CN101546698A - 等离子体处理装置和供电棒 - Google Patents

等离子体处理装置和供电棒 Download PDF

Info

Publication number
CN101546698A
CN101546698A CN200910129117A CN200910129117A CN101546698A CN 101546698 A CN101546698 A CN 101546698A CN 200910129117 A CN200910129117 A CN 200910129117A CN 200910129117 A CN200910129117 A CN 200910129117A CN 101546698 A CN101546698 A CN 101546698A
Authority
CN
China
Prior art keywords
high frequency
probe
rod used
feeder rod
adaptation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200910129117A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101546698B (zh
Inventor
佐藤贤司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN101546698A publication Critical patent/CN101546698A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101546698B publication Critical patent/CN101546698B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种等离子体处理装置和供电棒。供电棒(210)经由匹配器(200)，向对晶片实施规定的等离子体处理的处理室内配置的等离子体生成用的基座(112)传输高频，在供电棒上设置有电特性测量用的探头(例如电压探头(220V)、电流探头(220I))并与探头一体化，作为整体在匹配器和处理室之间可安装拆卸。由此，能够大幅降低伴随探头的安装产生的电力损失，并且能够防止由于探头的安装误差导致的每个装置的测量值的偏差，另外能够保持探头实际使用时的安装状态对基于探头的测量进行校正，以比现有技术更高的精度测量其高频的电特性。

Description

等离子体处理装置和供电棒
技术领域
本发明涉及经由供电棒对处理室内的电极提供高频使处理室内的气体等离子体化由此对基板实施规定的等离子体处理的等离子体处理装置和供电棒。
背景技术
通常，在半导体器件的制造工艺中，使用在压力比较低的气氛内生成高密度的等离子体对半导体晶片(以下简称为“晶片”)进行蚀刻处理和成膜处理的等离子体处理装置。例如，平行平板等离子体处理装置，在处理室内配置一对平行平板电极(上部电极和下部电极)，将处理气体导入该处理室内，并且从高频源(例如高频电源)对电极的一方或者双方提供高频(高频电力)在电极间生成高频电场，通过该高频电场生成处理气体的等离子体，对晶片进行蚀刻和成膜等规定的处理。
另外，在高频源和电极之间，具备使电极的输入阻抗和高频源的输出阻抗匹配的匹配器。由于具备该匹配器，能够将电极的高频的反射抑制为最小限度，能够在处理室内高效率地形成等离子体。
在这样的等离子体处理装置中，例如提供给电极的高频的功率、电压、电流、和负载阻抗(等离子体阻抗)是反映在处理室内形成的等离子体的状态的量。因此，如果根据它们的电特性调整关于等离子体生成的装置控制参数(以下称作“等离子体参数”)，则能够谋求在处理室内形成的等离子体的最佳化和稳定化。
为此，通常，等离子体处理装置，在高频源和电极之间，具备用于测量对电极提供的高频的电特性、例如测量高频电流和高频电压的探头(参照下述专利文献1)。等离子体处理装置的控制装置，具备对由该探头测量的电压数据和电流数据进行分析的数据分析部，使用该数据分析部根据探头的测量数据计算例如高频电压和高频电流的时间特性、高频的行波和反射波的大小、有效高频功率、和负载阻抗等。然后，控制部根据这些计算结果，调整导入到处理室内的处理气体的流量、处理室内的真空度、从高频源输出的高频的功率、匹配器的容抗成分的大小等的等离子体参数。由此，能够在处理室内形成适于等离子体处理条件的等离子体。
现有技术中，作为这样的探头，使用与等离子体处理装置分离的、注重通用性而开发的小型的单元。另外，该探头单元，从安装操作的简便性和空间的观点来看，例如被收纳在匹配器的壳体内部，切断在匹配器中设置的电路内的高频传输通路而安装。另外，在探头单元设置在匹配器的外侧的情况下，插入设置在连接匹配器和等离子体处理装置之间的高频传输通路(例如同轴电缆、双层管结构的供电棒等)的中途(例如参照专利文献1、2)。在该情况下，将高频传输通路分为2部分在其间设置探头单元，或者用其它的连接部件连接高频传输通路，在该连接部件上设置探头单元。
【专利文献1】日本特开2005-123578号公报
【专利文献2】日本特开平10-185960号公报
发明内容
但是，近年来，伴随着半导体器件的高集成化，一味探索电路图案的精细化，所要求的加工尺寸精度越来越严格。这里，尝试使对处理室内的电极提供的高频的频率上升，以在更为低压的环境下形成高密度的等离子体来应对电路图案的精细化。
但是，提供给电极的高频的频率变得越高，在处理室内形成的等离子体的状态，越容易受到例如连接零件的铜板或连接匹配器和电极的供电棒等的感抗成分的影响而发生变动。因此在高频的频率变高的当今，更加正确地测量其高频的电特性，以比现有技术更高精度地调整等离子体参数的必要性提高。
为了提高高频的电特性的测量精度，包括探头的测量系统的校正(calibration)不可或缺。在该情况下，以在实际的等离子体处理装置中连接测量系统的状态进行该测量系统的校正比较困难，所以优选在安装探头单元之前，准备与实际的等离子体处理装置的电特性接近的模拟环境，在该环境中仅组装探头单元进行测量系统的校正。
但是，现有的探头单元，由于如上所述与高频传输通路分体安装在高频传输通路的中途，因而由于探头单元的实际安装位置不同各等离子体处理装置产生偏差。为此，即使仅关于探头单元构筑模拟环境严密地进行测量系统的校正，在实际的等离子体处理装置中安装探头单元时所测量的值也有可能存在误差，而且该误差的程度也因每个等离子体处理装置而产生个体差异。像这样在测量值中包含误差时，由于其大小，不能够高精度地调整等离子体参数，其结果是有可能不能稳定地维持良好状态的等离子体。
另外，如现有技术那样，切断高频传输通路在其间插入设置探头单元时，该探头单元本身成为高频电路的负载成分，在该部位有可能发生电力损失。而且，在探头单元的连接部位产生接触电阻，这也成为电力损失的原因。在这样的情况下，从高频源输出的高频在传输途中发生较大的衰减，对电极提供的高频的电力变得不够充分，有可能不能形成所希望的等离子体。
另外，通常，作为高频传输通路，使用同轴电缆或者双层管结构的高频传输线等同轴结构的传输线。如果在该同轴结构的传输线上插入设置现有的探头单元，由于产生探头单元本身的安装误差或者用于安装探头单元的连接部件的安装误差等，以高精度保持同轴结构是非常困难的。因此，由于这样的安装误差等传输线的电特性有可能发生很大变化。
另外，如上所述探头单元被收纳在匹配器的壳体内部使用的情况下，当为了匹配器的更换或维护而更换匹配器时，与此同时探头单元也被更换。因此，当再次开始高频的电特性的测量时，不能得到在匹配器的更换前后测量数据的连续性的可能性很高。如果像这样丧失了测量数据的连续性，则存在在匹配器的更换前后不能够形成均质的等离子体的问题。
