CN101567767B - 一种窗口采样控制方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种窗口采样控制方法及装置，所述方法包括：确定单板上电后双倍速率同步动态随机存储器DDR窗口采样点；获取所述DDR窗口采样点的温度敏感等级；根据所述温度敏感等级与单板上电前记录的温度进行比较，匹配到满足温差条件的DDR窗口采样点；将通过所述满足温差条件的DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。以实现在温度发生变化导致窗口偏移时，能动态的调整窗口，使得业务恢复后单板处于最佳状态。

Description

一种窗口采样控制方法及装置

技术领域

本发明涉及网络通信技术领域，特别是涉及一种窗口采样控制方法及装置。

背景技术

随着通信网络技术的发展，网络对路由器的转发性能、服务质量(QOS，Quality of Service)要求越来越高，大容量的包缓存器件应用也越来越多。目前，网络处理器(NP，Network Processor)、流量管理(TM，由网络运行的一组动作和操作，以保证网络的可运行性，TM是以通信流量控制形式进行)以及用于处理包转发的双倍速率同步动态随机存储器(DDR，Double DataRate-synchronous dynamic random access memory)的内存一般都在100M以上。随着80G、100G等NP或TM的应用，外挂存储器件容量也直线上升。于此同时，在外挂存储器件容量上升的同时，如何保证TM、NP与外挂的DDR之间的接口访问稳定可靠的问题等，特别是在设备温度、湿度变化时候，如何保证NP与DDR的稳定运行是非常重要的。

在现有技术中，温度自适应的DDR窗口采样控制方法主要包括，(1)在研发阶段根据不同的DDR固定好对应的硬件参数；(2)在设备启动后，通过遍历硬件参数，找到某系列最大和最小适合参数后，补偿其中间值作为设备运行的参数。其具体的过程为：

先分析每片DDR器件的采样窗口位置，根据实验的DDR器件温度敏感曲线，来判断该DDR器件的温度敏感度；根据判断的结果，还原系统的温度状态，实现更为精确的采样补偿；同时启动定时的采样监控机制，在系统出现错误时根据温变进行快速恢复，从而保证系统处于恶烈的环境下时，也能稳定的运行。

在设备启动后，进行DDR的采样点的扫描，找到某系列最大和最小适合参数后，进行简单折中处理后，将处理后的参数作为DDR控制器的运行参数；同时通过整机风扇来控制温度。但是，设备启动时找到DDR控制器的运算参数是最适合当前环境条件的，而不一定适合单板业务切换后的设备运行环境；通过风扇的风速来调整温度，整机监控对于单板本身就要较大的误差，不能真实反应芯片的实际温度。

再说，对于不同类型DDR，或者温度敏感度较高的DDR，在实际运行过程中，不能准确的得到采样数据。在DDR异常错误下，不能快速纠正并恢复业务，而造成事故或单板不必要的返修等，比如如果出现运行中的包存储错误，只能告警换单板或者器件复位，或者进行重新初始化等策略。

在对现有技术的研究和实践过程中，本发明的发明人发现，现有的实现方式中，在温度发生变化导致窗口偏移时，不能准确的采样到可靠的采样数据。

发明内容

本发明实施例提供一种窗口采样控制方法及装置，在温度发生变化导致窗口偏移时时，能根据当前的温度重新调整DDR窗口，保证DDR窗口采样到可靠的数据。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种窗口采样控制方法，所述方法包括：

确定单板上电后双倍速率同步动态随机存储器DDR窗口采样点；

获取所述DDR窗口采样点的温度敏感等级；

根据所述温度敏感等级与单板上电前记录的温度进行比较，匹配到满足温差条件的DDR窗口采样点；

将通过所述满足温差条件的DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。

相应地，本发明实施例还提供一种窗口采样控制装置，包括：

确定单元，用于确定单板上电后双倍速率同步动态随机存储器DDR窗口采样点；

获取单元，用于获取确定单元确定的DDR窗口采样点的温度敏感等级；

匹配单元，用于根据获取单元获取的温度敏感等级与单板上电前记录的温度进行比较，匹配到满足温差条件的DDR窗口采样点；

控制单元，用于控制匹配单元匹配到的DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。

由上述技术方案可知，本发明实施例确定DDR窗口采样点，并获取DDR窗口采样点的温度敏感等级，根据该温度敏感级别，得到上电后单板的温度，并将上电后的温度与上电前的温度进行比较，匹配到满足温差条件的DDR窗口采样点，并将通过DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。由此可见，本发明实施例所述方案在温度发生变化导致窗口偏移时，能根据当前的温度重新调整DDR窗口，保证DDR窗口采样到可靠的数据。

