒸镀或溅镀法(in-line orroll-to-roll vacuum evaporation/sputtering method)所形成。

请参阅图3B所示，本发明第二实施例的低电阻光衰减抗反射涂层结构更进一步包括：一涂布于该涂层模块Mb上表面的四周边缘的导电层Cb，以供接地。亦即，该用于接地的导电层Cb涂布于该涂层模块Mb的第九涂层9b的上表面的四周边缘。换言之，于完成该涂层模块Mb的制作后，首先，设置一遮板Bb于该涂层模块Mb的上表面，其中该遮板Bb的尺寸小于该涂层模块Mb，以使得该涂层模块Mb的上表面的边缘曝露出来；然后，涂布一层导电层Cb于该涂层模块Mb的上表面的边缘，以供接地，而达到良好的电性接触。最后，移除该遮板Bb。其中，该导电层Cb可为银浆(silver paste)。

请参阅图3C1及图3C2所示，本发明第二实施例的低电阻光衰减抗反射涂层结构的制作方法，其步骤包括有：

步骤S200：提供一基板Sb；

步骤S202：形成一第一涂层1b于该基板Sb的该前表面上，其中该第一涂层1b为具有碳硅化合物与含钛氧化物的混合物涂层；

步骤S204：形成一第一转色涂层C1b于该第一涂层1b上，其中该第一转色涂层C1b为含铝氧化物涂层；

步骤S206：形成一第二涂层2b于该第一转色涂层C1b上，其中该第二涂层2b为金属涂层；

步骤S208：形成一第二转色涂层C2b于该第二涂层2b上，其中该第二转色涂层C2b为含铝氧化物涂层；

步骤S210：形成一第三涂层3b于该第二转色涂层C2b上，其中该第三涂层3b为具有碳硅化合物与含钛氧化物的混合物涂层；

步骤S212：形成一第三转色涂层C3b于该第三涂层3b上，其中该第三转色涂层C3b为含铝氧化物涂层；

步骤S214：形成一第四涂层4b于该第三转色涂层C3b上，其中该第四涂层4b为金属涂层；

步骤S216：形成一第四转色涂层C4b于该第四涂层4b上，其中该第四转色涂层C4b为含铝氧化物涂层；

步骤S218：形成一第五涂层5b于该第四转色涂层C4b上，其中该第五涂层5b为具有碳硅化合物与含钛氧化物的混合物涂层；

步骤S220：形成一第五转色涂层C5b于该第五涂层5b上，其中该第五转色涂层C5b为含铝氧化物涂层；

步骤S222：形成一第六涂层6b于该第五转色涂层C5b上，其中该第六涂层6b为金属涂层；

步骤S224：形成一第六转色涂层C6b于该第六涂层6b上，其中该第六转色涂层C6b为含铝氧化物涂层；

步骤S226：形成一第七涂层7b于该第六转色涂层C6b上，其中该第七涂层7b为具有碳硅化合物与含钛氧化物的混合物涂层；

步骤S228：形成一第七转色涂层C7b于该第七涂层7b上，其中该第七转色涂层C7b为含铝氧化物涂层；

步骤S230：形成一第八涂层8b于该第七转色涂层C7b上，其中该第八涂层8b为金属涂层；

步骤S232：形成一第八转色涂层C8b于该第八涂层8b上，其中该第八转色涂层C8b为含铝氧化物涂层；最后

步骤S234：形成一第九涂层9b于该第八转色涂层C8b上，其中该第九涂层9b为具有碳硅化合物与含钛氧化物的混合物涂层。

请参阅图4所示，当光线穿过本发明用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构时，不同的光波长具有不同百分比的光穿透率。尤其是针对偏蓝光(最左边区域)的光波长，其透光率明显的从现有的10％左右增加至30％左右。

请参阅图5所示，由于本发明于溅镀的过程中增加了含铝氧化物涂层(Al₂O₃)的镀层，使得彩色区域的xy坐标由原本的A(0.32～0.33，0.35～0.36)变成B(0.28～0.30，0.32～0.34)，因此可发现坐标颜色已由黄绿色转为偏蓝色。

综上所述，该低电阻光衰减抗反射涂层可运用于半导体、光学头、液晶显示器、阴极射线管、建筑玻璃、触控式传感器、屏幕滤波器、塑料网板涂层等工业。

此外，该低电阻光衰减抗反射涂层的表层的物质为一可穿透的表面导电层，而该可穿透的表面导电层的光反射率低于0.5％，该低电阻光衰减抗反射涂层的阻抗介于每平方0.5Ω与0.7Ω之间，而其穿透率为55％至70％。

再者，本发明的涂层结构其具有高导电性的特性，当其运用于电浆显示器的制造时，其具有电磁干扰屏障、光学视角低反射、高表面硬度抗刮性、适度的光衰减效应等优点。例如，本发明的涂层结构的表面阻抗介于每平方0.5Ω与0.7Ω之间，以及具有足够硬度去通过军事标准MIL-C-48497的耐刮测试。

因为本发明的涂层结构的表层有良好的导电特性，该用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构可以降低接地制作过程所需的工作负荷和增加大量生产的合格率和可靠度，其可运用于液晶显示器或电浆显示器的玻璃基板或塑料基板上。