本发明鉴于上述问题而完成，其目的在于，提供一种等离子体处理装置和供电棒，能够降低伴随探头的安装而产生的电力损失，并且能够防止由于探头的安装误差导致的每个装置的测量值的偏差，进而能够保持探头实际使用时的安装状态对基于探头的测量进行校正，能够以比现有技术更高的精度测量该高频的电特性。
为了解决上述课题，按照本发明的观点，提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理室，使用已等离子体化的气体对基板实施规定的等离子体处理；等离子体生成用的电极，其配置在所述处理室内；高频源，其生成对所述电极供给的高频；匹配器，其与所述处理室分离地设置在所述电极和所述高频源之间，包括使所述电极的输入阻抗和所述高频源的输出阻抗匹配的匹配电路；和带探头的供电棒，其中，在供电棒上设置有用于测量电特性的探头，并且将所述供电棒和所述探头一体化，所述供电棒传输由所述高频源生成并经由所述匹配电路的所述高频并将其提供给所述电极，所述带探头的供电棒，作为整体可安装拆卸地安装在所述匹配器和所述处理室之间。
为了解决上述课题，按照本发明的其它观点，提供一种供电棒，其经由匹配器向对基板实施规定的等离子体处理的处理室内设置的等离子体生成用的电极传输高频，其特征在于：在所述供电棒上设置有用于测量电特性的探头并与所述探头一体化，作为整体在所述匹配器和所述处理室之间可安装拆卸。
像这样按照本发明，在对电极传输来自高频源的高频的供电棒上设置有探头并一体化，使它们作为整体可安装拆卸，由此，不需要如现有的通用性的探头单元那样切断供电棒和匹配电路内的高频传输通路而插入探头，所以与另外需要进行探头本身的安装操作的现有技术相比能够大幅降低电力损失，并且能够消除探头的安装位置的偏差或者安装误差等导致的每个等离子体处理装置的测量值的偏差。由此，能够从高频源到处理室内的电极几乎不使高频的电特性变差地传输该高频。
另外，按照本发明由于能够将带探头的供电棒保持原状拆下，所以能够在供电棒和探头一体化的状态下、即探头实际被使用的状态下对基于探头的测量进行校正。为此，如果将已校正的带探头的供电棒保持原状安装在等离子体处理装置，能够以与校正后相同的状态进行基于探头的高频的电特性的测量。由此，能够以比现有技术更高精度地测量电特性。通过使用这样的高精度的测量值能够高精度地调整等离子体参数，能够更加稳定地形成更加适当的等离子体。
进一步，上述探头与供电棒被一体化，由于不是被安装在匹配器，所以即使更换匹配器，也不用更换探头。因此，当更换了匹配器时，不会导致基于探头的测量值的数据不连续。
为了解决上述课题，按照本发明的其它观点，提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理室，使用已等离子体化的气体对基板实施规定的等离子体处理；等离子体生成用的电极，其配置在所述处理室内；多个高频源，其生成彼此不同的频率的高频；多个匹配器，其与所述处理室分离地设置在所述电极和所述各高频源之间，包括使所述电极的输入阻抗和所述高频源的输出阻抗匹配的多个匹配电路；和带探头的供电棒，其中，在供电棒上设置有用于测量电特性的探头，并且将所述供电棒和探头一体化，所述供电棒传输叠加高频并将其提供给所述电极，所述叠加高频通过叠加由所述高频源生成并经由所述各匹配电路的所述各高频而得到，所述带探头的供电棒，作为整体可安装拆卸地安装在所述匹配器和所述处理室之间。在该情况下，所述各匹配电路的高频输出端子，具备仅使规定的高频电力通过的滤波电路。
按照如上所述的本发明，在使来自多个高频源的各高频分别经由各个匹配器叠加提供给一个电极的等离子体处理装置中，由使供电棒和探头一体化并使它们作为整体可安装拆卸的一个带探头的供电棒传输叠加高频，由此能够抑制经由供电棒传输的高频的电特性变差。而且能够使供电棒和探头作为整体校正电特性的测量值。由此，能够以比现有技术更高的精度测量电特性，并且从高频源到处理室内的电极，几乎不使高频的电特性变差地传输高频。
此外，上述供电棒为由棒状导电部件和筒状导电部件构成的同轴双层管结构，所述棒状导电部件可安装拆卸地连接在所述匹配器的高频输出端子(或叠加高频输出端子)和所述电极之间，所述筒状导电部件以在所述匹配器和所述处理室的底部之间包围所述棒状导电部件的周围的方式在所述匹配器和所述处理室的底部之间可安装拆卸地连接在接地电位。通过在这样的同轴双层管结构的供电棒将探头一体化，不会像现有的通用性的探头那样在中途切断供电棒安装探头的情况下在探头的安装操作前后由于该安装误差可能导致轴心错位，因此能够防止产生这样的安装误差导致的测量值的误差。由此，能够比现有技术更高精度地测量电特性，而且能够防止经由供电棒传输的高频的电特性变差。
所述探头能够同时测量由所述供电棒传输的高频的电压、电流、有效功率、行波、反射波、负载阻抗中的任一电特性或者其中两个以上的电特性。通过使用这样的探头，由于能够以比现有技术更高的精度测量上述电特性，所以能够以高精度调整等离子体参数，能够更加稳定地形成更加适当的等离子体。
另外，优选的是，所述带探头的供电棒，与所述处理室侧连接的一端经由第一校正用固定件对于虚拟负载可安装拆卸，并且与所述匹配器侧连接的另一端经由第二校正用固定件对于所述高频源可安装拆卸，当对基于所述探头的测量进行校正时，所述带探头的供电棒保持与所述探头一体的状态连接在所述虚拟负载和所述高频源之间。由此能够在保持探头被安装在供电棒的状态下对基于探头的测量进行校正，并且能够在校正后将带探头的供电棒保持原状拆下而插入匹配器和处理室之间。由此，能够在供电棒和探头一体化的状态下，即在探头实际被使用的状态下对基于探头的测量进行校正。
另外，优选的是，所述带探头的供电棒构成为特性阻抗为50Ω。由此，拆下带探头的供电棒对基于探头的测量进行校正的情况下的模拟环境能够全部由通用的50Ω类的电缆和设备等构筑。并且，不需要另外准备用于进行高频的传输通路的阻抗匹配。因此，能够迅速且正确地对基于探头的测量进行校正操作。
按照本发明，在从高频源对电极传输高频的供电棒上设置探头并一体化，使供电棒和探头作为整体可安装拆卸，能够大幅降低伴随探头的安装产生的电力损失，并且能够防止由于探头的安装误差导致的各装置的测量值的偏差。而且，由于能够保持探头实际被使用时的安装状态对基于探头的测量进行校正，所以能够以比现有技术更高的精度测量该高频的电特性。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的等离子体处理装置的结构例的纵截面图。
图2是表示该实施方式的供电棒的大致结构例的斜视图。
图3是用于说明该实施方式的供电棒和匹配器的连接方法的具体例的组装斜视图。
图4是表示进行本实施方式的高频测量系统的校正的情况下的模拟环境的具体例的结构图。
图5是表示能够适用本发明的其它的等离子体处理装置具备的高频电路的大致结构的方框图。
图6是表示图5所示的高频电路的其它结构例的方框图。
符号说明
100 等离子体处理装置
110 处理室
110a 外壁面
112 基座
114 筒状保持部
116 筒状支撑部
118 托盘
120 排气通路
122 挡板
124 排气口
126 排气管
128 排气装置
130 闸阀
132 高频源
138 喷淋头
140 静电卡盘
140a 电极
140b 绝缘膜
142 直流电源
144 冷媒室
146 冷却单元
148、150 配管
152 导热气体供给部
154 气体供给管
156 电极板
156a 气体通气孔
158 电极支撑体
160 缓冲室
160a 气体导入口
