CN101518851A - 靶材与背板的焊接结构及方法 - Google Patents

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Abstract

一种靶材与背板的焊接结构及方法。其中靶材与背板的焊接方法,包括:提供钽靶材;在钽靶材的焊接面上形成中间层;采用热等静压方法在中间层上进行焊接作业,将铜或铜合金背板焊接至钽靶材。本发明可以实施大面积焊接,有效防止金属被氧化,使钽靶材和铜或铜合金背板之间的结合强度提高,在溅射过程中钽靶材不会脱开,可以正常进行溅射镀膜。

Description

靶材与背板的焊接结构及方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及靶材与背板的焊接结构及方法。
背景技术
大规模集成电路的制作中,靶材组件是由符合溅射性能的靶材和与所述靶材结合、具有一定强度的背板构成。所述背板可以在所述靶材组件装配至溅射基台中起到支撑作用,并具有传导热量的功效。目前,使用钽(Ta)靶材进行物理气相沉积法(PVD)镀膜,形成阻挡层,钽靶材在溅射过程中使用磁控溅射;同时需要使用强度较高、但是导热、导电性高的铜材料作为背板材料;将钽靶材和背板材料焊接在一起加工成半导体所使用的靶材组件后,才既可以可靠的安装在溅射机台上,同时又可以在磁场、电场作用下有效进行溅射控制。
但是,现有溅射工艺中,所述靶材组件的工作环境比较恶劣,例如,靶材组件工作温度较高,例如300℃至500℃;另外,靶材组件的一侧充以冷却水强冷,而另一侧则处于10-9Pa的高真空环境下,由此在靶材组件的上下两侧形成有巨大的压力差;再有,靶材组件处在高压电场、磁场中,受到各种粒子的轰击。在如此恶劣的环境下,如果靶材组件中靶材与背板之间的结合度较差,将导致靶材在受热条件下变形、开裂、并与结合的背板相脱落,使得溅射无法达到溅射均匀的效果,同时还可能会对溅射基台造成损伤。
因此,需要选择一种有效的焊接方式,使得靶材与背板实现可靠结合,满足长期稳定生产、使用靶材的需要。
现有制造工艺中,在将钽靶材与铜材料背板进行大面积对焊时,通常采用直接熔化焊接方式以及锡或铟焊料钎焊方式。
但是,采用直接熔化焊接方式具有以下缺点:1)由于两种材料熔点相差太大(铜熔点1084℃,钽熔点2996℃),因此,熔化焊接设备不能实现大面积对焊。2)钽靶材与铜材料背板在温度加热至200℃以上时,氧化速度非常快,两种金属接触面原子不能进行有效扩散,使两者的接合强度达不到要求。
采用锡或铟焊料钎焊方式,由于焊料熔点低(小于250℃),结合强度低(小于70Mpa),在钽靶材溅射过程中由于发热,焊料会熔化,进而导致靶材溅射不能进行。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种靶材与背板的焊接结构及方法,防止不能进行大面积对焊,钽靶材及背板的氧化,及防止钽靶材溅射受影响。
为解决上述问题,本发明提供一种靶材与背板的焊接方法,包括:提供钽靶材;在钽靶材的焊接面上形成中间层;采用热等静压方法在中间层上进行焊接作业,将铜或铜合金背板焊接至钽靶材。
可选的,所述采用热等静压方法进行焊接的温度为450℃~800℃,保温时间为3小时~5小时,压强为50MPa~160MPa。
可选的,形成所述中间层的方法具体为电镀、超音速喷涂、等离子溅射或电子束物理气相沉积。所述中间层的厚度为0.01mm~3mm。所述中间层的材料具体为钛。
可选的,在形成中间层之前还包括步骤:清洗所述钽靶材的表面。所述清洗钽靶材的表面具体为使用含有氢氟酸的溶剂进行酸洗。
本发明还提供一种靶材与背板的焊接结构,包括:钽靶材;形成于所述钽靶材上的中间层;采用热等静压方法与所述中间层结合的铜或铜合金背板。
可选的,所述中间层的厚度为0.01mm~3mm。所述中间层的材料具体为钛。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:采用热等静压方法(HIP)能将两种金属面对面很好得结合在一起,从而可以实现对钽靶材和铜或铜合金背板实施大面积焊接;由于热等静压方法(HIP)是在真空中进行焊接的一种方法,因此有效防止了金属被氧化,使钽靶材和铜或铜合金背板之间的结合强度提高,在溅射过程中钽靶材不会脱开,可以正常进行溅射镀膜。
另外,在钽靶材与铜或铜合金背板之间具有中间层,利用中间层作为中间媒介,使得钽靶材与铜或铜合金经过焊接后实现二者的可靠结合,具有结合紧密度高、受热抗变形能力强等优点。
进一步,采用热等静压方法进行焊接的温度为450℃~800℃,保温时间为3小时~5小时,压强为50MPa~160MPa,使钽靶材与铜或铜合金结合强度增加,结合率可以达到95%以上,且结合后靶材组件弯曲变形小。
附图说明
图1为本发明制作靶材与背板的焊接构的具体实施方式流程图;
图2至图4为本发明制作靶材与背板的焊接构的实施例示意图。
具体实施方式
图1为本发明制作靶材与背板的焊接构的具体实施方式流程图。如图1所示,执行步骤S1,提供钽靶材;
执行步骤S2,在钽靶材的焊接面上形成中间层;
在形成中间层之前还包括步骤:对钽靶材进行机械加工;清洗所述钽靶材的表面。
其中,所述清洗钽靶材的表面具体为使用含有氢氟酸的溶剂进行酸洗。
执行步骤S3,采用热等静压方法在中间层上进行焊接作业,将铜或铜合金背板焊接至钽靶材。
基于上述实施方式形成的靶材与背板的焊接结构,包括:钽靶材;形成于所述钽靶材上的中间层;采用热等静压方法与所述中间层结合的铜或铜合金背板。
本发明采用热等静压方法(HIP)能将两种金属面对面很好得结合在一起,从而可以实现对钽靶材和铜或铜合金背板实施大面积焊接;由于热等静压方法(HIP)是在真空中进行焊接的一种方法,因此有效防止了金属被氧化,使钽靶材和铜或铜合金背板之间的结合强度提高,在溅射过程中钽靶材不会脱开,可以正常进行溅射镀膜。另外,在钽靶材与铜或铜合金背板之间具有中间层,利用中间层作为中间媒介,使得钽靶材与铜或铜合金经过焊接后实现二者的可靠结合,具有结合紧密度高、受热抗变形能力强等优点。
下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
