CN101548212A - 具有反射式光栅的混合平面光波导线路 - Google Patents

Abstract

本发明涉及混合平面光波导线路(PLC)，其包括波导线路芯片(21)，以及通过在波导线路芯片(21)中所形成的槽被安装到波导线路芯片(21)上的硅反射式衍射光栅芯片(29)，其中，波导线路芯片(21)包括形成在硅基板(26)上的高光学性能二氧化硅波导结构(22，23，24)，硅反射式衍射光栅芯片(29)包括分离的晶片光栅基板(31)和在其中形成的反射式衍射光栅(28)。反射式衍射光栅(28)通过高度精确的深反应离子蚀刻工艺(DRIE)形成于晶片光栅基板(31)中，使得可以制造出高精度的反射式衍射光栅芯片(29)。由此，本发明中的混合平面光波导线路(PLC)包括分离制造的，高精度的，衍射光栅芯片(29)以及分离制造的，高质量的波导结构(22，23，24)，衍射光栅芯片(29)被安装于波导结构(22，23，24)上，从而可以在处理衍射光栅芯片(29)中使用新的DRIE技术，以及在进行衍射光栅芯片(29)的安装操作时使用倒装芯片接合。所披露的基于衍射光栅的混合平面光波导线路(PLC)所带来的好处，不仅在于设备可以以与现有混合PLC技术相等同复杂的配置来被制造，更在于设备可以通过使用一种可在非常低的表面粗糙度条件下产生非常高质量纵向蚀刻的技术(DRIE)，使得设备的制造更加简单容易。具体的，由于反射式衍射光栅芯片(29)是用硅材料或相类似的材料被分离制造的，DRIE技术就可以被使用，不同于现有的通常排除使用DRIE技术的PLC制造方法的技术。

Description

具有反射式光栅的混合平面光波导线路

技术领域

[01]本发明涉及平面光波导线路(PLC)，尤其是涉及具有混合到多层波导结构上的反射式衍射光栅的PLC。

背景技术

[02]在光学中，衍射光栅是在反射或透明基底上的细的、平行的、相等地间隔开的刻槽(groove)(刻线)，所述刻槽导致将反射或透射电磁能集中在被称为“级次”或“光谱级次”的分立方向上的衍射和相互干涉效应。

[03]刻槽尺寸和间隔在所讨论的波长的数量级上。在衍射光栅的使用最为普遍的光学波段中，每毫米有数百或数千刻槽。

[04]零级相应于正透射或镜面反射。高级次导致入射光束从几何(光线)光学所预测的方向偏离。在垂直入射角的情况下，角θ，即衍射光线从几何光学所预测的方向的偏离，由下列方程式给出，其中m是光谱级次，λ是波长，以及d是相邻刻槽的相应部分之间的间隔。

[05]

$\mathrm{\θ}=\±{\sin }^{-1}\left(\frac{\mathrm{m\λ}}{d}\right)$

[06]因为衍射光束的偏离角是与波长有关的，所以衍射光栅是色散的，即，衍射光栅在空间上将入射光束分成其组成波长分量，产生光谱。

[07]由衍射光栅产生的光谱级次可能重叠，取决于入射光束的光谱含量(spectralcontent)和光栅上每单位距离的刻槽的数量。光谱级次越高，进入下一低级次内的重叠就越多。衍射光栅常常被用在单色仪和其它光学仪器中。通过控制刻槽的横截面形状，有可能将大部分衍射能聚集在所关心的级次内。本技术被称为“闪耀(blazing)”。

[08]最初高分辨率衍射光栅被刻划。高质量刻划机的构造是极大的保证。后来的光刻技术允许光栅从全息干涉图样产生。全息光栅具有正弦形刻槽，所以不是那么亮，但在单色仪中是优选的，因为它们产生比闪耀光栅低得多的杂散光水平。复制技术允许从母光栅制造高质量复制光栅，这有助于降低光栅的成本。

[09]平面光波导反射式衍射光栅包括以有规律的顺序布置的小面(facet)的阵列。参考图1，其示出简单衍射光栅的性能。具有多个波长通道λ₁、λ₂、λ₃……的光束1以特定的入射角θ_in进入具有等级间距(grading pitch)Λ和衍射级次m的衍射光栅2。根据光栅方程式，该光束接着以依赖于波长和级次的角θ_out被有角度地分散：

[10]mλ＝Λ(sinθ_in+sinθ_out)                  (1)