162 处理气体供给部
164 气体供给管
168 控制部
200 匹配器
202 壳体
202a 螺钉孔
204 高频输出端子
210 供电棒
212 棒状导电部件
212a 上端
212b 下端
214 筒状导电部件
214a 凸缘
214b 贯通孔
214c 下端
216 绝缘部件
220I 电流探头
220V 电压探头
240A 第一高频源
240B 第二高频源
250 匹配器
252A 第一匹配电路
252B 第二匹配电路
254A 第一滤波电路
254B 第二滤波电路
300 第一适配器(第一校正用固定件)
302 第二适配器(第二校正用固定件)
310 虚拟负载单元
312 高频源
320 数据分析单元
W 晶片
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。并且，在本说明书和附图中，关于实质上具有相同的功能结构的构成要素，标注相同的符号而省略重复的说明。
(等离子体处理装置的结构例)
首先参照附图对本发明的实施方式的等离子体处理装置的结构例进行说明。图1是表示本实施方式的等离子体处理装置100的大致结构的纵截面图。如图1所示，等离子体处理装置100，作为具备相互相对平行地配置的上部电极和下部电极的RIE(Reactive Ion Etchin)型的等离子体蚀刻装置构成，具有例如铝或者不锈钢等的金属制的圆筒型的处理室110。处理室110的壳体被接地成为接地电位。
在处理室110内，作为被处理基板设置有例如载置晶片W的圆板状的基座112。该基座112例如由铝构成，隔着绝缘性的筒状保持部114，被在处理室110内从底部向垂直上方延伸的筒状支撑部116支撑。在筒状保持部114的上表面，配置有环状地包围基座112的上表面的例如由石英或硅构成的托盘(focusring)118。
在处理室110的侧壁和筒状支撑部116之间环状地形成有排气通路120，在该排气通路120的入口或者中途安装有环状的挡板122并且在底部设置有排气口124。在该排气口124通过排气管126连接有排气装置128。排气装置128具有真空泵，能够将处理室110内减压至规定的真空度。在处理室110的侧壁，安装有开关半导体晶片W的搬入搬出口的闸阀130。
基座112也作为下部电极发挥作用，经由匹配器200和供电棒210与生成等离子体和引入离子用的高频源(例如高频电源)132电连接。高频源132将规定的高频例如60MHz的高频(高频电力)提供给基座112。
匹配器200在基座112和高频源132之间与处理室110分离而设置，具备使负载侧(这里是基座112)的输入阻抗和高频源侧(这里是高频源132)的输出阻抗匹配的匹配电路。匹配电路例如构成为以线圈和电容器的组合进行阻抗的匹配。匹配器200的高频输入端子与匹配电路的高频输入端子连接，匹配器200的高频输出端子与匹配电路的高频输出端子连接。其中高频输入端子上连接有高频源132，高频输出端子上连接有供电棒210。
具体而言，例如供电棒210是由棒状导电部件212和筒状导电部件214构成的同轴双层管结构，其中，棒状导电部件212将匹配器200的高频输出端子(在图1中省略图示)和基座112可安装拆卸地电连接，筒状导电部件214按照与该棒状导电部件212同轴地在匹配器200和处理室110的底部之间包围棒状导电部件212的周围的方式可安装拆卸地电连接在匹配器200和处理室110的底部之间。棒状导电部件212由圆板状的多个(这里是2个)绝缘部件216固定在筒状导电部件214内。通过由这样的绝缘部件216进行固定，使筒状导电部件214与棒状导电部件212电绝缘，并且能够固定棒状导电部件212相对于筒状导电部件214的位置使得即使安装拆卸也能够正确地保持同轴状态。
另外，本实施方式的供电棒210上设置有用于测量被传输的高频的电特性的探头并被一体化，供电棒和探头作为整体可安装拆卸地构成。因此，本实施方式的供电棒210为带探头的供电棒。图1是作为这样的探头设置有用于测量电压的电压探头220V、和用于测量其电流的电流探头220I的情况的具体例子。这些电压探头220V和电流探头220I例如安装在筒状导电部件214的外壁面。这些电压探头220V和电流探头220I分别向后文记述的控制部168发送所测量的高频的电压数据和电流数据。并且，关于该供电棒210的详细内容在后文中记述。
在处理室110的顶棚部，设置有也作为上部电极发挥作用的喷淋头138。在本实施方式中该喷淋头138通过处理室110的壳体被接地。此外，喷淋头138并不局限于上述结构，也可以在喷淋头138上连接有上部电极用的匹配器和高频源(均未图示)，从上部电极用的高频源经由上部电极用的匹配器对喷淋头138供给规定的高频。
喷淋头138包括具有多个气体通气孔156a的下表面的电极板156、和可安装拆卸地支撑该电极板156的电极支撑体158。在电极支撑体158的内部设置有缓冲室160，在该缓冲室160的气体导入口160a经由气体供给管164连接有处理气体供给部162。
当来自高频源132的高频被供给到基座112时，在基座112与喷淋头138之间形成对应于高频的电压的铅直方向的高频电场。利用该高频电场，能够在基座112的表面附近生成高密度的等离子体。
另外，在基座112的上表面设置有用于通过静电吸附力保持半导体晶片W的静电卡盘140。静电卡盘140构成为在绝缘膜140b内内置有由导电膜构成的电极140a。在该情况下，也可以按照例如在上下一对的绝缘膜之间夹入电极140a的方式构成静电卡盘140。在电极140a上电连接有直流电源142。当从直流电源142对静电卡盘140施加直流电压时产生库仑力，由此将晶片W吸附保持在基座112上。
在基座112的内部，设置有例如在圆周方向上延伸的环状的冷媒室144。在该冷媒室144中，从冷却单元146经由配管148、150循环供给规定温度的冷媒例如冷却水。根据冷媒的温度能够控制静电卡盘140上的半导体晶片W的处理温度。并且，从导热气体供给部152经由气体供给管154在静电卡盘140的上表面和半导体晶片W的背面之间供给导热气体例如He气体。
控制部168控制该等离子体处理装置100内的各部分例如排气装置128、高频源132、冷却单元146、导热气体供给部152、和处理气体供给部162等的动作。并且，控制部168接收电压探头220V和电流探头220I测量的高频的电压数据和电流数据，并基于此进行例如用于求得有效高频功率和负载阻抗的数据处理(运算处理)。另外，也可以将该控制部168与主计算机等的外部装置(未图示)连接，通过外部装置管理控制部168。
在像这样构成的本实施方式的等离子体处理装置100中，对晶片W实施规定的处理例如蚀刻处理时，首先使闸阀130处于开状态而将晶片W搬入处理室110内，并载置在基座112上。然后，从直流电源142对静电卡盘140的电极140a施加直流电压，将晶片W吸附保持在基座112上。
接着，从处理气体供给部162以规定的流量和流量比将处理气体(一般为混合气体)导入处理室110内，通过排气装置128使处理室110内的压力成为设定值。并且，从高频源132对基座112提供规定功率的高频。从喷淋头138喷出的处理气体在上部电极(喷淋头138)和下部电极(基座112)之间通过高频放电而被等离子体化。并且，通过该等离子体中包含的自由基和离子对晶片W的表面实施规定的处理。
而当从高频源132输出高频时，高频经由匹配器200和供电棒210被传输到基座112。本实施方式中在从高频源132输出高频期间，供电棒210的电压探头220V和电流探头220I分别连续地测量在棒状导电部件212中流动的高频的电压和电流，将其测量数据向控制部168发送。
