CN101567404A - 一种具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺 - Google Patents

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CN101567404A CNA2008100946200A CN200810094620A CN101567404A CN 101567404 A CN101567404 A CN 101567404A CN A2008100946200 A CNA2008100946200 A CN A2008100946200A CN 200810094620 A CN200810094620 A CN 200810094620A CN 101567404 A CN101567404 A CN 101567404A
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简永杰
杨茹媛
张育绮
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Abstract

本发明涉及一种具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺，该结构主要包含一基板；一透明导电膜；一第一光电转换层；一第二光电转换层；一第三光电转换层以及一电极。其中，该第一光电转换层的能隙大于该第二光电转换层的能隙，而该第二光电转换层的能隙大于该第三光电转换层的能隙且该第二光电转换层内具有嵌入式结晶的结构。所述能隙的排列方式可用以提高光波长的吸收范围，并增加太阳能电池的光电转换效率。

Description

一种具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺
技术领域
本发明有关于一种硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺，且特别有关于具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺。
背景技术
目前由于国际能源短缺，而世界各国一直持续研发各种可行的替代能源，而其中又以太阳能发电的太阳电池最受到瞩目，太阳电池具有使用方便、取之不尽、用之不竭、无废弃物、无污染、无转动部分、无噪音、可阻隔辐射热、使用寿命长、尺寸可随意变化、并与建筑物作结合及普及化等优点，故利用太阳电池作为能源的取得。
在20世纪70年代，由美国贝尔实验室首先研制出的硅太阳能电池逐步发展起来。随着太阳电池的发展，如今太阳能电池有多种类型，典型的有单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池、化合物太阳能电池、染料敏化太阳能电池等。
硅(Silicon)为目前通用的太阳能电池的原料代表，而在市场上又区分为：1.单结晶硅；2.多结晶硅；3.非结晶硅。目前最成熟的工业生产制造技术和最大的市场占有率乃以单晶硅和非晶硅为主的光电板。原因是：一、单晶效率最高；二、非晶价格最便宜，且无需封装，生产也最快；三、多晶的切割及下游再加工较不易，而前述两种都较易于再切割及加工。为了降低成本，现今主要以积极发展非晶硅薄膜太阳电池为主，但其效率上在实际应用中仍然过低。近来，为了保持输出电压，一般须要采用P-I-N结构，让中间能带位于本征(intrinsic，I layer)区域。其中又以于I层中成长所谓的微晶硅(Microcrystalline Si，μc-Si:H)结构最受到瞩目。微晶硅薄膜，其薄膜的载流子迁移率(Carrier mobility)比一般非晶硅薄膜高出1～2个数量级，而暗电导值则介于10-5～10-7(S.cm-1)之间，明显高出非晶硅薄膜3～4个数量级。然而，过去并无在多个P-I-N结构中制作多能隙的硅基薄膜太阳能电池。
因此，有必要提出一种具有多结结构(multijunction structure)的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺，以堆叠不同形式的P-I-N结构来提高其光波长的吸收范围，并增加太阳能电池的光电转换效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池结构与工艺。通过制作多个相互叠接的光电转换层，该多个光电转换层利用不同的能隙与薄膜材料以提高其光波长的吸收范围，并增加太阳能电池的光电转换效率。