[11]根据光栅方程式(1)，用于形成衍射级次的条件取决于入射光的波长λ_N。当考虑光谱的形成时，需要知道衍射角θ_Nout如何随着入射波长θ_in变化。因此，假定入射角θ_in是固定的，通过对方程式(1)的θ_Nout求导，得到下面的方程式：

[12]

${\∂\mathrm{\θ}}_{\mathrm{Nout}}/\∂\mathrm{\λ}=m/\mathrm{\Λ}{\cos \mathrm{\θ}}_{\mathrm{Nout}}---\left(2\right)$

[13]dθ_Nout/dλ的值代表相应于波长λ的微小变化的衍射角θ_Nout的变化，这被称为衍射光栅的角色散。角色散随着级次m的增加、随着等级间距Λ的减少以及随着衍射角θ_Nout的增加而增加。衍射光栅的线性色散是该项和系统的有效焦距的乘积。

[14]因为不同波长λ_N的光以不同的角θ_Nout衍射，每个级次m被拉开到光谱中。可由给定衍射光栅产生的级次的数量被等级间距Λ限制，因为θ_Nout不能超过90°。最高级次由Λ/λ_N给出。因此，粗光栅(具有大Λ)产生很多级次，而细光栅可能只产生一个或两个级次。

[15]闪耀光栅是控制其中的衍射光栅的刻槽以形成具有闪耀角w的直角三角形的光栅，如图1所示。闪耀角w的选择提供了最优化该衍射光栅的总效率分布的机会，特别是对于给定的波长。

[16]基于平面波导衍射的器件在近红外(1550nm)区为密集波分复用(DWDM)提供了优异的性能。特别是，由于通常工作在高衍射级次(40到80)、高入射角(大约60°)和大等级间距的中阶梯光栅(Echelle grating)的进步，带来干涉路径之间的大相差。因为光栅面的尺寸随着衍射级次按比例调整，所以很长时间以来认为这样的大相差对基于衍射的平面波导器件的可靠制造是必须的。因此，现有的器件由于所需的高衍射级次而被限制在小波长范围内操作。

[17]直接蚀刻到平面光波导线路中的反射式衍射光栅由于其高性能和小尺寸而常常被用作波长滤波器。传统的PLC可被制造在很多不同类型的基底上，包括硅基二氧化硅、绝缘体上硅(SOI)或磷化铟(InP)。在图1中示出了在平板波导的一侧形成的衍射光栅滤波器的一般配置。假定所有的作用都在平行于本页面平面的两维平面内，即，光被限制在垂直方向上(垂直于本页面)。

[18]另一系统在图2和3中示出，其中凹面反射式衍射光栅10形成于设置在芯片12中的平板波导11的边缘处。输入口由波导13的端部限制，波导13从芯片12的边缘延伸到平板波导11以传输输入波分复用(WDM)信号，包括其上的多个波长通道(λ₁、λ₂、λ₃……)。光通过该输入口进入两维平板波导11中并水平地扩展，即，在水平面内发散。随后，光遇到由很多小反射面组成的反射式光栅10。第一级反射信号根据光波长在一个位置处结构性合并，其中输出波导15的端部被设置以捕获所关心的波长通道。

[19]如在这里通过引用被并入的2006年12月19日授权给铱诺博伦斯(Enablence)技术有限公司的美国专利号7,151,635中所定义的，且如图2所示，衍射光栅10具有大于3、优选地大于5和可能大于10的长宽比(aspect ratio，F/S)以及具有小于或等于波长通道(λ₁、λ₂、λ₃……)的平均波长的侧壁长度S。输入波导13被设置以确保入射角θin小于45°，优选地小于30°和可能小于15°或甚至小于6°，且等级间距Λ被选择以确保光栅10提供5或更少和优选地3或更少的级次内的衍射。衍射光栅10使输入信号色散成组成波长并将每个波长通道聚焦在以输出波导15的端部的形式的分离的输出口上，这些端部沿着由罗兰圆限定的光栅10的焦线16布置，以传输回芯片12的边缘。所示器件也可用于将输入波导15的多个波长通道多路复用到单个输出信号，该单个输出信号通过输入波导13被传输到芯片12的边缘。该输入和输出口代表在平板波导11上可发射或捕获光的位置；然而，这些口可与其它传输器件光学耦合或仅仅被封闭。

[20]在PLC中制造反射式衍射光栅(例如图1和2所示)的最大的挑战之一是产生小反射面所需的非常高质量的蚀刻。存在有制造有效率的光栅所必须克服的两个主要挑战，即，接近完美的蚀刻垂直度和非常平滑的侧壁。图2所示的光栅齿一般被金属化以提高其反射性。然而，因为光在下层二氧化硅中传播，光被反射离开内部金属，这大致符合二氧化硅蚀刻的粗糙度和非垂直度，导致光栅的性能问题。消除这个问题的唯一方法是发展具有非常低粗糙度的非常高质量的垂直蚀刻。

[21]不幸的是，在大多数蚀刻工艺中，一般有蚀刻垂直度与蚀刻壁的粗糙度方面的折衷，与制造良好光栅所必须的相反。这在大部分材料系统中是真实的；然而，当仅在硅中实现时，在硅的深反应离子蚀刻(DRIE)中的最近发展使得可以实现非常深、垂直、平滑的蚀刻。DRIE工艺已经被非常普遍地用在MEM组件和很多其它应用中。

[22]然而，使用硅作为PLC波导是非常有限制的，且一般导致低性能组件。为了获得在现代电信系统中所需要的高性能、低损耗组件，大多数PLC滤波器芯片被制造在硅基二氧化硅基底中，其中光只在硅顶部上的薄玻璃层中传播。DRIE技术可适用于二氧化硅晶片，但蚀刻结果远逊于在硅中所得到的结果。由于那个原因，实际上在二氧化硅晶片内蚀刻的所有反射式衍射光栅存在与蚀刻反射镜的垂直度和/或粗糙度相关的性能问题。

发明内容

[23]本发明的目的是通过提供混合PLC器件来克服现有技术的缺点，在该混合PLC器件中，高精度衍射光栅与高质量波导结构被分开地制造。

[24]相应的，本发明涉及平面光波导线路(PLC)器件，其包括：

[25]输入口，用于发射输入光束；

[26]第一基底上的平板波导，所述平板波导限定上覆层和下覆层之间的核心层，具有在其间形成的向下至核心层的槽；

[27]设置在第二基底上的反射式衍射光栅，所述反射式衍射光栅被安装在所述槽中，所述槽与用于使所述输入光束衍射的所述输入口光学地耦合；以及

[28]第一输出口，其用于输出所述输入光束的至少一部分；

[29]其中所述核心层和所述反射式衍射光栅由不同的材料单独地制成；

[30]由此反射式光学器件以比平板波导中可能有的更高的精度被蚀刻。

[31]本发明的另一实施方式涉及形成平面光波导线路的方法，包括以下步骤：

[32]a)在第一基底上形成平板波导，所述第一基底包括上覆层和下覆层之间的核心层；

[33]b)在平板波导中形成向下至所述核心层的槽；

[34]c)在第二基底上形成衍射光栅；以及

[35]d)将所述衍射光栅安装在所述槽中。

附图说明

[36]参考代表其中的优选实施方式的附图将更详细地描述本发明，其中：

[37]图1示出传统的反射式衍射光栅；

[38]图2示出传统的凹面反射式衍射光栅；

[39]图3示出具有图2的凹面反射式衍射光栅的传统PLC器件；

[40]图4是根据本发明的混合PLC器件的横截面视图；

[41]图5a是具有对准标志的图4的器件的反射式衍射光栅的可选实施方式的俯视图；

[42]图5b是图5a的反射式衍射光栅的侧视图；

[43]图6是图4的器件的PLC波导芯片的俯视图；

[44]图7是根据本发明的混合PLC器件的可选实施方式的横截面视图；

[45]图8a是具有隔板突出部分的图4的器件的反射式衍射光栅的可选实施方式的俯视图；以及

[46]图8b是图8a的反射式衍射光栅的侧视图。

具体实施方式

[47]参考图4，根据本发明的PLC芯片21(例如硅基二氧化硅)被制造成外观和功能非常类似于图3所示的布局，其中，二氧化硅(或某些其它高质量波导材料)核心层22在硅基底26上所形成的上覆层23和下覆层24之间。然而，因为直接在二氧化硅材料系统中蚀刻高质量光栅齿非常难，一个简易的深槽27被向下蚀刻而穿过核心层22并进入下覆层23中或更深，以接纳安装在槽27内的分离的反射式衍射光栅28。槽27具有稍微比预期的光栅28大的轮廓，但大致遵循其形状，而没有光栅齿，只有连续的壁。槽27的蚀刻壁的垂直度和平滑度不是关键的。

[48]在分离的晶片光栅芯片29上，使用不同于核心层22的材料(例如硅、硅基材料或磷化铟(InP)材料)的纯基底31，使用具有精度大大提高的先进蚀刻系统(例如DRIE系统)蚀刻预期的光栅28，使得光栅28的齿具有非常垂直、平滑的侧壁。反射材料的薄层，例如金的薄层，被沉积在光栅28上以产生高反射性齿侧壁。因为光栅28的三角形齿相对较小，一般数千这样的光栅将适合安装在一个标准6＂硅晶片上。优选地，光栅28与上面标识的用于将输入光束分成多个(例如多达8、16、40或更多个)组成波长通道(constituent wavelength channel)的衍射光栅10类似或相同。

[49]光栅28被切割开、翻转和插入二氧化硅PLC芯片21上的蚀刻槽27中。整个过程一般使用自动倒装芯片接合器来完成，该接合器使光栅芯片29与PLC基底26对准，将光栅28下降到槽27内的位置中，并完成焊料熔接工艺，这包括将焊料32放置在基底31上的相应焊盘和PLC芯片21之间或仅通过加热预先放置在其间的焊料凸点，以将光栅芯片29锁定在PLC芯片21上适当的位置。

[50]朝着光栅28传播的光通常由于在蚀刻于二氧化硅PLC芯片21中的粗糙槽27处的散射而经受高损耗；然而，为了消除损耗，折射率匹配的环氧树脂35被分布在光栅槽27的一端附近。光栅芯片29和槽27被设计有例如其间的恒定间隙，以便环氧树脂35越过光栅28和槽27的蚀刻二氧化硅壁之间的细间隔而通过毛细作用被传送，完全填满所有的裂缝，有效地浸润二氧化硅槽27中的光栅28。折射率匹配的环氧树脂35接着被固化，例如通过100℃烘烤，在此期间环氧树脂35固化到与使用在PLC芯片21的核心22中的例如二氧化硅的波导材料的折射率几乎相同的折射率，从而消除了波导材料中的任何光学界面，包括槽27的所有粗糙度和非垂直度，产生通过二氧化硅芯片21直接到反射式光栅28的连续折射率。

[51]因此，使用非常低损耗二氧化硅或其它高质量波导材料的混合PLC器件被制造，同时也利用可用的DRIE能力，使用硅或其它高精度蚀刻材料来构造高精度或平滑的光学光栅28。结果是两种材料系统的最佳状态，被混合地合并而形成一个部件。

[52]所提出的配置也可采用不同数量的材料系统和光栅配置来实现。以及对于反射式光栅和凹面反射式光栅，相同的技术也可用于通过用具有一个或多个反射的或至少部分反射的表面的另一芯片代替光栅芯片29来产生有效率的反射镜，特别是非常平滑的凹面、弯曲面或抛物面反射镜，所述表面用于有效率地在PLC芯片中的密集的角周围对光进行导引。

[53]这样的滤波器的最有效的应用之一是为存取通信市场而制造单纤双向器件(diplexer)和单纤三向器件(triplexer)，特别是在这里通过引用被全部并入的2006年6月27日授权给Bidnyk等人的美国专利号7,068,885、2006年12月12日授权给Balakrishnan等人的7,149,387和2007年4月24日授权给Pearson等人的7,209,612中所公开的那些器件，包括具有三角形齿的阶梯式衍射光栅，该三角形齿具有交替的反射面和非反射侧壁，例如在2006年12月19日授权给Enablence技术公司的美国专利号7,151,635中所公开的阶梯式衍射光栅，该专利在这里通过引用被并入。在Enablence专利中公开的衍射光栅要求侧壁长度S小于或等于输入光的平均波长(例如1550nm)的两倍，且优选地小于或等于输入光的平均波长，其中光栅28被设计成多路复用/多路解复用。而且，由面长度除以侧壁长度所限定的衍射光栅的长宽比大于3，优选地大于5，且更优选地大于10。前述规范要求高度精确的制造工艺，这在硅基二氧化硅结构中难以实现，但在硅的深反应离子蚀刻中是可实现的。

[54]优选地，光栅芯片29包括使用深反应离子蚀刻(DRIE)工艺蚀刻的单晶硅、硅基或InP基底。DRIE工艺是相对标准的并容易从全世界的晶片制造厂得到，且一般使用在硅蚀刻等离子体(SF₆)和钝化等离子体(C₄F₈)之间交替的蚀刻工艺，这使得可以得到具有非常高的长宽比的井，实现对光栅28的平滑、垂直蚀刻。

[55]因为其只包括光栅28本身，光栅晶片可以容纳非常多数量的光栅芯片29，常常在标准6＂晶片上有数千个。单层蚀刻工艺可用于限定光栅28和对准标志41，如图5a和5b所示。对准标志41是使用限定光栅28的齿的相同掩模所蚀刻的在光栅28的结构中的凹槽或孔，以确保在对准标志41和光栅齿之间没有掩模对准误差。对准标志41在PLC芯片21上特别是在槽27中具有与标志42相应的特定形状，例如十字、三角形，如图5c所示。

[56]对于混合地连接到PLC芯片21的光栅28，如图4所示，反射式光栅28的壁的垂直度由PLC芯片21的平坦的水平上表面30建立，其中光栅芯片29(即，基底31的下表面)被连接。在很多PLC制作工艺中，整个平坦的上表面30不是总是可得到的；然而，在很多情况下，PLC芯片21的顶表面30的拓扑通常从一个芯片到另一芯片和从一个晶片到另一晶片可复制，某些平坦部分45从异常粗糙部分46分离。因此，图7所示的本发明的可选实施方式包括光栅芯片49，其具有从平行于反射式衍射光栅58的基底51延伸的一个或多个突起部分或隔板突出部分52，衍射光栅58类似于上文中描述的衍射光栅28。隔板突出部分52可采用与光栅58相同的制造布骤和/或工艺形成。

[57]与图7所示类似的技术可用于有意使光栅58转向成被控制的垂直角。例如，在具有平坦部分25的PLC芯片21上，光栅58的有意的非垂直度可通过将成角度的表面结合到光栅芯片49上的突起部分52而被强加，由此基底51以锐角被安装到基底26和核心层22。锐角可为45°或更小，以使光能够从在水平方向上传播改向到垂直方向；然而，小于±20°或小于±10°的角更加实用。一般来说，为了补偿不精确的蚀刻工艺，小于±6°的角就足够了。因此，使用较大的角，一些或全部光可被反射到下覆层或上覆层23或24中，提供反射信号的固定衰减，或用于其它这样的应用。

[58]本发明的示例性应用是针对用于在通信系统中分离光的波长的混合滤波器芯片。单纤三向器件，例如在美国专利号7,068,885中所公开的用在光纤到户(FTTH)系统中的单纤三向器件就可以是一个这样的部件，其中混合光栅2被用于分离不同的上游和/或下游波长。

[59]本发明放宽了与平面光波导线路(PLC)反射式光栅技术相关的很多非常具有挑战性的蚀刻要求，这些技术要求在过去对晶片制造厂是主要的问题。它将这些蚀刻技术的要求转移到混合光栅，从而可以在硅中利用新的DRIE技术的优势。这使得可以获得较低的晶片制造成本以及对其它制造厂来说简单得多和容易移植的波导工艺。

[60]本发明通过混合地合并低损耗二氧化硅波导PLC1与高质量DRIE蚀刻的硅光栅2从而克服了现有技术的缺点。该混合合并有可能通过一般用于将激光器和探测器连接到PLC基底上的现代倒装芯片接合技术来实现。此外，本发明提供了用于在接合期间有意改变光栅的垂直度的装置。

Claims (23)

1.一种平面光波导线路PLC器件，其包括：

输入口，用于发射输入光束；

第一基底上的平板波导，所述平板波导限定上覆层和下覆层之间的核心层，具有在其间形成的向下至所述核心层的槽；

设置在第二基底上的反射式衍射光栅，所述反射式衍射光栅被安装在所述槽中，所述槽与用于使所述输入光束衍射的所述输入口光学地耦合；以及

第一输出口，其与所述反射式衍射光栅光学地耦合，用于输出由所述反射式衍射光栅改向的所述输入光束的至少一部分；

由此所述核心层和所述反射式衍射光栅由不同的材料单独地制成。

2.如权利要求1所述的PLC器件，其中所述反射式衍射光学器件是反射式衍射光栅，所述反射式衍射光栅包括多个齿，所述多个齿采用从硅、硅基材料和磷化铟所组成的组中选择的材料蚀刻而成。

3.如权利要求1或2所述的PLC器件，其中所述平板波导包括硅基二氧化硅结构，其中所述核心层是二氧化硅。

4.如权利要求1、2或3所述的PLC器件，还包括在所述槽中的在所述核心层和所述反射式光学器件之间的粘合剂；其中所述粘合剂具有与所述核心层的折射率匹配的折射率。

5.如权利要求1到4中任一项所述的PLC器件，还包括从所述第二基底延伸的突出部分，所述突出部分具有与所述平板波导的平坦部分接触的接触表面，用于将所述第二基底从所述平板波导间隔开，以避免在所述平板波导上的表面异常。

6.如权利要求5所述的PLC器件，其中所述接触表面与所述第二基底成锐角，由此所述第二基底被安装成与所述第一基底成锐角，用于与所述核心层成锐角地引导所述输入光束。

7.如权利要求1到6中任一项所述的PLC器件，其中所述反射式衍射光栅将所述输入光束分成多个组成波长；其中所述PLC器件进一步包括用于输出所述多个组成波长的多个输出口。

8.如权利要求1到7中任一项所述的PLC器件，其中所述反射式衍射光栅包括在所述第二基底中的弯曲面、凹面或抛物面反射表面。

9.如权利要求1到8中任一项所述的PLC器件，还包括在所述反射式衍射光栅上的第一对准装置，以及在所述槽中与所述第一对准装置啮合的第二对准装置，用于使所述反射式衍射光栅与所述核心层对准。

10.如权利要求1到9中任一项所述的PLC器件，其中所述反射式衍射光栅具有由面长度限定的多个反射壁和由侧壁长度限定的多个侧壁；且其中由面长度除以侧壁长度所限定的所述衍射光栅的长宽比大于3。

11.如权利要求10所述的PLC器件，其中所述长宽比大于5。

12.如权利要求10所述的PLC器件，其中所述长宽比大于10。

13.如权利要求1到12中任一项所述的PLC器件，其中所述反射式衍射光栅具有由面长度所限定的多个反射壁和由侧壁长度所限定的多个侧壁；且其中所述侧壁长度小于或等于所述输入光束的平均波长的两倍。

14.如权利要求13所述的PLC器件，其中所述侧壁长度小于或等于所述输入光束的平均波长。

15.一种形成平面光波导线路的方法，包括以下步骤：

a)在第一基底上形成平板波导，所述第一基底包括上覆层和下覆层之间的核心层；

b)在平板波导中形成向下至所述核心层的槽；

c)在第二基底上形成衍射光栅；以及

d)将所述衍射光栅安装在所述槽中。

16.如权利要求15所述的方法，其中步骤c)包括在不同于所述核心层的适当的材料中DRIE蚀刻所述衍射光栅；以及用反射材料涂覆所述衍射光栅。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述适当的材料从由硅、硅基材料和磷化铟所组成的组中选择。

18.如权利要求15、16或17所述的方法，其中步骤a)包括形成二氧化硅材料的所述核心层。

19.如权利要求15到18中任一项所述的方法，其中步骤d)包括将所述第二基底倒装芯片式地接合到所述平板波导上，其中使所述衍射光栅位于所述槽中。

20.如权利要求15到19中任一项所述的方法，其中步骤d)包括将环氧树脂放置在所述平板波导和所述光栅之间，所述环氧树脂具有与所述平板波导的所述核心层相匹配的折射率。

21.如权利要求15到20中任一项所述的方法，其中步骤c)包括形成从所述第二基底延伸的突出部分，所述突出部分具有与所述平板波导的部分接触的接触表面，用于将所述第二基底从所述平板波导间隔开，以避免在所述平板波导上的表面异常。

22.如权利要求15到21中任一项所述的方法，其中步骤b)包括在所述反射式衍射光栅上形成第一对准装置；其中步骤c)包括在所述槽中形成第二对准装置；以及步骤d)包括使所述第一对准装置与所述第二对准装置啮合，以使所述反射式衍射光栅与所述核心层对准。

23.如权利要求15到22中任一项所述的方法，其中步骤c)包括形成从所述第二基底延伸的突出部分，所述突出部分具有与所述平板波导的部分接触的接触表面；其中所述接触表面与所述第二基底成锐角，由此所述第二基底被安装成与所述第二基底成锐角，用于与所述核心层成锐角地反射所述输入光束的一部分。

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