控制部168根据从电压探头220V和电流探头220I接收的电压数据和电流数据，计算例如提供给基座112的高频的驻波、行波、反射波、有效功率和负载阻抗(等离子体阻抗)等的各种电特性。这些电特性，由于是反映处理室110内形成的等离子体的状态的特性，所以控制部168能够根据这些电特性正确地调整等离子体参数实现上述等离子体的最佳化和稳定化。作为等离子体参数的例子，能够列举从处理气体供给部162导入到处理室110内的处理气体的流量、处理室110内的真空度、从高频源132输出的高频的功率的大小、匹配器200的容抗成分的大小等。
像这样，通过控制部168正确地调整等离子体参数，则能够在处理室110内最适当地形成等离子体，并且稳定地确保该等离子体的状态。其结果是，能够对晶片W实施高精度的蚀刻处理。
(供电棒的结构例)
接着，参照附图关于本实施方式的供电棒210的结构例进行详细的说明。图2是表示将供电棒210拆卸下后的大致结构例的立体图，图3是表示用于说明供电棒210和匹配器200的连接方法的具体例的构造立体图。如图2和图3所示，本实施方式的供电棒210是设置有用于测量被传输的高频的电特性的探头(这里是电压探头220V和电流探头220I)并被一体化的、供电棒和探头作为整体可安装拆卸地构成的带探头的供电棒。并且，这里的供电棒210构成为，棒状导电部件212以棒状导电部件212的轴和筒状导电部件214的轴一致的方式插入在筒状导电部件214的内部，形成同轴双层管结构。另外，虽然在图2、图3中省略，但是如上所述棒状导电部件212由绝缘部件216对筒状导电部件214固定，使得电绝缘而且能够即使安装拆卸也正确地保持同轴状态。
电压探头220V和电流探头220I例如如图2所示安装在筒状导电部214的外壁面。在该情况下，当电压探头220V和电流探头220I测量由棒状导电部件212传输的高频的电压或者电流时，例如可以与棒状导电部件212接触进行测量，另外也可以隔着静电电容非接触地测量静电的表面电位。另外，也可以代替电压探头220V和电流探头220I，与供电棒210一体地设置测量行波功率和反射波功率的探头。
像这样，利用本实施方式的供电棒(带探头的供电棒)210，在将来自高频源132的高频传输到基座112的供电棒上设置探头并一体化，通过使它们作为整体可安装拆卸，不需要如现有的通用的探头单元那样切断供电棒和匹配电路内的高频传输通路而将探头插入，所以与另外需要探头本身的安装作业的现有技术相比，能够不发生由于高频传输通路的连接故障和连接部分的容量不足等引起的电力损失，并且能够消除探头的安装位置的偏差和安装误差等导致的各等离子体处理装置的测量值的偏差。由此，能够不使电特性变差地将高频从高频源132传输至处理室110内的基座112。
接着，参照附图对等离子体处理装置100中的供电棒210的安装方法进行说明。首先对供电棒210和处理室110的连接方法进行说明。例如构成为能够借助于供电棒210的筒状导电部件214的上端(一端)上形成的凸缘214a可安装拆卸地与处理室110连接。在该情况下，例如使凸缘214a与处理室110的底部的外壁面110a抵接，在凸缘214a上形成的多个贯通孔214b中穿过螺栓等的连结部件，使各连结部件螺合于外壁面110a上形成的螺钉孔(未图示)。由此，能够将供电棒210不发生位置偏移地简单地连接在处理室110。另外，在凸缘214a和外壁面110a之间设置导电性部件(例如导电性密封部件或螺旋形密封部件等)，可以提高凸缘214a和外壁面110a的电接触性。
另外，棒状导电部件212，其上端(一端)212a从筒状导电部件214的上端(一端)的凸缘214a突出。该突出的长度为，例如将供电棒210与处理室110连接时，棒状导电部件212的突出部分进入处理室110，具有棒状导电部件212的上端212a与基座112的高频输入端子(未图示)连接的长度。由此，如果将供电棒210与处理室110连接，同时能够使棒状导电部件212的上端212a与基座112的高频输入端子连接。
另外，棒状导电部件212可以为中空，也可以是实心的。在棒状导电部件212形成为中空，即筒形状的情况下，例如也可以构成为将基座112的高频输入端子嵌合在棒状导电部件212的中空部分的结构。在该情况下也使上述导电性部件设置在棒状导电部件212和基座112的高频输入端子之间以提高电接触性。如果构成这样的结构，仅将供电棒210连接在处理室110上，就能够简单可靠的电连接棒状导电部件212和基座112。另外，只要将供电棒210从处理室110拆除，就能够简单地从基座112拆除棒状导电部件212。
此外，棒状导电部件212和基座112的连接方法并不局限于上述方法。例如也可以通过使在棒状导电部件212的上端212a形成的螺钉螺合于在基座112的高频输入端子形成的螺钉孔而可安装拆卸地连接。在该情况下，也可以首先使棒状导电部件212的上端212a与基座112螺合，然后通过螺栓等的连结部件将筒状导电部件214的凸缘214a安装在处理室110。另外，也可以以使棒状导电部件212与基座112的高频输入端子嵌合的方式安装，或者以使筒状导电部件214与处理室110嵌合的方式安装。
接着，关于供电棒210和匹配器200的连接方法进行说明。如图3所示，例如按照使棒状导电部件212的下端(另一端)212c与筒状导电部件214螺合于匹配器200而能够可安装拆卸的方式构成。在该情况下，例如通过使筒状导电部件214的下端(另一端)214c形成的螺钉螺合于在匹配器200的壳体202上形成的螺钉孔202a而可安装拆卸地连接。通过一边使这些筒状导电部件214的螺钉和匹配器200的螺钉孔202a螺合一边进行插入，能够使供电棒210简单地并且不发生位置偏移地连接于匹配器200。
另外，匹配器200的高频输出端子204例如以嵌合在中空的棒状导电部件212的下端212b的方式构成。由此，只要将供电棒210连接在匹配器200，就能够可靠地将棒状导电部件212的下端212b和匹配器200的高频输出端子204电连接。另外，只要将供电棒210从匹配器200拆除，就能够简单地电切断棒状导电部件212和匹配器200的高频输出端子204。
另外，匹配器200的高频输出端子204和棒状导电部件212的下端212b的连接方法并不局限于上述方法。例如也可以将棒状导电部件212的下端212b螺合于匹配器200的高频输出端子204而可安装拆卸地连接。在该情况下，使筒状导电部件214的下端214c螺合于匹配器200的螺钉孔202a的同时，使棒状导电部件212的下端212b螺合于高频输出端子204进行连接。
像这样，本实施方式的供电棒(带探头的供电棒)210与作为高频的传输路径的棒状导电部件212、筒状导电部件214、和作为电特性测量用的探头的电压探头220V、电流探头220I构成为一体，而且，对等离子体处理装置100的处理室110和匹配器200作为整体可安装拆卸地构成。
因此，例如在存在多个等离子体处理装置100的情况下，无论将供电棒210组装到哪一个等离子体处理装置100，都能够测量在同样条件下由棒状导电部件212传输的高频的电特性。即，电压探头220V和电流探头220I，能够正确地测量高频的电特性而不发生各个等离子体处理装置100的偏差。因此，如果根据该测量数据调整等离子体参数，则能够在处理室110内形成良好状态的等离子体，并稳定地维持该等离子体。
另外，本实施方式的供电棒210，也能够与匹配器200独立并且可安装拆卸。因此，如果更换匹配器200，未必一定要一起更换供电棒210，也能够维持电压探头220V和电流探头220I的数据测量环境。由此，对各探头的测量数据，能够确保在匹配器200的交换前后的连续性。