图2至图4为本发明制作靶材与背板的焊接构的实施例示意图。如图2所示,提供钽靶材20,钽靶材20的形状,根据应用环境、溅射设备的实际要求,可以为圆形、矩形、环形、圆锥形或其他类似形状(包括规则形状和不规则形状)中的任一种,且其厚度可以为1mm~80mm。作为一个优选实施例,钽靶材20的形状为圆形,直径为350mm,厚度为8.5mm。
在对钽靶材20进行焊接工艺之前,需要对钽靶材20的焊接面200进行清洗。清洗钽靶材20的焊接面200的方法有多种。
作为本实施例的一个方案就是先用酸液清洗,再用有机溶剂清洗。所述用于清洗的酸液可以选取氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)、盐酸(HCL)、硫酸(H2SO4)或包含它们中任意配比的混合溶剂;较佳地,例如可以是氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合溶剂,所述氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)混合溶剂中氢氟酸所占比例为3%~15%,硝酸所占比例可以为85%~97%;作为一个优选实施例,氢氟酸所占比例为5%,硝酸所占比例为95%。另一个实施例中,所述酸液也可以是由氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)和盐酸(HCL)配比而成的混合溶剂。所述有机溶剂则可以是异丁醇IBA、异丙醇IPA或混丙醇IPB中的任一种,优选地,选取异丙醇IPA。
对钽靶材20的焊接面200进行清洗工艺,可以将焊接面220上的杂质和氧化物清除干净,使得钽靶材20的表面粗糙度可达3.2微米以下,为后续的焊接工艺打好的基础。
在对钽靶材20的焊接面200进行清洗工艺中,可以将钽靶材20整个地浸入清洗溶剂中进行清洗;也可以仅针对钽靶材20的焊接面200进行表面清洗处理,相对节省清洗溶剂并提高工作效率。
如图3所示,在靶材20的焊接面200上形成中间层22,形成中间层22的方法可以有多种,具体可以采用电镀、超音速喷涂、等离子溅射、直接放入或电子束物理气相沉积等工艺。优选地,在一个实施例中,可以采用电子束物理气相沉积(EBPVD)的工艺,它利用灯丝加热后发射的电子束,经电场加速、磁场聚焦后,高速撞击置于水冷坩埚中的蒸发材料,使得蒸发材料表面的原子吸收电子携带的动能,温度迅速升高,在真空环境下蒸发或升华形成的低密度、非平衡蒸汽粒子射流与钽靶材20相撞,并在一定条件下生长为薄膜(即中间层22)。通过上述工艺,可以使得在焊接面200上形成中间层22具有表面粗糙度低、结合强度高、致密度高等优点。所述中间层22的材料可以是单一金属,具体为钛等。所述形成的中间层22的厚度较小,一般为0.01mm~3mm。
如图4所示,进行焊接作业,将铜或铜合金背板24焊接至钽靶材20的中间层22上。如果铜或铜合金背板24为铜合金材料,可以是铝铜合金、铬铜合金、铂铜合金或锌锡铜合金等。所述铜或铜合金背板24的厚度为25mm~50mm;形状为圆形或方形。
本实施例中,所述焊接作业采用的是热等静压方法对钽靶材20和铜或铜合金背板24进行扩散焊接具体来讲,所述扩散焊可以包括步骤:先准备一个真空包套,所述真空包套为1.0mm~2.0mm低碳钢焊接成型的;然后将形成有中间层22的钽靶材20、铜或铜合金背板24同时放入真空包套内;对真空包套进行抽真空至压强为10-3Torr~10-5Torr,然后将真空包套的抽气口采用机械方法封死;接着,进行加温至450℃~800℃,并保温3小时至5小时,并通过高压液体或气体进行加压,使真空包套内压强达到50MPa~160MPa,使钽靶材20与铜或铜合金背板24通过中间层22结合在一起,构成靶材组件。采用热等静压扩散焊技术,可以将铜或铜合金背板24通过中间层22与靶材20结合在一起,制作完成靶材结构,具有结合紧密度高、受热抗变形能力强等优点。
本实施例中,在进行焊接作业之前,还可以对铜或铜合金背板24作表面清洗处理。在本实施例中,所述表面清洗处理可以直接使用异丁醇IBA、异丙醇IPA或混丙醇IPB中的任一种有机溶剂进行清洗,改善铜或铜合金背板24的表面光洁度,为后续焊接工艺做准备。
另外,为防止铜或铜合金背板24产生开裂,铜或铜合金背板24在焊接前还可以进行包括均质化处理在内的其他预处理。
基于上述实施例形成的靶材与背板的焊接结构,包括:钽靶材20;形成于所述钽靶材20上的中间层22;采用热等静压方法与所述中间层22结合的铜或铜合金背板24。
本发明虽然以较佳实施例公开如上,但其并不是用来限定本发明,任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内,都可以做出可能的变动和修改,因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种靶材与背板的焊接方法,其特征在于,包括:
提供钽靶材;
在钽靶材的焊接面上形成中间层;
采用热等静压方法在中间层上进行焊接作业,将铜或铜合金背板焊接至钽靶材。
2.根据权利要求1所述的靶材与背板的焊接方法,其特征在于,所述采用热等静压方法进行焊接的温度为450℃~800℃,保温时间为3小时~5小时,压强为50MPa~160MPa。
3.根据权利要求1所述的靶材与背板的焊接方法,其特征在于,形成所述中间层的方法具体为电镀、超音速喷涂、等离子溅射、电子束物理气相沉积或直接放入。
4.根据权利要求3所述的靶材与背板的焊接方法,其特征在于,所述中间层的厚度为0.01mm~3mm。
5.根据权利要求4所述的靶材与背板的焊接方法,其特征在于,所述中间层的材料具体为钛。
6.根据权利要求1所述的靶材与背板的焊接方法,其特征在于,在形成中间层之前还包括步骤:清洗所述钽靶材的表面。
7.根据权利要求6所述的靶材与背板的焊接方法,其特征在于,所述清洗钽靶材的表面具体为使用含有氢氟酸的溶剂进行酸洗。
8.一种靶材与背板的焊接结构,其特征在于,包括:
钽靶材;
形成于所述钽靶材上的中间层;
采用热等静压方法与所述中间层结合的铜或铜合金背板。
9.根据权利要求8所述的靶材与背板的焊接结构,其特征在于,所述中间层的厚度为0.01mm~3mm。
10.根据权利要求9所述的靶材与背板的焊接结构,其特征在于,所述中间层的材料具体为钛。
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Date of cancellation: 20170505

Granted publication date: 20110720

Pledgee: Export Import Bank of China

Pledgor: Ningbo Jiangfeng Electronic Materials Co., Ltd.

Registration number: 2013990001013

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Denomination of invention: Welding structure and welding method of target materials and back plates

Effective date of registration: 20170510

Granted publication date: 20110720

Pledgee: Bank of China Limited by Share Ltd Yuyao branch

Pledgor: NINGBO JIANGFENG ELECTRONIC MATERIAL CO., LTD.

Registration number: 2017330000038

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Date of cancellation: 20180316

Granted publication date: 20110720

Pledgee: Bank of China Limited by Share Ltd Yuyao branch

Pledgor: NINGBO JIANGFENG ELECTRONIC MATERIAL CO., LTD.

Registration number: 2017330000038

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Denomination of invention: Welding structure and welding method of target materials and back plates

Effective date of registration: 20180320

Granted publication date: 20110720

Pledgee: Bank of China Limited by Share Ltd Yuyao branch

Pledgor: NINGBO JIANGFENG ELECTRONIC MATERIAL CO., LTD.

Registration number: 2018330000064

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Granted publication date: 20110720

Pledgee: Bank of China Limited by Share Ltd. Yuyao branch

Pledgor: KONFOONG MATERIALS INTERNATIONAL Co.,Ltd.

Registration number: 2018330000064

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Denomination of invention: Welding structure and method of target and back plate

Effective date of registration: 20200908

Granted publication date: 20110720

Pledgee: Bank of China Limited by Share Ltd. Yuyao branch

Pledgor: KONFOONG MATERIALS INTERNATIONAL Co.,Ltd.

Registration number: Y2020330000675