CN101552482A - 充放电控制电路及电池装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供可减小电路规模的充放电控制电路及电池装置。在充电器反接检测电路(116)中，没有使用比较电路等，而使用2个NMOS晶体管，因此充电器反接检测电路(116)以及充放电控制电路(110)的电路规模变小。因而，消耗电流减少。此外，制造成本也降低。
Description
技术领域
本发明涉及控制电池的充放电的充放电控制电路及电池装置。
背景技术
现在，各式各样的便携式电子设备得到普及。这些便携式电子设备通常由搭载电池的电池装置来驱动。
在使用便携式电子设备的场合，电池与便携式电子设备连接，当电池被充电时，电池与充电器连接。在此，作为电池的危险状态，有电池充电时电池与充电器以相反极性连接的充电器反接状态。
作为该对策，提出了若电池与充电器以相反极性连接，检测端子的电压高于电源电压，且比较电路检测出该情况，则停止电池的放电的技术(例如，参照专利文献1：日本特开2006-210026号公报)。
发明内容
但是，由于使用比较电路，电路规模会相应地变大。因而，消耗电流会变多。此外，制造成本会变高。
本发明鉴于上述问题构思而成，提供可减小电路规模的充放电控制电路及电池装置。
为了解决上述课题，本发明提供一种一种用于控制电池的充放电的充放电控制电路，该充放电控制电路形成在第二导电型的基板上，并在充放电路径上设有第二导电型的第一MOS晶体管以及第二导电型的第二MOS晶体管，其特征在于包括：检测端子，用于检测所述电池与充电器的相反极性的连接；以及充电器反接检测电路，该充电器反接检测电路包括：设置在所述检测端子上的输入端子；输出端子；第一寄生双极性晶体管，该第一寄生双极性晶体管的第二导电型的基极设置在第一电源供给端子上且发射极设置在所述输入端子上；以及第二寄生双极性晶体管，该第二寄生双极性晶体管的第一导电型的基极设置在所述第一寄生双极性晶体管的集电极，发射极经由电阻成分设置在第二电源供给端子上，集电极设置在所述第一电源供给端子上，若所述输入端子的电压成为在电源电压加上二极管的阈值电压后的电压以上，则使所述第一MOS晶体管进行导通动作，该第一MOS晶体管在导通时使充放电电流流过而在截止时仅使第一寄生二极管的放电电流流过，且使所述第二MOS晶体管进行截止动作，该第二MOS晶体管在导通时使充放电电流流过而在截止时仅使第二寄生二极管的充电电流流过，从而使所述电池停止放电。
此外，本发明为了解决上述课题，提供一种电池装置，该电池装置具备控制电池的充放电的充放电控制电路，该充放电控制电路形成在第二导电型的基板上，并在充放电路径上设有第二导电型的第一MOS晶体管及第二导电型的第二MOS晶体管，其特征在于包括：检测端子，用于检测所述电池与充电器的相反极性的连接；以及充电器反接检测电路，该充电器反接检测电路包括：设置在所述检测端子上的输入端子；输出端子；第一寄生双极性晶体管，该第一寄生双极性晶体管的第二导电型的基极设置在第一电源供给端子上且发射极设置在所述输入端子上；以及第二寄生双极性晶体管，该第二寄生双极性晶体管的第一导电型的基极设置在所述第一寄生双极性晶体管的集电极，发射极经由电阻成分设置在第二电源供给端子上，集电极设置在所述第一电源供给端子上，若所述输入端子的电压成为在电源电压加上二极管的阈值电压后的电压以上，则使所述第一MOS晶体管进行导通动作，该第一MOS晶体管在导通时使充放电电流流过而在截止时仅使第一寄生二极管的放电电流流过，且使所述第二MOS晶体管进行截止动作，该第二MOS晶体管在导通时使充放电电流流过而在截止时仅使第二寄生二极管的充电电流流过，从而使所述电池停止放电，而且还具备所述第一MOS晶体管、所述第二MOS晶体管和所述电池。
发明效果
在本发明中，由于在充电器反接检测电路中没有使用比较电路等，充电器反接检测电路及充放电控制电路的电路规模变小。
附图说明
图1是表示电池装置的方框图。
图2是表示充放电控制电路的方框图。
图3是表示充电器反接检测电路的电路图。
图4是表示充电器反接检测电路的器件剖视图。
图5是表示充电器反接检测电路的电路图。
图6是表示充电器反接检测电路的器件剖视图。
图7是表示充电器反接检测电路的电路图。
图8是表示充电器反接检测电路的器件剖视图。
(符号说明)
110......充放电控制电路；111......过充电检测电路；112......过放电检测电路；113......过电流检测电路；115......延迟电路；116......充电器反接检测电路；117......逻辑电路；VDD......电源端子；VSS......接地端子；DO......控制端子；CO......控制端子；VM......检测端子。
具体实施方式
以下，参照附图，就本发明的实施方式进行说明。
第一实施方式
首先，对电池装置的结构进行说明。图1是表示电池装置的方框图。图2是表示充放电控制电路的方框图。
电池装置向负载(未图示)供给电源电压，或者通过充电器(未图示)被充电。保护电路100保护电池200。充放电控制电路110通过对NMOS晶体管120及NMOS晶体管130进行导通/截止控制来控制电池200的充放电。
电池装置具有保护电路100及电池200。电池装置具有端子EB+及端子EB-。保护电路100具有充放电控制电路110、NMOS晶体管120和NMOS晶体管130。充放电控制电路110具备过充电检测电路111、过放电检测电路112、过电流检测电路113、延迟电路115、充电器反接检测电路116以及逻辑电路117。充放电控制电路110具备电源端子VDD、接地端子VSS、控制端子DO、控制端子CO以及检测端子VM。
电池200的正极端子与端子EB+及电源端子VDD连接，负极端子与接地端子VSS连接，而且负极端子经由NMOS晶体管120及NMOS晶体管130连接到端子EB-。即，NMOS晶体管120及NMOS晶体管130设置在充放电路径上。充放电控制电路110的控制端子DO与NMOS晶体管130连接，控制端子CO与NMOS晶体管120连接，检测端子VM与端子EB-连接。过充电检测电路111的一端与电源端子VDD连接，另一端与延迟电路115的第一输入端子连接。过放电检测电路112的一端与电源端子VDD连接，另一端与延迟电路115的第二输入端子连接。过电流检测电路113的一端与检测端子VM连接，另一端与延迟电路115的第三输入端子连接。延迟电路115的输出端子与逻辑电路117的第一输入端子连接。充电器反接检测电路116的一端与检测端子VM连接，另一端与逻辑电路117的第二输入端子连接。逻辑电路117的第一输出端子与控制端子CO连接，第二输出端子与控制端子DO连接。此外，充电器或负载连接在端子EB+以及端子EB-之间。
在此，检测端子VM是用于检测电池200处于过电流状态的端子。此外，检测端子VM是用于检测电池200与充电器以相反极性的连接的端子。
此外，充放电控制电路110形成在N型基板上。
接着，对充放电控制电路110的动作进行说明。
<电池200处于过充电状态的场合>
若电池200的电压变高而成为规定电压以上，且电池200成为过充电状态，则过充电检测电路111通过监视电源端子VDD，过充电检测电路111检测出电池200的过充电。然后，若以电池200处于过充电状态经过了延迟电路115设定的延迟时间(例如，1秒)，即，电池200的过充电状态的时间成为延迟时间以上，则逻辑电路117向NMOS晶体管120及NMOS晶体管130的栅极分别输出低电平信号以及高电平信号。这样，NMOS晶体管120截止而仅使寄生二极管产生的放电电流流过，且NMOS晶体管130导通而使充放电电流流过，过充电检测电路111使电池200停止充电。
<电池200成为过放电状态的场合>
若电池200的电压变低而小于规定电压，电池200成为过放电状态，则过放电检测电路112通过监视电源端子VDD，过放电检测电路112检测出电池200的过放电。然后，若以电池200处于过放电状态经过延迟电路115设定的延迟时间，即，电池200的过放电状态的时间成为延迟时间以上，则逻辑电路117向NMOS晶体管120及NMOS晶体管130的栅极分别输出高电平信号及低电平信号。这样，NMOS晶体管120导通而使充放电电流流过，NMOS晶体管130截止而仅使寄生二极管产生的充电电流流过，过放电检测电路112使电池200停止放电。
<电池200成为过电流状态的场合>
若异常电流流过负载而电池200成为过电流状态，则过电流检测电路113通过监视检测端子VM，过电流检测电路113检测出电池200的过电流。然后，若以电池200处于过电流状态经过了延迟电路115设定的延迟时间，即，电池200的过电流状态的时间成为延迟时间以上，则逻辑电路117向NMOS晶体管120及NMOS晶体管130的栅极分别输出高电平信号及低电平信号。这样，NMOS晶体管120导通而使充放电电流流过，NMOS晶体管130截止而仅使寄生二极管产生的充电电流流过，过电流检测电路113使电池200停止放电。
<电池200与充电器以相反极性连接的场合>
充电器与电池200连接而进行对电池200的充电的场合，充电器的正极端子与端子EB+连接，充电器的负极端子与端子EB-连接，但是充电器与电池200错误连接，使得充电器的正极端子与端子EB-连接，充电器的负极端子与端子EB+连接。即，充电器与电池200以相反极性连接。这样，通常在接地电压附近的检测端子VM及端子EB-的电压，会成为电池200的电压即电源电压附近。若检测端子VM的电压成为规定电压，则充电器反接检测电路116检测出该规定电压，逻辑电路117向NMOS晶体管120及NMOS晶体管130的栅极分别输出高电平信号及低电平信号。这时，自检测出规定电压后输出高电平信号以及低电平信号为止的期间不存在延迟时间。这样，NMOS晶体管120导通而有电流流过，NMOS晶体管130截止而仅使寄生二极管产生的充电电流流过，充电器反接检测电路116使电池200停止放电。还有，自检测出规定电压后输出高电平信号及低电平信号为止的期间，不存在延迟时间，但可以存在比电池200成为过充电状态、过放电状态或过电流状态时的延迟时间短的延迟时间。
接着，就充电器反接检测电路116的结构进行说明。图3是表示充电器反接检测电路的电路图。图4是表示充电器反接检测电路的器件剖视图。
充电器反接检测电路116具有NMOS晶体管21～22。
此外，充电器反接检测电路116具有寄生PNP双极性晶体管24、寄生NPN双极性晶体管25及寄生电阻26～27。
NMOS晶体管21的栅极与电源端子VDD连接，源极及背栅极与NMOS晶体管22的漏极连接，漏极与输出端子out连接。NMOS晶体管22的栅极与电源端子VDD连接，源极及背栅极与接地端子VSS连接。
此外，寄生PNP双极性晶体管24的基极与电源端子VDD连接，发射极与输入端子in(检测端子VM)连接，集电极与寄生NPN双极性晶体管25的基极连接。寄生NPN双极性晶体管25的发射极经由寄生电阻26连接至NMOS晶体管21的源极，集电极与电源端子VDD连接。寄生电阻27存在于NMOS晶体管22的源极和漏极之间。
接着，就充电器反接检测电路116的动作进行说明。
<电池200与充电器正常连接的场合>
输入端子in(检测端子VM)的电压成为接地电压附近。NMOS晶体管21～22的栅极上被输入电源电压，因此导通。这样，输出端子out的电压就成为低电平信号(接地电压)。即，充电器反接检测电路116不检测电池200与充电器的相反极性的连接。
<电池200与充电器以相反极性连接的场合>
在此，第一寄生二极管以连接在输入端子in(检测端子VM)的P型阱为阳极，以连接在电源端子VDD的N型基板为阴极。寄生PNP双极性晶体管24以连接在电源端子VDD的N型基板为基极，以连接在输入端子in(检测端子VM)的P型阱为发射极，以连接在NMOS晶体管21的背栅极的P型阱为集电极。第二寄生二极管以连接在NMOS晶体管21的背栅极的P型阱为阳极，以经由NMOS晶体管22连接至接地端子的N型源极区域为阴极。寄生NPN双极性晶体管25以连接在NMOS晶体管21的背栅极的P型阱为基极，以经由NMOS晶体管22连接至接地端子的N型源极区域为发射极，以连接在电源端子VDD的N型基板为集电极。
输入端子in(检测端子VM)的电压变高，成为在电源电压加上寄生二极管的阈值电压后的电压以上。这样，第一寄生二极管工作，有寄生电流流过。因该寄生电流而寄生PNP双极性晶体管24工作，并且有寄生电流流过。由于在第二寄生二极管中有寄生PNP双极性晶体管24产生的寄生电流流过，寄生NPN双极性晶体管25工作，使被放大的寄生电流流过。该寄生电流流过寄生电阻26～27以及布线(电阻成分)，在寄生电阻26～27以及布线上发生电压。因而，NMOS晶体管21的漏极电压变高，若成为规定电压以上，则成为针对应逻辑电路117的高电平信号。即，充电器反接检测电路116检测出电池200与充电器以相反极性连接。
这样，在充电器反接检测电路116中，不使用比较电路等而使用2个NMOS晶体管，因此充电器反接检测电路116及充放电控制电路110的电路规模变小。因而，消耗电流减少。此外，制造成本降低。
此外，在充电器反接检测电路116中，不使用比较电路等，因此不会因寄生二极管以及寄生双极性晶体管工作而出现比较电路等误动作的情形。因而，充电器反接检测电路116的可靠性变高。
又，可在NMOS晶体管21的源极与接地端子VSS之间追加电阻(未图示)。这样，充电器反接检测电路116的输出端子out的电压相应于该电阻分量而变高。
此外，第一实施方式中，在N型基板上，NMOS晶体管21～22设于输出端子out与接地端子VSS之间，NMOS晶体管21～22的栅极与电源端子连接。这时，在端子EB-和电池200之间设有2个NMOS晶体管。此外，设置在端子EB-上的检测端子VM的电压若成为在电源电压加上寄生二极管的阈值电压后的电压以上，则充电器反接检测电路116检测出电池200与充电器以相反极性连接。但是，可在P型基板上，电源端子VDD与输出端子out之间设置2个PMOS晶体管，且使该2个PMOS晶体管的栅极与接地端子连接(未图示)。这时，在端子EB+和电池之间设有2个PMOS晶体管。此外，设置在端子EB+上的检测端子VM的电压若小于从接地电压减去寄生二极管的阈值电压后的电压，则充电器反接检测电路检测出电池与充电器以相反极性连接。
第二实施方式
接着，对充电器反接检测电路116的结构进行说明。图5是表示充电器反接检测电路的电路图。图6是表示充电器反接检测电路的器件剖视图。
与第一实施方式相比，第二实施方式的充电器反接检测电路116中NMOS晶体管22变更为下拉电阻28，并除去了寄生电阻27。下拉电阻28设置在NMOS晶体管21的源极与接地端子之间。
接着，对充电器反接检测电路116的动作进行说明。
<电池200与充电器正常连接的场合>
输入端子in(检测端子VM)的电压成为接地电压附近。NMOS晶体管21的栅极上被输入电源电压，因此导通。这样，输出端子out的电压成为低电平信号(接地电压)。即，充电器反接检测电路116不检测电池200与充电器的相反极性的连接。