另外，在本实施方式的供电棒210中，棒状导电部件212和筒状导电部件214形成同轴结构。并且当供电棒210被安装在等离子体处理装置100时，处理室110的壳体和匹配器200的壳体202通过筒状导电部件214可靠地电连接。从高频源132输出的高频被提供到基座112，在处理室110内生成等离子体时，形成以下环路：高频源132→匹配器200→棒状导电部件212→基座112(下部电极)→等离子体→喷淋头138(上部电极)→处理室110的壳体→筒状导电部件214→匹配器200的壳体202→高频源132→接地(接地电位)。
像这样利用本实施方式，由于高频的返回的电路在筒状导电部件214的部分不被阻断，所以形成适当的高频传输通路的环路。因此，能够将高频传输通路中的高频的电特性的变差抑制在最小限度，能够高效率地生成与从高频源132输出的高频的电力相对应的等离子体。并且，在筒状导电部件214的外壁面安装有电压探头220V和电流探头220I，由于其安装区域是筒状导电部件214的整个外壁的一部分，所以由此导致的高频的衰减为能够忽视的程度，不会对等离子体的状态造成影响。
另外，由于本实施方式的供电棒(带探头的供电棒)210能够保持原状取出，所以能够在供电棒和探头一体化的状态下、即保持探头实际被使用的状态对基于探头的测量进行校正。例如并不是如现有技术那样仅将探头取出、或者将安装有探头的供电棒的一部分取出进行校正，在本实施方式中能够以保持与探头一体化的供电棒整体的状态进行校正。另外，在供电棒为同轴结构的情况下，能够在保持与探针一体化的供电棒的同轴结构的状态下进行校正。因此，如果将校正的带探头的供电棒保持原状安装在等离子体处理装置中，能够在与已校正后同样的状态下进行基于探头的高频的电特性的测量。由此，能够比现有技术更高精度地测量电特性。通过使用这样的高精度的测量值能够高精度地调整等离子体参数，能够更加稳定的形成更加适当的等离子体。关于这样的校正方法的具体例子在下文中详细说明。
(校正方法)
接着，对包括电压探头220V和电流探头220I的测量系统的校正方法参照附图进行说明。图4是表示进行本实施方式的高频测量系统的校正的情况下的模拟环境的结构图。如上所述，利用本实施方式，电压探头220V和电流探头220I被组装在供电棒210中，该供电棒210相对于等离子体处理装置100能够可安装拆卸。因此，不仅能够使用电压探头220V和电流探头220I，还能够使用供电棒210整体构筑图4的模拟环境。
像这样，如果能够使用供电棒210整体构筑模拟环境，则能够在与实际的等离子体处理装置100同等的条件下进行高频测量系统的校正。因此，能够实现极高精度的校正。
该模拟环境具体按照如下所述方式构成。即供电棒210的一端(连接在处理室110的端部)经由适配器(校正用固定件)300连接有虚拟负载单元310。具体而言，例如第一适配器(第一校正用固定件)300，可安装拆卸地构成在筒状导电部件214的上端的凸缘214a和棒状导电部件212的上端212a。另外，供电棒210的另一端(与匹配器200连接的端部)通过第二适配器(第二校正用固定件)302与高频源312连接。具体而言，例如适配器(校正用固定件)302可安装拆卸地构成在筒状导电部件214的下端214c和棒状导电部件212的下端212b。并且，在电压探头220V和电流探头220I上，连接有用于分析由各探头测量的数据的数据分析单元320。
但是，一般地，构成高频电路的电缆和测量设备一类的特性阻抗为50Ω。鉴于这一点，本实施方式的供电棒210构成为其特性阻抗为50Ω。为此当构成图4所示的模拟环境时，考虑高频传输通路的阻抗匹配的必要性降低，能够简单地进行高频测量系统的校正。
在如图4所示的模拟环境中，高频测量系数的校正具体按照如下所述的方式进行。首先，作为虚拟负载单元310，在第一适配器300连接与高频传输通路的特性阻抗相同的50Ω的固定电阻单元。并且，从高频源312将规定功率例如100W的高频一边使其频率例如从1MHz至500MHz变换一边进行输出。
像这样，一边使流到棒状导电部件212的高频的频率变换，一边通过电压探头220V和电流探头220I测量其高频的电压和电流。数据分析单元320根据该测量数据通过计算求得负载阻抗即虚拟负载单元310的阻抗。并且，将该计算结果与实际的虚拟负载单元310的实际的阻抗(这里为50Ω)的差作为与高频的频率相关的负载阻抗的校正值。
优选的是，不仅像这样使用50Ω固定电阻单元取得校正值，还使负载阻抗为0Ω即将第一适配器300的输出端接地，以及使负载阻抗为∞Ω即使第一适配器300的输出端开放，来取得校正值。并且优选假定实际的等离子体的负载阻抗，将包含电抗成分的负载单元作为虚拟负载单元310使用来取得校正值。像这样，按照本实施方式，由于使用各种各样的负载取得校正值，能够提高高频测量系统的校正的精度。
之后，如果将供电棒210安装在等离子体处理装置100中，利用电压探头220V和电流探头220I，测量流到棒状导电部件212的高频的电压和电流，则能够适当地除去该测量数据中包含的误差。该结果是，能够正确地把握对基座112提供的高频的电特性，在处理室110内形成良好的等离子体，能够稳定地维持该等离子体状态。
(对其他的等离子体处理装置的应用例)
接着，参照附图对将上述供电棒210应用于其他等离子体处理装置的情况进行说明。图5是表示其他的等离子体处理装置具备的高频电路的大致结构的方框图。这里的高频电路，列举对基座112提供使多个(这里为2个)高频叠加而得到的高频(以下称为叠加波)的情况的例子。
图5所示的高频电路包括：输出第一频率的第一高频(例如等离子体生成用高频)的第一高频源240A；输出比第一频率低的第二频率的第二高频(例如偏压控制用高频)的第二高频源240B；和匹配器250。第一频率例如为100MHz，第二频率例如为3.2MHz。此外，在图5中为了使说明易于理解，省略了处理室的内部和载置台等的详细结构，关于匹配器250和高频源240A、240B以外的结构是与图1同样的结构。
匹配器250，在其内部具备串连连接的第一匹配电路252A和第一滤波电路254A，并且具备同样串连连接的第二匹配电路252B和第二滤波电路254B。第一匹配电路252A的输入端子与第一高频源240A连接，第二匹配电路252B的输入端子与第二高频源240B连接。另外，第一滤波电路254A的输出端子和第二滤波电路254B的输出端子共同连接在供电棒210的棒状导电部件212上。而且，匹配器250的壳体连接在供电棒210的筒状导电部件214上。此外，各匹配电路252A、252B的结构分别与例如上述的图1所示的匹配器200的匹配电路相同。
第一滤波电路254A是防止第二高频侵入第一匹配电路252A侧的电路，第一匹配电路252A是对第一高频使基座112侧的阻抗和第一高频源240A侧的阻抗匹配的电路。第二滤波电路254B是防止第一高频侵入第二匹配电路252B侧的电路，第二匹配电路252B是对第二高频使基座112侧的阻抗和第二高频源240B侧的阻抗匹配的电路。
利用这样的高频电路，使例如100MHz的第一高频和例如3.2MHz的第二高频叠加而得到的叠加波，通过供电棒210提供给基座112。像这样，在使多个高频叠加提供给基座112的情况下，也以使供电棒和探头一体化而使它们作为整体可安装拆卸的一个供电棒(带探头的供电棒)210传输叠加高频的方式构成，由此能够抑制经由供电棒被传输的高频的电特性变差。由此，能够以比现有技术更高的精度测量电特性，并且能够从高频源到处理室内的电极之间，几乎不使高频的电特性变差地传输高频。因此，在处理室110内形成适当的等离子体，能够稳定地维持该等离子体的状态。