当然，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1、一种用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其特征在于，包括有：

一基板；以及

一涂层模块，形成于该基板的一前表面上，并且该涂层模块由多层预定涂层、多层含铝氧化物涂层、与多层金属涂层彼此相互交替相叠而组成。

2、根据权利要求1所述的用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其特征在于，这些预定涂层为多层碳硅化合物涂层或多层具有碳硅化合物与含钛氧化物的混合物涂层。

3、根据权利要求2所述的用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其特征在于，该涂层模块包括：

一第一涂层，形成于该基板的一前表面上；

一第一转色涂层，形成于该第一涂层上；

一第二涂层，形成于该第一转色涂层上；

一第二转色涂层，形成于该第二涂层上；

一第三涂层，形成于该第二转色涂层上；

一第三转色涂层，形成于该第三涂层上；

一第四涂层，形成于该第三转色涂层上；

一第四转色涂层，形成于该第四涂层上；

一第五涂层，形成于该第四转色涂层上；

一第五转色涂层，形成于该第五涂层上；

一第六涂层，形成于该第五转色涂层上；

一第六转色涂层，形成于该第六涂层上；

一第七涂层，形成于该第六转色涂层上；

一第七转色涂层，形成于该第七涂层上；

一第八涂层，形成于该第七转色涂层上；

一第八转色涂层，形成于该第八涂层上；以及

一第九涂层，形成于该第八转色涂层上；

其中，该第一涂层、该第三涂层、该第五涂层、该第七涂层、及该第九涂层皆为碳硅化合物涂层；该第一转色涂层、该第二转色涂层、该第三转色涂层、该第四转色涂层、该第五转色涂层、该第六转色涂层、该第七转色涂层、及该第八转色涂层皆为含铝氧化物涂层；该第二涂层、该第四涂层、该第六涂层、及该第八涂层皆为金属涂层；

其中，该第一转色涂层、该第二转色涂层、该第三转色涂层、该第四转色涂层、该第五转色涂层、该第六转色涂层、该第七转色涂层、及该第八转色涂层的厚度皆为3nm～6nm。

4、根据权利要求2所述的用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其特征在于，该涂层模块包括：

一第一涂层，形成于该基板的一前表面上；

一第一转色涂层，形成于该第一涂层上；

一第二涂层，形成于该第一转色涂层上；

一第二转色涂层，形成于该第二涂层上；

一第三涂层，形成于该第二转色涂层上；

一第三转色涂层，形成于该第三涂层上；

一第四涂层，形成于该第三转色涂层上；

一第四转色涂层，形成于该第四涂层上；

一第五涂层，形成于该第四转色涂层上；

一第五转色涂层，形成于该第五涂层上；

一第六涂层，形成于该第五转色涂层上；

一第六转色涂层，形成于该第六涂层上；

一第七涂层，形成于该第六转色涂层上；

一第七转色涂层，其形成于该第七涂层上；

一第八涂层，形成于该第七转色涂层上；

一第八转色涂层，形成于该第八涂层上；以及

一第九涂层，形成于该第八转色涂层上；

其中，该第一涂层、该第三涂层、该第五涂层、该第七涂层、及该第九涂层皆为具有碳硅化合物与含钛氧化物的混合物涂层；该第一转色涂层、该第二转色涂层、该第三转色涂层、该第四转色涂层、该第五转色涂层、该第六转色涂层、该第七转色涂层、及该第八转色涂层皆为含铝氧化物涂层；该第二涂层、该第四涂层、该第六涂层、及该第八涂层皆为金属涂层；

其中，该第一转色涂层、该第二转色涂层、该第三转色涂层、该第四转色涂层、该第五转色涂层、该第六转色涂层、该第七转色涂层、及该第八转色涂层的厚度皆为3nm～6nm。

5、根据权利要求2所述的用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其特征在于，这些碳硅化合物涂层为碳化硅，该含钛氧化物为二氧化钛，这些含铝氧化物涂层为三氧化二铝，并且这些金属涂层为银。

6、根据权利要求2所述的用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其特征在于，这些碳硅化合物涂层的折射率高于这些金属涂层，并且该碳硅化合物与该含钛氧化物的比例为40％∶60％，并且这些混合物涂层的折射率高于这些金属涂层。

7、根据权利要求1所述的用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其特征在于，更进一步包括：一涂布于该涂层模块上表面的四周边缘的导电层，以供接地。

8、一种用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一基板；以及

形成一涂层模块于该基板的一前表面上，其中该涂层模块由多层预定涂层、多层含铝氧化物涂层、与多层金属涂层彼此相互交替相叠而组成。

9、根据权利要求8所述的用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构的制作方法，其特征在于，这些预定涂层为多层碳硅化合物涂层或多层具有碳硅化合物与含钛氧化物的混合物涂层。

10、根据权利要求8所述的用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构的制作方法，其特征在于，更进一步包括：

设置一遮板于该涂层模块的上表面，其中该遮板的尺寸小于该涂层模块，以使得该涂层模块的上表面的边缘曝露出来；以及

涂布一层导电层于该涂层模块的上表面的边缘，以供接地。

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