为了实现上述目的，本发明提出一种具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池结构，其包含一基板；一透明导电膜；一第一光电转换层；一第二光电转换层；一第三光电转换层以及一电极。该基板的一面为照光面，且该透明导电膜形成于该基板上，用以取出电能与提升光电转换的效率。该第一光电转换层形成于该透明导电膜上方，用以产生电子空穴对，并提供光电流，且该第一光电转换层的材料是选自于由碳化硅与非晶硅所组成的一族群。该第二光电转换层形成于该第一光电转换层上方，用以产生电子空穴对，并提供光电流，其中该第二光电转换层的材料是选自于由纳米晶硅、微晶硅与多晶硅所组成的一族群，且该第二光电转换层内的结晶材料占该第二光电转换层的整体的比例介于10％至80％之间。该第三光电转换层形成于该第二光电转换层上方，用以产生电子空穴对，并提供光电流，且该第三光电转换层的材料是选自于由多晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗与多晶硅锗所组成的一族群。而该电极形成于该第三光电转换层上方，用以取出电能与提升光电转换的效率。其中，该第一光电转换层的能隙大于该第二光电转换层的能隙，而该第二光电转换层的能隙大于该第三光电转换层的能隙。至于该第一光电转换层的厚度则不大于该第二光电转换层的厚度，而该第二光电转换层的厚度不大于该第三光电转换层。
根据本发明的具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池结构，其中该硅基薄膜太阳能电池结构还包含：一抗反射层，形成于该第三光电转换层上方，用以减少反射所造成的光能流失。
为了实现上述目的，本发明还提出一种具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池的工艺，其包含下列步骤：(A)提供一基板；(B)形成一透明导电膜；(C)以化学气相沉积法形成一第一光电转换层；(D)以化学气相沉积法形成一第二光电转换层；(E)以化学气相沉积法形成一第三光电转换层；以及(F)形成一电极。其中在步骤(A)中：该基板用以作为承载主体。在步骤(B)中：该透明导电膜的材料是选自于由铟锡氧化层、二氧化锡与含杂质的氧化锌所组成的一族群。在步骤(C)中：该第一光电转换层的材料是选自于由碳化硅与非晶硅所组成的一族群。在步骤(D)中：该第二光电转换层的材料是选自于由纳米晶硅、微晶硅与多晶硅所组成的一族群，且该第二光电转换层内的结晶材料占该第二光电转换层的整体的比例介于10％至80％之间。在步骤(E)中：该第三光电转换层的材料是选自于由多晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗与多晶硅锗所组成的一族群。在步骤(F)中：该电极的材料是选自于由铟锡氧化层、二氧化锡、氧化锌、镍、金、银、钛、铜、钯与铝所组成的一族群。
根据本发明的具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池的工艺，其中该工艺还包含：形成一抗反射层，该抗反射层形成于该N型半导体层上方，且形成该反抗层的工艺选自于由等离子体增强型化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法与特高频等离子体增强型化学气相沉积法所组成的一族群中。
根据本发明的具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池的工艺，其中该第一光电转换层、该第二光电转换层与该第三光电转换层在制作时，工艺温度介于20℃至300℃之间。
本发明的具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池及其工艺，通过制作不同的能隙与薄膜材料相互叠接的多个光电转换层，该电池可以提高其光波长的吸收范围，并增加太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
为了使本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显，本说明书中特举本发明较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明。相关附图内容说明如下：
图1为本发明的具有多能级的硅基薄膜太阳能电池的侧视剖面图；
图2a～图2c分别为本发明的该第三光电转换层、该第二光电转换层、该第一光电转换层的侧视剖面图；
图3为本发明的该第二光电转换层的X光绕射分析图；
图4为本发明的该第二光电转换层的微拉曼光谱分析图；
图5为本发明的该第三光电转换层的微拉曼光谱分析图。
【主要组件符号说明】
100：一种具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池
110：基板            120：透明导电膜
130：第一光电转换层
131：第一光电转换层内的P型半导体层
132：第一光电转换层内的本征型(I型)半导体层
133：第一光电转换层内的N型半导体层
140：第二光电转换层
141：第二光电转换层内的P型半导体层
142：第二光电转换层内的本征型(I型)半导体层
143：第二光电转换层内的N型半导体层
150：第三光电转换层
151：第三光电转换层内的P型半导体层