另外，上述第一、第二滤波器254A、254B，第一、第二匹配电路252A、252B的配置并不局限于图5所示的方式，例如也可以如图6所示将第一滤波器254A和第一匹配电路252A的配置以及第二滤波器254B和第二匹配电路252B的配置相反。即，使第一滤波器254A设置在第一匹配电路252A和第一高频源240A之间，并且使第二滤波器254B设置于第二匹配电路252B和第二高频源240B之间。
此外，上述实施方式的等离子体处理装置100，是将等离子体生成用的高频电力施加在基座112(下部电极)的类型的等离子体处理装置。本发明并不局限于此，例如也适用于以将等离子体生成用的高频供给到喷淋头138(上部电极)的方式构成的等离子体处理装置。在该情况下，能够高精度地测量提供给喷淋头138的高频的电特性。
另外，本实施方式的供电棒(带探头的供电棒)210能够保持原状取出，所以在供电棒和探头成为一体的状态下，即在探头实际使用的状态下例如在两端安装上述校正用固定件检查电特性的测量值是否在允许范围内(出厂检查)。由此，能够正确地进行供电棒210的出厂检查等。
以上，参照附图关于本发明的优选实施方式进行了说明，本发明并不局限于上述例子。显然，只要是本领域技术人员，就能在权利要求记载的范围内，想到各种变更例或者修正例，关于它们当然也属于本发明的技术范围内。
工业上的可利用性
本发明能够应用于经由供电棒对处理室内的电极供给高频使处理室内的气体等离子体化、由此对基板实施规定的等离子体处理的等离子体处理装置和供电棒。

Claims (14)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
处理室，使用已等离子体化的气体对基板实施规定的等离子体处理；
等离子体生成用的电极，其配置在所述处理室内；
高频源，其生成对所述电极供给的高频；
匹配器，其与所述处理室分离地设置在所述电极和所述高频源之间，包括使所述电极的输入阻抗和所述高频源的输出阻抗匹配的匹配电路；和
带探头的供电棒，其中，在供电棒上设置有用于测量电特性的探头，并且将所述供电棒和所述探头一体化，所述供电棒传输由所述高频源生成并经由所述匹配电路的所述高频并将其提供给所述电极，
所述带探头的供电棒，作为整体可安装拆卸地安装在所述匹配器和所述处理室之间。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述供电棒为由棒状导电部件和筒状导电部件构成的同轴双层管结构，所述棒状导电部件可安装拆卸地连接在所述匹配器的高频输出端子和所述电极之间，所述筒状导电部件以在所述匹配器和所述处理室的底部之间包围所述棒状导电部件的周围的方式在所述匹配器和所述处理室的底部之间可安装拆卸地连接在接地电位。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述探头能够同时测量由所述供电棒传输的高频的电压、电流、有效功率、行波、反射波、负载阻抗中的任一电特性或者其中的两个以上的电特性。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述带探头的供电棒，与所述处理室侧连接的一端经由第一校正用固定件对于虚拟负载可安装拆卸，并且与所述匹配器侧连接的另一端经由第二校正用固定件对于所述高频源可安装拆卸，
当对基于所述探头的测量进行校正时，所述带探头的供电棒保持与所述探头一体的状态连接在所述虚拟负载和所述高频源之间。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述带探头的供电棒构成为特性阻抗为50Ω。
6.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
处理室，使用已等离子体化的气体对基板实施规定的等离子体处理；
等离子体生成用的电极，其配置在所述处理室内；
多个高频源，其生成彼此不同的频率的高频；
多个匹配器，其与所述处理室分离地设置在所述电极和所述各高频源之间，包括使所述电极的输入阻抗和所述高频源的输出阻抗匹配的多个匹配电路；和
带探头的供电棒，其中，在供电棒上设置有用于测量电特性的探头，并且将所述供电棒和探头一体化，所述供电棒传输叠加高频并将其提供给所述电极，所述高频通过叠加由所述各高频源生成并经由所述各匹配电路的所述各高频而得到，
所述带探头的供电棒，作为整体可安装拆卸地安装在所述匹配器和所述处理室之间。
7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述供电棒为由棒状导电部件和筒状导电部件构成的同轴双层管结构，所述棒状导电部件可安装拆卸地连接在所述匹配器的叠加高频输出端子和所述电极之间，所述筒状导电部件以在所述匹配器和所述处理室的底部之间包围所述棒状导电部件的周围的方式在所述匹配器和所述处理室的底部之间可安装拆卸地连接在接地电位。
8.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述探头能够同时测量经由所述供电棒传输的高频的电压、电流、有效功率、行波、反射波、负载阻抗中的任一电特性或者其中的两个以上的电特性。
9.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述带探头的供电棒，与所述处理室侧连接的一端经由第一校正用固定件对于虚拟负载可安装拆卸，并且与所述匹配器侧连接的另一端经由第二校正用固定件对于所述高频源可安装拆卸，
当对基于所述探头的测量进行校正时，所述带探头的供电棒保持与所述探头一体的状态连接在所述虚拟负载和所述高频源之间。
10.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述带探头的供电棒构成为特性阻抗为50Ω。
11.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述各匹配电路的高频输出端子，具备仅使规定的频率的电力通过的滤波电路。
12.一种供电棒，其经由匹配器向对基板实施规定的等离子体处理的处理室内设置的等离子体生成用的电极传输高频，其特征在于：
在所述供电棒上设置有用于测量电特性的探头并与所述探头一体化，作为整体在所述匹配器和所述处理室之间可安装拆卸。
13.根据权利要求12所述的供电棒，其特征在于：
所述供电棒为由棒状导电部件和筒状导电部件构成的同轴双层管结构，所述棒状导电部件可安装拆卸地连接在所述匹配器的高频输出端子和所述电极之间，所述筒状导电部件以在所述匹配器和所述处理室的底部之间包围所述棒状导电部件的周围的方式在所述匹配器和所述处理室的底部之间可安装拆卸地连接在接地电位。
14.根据权利要求12所述的供电棒，其特征在于：
所述供电棒，与所述处理室侧连接的一端经由第一校正用固定件对于虚拟负载可安装拆卸，并且与所述匹配器侧连接的另一端经由第二校正用固定件对于所述高频源可安装拆卸，
当对基于所述探头的测量进行校正时，保持与所述探头一体的状态连接在所述虚拟负载和所述高频源之间。
CN2009101291179A 2008-03-25 2009-03-25 等离子体处理装置和供电棒 Active CN101546698B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-077372 2008-03-25
JP2008077372A JP5222598B2 (ja) 2008-03-25 2008-03-25 プラズマ処理装置及び給電棒
JP2008077372 2008-03-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101546698A true CN101546698A (zh) 2009-09-30
CN101546698B CN101546698B (zh) 2011-11-09