<电池200与充电器以相反极性连接的场合>
输入端子in(检测端子VM)的电压变高，成为在电源电压加上寄生二极管的阈值电压后的电压以上。这样，第一寄生二极管工作，使寄生电流流过。因该寄生电流而寄生PNP双极性晶体管24工作，使寄生电流流过。由寄生PNP双极性晶体管24产生的寄生电流流过第二寄生二极管，从而寄生NPN双极性晶体管25工作，使被放大的寄生电流流过。该寄生电流流过寄生电阻26和下拉电阻和布线(电阻成分)，在寄生电阻26和下拉电阻和布线上发生电压。因而，NMOS晶体管21的漏极电压变高，若成为规定电压以上，则成为针对逻辑电路117的高电平信号。即，充电器反接检测电路116检测出电池200与充电器以相反极性连接。
还有，在第二实施方式中，采用下拉电阻28，但可采用电流源(未图示)。
此外，在第二地方式中，N型基板上，NMOS晶体管21及下拉电阻28依次设于输出端子out和接地端子VSS之间，NMOS晶体管21的栅极与电源端子连接。这时，在端子EB-和电池200之间设有2个NMOS晶体管。此外，设置在端子EB-上的检测端子VM的电压若成为在电源电压加上寄生二极管的阈值电压后的电压以上，则充电器反接检测电路116检测出电池200与充电器以相反极性连接。但是，可在P型基板上，使上拉电阻及PMOS晶体管依次设置在电源端子VDD与输出端子out之间，PMOS晶体管的栅极与接地端子(未图示)。这时，在端子EB+与电池之间设有2个PMOS晶体管。此外，设置在端子EB+上的检测端子VM的电压若小于从接地电压减去寄生二极管的阈值电压后的电压，则充电器反接检测电路检测出电池与充电器以相反极性连接。
第三实施方式
接着，对充电器反接检测电路116的结构进行说明。图7是表示充电器反接检测电路的电路图。图8是表示充电器反接检测电路的器件剖视图。
充电器反接检测电路116具有二极管29以及下拉电阻28。
此外，充电器反接检测电路116具有寄生PNP双极性晶体管31、寄生NPN双极性晶体管32及寄生电阻33。
二极管29的阳极与输出端子out连接，阴极经由下拉电阻28连接至接地端子。
此外，寄生PNP双极性晶体管31的基极与电源端子VDD连接，发射极与输入端子in(检测端子VM)连接，集电极与寄生NPN双极性晶体管32的基极连接。寄生NPN双极性晶体管32的发射极经由寄生电阻33连接至下拉电阻28的一端，集电极与电源端子VDD连接。
接着，对充电器反接检测电路116的动作进行说明。
<电池200与充电器正常连接的场合>
在此，第一寄生二极管以连接在输入端子in(检测端子VM)的P型阱为阳极，并以连接在电源端子VDD的N型基板为阴极。寄生PNP双极性晶体管31以连接在电源端子VDD的N型基板为基极，以连接在输入端子in(检测端子VM)的P型阱为发射极，以连接在输出端子out的P型阱为集电极。寄生NPN双极性晶体管32以连接在输出端子out的P型阱为基极，以经由下拉电阻28连接至接地端子的N型阴极区域为发射极，以连接在电源端子VDD的N型基板为集电极。
输入端子in(检测端子VM)的电压成为接地电压附近。这样，第一寄生二极管不工作，且寄生PNP双极性晶体管24也不工作。这样，输出端子out下拉，输出端子out的电压成为低电平信号(在接地电压加上寄生二极管的阈值电压后的电压)。即，充电器反接检测电路116不检测电池200与充电器的相反极性的连接。
<电池200与充电器以相反极性连接的场合>
输入端子in(检测端子VM)的电压变高，成为在电源电压加上寄生二极管的阈值电压后的电压以上。这样，第一寄生二极管工作，使寄生电流流过。通过该寄生电流，寄生PNP双极性晶体管31工作，使寄生电流流过。由于寄生PNP双极性晶体管31产生的寄生电流流过二极管29，寄生NPN双极性晶体管32工作，使放大后的寄生电流流过。该寄生电流流过寄生电阻33和下拉电阻28和布线(电阻成分)，在寄生电阻33和下拉电阻28和布线上发生电压。因而，二极管29的阳极电压变高，若成为规定电压以上，则成为针对逻辑电路117的高电平信号。即，充电器反接检测电路116检测出电池200与充电器以相反极性连接。
又，在第三施方式中，在N型基板上，二极管29及下拉电阻28依次设置在输出端子out和接地端子VSS之间。这时，在端子EB-和电池200之间设有2个NMOS晶体管。此外，设置在端子EB-上的检测端子VM的电压若成为在电源电压加上寄生二极管的阈值电压后的电压以上，则充电器反接检测电路116检测出电池200与充电器以相反极性连接。但是，可在P型基板上，使上拉电阻以及二极管依次设置在电源端子VDD与输出端子out之间(未图示)。这时，在端子EB+和电池之间设有2个PMOS晶体管。此外，设置在端子EB+上的检测端子VM的电压若小于从接地电压减去寄生二极管的阈值电压后的电压，则充电器反接检测电路检测出电池与充电器以相反极性连接。
Claims (6)
1.一种用于控制电池的充放电的充放电控制电路，该充放电控制电路形成在第二导电型的基板上，并在充放电路径上设有第二导电型的第一MOS晶体管以及第二导电型的第二MOS晶体管，其特征在于包括：
检测端子，用于检测所述电池与充电器的相反极性的连接；以及
充电器反接检测电路，该充电器反接检测电路包括：设置在所述检测端子上的输入端子；输出端子；第一寄生双极性晶体管，该第一寄生双极性晶体管的第二导电型的基极设置在第一电源供给端子上且发射极设置在所述输入端子上；以及第二寄生双极性晶体管，该第二寄生双极性晶体管的第一导电型的基极设置在所述第一寄生双极性晶体管的集电极，发射极经由电阻成分设置在第二电源供给端子上，集电极设置在所述第一电源供给端子上，若所述输入端子的电压成为在电源电压加上二极管的阈值电压后的电压以上，则使所述第一MOS晶体管进行导通动作，该第一MOS晶体管在导通时使充放电电流流过而在截止时仅使第一寄生二极管的放电电流流过，且使所述第二MOS晶体管进行截止动作，该第二MOS晶体管在导通时使充放电电流流过而在截止时仅使第二寄生二极管的充电电流流过，从而使所述电池停止放电。
2.如权利要求1所述的充放电控制电路，其特征在于：所述电阻成分是第二导电型的第三MOS晶体管的导通电阻。
3如权利要求1所述的充放电控制电路，其特征在于：所述电阻成分是第二导电型的第三MOS晶体管的导通电阻以及电阻。
4.如权利要求1所述的充放电控制电路，其特征在于：所述电阻成分为电阻。
5.如权利要求1所述的充放电控制电路，其特征在于：所述电阻成分为电流源。
6.一种电池装置，其特征在于具备：
电池；
设置在所述电池的充放电路径上的第二导电型的第一MOS晶体管以及第二导电型的第二MOS晶体管；以及
与所述电池并联设置的、控制所述第一MOS晶体管及第二MOS晶体管的权利要求1至5中的任一项所述的充放电控制电路。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102904218A (zh) * | 2011-07-26 | 2013-01-30 | 精工电子有限公司 | 电池保护ic以及电池装置 |
| CN104578026A (zh) * | 2013-10-17 | 2015-04-29 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
| CN105044386A (zh) * | 2015-06-29 | 2015-11-11 | 中国农业大学 | 一种水生动物行为监测传感器 |
| CN106233454A (zh) * | 2014-05-01 | 2016-12-14 | 松下知识产权经营株式会社 | 半导体装置及半导体模组 |
| CN106329613A (zh) * | 2015-06-30 | 2017-01-11 | 精工半导体有限公司 | 充放电控制电路、充放电控制装置及电池装置 |
| CN106385066A (zh) * | 2016-09-23 | 2017-02-08 | 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 | 电池的充放电电路及终端 |
| CN106849290A (zh) * | 2017-04-19 | 2017-06-13 | 成都市智合微电子有限公司 | 一种电池保护电路及锂电池电路 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201639290U (zh) * | 2010-02-27 | 2010-11-17 | 比亚迪股份有限公司 | 一种后备电池的防止主回路反接的装置 |
| JP5742593B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2015-07-01 | ミツミ電機株式会社 | 半導体集積回路、保護回路及び電池パック |
| KR101981134B1 (ko) | 2012-11-20 | 2019-05-22 | 미쓰미덴기가부시기가이샤 | 반도체 집적 회로, 보호 회로 및 전지팩 |
| JP6088289B2 (ja) | 2013-02-28 | 2017-03-01 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 充放電制御回路及びバッテリ装置 |
| US10025479B2 (en) | 2013-09-25 | 2018-07-17 | Terarecon, Inc. | Advanced medical image processing wizard |
| TWI528138B (zh) * | 2013-10-23 | 2016-04-01 | 緯創資通股份有限公司 | 判斷電子裝置之安裝方向的方法與電子系統 |
| JP6109410B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2017-04-05 | 三菱電機株式会社 | 車載機器 |
| CN104795972B (zh) * | 2015-05-15 | 2017-04-12 | 泓芯泰业科技(北京)有限公司 | 一种输入电流测控电路 |
| DE102016101676B3 (de) * | 2016-01-29 | 2017-07-13 | Infineon Technologies Ag | Elektrische schaltung, die eine halbleitervorrichtung mit einem ersten transistor und einem zweiten transistor und eine steuerschaltung enthält |
| US10401525B2 (en) * | 2017-03-08 | 2019-09-03 | GM Global Technology Operations LLC | Wireless power quality alert for delayed charging with electric vehicles |
| US10546082B1 (en) * | 2018-01-17 | 2020-01-28 | Mentor Graphics Corporation | Resistor network reduction for full-chip simulation of current density |
| JP7227445B2 (ja) * | 2018-12-06 | 2023-02-22 | Fdk株式会社 | 電池極性判定回路、充電器、及び電子機器 |
| CN113748581A (zh) * | 2019-02-22 | 2021-12-03 | 波拉里尔姆能源解决方案公司 | 受反极性保护的电池模块 |
| CN110429679A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-11-08 | 上海移为通信技术股份有限公司 | 一种小电量充电设备及控制方法 |
| US20220229104A1 (en) * | 2019-11-21 | 2022-07-21 | Lg Energy Solution, Ltd. | Diagnosis Circuit of Parallel-Structure Mosfets Including Mux and Diagnosis Method Using the Same |
| JP7292228B2 (ja) * | 2020-02-07 | 2023-06-16 | エイブリック株式会社 | 充放電制御回路及びバッテリ装置 |
| TWI775542B (zh) * | 2021-07-26 | 2022-08-21 | 宏碁股份有限公司 | 避免意外關機之行動裝置及控制方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS566520A (en) * | 1979-06-28 | 1981-01-23 | Nec Corp | Oscillating device |
| JPS61170230A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-07-31 | 神鋼電機株式会社 | 過電流防止回路 |
| US5229635A (en) * | 1991-08-21 | 1993-07-20 | Vlsi Technology, Inc. | ESD protection circuit and method for power-down application |
| US5539610A (en) * | 1993-05-26 | 1996-07-23 | Siliconix Incorporated | Floating drive technique for reverse battery protection |
| DE4334515C1 (de) * | 1993-10-09 | 1994-10-20 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verpolungsschutz für integrierte elektronische Schaltkreise in CMOS-Technik |
| DE19840300A1 (de) * | 1998-09-04 | 2000-03-16 | Bosch Gmbh Robert | Verpol-Schutzschaltung für eine elektronische Leistungsendstufe |
| JP4359740B2 (ja) * | 2000-12-11 | 2009-11-04 | ミツミ電機株式会社 | 二次電池の保護回路 |
| US6724593B1 (en) * | 2002-01-30 | 2004-04-20 | National Semiconductor Corporation | Reverse charger protection |
| JP4241437B2 (ja) * | 2004-03-01 | 2009-03-18 | 株式会社リコー | 電池接続検出回路 |
| JP2005341354A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路 |
| JP4575179B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2010-11-04 | 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ | リチウムイオン二次電池監視用半導体装置 |
| US7312653B2 (en) * | 2005-03-10 | 2007-12-25 | Gm Global Technology Operations, Inc. | NMOS reverse battery protection |
| JP2008161008A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Seiko Instruments Inc | バッテリ状態監視回路及びバッテリ装置 |
| JP4777920B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2011-09-21 | セイコーインスツル株式会社 | 充放電制御回路及び充電式電源装置 |
| CN101174770B (zh) * | 2007-11-21 | 2011-04-06 | 中兴通讯股份有限公司 | 充电保护装置 |
-
2008
- 2008-03-31 JP JP2008089766A patent/JP5032378B2/ja active Active
-
2009
- 2009-03-19 TW TW098108937A patent/TW200945729A/zh unknown
- 2009-03-24 US US12/409,967 patent/US8072189B2/en active Active
- 2009-03-31 CN CN2009101340832A patent/CN101552482B/zh active Active
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102904218A (zh) * | 2011-07-26 | 2013-01-30 | 精工电子有限公司 | 电池保护ic以及电池装置 |
| CN102904218B (zh) * | 2011-07-26 | 2016-11-02 | 精工半导体有限公司 | 电池保护ic以及电池装置 |
| CN104578026A (zh) * | 2013-10-17 | 2015-04-29 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
| CN104578026B (zh) * | 2013-10-17 | 2019-08-16 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
| CN106233454A (zh) * | 2014-05-01 | 2016-12-14 | 松下知识产权经营株式会社 | 半导体装置及半导体模组 |
| CN105044386A (zh) * | 2015-06-29 | 2015-11-11 | 中国农业大学 | 一种水生动物行为监测传感器 |
| CN106329613A (zh) * | 2015-06-30 | 2017-01-11 | 精工半导体有限公司 | 充放电控制电路、充放电控制装置及电池装置 |
| CN106329613B (zh) * | 2015-06-30 | 2020-06-23 | 艾普凌科有限公司 | 充放电控制电路、充放电控制装置及电池装置 |
| TWI733681B (zh) * | 2015-06-30 | 2021-07-21 | 日商艾普凌科有限公司 | 充放電控制裝置以及電池裝置 |
| CN106385066A (zh) * | 2016-09-23 | 2017-02-08 | 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 | 电池的充放电电路及终端 |
| CN106849290A (zh) * | 2017-04-19 | 2017-06-13 | 成都市智合微电子有限公司 | 一种电池保护电路及锂电池电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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