附图说明

图1为本发明实施例中窗口采样控制方法的流程图；

图2为本发明实施例中DDR窗口采样点的划分示意图；

图3为本发明实施例中部分DDR窗口向上偏移的示意图；

图4为本发明实施例中部分DDR窗口向下偏移的示意图；

图5为本发明实施例中DDR窗口向正常偏移的示意图；

图6为本发明实施例中窗口采样控制方法的具体应用流程图；

图7为本发明实施例中窗口采样控制装置的结构示意图。

具体实施方式

下面我们将结合附图，对本发明的实施方案进行详细描述。

请参阅图1，为本发明实施例中窗口采样控制方法的流程图；所述方法包括：

101：确定单板上电后双倍速率同步动态随机存储器DDR窗口采样点；具体包括：

把DDR的一个时钟周期分割成至少两个相同的时间段，每个时间段包括多个时延参数；在单板上电后，按照DDR的时延参数配置不同的采样点；启动网络控制器，通过流量控制的自发包测试，确定DDR窗口采样点。

102：获取所述DDR窗口采样点的温度敏感等级；具体包括：

启动流量控制，网络处理通过自发包测试，即对每个DDR下的DDR窗口采样点进行自发包测试，对温度和湿度满足要求的DDR窗口采样点进行分析，得到满足要求的DDR窗口采样点的温度敏感等级。

103：根据所述温度敏感等级与单板上电前记录的温度进行比较，匹配到满足温差条件的DDR窗口采样点；

其中，所述满足温差条件包括：上电后单板上DDR窗口采样点的温度与上电前单板上该DDR窗口采样点的温度相同或温差在5摄氏度内。

104：将通过所述满足温差条件的DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。

所述方法还包括：获取103中满足温差条件的DDR窗口采样点的数据流量；判断所述数据流量的错误概率是否满足预设条件，在所述错误概率满足预设条件时，中断数据流量，并按照DDR温度及窗口采样点的关系重新调整DDR窗口采样点；以及将通过调整后DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。其中，所述错误概率满足预设条件具体包括：错包概率大于0.1％或者温差大于10摄氏度。

本发明实施例中，在单板上电后，温度发生变化导致窗口偏移时，将上电后的温度与上电前的温度进行比较，匹配到满足温差条件的DDR窗口采样点，即根据当前的温度重新调整DDR窗口，从而保证DDR窗口采样到可靠的数据。

还请参阅图2，为本发明实施例中DDR窗口采样点的划分示意图，在该实施例中，对于DDR窗口采样，通过把每个流量控制TM，网络处理器NP芯片的软件可配置的采样点进行有序分割，例如针对DDR的时延(delay)参数来配置采样点，通过配置不同行列的采样点对数据进行分析，如图2所示，本实施例采用5个采样节点(TAP)对DDR时钟周期进行分割，把一个时钟周期分成相等的六个时间段，每个时间段又包括12个延迟环节(DelayElement)，对应于每个DDR由Delay element组成的DDR窗口采样点，如图2所示：

通过在TM或者NP本身提供的自发包机制，对TM或者NP下挂的DDR进行窗口扫描，当配置每一个delay点后去检测TM或者NP的发包速率以及发包错误计数。在满足发包速率的情况下如果错误计数为0，那么认为该delay点符合要求，这样就得到一个如下所示的窗口：

校准图(Calibration Map)：

      |0|1|2|3|4|5|6|7|8|9|10|11

TAP＝0|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|- |-

TAP＝1|-|-|-|-|-|-|-|-|-|+|+ |+

TAP＝2|+|+|+|+|+|+|+|+|+|+|+ |+

TAP＝3|+|+|+|+|+|+|+|+|+|+|+ |+

TAP＝4|+|+|+|+|+|+|+|-|-|-|- |+

由该校准图可知，根据DDR的特性，一般DDR的温度敏感处于正态分布，绝大多数的DDR在同样的温度下，校准图中所述加黑部分的窗口变化很小，但是还是有小部分DDR窗口向上或者向下移动，这是因为DDR的温度敏感系数不同，具体图3、图4和图5所示，图3为本发明实施例中小部分DDR窗口向上偏移的示意图，图4为本发明实施例中小部分DDR窗口向下偏移的示意图；图5为本发明实施例中正常DDR窗口偏移的示意图。

由上述的DDR窗口偏移的示意图可知，可以通过窗口的偏移来判断每片DDR的温度敏感等级，并判断每片DDR化分为不同的等级，比如A，B，C三个级别。具体的划分过程为：

建立各个厂家DDR的温度、湿度与窗口值的网状适配关系图；把DDR网状适配关系图按照温度分成三个等级，分别是A(普通)，B(温度敏感)，C(温度欠敏感)。

启动过程中，对NP或者TM采用自发包的方法对下挂的每一个DDR进行采样训练，找到当前温度和湿度下的符合要求的DDR窗口采样点，并对每一片DDR窗口采样点进新分析，根据分析结果划分不同温度敏感等级。

然后，根据所述温度敏感等级与单板上电前记录的温度进行比较，匹配到满足温差条件的DDR窗口采样点；将通过所述满足温差条件的DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。

本发明实施例还可以通过记录单板更新系统前的运行温度，实现精确补偿，具体包括：

对于TM或NP这样的核心处理芯片，由于原先业务负荷的不同，其芯片温度和湿度很可能不一样，即温度敏感等级不一样，如果温差前后变化大，数据流量的错误概率也就越大，为此，本实施例在启动核心处理芯片后，可以对启动后的DDR窗口进行精确的补偿，即根据所述温度敏感等级与单板上电前记录的温度进行比较，匹配到满足温差条件的DDR窗口采样点，从而实现启动后DDR窗口的精确补偿，具体包括：获取满足温差条件的DDR窗口采样点的数据流量；判断所述数据流量的错误概率是否满足预设条件，在所述错误概率满足预设条件时，中断数据流量，并按照DDR温度及窗口采样点的关系重新调整DDR窗口采样点；将通过调整后DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。

此外，本发明实施例还可以监控以及故障动态修复，具体包括：

首先，按照当前温度与单板业务升级前的温度，进行DDR窗口采样点匹配调整；其次，在运行过程中定时检测到MMU错误计数，并在达到一定错误频率则短暂中断流量并按照当前温度和湿度与采样点的关系重新调整DDR窗口采样点。

其中，检测的过程包括：在本发明实施例中，对与DDR窗口采样点出现的错误一般可以检测CRC错误，比如，包大小(packet size)错误，Ecc错误等。

DDR窗口采样点是否与NP或者TM访问DDR的频率有关，即流量大小相关，所以在温度与采样点严重不匹配下，只有很少的流量可能检测不到错误，在该实施例中，DDR错误概率x以及温度偏差y按照实际情况确定，一般情况下是按照经验值确认的，比如错误概率以0.1％为界限，温差以10摄氏度为界限等，本实施例不作限制。

在本发明实施例中，DDR窗口采样点可以是一维参数，也可以是多维参数，本发明实施例不作限制。对于NP或者TM在运行参数更新后，需要关闭上下行的数据流量，保证DDR信息更新的可靠。

为了便于本领域技术人员的理解，下面以具体的实例来说明。

在路由器40G高速转发线路单板上一块TM芯片，由于需要缓存大量报文，TM需要外挂4块大容量DDR存储器，TM通过MMU来管理这4个DDR。软件通过采样延时、相位、驱动能力等参数控制DDR的运行状态；由于每片DDR的有硬件本身个体的差异，以及在不同温度下各参数适应性表现也有较大差异，导致初时化过程中默认的基础配置往往难以满足需要。所以采取启动前温度记录，启动中根据器件特征曲线进行调控匹配，运行过程中监控修复的整体闭环策略。其具体的实现过程如图6所示，图6为本发明实施例中窗口采样控制方法的具体应用流程图；所述方法包括：

600：单板上电前或者复位前，分别记录单板上4个DDR的温度和湿度；

其中，可以通过CANBUS获取单板上监控芯片的温度、湿度的传感器数据，获取的实际温度和湿度，并将其存储到内存。

601：确定单板上电后每个DDR的DDR窗口采样点，其具体的确定过程详见上述实施例的实现过程，在此不再赘述。

602：启动流量控制，网络处理器对下挂的DDR进行自发包测试；即网络处理器对每个DDR中的DDR窗口采样点进行自发包测试，对温度和湿度满足要求的DDR窗口采样点进行分析，划分不同的温度敏感等级。

603：通过DDR窗口采样点对所有的DDR进行初步扫描；具体包括：

根据初步扫描结果对DDR分开遍历，得到每片DDR的DDR窗口采样点，并通过DDR窗口采样点进行DDR相关输入参数采样遍历，寻找合适的参数。也就是说，TM用5个TAP对DDR时钟周期进行分割，即把一个时钟周期分成相等的六个时间段，每个时间段又包含了12个Delay Element，具体的实现过程如图2所示，在此不再赘述。

比如，通过Calibration算法遍历不同Delay Element设置情况，并进行发包测试，验证各个采样时延是否有效；遍历完成之后，将获得由这些连续有效的采样时延点构的窗口，进而将该窗口中心位置作为最佳DDR窗口采样时间点固定下来。

604：通过DDR窗口采样点对每个DDR进行详细扫描；具体包括：

根据现在的单板设计，一片TM芯片外挂4片DDR，DDR标准(calibration)要对每片DDR进行三次验证，只有这三次验证全通过了，DDR calibration才能通过，具体包括：

1)TM_scan_delay_line_auto_b    /*第一次用全0的packet进行EasyDDR calibration*/

每片DDR得到的有效的窗口大致如下图所示(+：代表可用)：

Calibration Map：

      |0|1|2|3|4|5|6|7|8|9|10|11

TAP＝0|+|+|+|+|+|+|+|+|+|+|+ |+

TAP＝1|+|+|+|+|+|+|+|+|+|+|+ |+

TAP＝2|+|+|+|+|+|+|+|-|-|-|- |-

TAP＝3|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|- |-

TAP＝4|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|- |-

然后对得到的win_end值进行修正：修正后的win_end＝win_end-offset_correct；

2)TM_calibrate_ddr_inner    /*在前面找到窗口的基础上，以更严格的发包模式进行测试，从修正后的win_end位置开始向前扫描16个(Max_scan)delay element，4片DDR一起进行calibration*/

DDR_WIN：/*找到可用的窗口，0表示可用*/

1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

3)TM_calibrate_ddr_inner    /*和第二步操作一样，不同的是对每片DDR分开进行*/

DDR_WIN0

1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

TM_calibrate_ddr_inner-start_ddr＝0，end_ddr＝0，avrg＝9

DDR_WIN1

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

TM_calibrate_ddr_inner-start_ddr＝1，end_ddr＝1，avrg＝7

DDR_WIN2

1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

TM_calibrate_ddr_inner-start_ddr＝2，end_ddr＝2，avrg＝8

DDR_WIN3

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

TM_calibrate_ddr_inner-start_ddr＝2，end_ddr＝3，avrg＝8

由此可以得到了各片DDR的可用窗口(上述位图中连续为0的bit串)。将该窗口的始末位置的平均值记为avrg＝(start_num+end_num)/2；

注：bit(scan_num)：0可用，1：不可用；

scan_num值的范围为0～15；

修正后的win_end-avrg，即为最后求得有效窗口的中间位置。在TM_calibrate_load_params中按照calibration获得的有效窗口的中间值(也就是最佳的采样时延)对相应寄存器进行设置。

605：获取单个DDR的温度敏感级别；

也就是说，根据对每个DDR详细扫描的结果，即各个DDR窗口的最大值、最小值、及DDR窗口的范围分布，根据经验温度曲线获取该片DDR的温度敏感等级，比如，A(普通)、B(温度敏感)、C(温度欠敏感)等级等。

606：根据所述温度敏感等级与单板上电前记录的温度进行比较，匹配到满足温差条件的DDR窗口采样点；即根据单板的温度差异匹配到最佳的DDR窗口采样点，并将通过DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。

也就是说，用当前扫描的最佳DDR窗口采样点根据温度差自动匹配到适应单板业务上电或恢复后的最佳的DDR窗口采样点，例如单板在15摄氏度找到最佳DDR窗口采样点33，对应于A类型DDR温度每升高10摄氏度最佳DDR窗口采样点减掉2，即向前移动2个DDR窗口采样点，这样就得到最佳的DDR窗口采样点。其中对于A类型的DDR满足的温差条件为2度，但并不限于，也可以根据实际情况进行适应性修改。

607：检测满足温差条件的DDR窗口采样点的数据流量的错误概率；

其中，可以定时检测DDR的出错情况，即检测DDR窗口采样点的数据流量，检测的依据：可以根据每小时DDR错误超过某一预设的值x，或者当前温度与实际窗口匹配温度相差超过某一个基数y等。如果单板流量很小，可能DDR出错概率减小。

608：判断所述数据流量的错误概率是否满足预设条件，若是，则执行609；否则，返回607；

609：中断数据流量，并按照DDR温度及窗口采样点的关系重新调整DDR窗口采样点；

610：将通过调整后DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。

也就是说，当检测DDR的出错情况满足预设条件，比如每小时DDR错误概率超过x，或者当前温度与实际窗口匹配温度相差超过某一个基数y，那么根据当前的温度进行自动匹配后由软件刷新更合理的DDR窗口采样点，并将通过DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。

由上述实施例可知，本发明实施例中，网络处理器或控制管理器通过内存管理单元MMU对下挂的每个DDR进行管理，即MMU属于网络处理器的包缓存管理单元，采用本发明实施例所述的方案后，使得单板上的窗口得到单板业务升级后的自动校正匹配，使得业务恢复后单板处于最佳状态；所述方案适应于不同的单板，对于高低温有很强的适应能力，解决了现有技术中个别单板不满足温度循环的要求；在本发明实施例中，每片DDR的窗口可以自动学习，对于少数属于温度较敏感以及温度不敏感的器件可以实现不用更新器件就能达到业务要求的功能。

基于上述方法的实现过程，相应的，本发明实施例还提供一种窗口采样控制装置，该装置可以集成在网络处理器中，也可以单独存在网络中。其结构示意图详见图7，所述装置包括：确定单元71、获取单元72、匹配单元73和控制单元74，其中，所述确定单元71，用于确定单板上电后双倍速率同步动态随机存储器DDR窗口采样点；所述获取单元72，用于获取确定单元确定的DDR窗口采样点的温度敏感等级；所述匹配单元73，用于根据获取单元获取的温度敏感等级与单板上电前记录的温度进行比较，匹配到满足温差条件的DDR窗口采样点；所述控制单元74，用于控制匹配单元匹配到的DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。

其中，所述装置还包括：错误概率获取单元，判断单元、调整单元，通知单元，其中，所述错误概率获取单元，用于获取匹配单元匹配到满足温差条件的DDR窗口采样点的数据流量的错误概率；所述判断单元，用于判断所述流量获取单元获取的数据流量的错误概率是否满足预设条件，并发送判断结果；所述调整单元，用于在接收到判断单元发送满足预设条件的判断结果时，中断所述DDR窗口采样点的数据流量，并按照DDR温度及窗口采样点的关系重新调整DDR窗口采样点；所述通知单元，用于将调整后DDR窗口采样点通知所述控制单元；所述控制单元，还用于将通过调整后DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。

其中，所述确定单元包括：划分单元，配置单元，采样确定单元，所述划分单元，用于把DDR的一个时钟周期分割成至少两个相同的时间段，每个时间段包括多个时延参数；所述配置单元，用与在单板上电后，按照划分单元划分后的DDR的时延参数配置不同的采样点；所述采样确定单元，用于启动网络控制器，对配置单元配置的采样点通过流量控制的自发包测试，确定DDR窗口采样点。

其中，所述获取单元包括：测试单元和分析单元，所述测试单元，用于通过流量控制的自发包测试，对每个所述DDR窗口采样点进行自发包测试，得到满足温度和湿度要求的DDR窗口采样点；所述分析单元，用于对测试单元测试到满足温度和湿度要求的DDR窗口采样点进行分析，得到满足要求的DDR窗口采样点的温度敏感等级。

需要说明的是，本发明实施例中，适用于所有类似于TM或NP的器件，以及DDR配置的硬件系统，并不局限于路由器，对于移动设备或固网设备也同样实用，具体的实现过程类似，在此不再赘述。

在本实施例中，在单板上电后，由确定单元确定单板上电后DDR窗口采样点，并由获取到DDR窗口采样点的温度敏感等级，匹配单元根据该温度敏感级别，得到上电后单板的温度，并将上电后的温度与上电前的温度进行比较，匹配到满足温差条件的DDR窗口采样点，控制单元将通过DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。由此可见，本发明实施例所述方案在温度发生变化导致窗口偏移时，能根据当前的温度重新调整DDR窗口，保证DDR窗口采样到可靠的数据，使得单板上的窗口得到单板业务升级后的自动校正匹配，使得业务恢复后单板处于最佳状态；所述方案适应于不同的单板，对于高低温有很强的适应能力，解决了现有技术中个别单板不满足温度循环的要求；在本发明实施例中，每片DDR的窗口可以自动学习，对于少数属于温度较敏感以及温度不敏感的器件可以实现不用更新器件就能达到业务要求的功能。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到本发明可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种窗口采样控制方法，其特征在于，包括：

确定单板上电后双倍速率同步动态随机存储器DDR窗口采样点；

获取所述DDR窗口采样点的温度敏感等级；

根据所述温度敏感等级与单板上电前记录的温度进行比较，匹配到满足温差条件的DDR窗口采样点；

将通过所述满足温差条件的DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取满足温差条件的DDR窗口采样点的数据流量的错误概率；

若所述数据流量的错误概率满足预设条件，则中断数据流量，并按照DDR温度及窗口采样点的关系重新调整DDR窗口采样点；

所述将通过所述满足温差条件的DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器具体为：将通过调整后DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述确定单板上电后DDR窗口采样点包括：

把DDR的一个时钟周期分割成至少两个相同的时间段，每个时间段包括多个时延参数；

在单板上电后，按照DDR的时延参数配置不同的采样点；

启动网络控制器，通过流量控制的自发包测试，确定DDR窗口采样点。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述获取所述DDR窗口采样点的温度敏感等级包括：

通过流量控制的自发包测试，对每个所述DDR窗口采样点进行自发包测试，对温度和湿度满足要求的DDR窗口采样点进行分析，得到满足要求的DDR窗口采样点的温度敏感等级。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述满足温差条件包括：上电后单板上DDR窗口采样点的温度与上电前单板上该DDR窗口采样点的温度相同或温差在5摄氏度内。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述错误概率满足预设条件具体包括：错包概率大于0.1％或者温差大于10摄氏度。

7.一种窗口采样控制装置，其特征在于，包括：

确定单元，用于确定单板上电后双倍速率同步动态随机存储器DDR窗口采样点；

获取单元，用于获取确定单元确定的DDR窗口采样点的温度敏感等级；

匹配单元，用于根据获取单元获取的温度敏感等级与单板上电前记录的温度进行比较，匹配到满足温差条件的DDR窗口采样点；

控制单元，用于控制匹配单元匹配到的DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

错误概率获取单元，用于获取匹配单元匹配到满足温差条件的DDR窗口采样点的数据流量的错误概率；

判断单元，用于判断所述错误概率获取单元获取的数据流量的错误概率是否满足预设条件，并发送判断结果；

调整单元，用于在接收到判断单元发送满足预设条件的判断结果时，中断所述DDR窗口采样点的数据流量，并按照DDR温度及窗口采样点的关系重新调整DDR窗口采样点；

通知单元，用于将调整后DDR窗口采样点通知所述控制单元；

所述控制单元，还用于将通过调整后DDR窗口采样点的数据输入到DDR控制器。

9.根据权利要求7或8所述的装置，其特征在于，所述确定单元包括：

划分单元，用于把DDR的一个时钟周期分割成至少两个相同的时间段，每个时间段包括多个时延参数；

配置单元，用于在单板上电后，按照划分单元划分后的DDR的时延参数配置不同的采样点；

采样确定单元，用于启动网络控制器，对配置单元配置的采样点通过流量控制的自发包测试，确定DDR窗口采样点。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述获取单元包括：

测试单元，用于通过流量控制的自发包测试，对每个所述DDR窗口采样点进行自发包测试，得到满足温度和湿度要求的DDR窗口采样点；

分析单元，用于对测试单元测试到满足温度和湿度要求的DDR窗口采样点进行分析，得到满足要求的DDR窗口采样点的温度敏感等级。

11.根据权利要求7或8所述的装置，其特征在于，所述装置集成在网络处理器中。

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