Family

ID=41115343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101291179A Active CN101546698B (zh) 2008-03-25 2009-03-25 等离子体处理装置和供电棒

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8287689B2 (zh)
JP (1) JP5222598B2 (zh)
KR (1) KR101153060B1 (zh)
CN (1) CN101546698B (zh)
TW (1) TWI521590B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102548179A (zh) * 2010-12-08 2012-07-04 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 下电极装置和半导体设备
CN102832095A (zh) * 2009-11-24 2012-12-19 东京毅力科创株式会社 等离子处理装置
CN103367089A (zh) * 2012-03-30 2013-10-23 中微半导体设备(上海)有限公司 一种具有双外壳的等离子体处理装置
CN107221493A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法
CN107221494A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法
CN110618315A (zh) * 2019-09-10 2019-12-27 国营洛阳丹城无线电厂 50kHz调制4GHz1.5W高频源输入阻抗的方法
CN110911262A (zh) * 2019-11-12 2020-03-24 北京北方华创微电子装备有限公司 电感耦合等离子体系统
CN112185793A (zh) * 2019-07-02 2021-01-05 细美事有限公司 支承单元和包括该支承单元的基板处理装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5102706B2 (ja) * 2008-06-23 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 バッフル板及び基板処理装置
JP5498217B2 (ja) * 2010-03-24 2014-05-21 株式会社ダイヘン 高周波測定装置、および、高周波測定装置の校正方法
JP5567392B2 (ja) * 2010-05-25 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9123762B2 (en) * 2010-10-22 2015-09-01 Applied Materials, Inc. Substrate support with symmetrical feed structure
US8884524B2 (en) * 2011-11-22 2014-11-11 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for improving reliability of RF grounding
JP5921964B2 (ja) 2012-06-11 2016-05-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプローブ装置
US20150243483A1 (en) * 2014-02-21 2015-08-27 Lam Research Corporation Tunable rf feed structure for plasma processing
JP6512954B2 (ja) * 2015-06-11 2019-05-15 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリングを検査するためのシステム、及びフォーカスリングを検査する方法
US9754769B2 (en) * 2015-09-15 2017-09-05 Lam Research Corporation Metrology methods to detect plasma in wafer cavity and use of the metrology for station-to-station and tool-to-tool matching
JP7017306B2 (ja) * 2016-11-29 2022-02-08 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
CN110291408B (zh) * 2017-02-16 2022-12-13 应用材料公司 用于测量高温环境中的射频电功率的电压-电流探针及其校准方法
US11499229B2 (en) 2018-12-04 2022-11-15 Applied Materials, Inc. Substrate supports including metal-ceramic interfaces
KR102585285B1 (ko) * 2020-08-07 2023-10-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 지지 유닛
CN112323036B (zh) * 2020-11-03 2022-10-21 北京北方华创微电子装备有限公司 功率馈入机构、旋转基座装置和半导体加工设备
CN114094386A (zh) * 2021-11-28 2022-02-25 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 一种用于薄膜生长设备的偏置射频和直流电源的输送装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697118A (ja) * 1992-09-16 1994-04-08 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP3220383B2 (ja) * 1996-07-23 2001-10-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びその方法
JPH10185960A (ja) * 1996-12-20 1998-07-14 Yamada Taizo 高周波信号検出プローブ
JP4607517B2 (ja) * 2003-09-03 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7326872B2 (en) * 2004-04-28 2008-02-05 Applied Materials, Inc. Multi-frequency dynamic dummy load and method for testing plasma reactor multi-frequency impedance match networks