152：第三光电转换层内的本征型(I型)半导体层
153：第三光电转换层内的N型半导体层
160：电极
具体实施方式
虽然本发明可表现为不同形式的实施例，但附图所示及在下文中说明为本发明的较佳实施例，并请了解本文所揭示考虑为本发明的一范例，且并非用以将本发明限制在附图及/或所描述的特定实施例中。
请参照图1，其示出了本发明的一种具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池100结构的侧视剖面图。该一种具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池100结构包含一基板110；一透明导电膜120；一第一光电转换层130；一第二光电转换层140；一第三光电转换层150以及一电极160。该基板110的一面为照光面，且透明导电膜120形成于该基板110上，用以取出电能与提升光电转换的效率。该第一光电转换层130形成于该透明导电膜120上方，用以产生电子空穴对，并提供光电流，且该第一光电转换层130的材料是选自于由碳化硅与非晶硅所组成的一族群。该第二光电转换层140形成于该第一光电转换层130上方，用以产生电子空穴对，并提供光电流。其中，该第二光电转换层140的材料是选自于由纳米晶硅、微晶硅与多晶硅所组成的一族群，且该第二光电转换层140内的结晶材料占该第二光电转换层140的整体的比例介于10％至80％之间。在另一实施例中，该第二光电转换层140内的结晶材料的结晶尺寸介于10纳米至500纳米之间。该第三光电转换层150形成于该第二光电转换层140上方，用以产生电子空穴对，并提供光电流，且该第三光电转换层150的材料是选自于由多晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗与多晶硅锗所组成的一族群。该电极160形成于该第三光电转换层150上方，用以取出电能与提升光电转换的效率。需注意的是，该第一光电转换层130的能隙(bandgap)大于该第二光电转换层140的能隙，而该第二光电转换层140的能隙大于该第三光电转换层150的能隙；以及该第一光电转换层130的厚度不大于该第二光电转换层140的厚度，而该第二光电转换层140的厚度不大于该第三光电转换层150。该硅基薄膜太阳能电池结构还包含：一抗反射层，抗反射层形成于该第三光电转换层150，用以减少反射所造成的光能流失。
请参照图1，其中，该第一光电转换层130、该第二光电转换层140与该第三光电转换层150都由一P型半导体层、一本征型(I型)半导体层与一N型半导体层组合而成，该组合结构的侧示剖面图如图2a～图2c所示。其中，P型半导体层是指在本征材料中加入的杂质(Impurities)可产生多余的空穴，以空穴构成多数载流子的半导体，即称之为P型半导体层。例如：对硅和锗半导体的本征半导体掺入3价原子的杂质时，会形成多余的空穴，电流将以空穴做为主要的运作。该第一光电转换层、该第二光电转换层与该第三光电转换层内的各P型半导体层的掺杂浓度介于1018至1020原子/立方厘米之间。该N型半导体层是指在本征材料中加入的杂质可产生多余的电子，以电子构成多数载流子的半导体，即称之为N型半导体层。就硅或锗半导体而言，若对本征半导体掺入5价原子的杂质时，会形成多余的电子，并以电子流作为主要的运作。其中，该第一光电转换层130内的N型半导体层133，第二光电转换层140内的N型半导体层143与第三光电转换层150内的N型半导体层153的掺杂方式可选用气体掺杂、准分子激光退火、固相结晶化、热扩散法或离子注入法作为主要工艺方式。该第一光电转换层、该第二光电转换层与该第三光电转换层内的各N型半导体层的掺杂浓度介于1018至1020原子/立方厘米之间。
在P-I-N结构中，本征型(I型)半导体层对于薄膜型太阳能电池的电特性影响最大，当电子与空穴在材料内部传导，若该本征型(I型)半导体层的厚度过厚，两者重合机率极高，为避免该现象发生，本征型(I型)半导体层不宜过厚。反之，本征型(I型)半导体层太薄，又易造成吸光不足。其中，本征型(I型)半导体层一般以非晶硅薄膜(a-Si:H)为主。但非晶硅薄膜先天上最大的缺失在于光照使用后，非晶硅薄膜在短时间内，其性能将大幅衰退，即所谓的性能衰退(Staebler-Wronski，SW)效应，其衰减幅度约15％～35％。该SW效应是由于材料中部分未饱和的硅原子(Danglingbond，DB)，因光照射所发生结构变化之故。微晶硅薄膜的载流子迁移率比一般非晶硅薄膜高出1～2个数量级，而暗电导值则介于10-5～10-7(S.cm-1)之间，明显高出传统非晶硅薄膜3～4个数量级，故在本征型(I型)半导体层使用微晶硅的结晶薄膜可加以提高太阳能电池的转换效率。
本发明的一种具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池100的工艺，其包含下列步骤：(A)提供一基板110；(B)形成一透明导电膜120；(C)以化学气相沉积法形成一第一光电转换层130；(D)以化学气相沉积法形成一第二光电转换层140；(E)以化学气相沉积法形成一第三光电转换层150；以及(F)形成一电极160。
本发明的第一实施例的该步骤(A)：该基板110用以作为承载主体，且该基板110的材料选自于硅、玻璃、可挠性基板或不锈钢板的其中一者。而为了降低制作上的成本，该基板110可采用玻璃及不锈钢来作为基板110。该步骤(B)：该透明导电膜120的工艺方式可选用常见的蒸发沉积法(Evaporation)、溅射沉积法(Sputter)、电镀法、印刷法工艺作为主要的工艺方式。该透明导电膜120的材料可选自于由铟锡氧化物(Indium tin oxide，ITO)、二氧化锡(Stannum dioxide，SnO2)、氧化锌(Zinc oxide，ZnO)或含杂质的氧化锌等所组成的一族群，且该透明导电膜120形成于该基板110之上。该步骤(C)：该第一光电转换层130是以化学气相沉积法加以沉积而成，且该第一光电转换层130形成于该透明导电膜120上方，而该第一光电转换层130的材料是选自于由碳化硅与非晶硅所组成的一族群。该步骤(D)：形成该第二光电转换层140的化学气相沉积法以一混合物为反应气体的来源，其中该混合物由硅烷气体与氢气，或硅烷气体、氢气与氩气所组成。该第二光电转换层140形成于该第一光电转换层130上方，且该第二光电转换层140的材料是选自于由纳米晶硅、微晶硅与多晶硅所组成的一族群，且该第二光电转换层140内的结晶材料占该第二光电转换层140的整体的比例介于10％至80％之间。该步骤(E)：该第三光电转换层150是以化学气相沉积法加以沉积而成。且该第三光电转换层150形成于该第二光电转换层140上方，该第三光电转换层150的材料是选自于由多晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗与多晶硅锗所组成的一族群。其中，该第一光电转换层130内的P型半导体层131、该第二光电转换层140内的P型半导体层141与该第三光电转换层150内的P型半导体层151的工艺方式可选用等离子体增强型化学气相沉积工艺(Plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、热丝化学气相沉积法(Hot-wire chemical vapor deposition，HW-CVD)或特高频等离子体增强型化学气相沉积(Very high frequency-plasma enhance chemical vapor deposition，VHF-PECVD)等工艺作为主要的工艺方式。在一实施例中，该第一光电转换层130内的P型半导体层131、该第二光电转换层140内的P型半导体层141与该第三光电转换层150内的P型半导体层151是由等离子体增强型化学气相沉积来形成，其机台腔体的压力为0.01托(torr)至0.5托(torr)，工艺温度为20℃至300℃，通入的气体可选用硅化合物(Silicide)气体如硅烷(silane，SH4)并混和氢气(Hydrogen，H)、氩气(Argon，Ar)等作为制作气体。其中，当氢气流量与硅烷流量比例为0.1倍至10倍时，可用以制作出非晶硅薄膜，并做为该第一光电转换层130内的P型半导体层131；当氢气流量与硅烷流量比例为10倍至30倍，可用以制作出微晶硅薄膜，并做为该第二光电转换层140内的P型半导体层141；当氢气流量与硅烷流量比例为30倍至50倍，可用以制作出多晶硅薄膜，并做为该第三光电转换层150内的P型半导体层151。该第一光电转换层130内的P型半导体层131，该第二光电转换层140内的P型半导体层141与该第三光电转换层150内的P型半导体层151的掺杂方式都可选用气体掺杂、铝诱导结晶硅(Aluminum inducedcrystalline，AIC)、扩散法(Thermal diffusion)、固相结晶化(Solid phasecrystalline，SPC)或准分子激光退火(Excimer laser anneal，ELA)工艺作为主要的工艺方式。该第一光电转换层130内的本征型(I型)半导体层132，该第二光电转换层140内的本征型(I型)半导体层142与该第三光电转换层150内的本征型(I型)半导体层152的工艺方式可选用于等离子体增强型化学气相沉积工艺、热丝化学气相沉积法或特高频等离子体增强型化学气相沉积工艺作为主要的工艺方式。
在一实施例中，该第一光电转换层130内的本征型(I型)半导体层132，该第二光电转换层140内的本征型(I型)半导体层142与该第三光电转换层150内的本征型(I型)半导体层152是由等离子体增强型化学气相沉积来形成，其机台腔体的压力为0.01托(torr)至0.5托(torr)，工艺温度为20℃至300℃，通入的气体可选用硅化合物气体如硅烷并混和氢气、氩气等作为制作气体。其中，当氢气流量与硅烷流量比例为0.1倍至10倍时，可用以制作出非晶硅薄膜，并做为该第一光电转换层130内的本征型(I型)半导体层132；当氢气流量与硅烷流量比例为10倍至30倍，可用以制作出微晶硅薄膜，并做为第二光电转换层140内的本征型(I型)半导体层142；当氢气流量与硅烷流量比例为30倍至50倍，可用以制作出多晶硅薄膜，并做为该第三光电转换层150内的本征型(I型)半导体层152。该第一光电转换层130内的N型半导体层133，第二光电转换层140内的N型半导体层143、第三光电转换层150内的N型半导体层153的工艺方式可选用于等离子体增强型化学气相沉积工艺、热丝化学气相沉积法或特高频等离子体增强型化学气相沉积工艺作为主要工艺方式。
在一实施例中，第一光电转换层130内的N型半导体层133，第二光电转换层140内的N型半导体层143、第三光电转换层150内的N型半导体层153是由等离子体增强型化学气相沉积来形成，其机台腔体的压力为0.01托(torr)至0.5托(torr)，工艺温度为20℃至300℃，通入的气体可选用硅化合物气体如硅烷并混和氢气、氩气等作为制作气体。其中，当氢气流量与硅烷流量比例为0.1倍至10倍时，可用以制作出非晶硅薄膜，并做为该第一光电转换层130内的N型半导体层133；当氢气流量与硅烷流量比例为10倍至30倍，可用以制作出微晶硅薄膜，并做为该第二光电转换层140内的N型半导体层143；当氢气流量与硅烷流量比例为30倍至50倍，可用以制作出多晶硅薄膜，并做为该第三光电转换层150内的N型半导体层153。
在步骤(F)中：该电极160形成于该第三光电转换层150上方，且形成该电极160的工艺选自于由蒸发沉积法、溅射沉积法、电镀法或印刷法所组成的一族群。该电极160的制作材料可选用铟锡氧化物(Indium tin oxide，ITO)、二氧化锡(Stannum dioxide，SnO2)、氧化锌(Zinc oxide，ZnO)、含杂质的氧化锌、镍、金、银、钛、铜、钯、及铝等材料，该电极160的功效与该透明导电膜120相同。以及本发明还包含形成抗反射层于该第三光电转换层150上方，且形成该抗反射层的工艺选自于由等离子体增强型化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法或特高频等离子体增强型化学气相沉积法所组成的一族群。在一实施例中，本发明的该抗反射层是由等离子体增强型化学气相沉积来形成，其机台腔体的压力为0.01托(torr)至0.5托(torr)，工艺温度为室温至300℃，通入的气体可选用硅化合物气体混合氨气等作为该抗反射层的制作气体。
现请参照图3，其示出了该第二光电转换层140的X光绕射分析图。利用X光衍射分析仪的实作测量结果揭示，其X光衍射分析图的峰值出现(111)、(220)、(311)的硅结晶面。现请参照图4，其示出了该第二光电转换层140的微拉曼光谱分析图。利用微拉曼光谱分析仪(micro Raman spectra)的实作测量结果揭示，其微拉曼光谱图的峰值出现在510cm-1，为一中等结晶度的微晶硅薄膜。现请参照图5，其示出了该第三光电转换层150的微拉曼光谱分析图。利用微拉曼光谱分析仪(micro Raman spectra)的实作测量结果揭示，其微拉曼光谱图的峰值出现在515cm-1，为一高结晶度的多晶硅薄膜。
需注意的是，本发明的第二实施例类似于该第一实施例。其主要差别在于，本发明的第二实施例将该第一实施例的步骤(E)改为步骤(E1)：掺杂锗元素于该第三光电转换层150内，其工艺方式可选用等离子体增强型化学气相沉积工艺、热丝化学气相沉积法或特高频等离子体增强型化学气相沉积等工艺作为主要工艺方式。在另一实施例中，该第三光电转换层150由等离子体增强型化学气相沉积来形成，其机台腔体的压力为0.01托(torr)至0.5托(torr)，工艺温度为20℃至300℃，通入的气体可选用硅化合物气体如硅烷与锗烷(GeH4)并混和氢气、氩气等作为硅锗薄膜的制作气体，其锗元素占该第三光电转换层150的元素比例在5％至30％之间，可用以提高太阳能电池的光吸收范围。
综上所述，本发明的第一实施例为较佳实施例。该具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺，其特别是关于多个相互叠接的光电转换层，该多个光电转换层利用不同的薄膜材料以提高其光波长的吸收范围，并增加太阳能电池的光电转换效率。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明做出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1、一种具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池结构，其特征在于，主要包含：
一基板，该基板的一面为照光面；
一透明导电膜，形成于该基板上，该透明导电膜用以取出电能与提升光电转换的效率；
一第一光电转换层，形成于该透明导电膜上方，该第一光电转换层用以产生电子空穴对，并提供光电流，且该第一光电转换层的材料是选自于由碳化硅与非晶硅所组成的一族群；
一第二光电转换层，形成于该第一光电转换层上方，该第二光电转换层用以产生电子空穴对，并提供光电流，且该第二光电转换层的材料是选自于由纳米晶硅、微晶硅与多晶硅所组成的一族群，且该第二光电转换层内的结晶材料占该第二光电转换层的整体的比例介于10％至80％之间；
一第三光电转换层，形成于该第二光电转换层上方，该第三光电转换层用以产生电子空穴对，并提供光电流，且该第三光电转换层的材料是选自于由多晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗与多晶硅锗所组成的一族群；以及
一电极，形成于该第三光电转换层上方，该电极用以取出电能与提升光电转换的效率；
其中，该第一光电转换层的能隙大于该第二光电转换层的能隙，而该第二光电转换层的能隙大于该第三光电转换层的能隙；
其中该第一光电转换层的厚度不大于该第二光电转换层的厚度，而该第二光电转换层的厚度不大于该第三光电转换层。
2、根据权利要求1所述的具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池结构，其特征在于，该第一光电转换层、该第二光电转换层与该第三光电转换层都是由一P型半导体层、一本征型半导体层与一N型半导体层组合而成。
3、根据权利要求1所述的具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池结构，其特征在于，该第二光电转换层内的结晶材料的结晶尺寸在10纳米至500纳米之间。
4、根据权利要求1所述的具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池结构，其特征在于，该硅基薄膜太阳能电池结构还包含：
一抗反射层，形成于该第三光电转换层上方，用以减少反射所造成的光能流失。
5、一种具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池的工艺，其特征在于，包含下列步骤：
A、提供一基板，用以作为承载主体；
B、形成一透明导电膜，该透明导电膜形成于该基板之上，且该透明导电膜之材料是选自于由铟锡氧化物、二氧化锡与含杂质的氧化锌所组成的一族群；
C、以化学气相沉积法形成一第一光电转换层，该第一光电转换层形成于该透明导电膜上方，该第一光电转换层的材料是选自于由碳化硅与非晶硅所组成的一族群；
D、以化学气相沉积法形成一第二光电转换层，该第二光电转换层形成于该第一光电转换层上方，该第二光电转换层的材料是选自于由纳米晶硅、微晶硅与多晶硅所组成的一族群，且该第二光电转换层内的结晶材料占该第二光电转换层的整体的比例介于10％至80％之间；
E、以化学气相沉积法形成一第三光电转换层，该第三光电转换层形成于该第二光电转换层上方，该第三光电转换层的材料是选自于由多晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗与多晶硅锗所组成的一族群；以及
F、形成一电极，该电极形成于该第三光电转换层上方，且该电极的材料是选自于由铟锡氧化层、二氧化锡、氧化锌、镍、金、银、钛、铜、钯与铝所组成的一族群。
6、根据权利要求5所述的具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池的工艺，其特征在于，该第一光电转换层、该第二光电转换层与该第三光电转换层都是由一P型半导体层、一本征型半导体层与一N型半导体层组合而成。
7、根据权利要求5所述的具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池的工艺，其特征在于，还包含：
形成一抗反射层，该抗反射层形成于该第三光电转换层上方，且形成该抗反射层的工艺是选自于由等离子体增强型化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法与特高频等离子体增强型化学气相沉积法所组成的一族群。
8、根据权利要求5所述的具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池的工艺，其特征在于，该第一光电转换层、该第二光电转换层与该第三光电转换层内的每一所述P型半导体层的掺杂浓度介于1018至1020原子/立方厘米之间。
9、根据权利要求5所述的具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池的工艺，其特征在于，该第一光电转换层、该第二光电转换层与该第三光电转换层内的每一所述N型半导体层的掺杂浓度介于1018至1020原子/立方厘米之间。
10、根据权利要求5所述的具有多结结构的硅基薄膜太阳能电池的工艺，其特征在于，该第一光电转换层、该第二光电转换层与该第三光电转换层在制作时，其工艺温度介于20℃至300℃之间。
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