JP4838612B2 (ja) * 2006-03-28 2011-12-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4754419B2 (ja) * 2006-07-03 2011-08-24 学校法人立命館 プラズマ異常放電診断方法、プラズマ異常放電診断システム及びコンピュータプログラム

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102832095A (zh) * 2009-11-24 2012-12-19 东京毅力科创株式会社 等离子处理装置
CN102832095B (zh) * 2009-11-24 2015-08-05 东京毅力科创株式会社 等离子处理装置
US9275837B2 (en) 2009-11-24 2016-03-01 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN102548179A (zh) * 2010-12-08 2012-07-04 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 下电极装置和半导体设备
CN103367089A (zh) * 2012-03-30 2013-10-23 中微半导体设备(上海)有限公司 一种具有双外壳的等离子体处理装置
CN103367089B (zh) * 2012-03-30 2016-04-06 中微半导体设备(上海)有限公司 一种具有双外壳的等离子体处理装置
CN107221493A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法
CN107221494A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法
CN107221493B (zh) * 2016-03-22 2020-06-02 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法
CN107221494B (zh) * 2016-03-22 2020-06-02 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法
CN112185793A (zh) * 2019-07-02 2021-01-05 细美事有限公司 支承单元和包括该支承单元的基板处理装置
CN110618315A (zh) * 2019-09-10 2019-12-27 国营洛阳丹城无线电厂 50kHz调制4GHz1.5W高频源输入阻抗的方法
CN110618315B (zh) * 2019-09-10 2021-10-29 国营洛阳丹城无线电厂 50kHz调制4GHz1.5W高频源输入阻抗的方法
CN110911262A (zh) * 2019-11-12 2020-03-24 北京北方华创微电子装备有限公司 电感耦合等离子体系统
CN110911262B (zh) * 2019-11-12 2022-07-22 北京北方华创微电子装备有限公司 电感耦合等离子体系统

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009231683A (ja) 2009-10-08
US8287689B2 (en) 2012-10-16
KR20090102657A (ko) 2009-09-30
TW201003770A (en) 2010-01-16
US20090242132A1 (en) 2009-10-01
CN101546698B (zh) 2011-11-09
TWI521590B (zh) 2016-02-11
JP5222598B2 (ja) 2013-06-26
KR101153060B1 (ko) 2012-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101546698B (zh) 等离子体处理装置和供电棒
JP6279544B2 (ja) プラズマ処理システムにおいてｒｆ電流路を選択的に修正するための方法及び装置
KR20140104380A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP6224958B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US9039865B2 (en) Plasma processing apparatus
KR100838749B1 (ko) 공진대책 기능을 가지는 플라즈마처리장치
CN108122724B (zh) 通用非侵入式室阻抗测量系统及相关方法
WO2001073814A2 (en) Method and apparatus for controlling power delivered to a multiple segment electrode
KR20060108648A (ko) 플라즈마 프로세싱 시스템에서 기판을 최적화하는 방법 및장치
CN110416049A (zh) 可调节边缘射频等离子体分布的ccp刻蚀装置及其方法
JP2008182012A (ja) プラズマ処理装置用のプロセス性能検査方法及び装置
US9412670B2 (en) System, method and apparatus for RF power compensation in plasma etch chamber
US20220199365A1 (en) Dual-frequency, direct-drive inductively coupled plasma source
JP2016081933A (ja) プラズマシステムでの不良に関連する構成要素の識別
KR102190926B1 (ko) 기판 상태 및 플라즈마 상태를 측정하기 위한 측정 시스템
KR102190925B1 (ko) 챔버 간 매칭 모니터링 시스템
US20230113683A1 (en) Rf reference measuring circuit for a direct drive system supplying power to generate plasma in a substrate processing system
KR20100121980A (ko) 플라즈마 도핑 장비의 웨이퍼 모니터링 장치 및 방법
CN112345814A (zh) 直流偏压检测方法、装置、治具以及下电极系统
KR102114686B1 (ko) 고주파 전력 시스템 및 이를 구비하는 플라즈마 처리 장치
US20220157565A1 (en) Substrate treating apparatus and impedance matching method
KR101553664B1 (ko) 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치 및 이의 전력 조절 방법
WO2023055688A1 (en) Voltage and current probe assemblies for radio frequency current carrying conductors
CN116759288A (zh) 一种可快速换样的离子阱芯片系统
CN110911262A (zh) 电感耦合等离子体系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant