CN101501474A - 光学检验 - Google Patents

光学检验 Download PDF

Info

Publication number
CN101501474A
CN101501474A CNA2007800290657A CN200780029065A CN101501474A CN 101501474 A CN101501474 A CN 101501474A CN A2007800290657 A CNA2007800290657 A CN A2007800290657A CN 200780029065 A CN200780029065 A CN 200780029065A CN 101501474 A CN101501474 A CN 101501474A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
substrate
scanner
aforementioned
image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2007800290657A
Other languages
English (en)
Inventor
D·J·沃利斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qinetiq Ltd
Original Assignee
Qinetiq Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qinetiq Ltd filed Critical Qinetiq Ltd
Publication of CN101501474A publication Critical patent/CN101501474A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21—Polarisation-affecting properties
    • G01N21/23—Bi-refringence
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0658—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of emissivity or reradiation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0675—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating using interferometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/6489—Photoluminescence of semiconductors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/66—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers

Abstract

本发明涉及到确定在诸如半导体晶片、光学薄膜、显示屏等衬底中的缺陷的物理特性以及标识与定位这些缺陷的方法。所述方法包括使用PC扫描仪对衬底成像。特别是在以透射方式成像过程中所使用的PC扫描仪能提供关于要确定的衬底体积的信息。该方法通过使用干涉测量技术来确定诸如：层厚、曲率、光学常数，以及通过使用偏振成像确定双折射和张力。这些方法还涉及到在衬底激励荧光，例如光致发光和电致发光，以及对受激衬底进行扫描实现荧光测绘。

Description

光学检验
本发明涉及到晶片、尤其是半导体衬底晶片的光学检验方法，特别是涉及到使用费用低廉而易于获得的技术的检验方法。
半导体衬底晶片被用作用于生长和制造大量电器件的基底。半导体晶片的质量、均匀度和特性对这些器件及其产量具有重大影响，因此需要能够对半导体衬底进行检验。
存在有用于半导体晶片检验的工业标准设备，这些设备通常涉及到在晶片表面上方以激光光斑进行扫描。对于不透明的衬底，这种扫描能够提供关于表面特性与形态的信息。不过这种设备一般相当昂贵。可能会超出许多较小的晶片用户和研究实验室的预算。
US 2003/0095252描述了一种用于晶片缺陷分析的方法和设备，其使用平板扫描仪对晶片进行扫描。这就提供了一种简单廉价的办法来获得晶片的可用于缺陷分析的反射影像。然而，对确定诸如厚度或曲率有用的晶片的其他特性则需要以其他方式加以确定。
因此本发明的目的是提供一种能检验与确定直径达150mm或可能更大的局部或整个晶片、特别是半导体衬底的物理特性而费用又低的设备。
于是根据本发明提供了一种检验衬底的方法，此方法包括使用具有底片成像能力(negative imaging capability)的PC扫描仪对衬底进行扫描以记录透过衬底所透射的光线强度的步骤。
使用采购时就有底片成像能力或只需稍加修改的PC扫描仪来实现本发明。如本文中所使用的，术语“PC扫描仪”表示作为个人计算机的外部设备而操作与控制的一种成像设备。大多数标准成像PC扫描仪采用白光照射要被扫描的文件并对文件以线性探测器阵列扫描以检测从文件所反射的光线。将底片影像扫描仪进行布置来检测透过诸如底片等物透射的光线，因此相对于光源布置的至少一个探测器阵列用于检测所传输的光线。只要这一扫描仪有足够高的分辨率，那么最后所得到的影像信息就能够用来确定各种不同材料特性。使用常规扫描仪显然能提供使用易于得到的扫描仪而费用极低廉的解决方案。越来越能够得到既能以反射方式成像又能以透射方式成像的扫描仪，在本发明中可使用这种扫描仪以透射和反射方式获得影像。
US 2003/0095252的确使我们认识到平板即反射式扫描仪能够用在晶片的缺陷分析但其实际上只是记录能够看到的、确定缺陷位置的标准反射影像。本发明的方法使用透过衬底透射的光线来确定如层厚、表面弯曲或曲率、折射率、张力等至少一个物理特性。在本发明之前，本领域技术人员可能并不认为PC扫描仪是测量如晶片等衬底的厚度或曲率的一件适宜的设备。但是本发明人认识到利用扫描仪所收集的信息足以提供出有用的晶片特性。
PC扫描仪的探测器阵列一般包括一些接收一个或几个不同波长光线(例如对应红、绿、蓝的波长的光线)的单元。至少某些探测器单元还可以检测红外辐射强度。注意，如本文所用，术语“光线”包括可见辐射以及不可见辐射，例如：红外线和紫外线。术语“白光”意指光源具有宽的连续发射谱或者是包括可见光谱至少红、绿、蓝部分的强发射谱线。
因此本发明使用白光光源照射衬底并检测透过衬底透射的辐射强度。探测器阵列检测不同波长下的强度，而所接收强度中由波长决定的差别可用来确定各不同材料或器件的特性。所述衬底可以是如在器件制造中使用的半导体晶片。所述衬底也可以是光学薄膜或任何其他光学结构，例如显示器。
本发明的方法要求至少某些光线要透过衬底透射，因此衬底在光照波长下必须至少部分透明。某些半导体衬底在可见光或接近红外波长下是透明的，例如SiC、AI2O3、GaN、AIN、InN，因此本方法应用到这些衬底上是有益的。可以使扫描仪的光源和探测器适合于在某一特定衬底或晶片呈透明的一个或多个不可见光波长下工作，从而能给出要进行检测的传输光线的强度。这对于诸如GaAs、InP或CdSe等材料是有用的。透过晶片所透射的光线，其测量能够提供要检验晶片的体积情况而不仅仅是其表面情况。这就能够揭示出关于晶片内缺陷的信息，从而能确定缺陷位置并估计缺陷密度。
透明晶片还可以通过测量从晶片所反射或散射的辐射进行检验。与本发明方法结合起来使用，基于反射/散射的成像技术能够揭示关于晶片的更多信息。
晶片的厚度也可以通过比较在不同波长下记录的强度加以确定。透过晶片透射的光线将会从晶片/空气界面和晶片内的任何界面被反射。晶片实际上构成了一个法布里-珀罗标准具，因此自器件所透射的光线强度将取决于在某一特定波长下的光学厚度。通过观测不同波长之间的强度差，能够确定晶片的绝对厚度。即使观测一个波长，也能够确定厚度变化。此外，还可以确定诸如未知层的折射率和吸收等光学常数。
在本领域技术人员对透过晶片透射的辐射进行评价时将会包括一些已透过晶片直接透射的辐射。还将包括一些从前晶片/空气界面反射并在射出晶片之前又从后晶片/空气界面反射的辐射。这种双重反射的辐射与直接透射的辐射进行干涉。这种干涉自然可以是建设性的或者是破坏性的，视光程差和具体波长而定。光程差将随入射角而变，因此在任何狭窄波段观察时都可以看到干涉条纹。在只使用一个狭窄波段时，只能够确定晶片的相对厚度。但是通过观测不同通道(channel)的不同影像，亦即：拍摄分别由探测器阵列的红、绿、蓝色通道所形成的各影像，能够测量各个波长的条纹间隔，从而确定出绝对厚度。这样本发明就提供了一种使用简单的扫描仪确定晶片绝对厚度的方法。
同样的技术能够用来确定表面曲率。如果晶片放在已知曲率的透明表面上，或是扫描仪玻璃表面或最好是光学平玻璃上，光学平玻璃与晶片之间的任何间隙本身都将起标准具的作用。这样因表面曲率造成的干涉条纹也会产生出来并能够进行检测和测量。
本方法可以包括使用所检测到的强度来确定晶片曲率、衬底厚度变化、外延层(epi layer)厚度变化、表面颗粒和/或划痕密度以及如微管(micropipes)和晶体倾斜(crystal tilts)等结晶缺陷的位置和/或密度中的至少一个的数值。
本方法可以包括安排PC扫描仪的探测器阵列使得只接收某一特定偏振的辐射。所述方法还可包括用偏振辐射对晶片进行照射。这一点通过在源与晶片间安排一个起偏器和/或在晶片与探测器阵列之间安排一个起偏器可以很方便地实现。这两个起偏器可安排在匹配配置(亦即：两者都能使同样的偏振通过)或者在交叉配置或居于两者之间的任何类型配置中的光程内。在光程内使用交叉的起偏器能够给出因双折射而产生的明显差别并能提供出关于存在晶片内的张力的有用信息。这对SiC晶片尤其有用。
本发明对于半导体衬底成像特别有用，并且能用在材料生长/器件制造的任何阶段。例如，衬底可在任一外延层生长之前进行检验以保证其适当地无缺陷而又具有合格的厚度和曲率。在外延层生长后可对晶片再次进行检验，确保已经有了满意的生长。在各种处理步骤之后也可以对晶片进行检验。例如，在沉积金属轨道(metal track)以形成触点等的情况下，在沉积以及确保已经存在有正确沉积的必要蚀刻之后能够对晶片进行检验。
此外，处理过程中每个阶段的信息可以进行比较或对照整理。例如，可以将在特定处理阶段出现的缺陷的位置与从先前各阶段得到的关于局部缺陷、厚度变化、张力等信息加以比较就可以告知未来的质量控制和/或处理步骤。因此本发明还包括一种在衬底上制造半导体器件的方法，其包括使用如上述方法对半导体器件和/或衬底至少进行一次检验的步骤。
但是本发明也可应用于其他衬底。例如，光学薄膜，如抗反射涂层等就用在各种不同应用中，而且厚度和缺陷密度能影响可用性。因此本发明可应用于任何基本上呈平面的衬底的特性检验，这种衬底在本说明书中将称为晶片。晶片包含了一个综合条目，例如：能够使用本发明按照厚度变化、光变化、缺陷密度等来检验显示设备如液晶显示器的质量。
如上所述，使用PC扫描仪能够非常方便地应用本发明的方法。因此本发明涉及到使用含有确定晶片物理特性的透射方式成像扫描仪外设的个人计算机。方法包括确定晶片厚度与晶片表面曲率其中之一的步骤。非常方便地利用个人计算机编程依据由扫描仪收集的数据自动地确定晶片特性。
而使用白光的好处在于它能够测量不同波长下的强度而且大多数标准商品化扫描仪都使用白光光源，在某些应用中其对于改变照射光的波长可能是有用的。例如，如所提到的，一些半导体衬底在红外波长下是透明的。例如GaAs、InP、Si、GaSb、InSb，因此在红外波长下使用就能够使相同的全晶片分析应用到这些衬底上。在许多情况下，如在所关注材料的带隙大于Si的带隙的情况下，仅仅通过只改变扫描仪的照射源就可以实现本发明的方法。在胶片扫描仪中常用的探测器是基于Si的CCD时，探测器将会对低至1.1eV的红外辐射都敏感。对带隙在1.1eV以下的半导体，探测器还需要修正。
在另一实施方案中，在使用半导体材料时，可以把照射源的能量选在材料的带隙之上以便激励光致发光。这样，在此波长下半导体的照射光就会引起某一特定波长或一组波长下的荧光。能够测量并绘制出晶片整个区域上的荧光强度。在某些情况下，例如InGaN，通过在光源前边插入滤光器使得只有在材料带隙以上(例如蓝色光)的波长才能通过然后再检测更长的波长通道(例如红色或绿色)内所发射的光致发光就可以实现这种光致发光的测绘(mapping)。通过关掉照射源，然后在电激励晶片激发荧光时对晶片或器件进行扫描，扫描仪的探测器也能有效地用来测绘器件的电致发光。
如上所述，使用PC扫描仪可以很方便地实现本发明的方法。在本发明的另一方面，提供了控制与个人计算机相连接的扫描仪的计算机程序对晶片进行光学检测并根据所得到的影像数据确定外延层/晶片厚度与晶片曲率至少其中之一。本发明还提供了一套晶片检验器械包括：个人计算机、扫描仪以及控制该扫描仪对晶片进行光学检验的计算机程序。
如上所述，本发明的方法能够利用PC扫描仪来确定晶片的特理特性，特别是层厚和/或曲率。因此在本发明的另一方面，提供了一种确定晶片层的厚度和/或曲率的方法，其包括使用扫描仪获取晶片的影像、检测与测量影像中的干涉条纹、以及根据所说的测量结果确定晶片层的厚度和/或曲率等步骤。
如以上所用，术语“扫描仪”在此表示一种成像设备，它是可与个人计算机相连接的外部设备。根据本发明这一方面的方法能够以反射方式或透射方式实现，因此扫描仪可以是平板文件扫描(反射成像)型或底片成像(透射成像)型或者最好是可以两种方式操作的扫描仪。
如上所述，透过晶片所透射的辐射与在晶片内双重反射的辐射相干涉，结果形成干涉条纹。在因从前空气/晶片界面所反射的辐射与从后晶片/空气界面所反射的辐射相干涉而产生的反射中(假如晶片本身至少是局部透明)发生了同样的情况。
如上所述，根据本发明这一方面的方法最好包括分别对由扫描仪探测器阵列每个波长通道所形成的影像进行分析。该方法包括把晶片放在光学平玻璃上使晶片成像来确定表面曲率的步骤。
本方法还可包括确定晶片折射率的步骤。
使用起偏器确定关于晶片双折射和/或张力的信息也是本发明的另一方面，其既适用于透射方式成像也适用于反射方式成像。因此根据本发明的另一方面提供了一种使用PC扫描仪使晶片成像的方法，其中至少一个起偏器放置在从源到探测器的光程上。
一个起偏器可放置在源与晶片之间以便用偏振光照射晶片。有些缺陷对偏振光灵敏，而且在使用偏振光源与使用非偏振光成像相比呈现出更大更明显的差别。该方法包括用一个偏振态的偏振光拍摄晶片的一个影像，再使用一个不同偏振态的偏振光拍摄第二个影像，即在使用线性起偏器时，使用第一线性偏振然后再用相垂直的线性偏振可拍摄这些影像。将这些影像进行比较来标识出缺陷。
该方法包括将一个起偏器放置在光源与晶片之间，而将另一起偏器放在晶片与探测器之间。使用透射方式时，这通过在晶片两侧各放置一个起偏器能够很容易完成。该方法可包括使用线性起偏器并在交叉的起偏器间成像，亦即：安排源侧起偏器传输其线性偏振光线与探测器侧起偏器线性偏振相垂直的光线，或是通过布置好的起偏器，亦即：安排源侧和控制器侧起偏器传输同样取向的偏振辐射。对所记录的影像可进行分析来确定晶片双折射的程度和/或晶片中的张力数值。因为本领域技术人员在评价产生张力的晶片时可使通过晶片的偏振光转动，因此通过交叉起偏器所透射的光线数量能够给出晶片中张力大小的一种量度并突显张力的位置。
使用电致发光和/或光致发光扫描仪构成了本发明的另一方面。因此根据本发明的这一方面提供了分析晶片的一种方法，其包括在晶片内激励荧光同时使用扫描仪使晶片成像的步骤。激励可以是通过使用具有适当波长的照射辐射来激励光致发光。另一方面，该方法包括在晶片内电激励电致发光。在使用电激励时可将扫描仪光源断开，因而只检测电荧光。另外，使用与受激光线波长不同的光源以及所记录的不同波长的影像通常也能够使晶片成像。本发明的这一方面使得能够简单快速地产生出整个晶片的光致发光或电致发光图。
现在将通过仅与以下附图有关的实例对本发明予以说明。附图中：
图1示出使用本发明方法的晶片光学检验仪器简图，
图2示出氮化镓-碳化硅层的X射线形貌图与使用本发明方法所得的同一层扫描影像的比较，
图3示出两个不同蓝宝石衬底的扫描影像，
图4示出GaN-SiC晶片的放大扫描影像，
图5示出氮化镓-碳化硅晶片的红、绿、蓝色通道的影像，
图6示出GaN-Si晶片的扫描影像，
图7示出GaN-Si衬底的扫描影像，衬底上有处理过的器件结构，以及
图8示出在交叉线性起偏器间得到的扫描影像。
参见图1：个人计算机2与扫描仪外设4相连接。扫描仪可以是任何市售的、既能用来扫描一般文件也能扫描胶片底片或幻灯片的彩色扫描仪。不过使用反射方式的文件成像平板扫描仪成像或者透射方式的底片扫描仪成像也能进行晶片的有效扫描。分辨率为每英寸2000点的扫描仪能够按30μm的比例标识晶片特性，但是分辨率为4800dpi(点/英寸)和6400dpi的更高分辨率的扫描仪也能得到，其给出的分辨率数据约10-8μm。显然，随着胶片扫描仪的发展，将会获得更高的分辨率，从而能使晶片以更高的分辨率有效成像。
扫描仪可以是典型的A4扫描仪。例如Canon 9950F or EpsonPerfect V700 Photo。适合于使A3文件成像的平板扫描仪也可以得到并能够用来提供更大面积晶片如300mm硅的成像。例如EpsonExpression 10000 A3平板扫描仪。
将计算机2编程来控制扫描仪4以得到晶片的影像。可以将晶片放到标准扫描仪的成像表面上或者最好将玻璃板从扫描仪床座上取下而以特定晶片的定制托架代替。由于取下了玻璃板，就能够避免晶片的污染并且消除了因玻璃板的细微颗粒，划痕或反射所造成的影响。晶片可以是例如在可见光波长下基本上透明的半导体晶片如碳化硅，蓝宝石、氮化镓、氮化铝和氮化铟。另外，晶片也可以为砷化镓、硅、锑化镓、砷化铟、锑化铟、磷化铟、磷化镓或者是在可见光波长下不透明的任何普通的半导体晶片。
直到150mm或更大的晶片很易于在标准的商用扫描仪上成像。可以买到能够用来使尺寸更大的晶片成像的更大面积的扫描仪。晶片的厚度可达约25mm，不过对更厚的晶片所获得的信息可能受到限制，因为部分晶片将会在探测器的焦面以外。
如本领域技术人员将会认识到的，为获得影像，扫描仪要用汞蒸汽荧光管照射扫描仪成像表面。这种光源为白光光源，它在可见光光谱的红、绿、蓝色部分、在一些特定波长下例如611nm、543nm、434nm产生出强相干谱线，不过准确的波长可能因制造而异。光源也可以由在红、绿、蓝或氙弧灯中相似波长下发射光的‘发光二极管’阵列组成。红外光源，约在815nm工作。也常常包含在扫描仪中来校正胶片底片中的缺陷(划痕检测)。这种红外光源也可以有效地用于半导体晶片成像。
在照射成像区时，扫描头要相对于成像区移动。扫描头包含在线性区安装的CCD阵列，安排分立的阵列检测红、绿、蓝光。也可能还有红外光接收阵列。
每一探测器阵列测量在特定波长波段从扫描区所反射(散射)或透射的辐射并有效地产生出三个(或含红外时四个)影像。
图2a示出一个50mm的SiC上的GaN晶片(其约300μm厚)的X射线形貌图。作为本领域技术人员，其熟知X射线形貌学是结晶材料体积测绘的众所周知的成像技术。X射线形貌测量能够给出揭示结晶缺陷位置和性质的优质影像，但是获得X射线形貌图需要专业设备并耗费大量时间。全晶片X射线形貌图可能要花费数小时才能够获得。
图2b示出使用根据本发明扫描仪成像的同样SiC上GaN晶片。这个影像是透过晶片所透射的光线的图像，它是从全部三个通道，红、绿、蓝构成的，所以表示出一个彩色图。可以看出，扫描图中的特征能够直接与X射线形貌图中的结晶缺陷相互关联起来。图2b中的影像是在不到120秒的时间获得的。
因此，尽管本领域技术人员并不没有把PC扫描仪看成是一个光学检验工具而是认为这种扫描仪不能够产生有用的信息，但本发明已经表明能够低价高速地获得有用的信息。
图3示出上面形成有氮化镓层的两个不同蓝宝石衬底的反射扫描影像。这两个影像为仅使用绿色通道的强度数据透过扫描仪玻璃使晶片成像所产生的图像。影像中所看到的条纹是由于汞蒸汽源的543nm强发射谱线的干涉而产生的。在两个影像上看到的高频条纹是由于在晶片表面和扫描仪玻璃板上出现的反射而引起的，因此其表示出晶片表面在玻璃板之上的高度，或晶片曲率。因此，通过测量条纹间隔并取光照波长为543nm就能估算出曲率。对图3a中所示晶片，计算出其曲率半径约为6m(呈凸形)，而对图3b中所示晶片，可计算出其在x方向上的曲率半径约为10m，在y方向上的曲率半径约为23m。
在两个影像中还能够看到一些低频条纹，这是由于晶片表面反射与GaN/蓝宝石界面反射之间的干涉所引起的。这就给出了GaN层的厚度变化图。另外，取光照波长为543nm以及GaN的折射率为2.4时，从亮条纹到暗条纹的渐变段所对应的厚度变化约为40nm。
因此可以看出，各种不同通道的信息能够用来给出晶片大小以及其上形成的外延层大小的指示。
图4示出特定区域放大的SiC上GaN晶片的影像。在这种情况下，在晶片的某些区域看到了由于岛式生长方式而引起的GaN外延层厚度的微小变化。这些小岛直径约30μm，高度约30nm。可以看到，本发明能够用来得到关于半导体层表面形态的详细信息以及这种形态在整个晶片上是如何变化的。而这种信息又可以用来告知与修正生长参数并与器件性能和晶片产量的变化联系起来。
还可以将不同通道的数据加以比较。图5a示出通过红色通道记录的透过SiC衬底上GaN层所透射光线的强度。图5b和5c示出了通过绿色和蓝色通道记录的通过同一晶片的同样强度的影像。三个影像中的条纹间隔因波长不同而不同，在红色通道中为611nm，绿色通道中为543nm，蓝色通道中为434nm。条纹间隔的差可以用来确定GaN外延层的绝对厚度，还有其光学常数和折射率。此外，缺陷周围色彩通道不同的对比度还可以用来分类和标识具体缺陷的种类。
图6示出Si上GaN晶片的扫描影像。由于Si衬底在所用波长下不透明，此影像是以反射方式采集到的。影像中清晰地看到线状缺陷网，这些缺陷是由于生长时引入的张力而在GaN层中出现的一些裂纹。由于这些裂纹使从晶片表面反射的光线发生了散射而使这些特征形成了影像。此影像还示出因晶片表面颗粒而引起的具有白色反差的点。这表明在不透明晶片上也能够产生缺陷图和密度图。
再回到图1，计算机2控制扫描仪4(其可以是反射式扫描仪或透射式扫描仪)来拍摄晶片的影像。获得晶片的影像后计算机可以应用各种不同的影像处理技术。根据所有三个通道影像中各单个对比度变化的外观能够标识晶片内的缺陷。能够向操作人员突出地显示出可能存在缺陷的区域或者是能够求得缺陷的计数及其大小或种类并给出缺陷密度。此外，还能够标识这些影像中的任何条纹图并确定条纹间隔/厚度。确定了条纹间隔之后，使用所知道的各通道波长能够并绘制出晶片的厚度或者是晶片/衬底的光学常数。
本发明还能够应用于对其上进行过某些器件处理的晶片进行扫描。能够得到已处理过的晶片的影像来探测器件结构中的任何缺陷，如蚀刻步骤等或形成错误器件之后留下的残留物。这种成像可以在处理阶段中便于间歇时进行以保证质量。图7示出含器件处理的Si上GaN晶片的扫描影像。这些影像示出了器件间隙中碎片的形迹，这些碎片可能与电作用相关联并可表现为短路。光刻胶残留的痕迹也能够看到。
在器件处理之前或器件处理期间也可以对晶片扫描。器件结构损坏的任何区域或其他缺陷都能够标识。可能能够使缺陷区与具体衬底特性联系起来，从而传达出来的器件处理或筛选过程以提高产量。
使用一个或多个起偏器也可以使晶片成像并进一步提供关于晶片物理特性的信息。例如可将线性起偏器放在光源与晶片之间以便用偏振光照射晶片。起偏器的取向可在相互垂直的取向之间随时改变。晶片的一些特征可具有特定的偏振响应，因此在晶片用偏振光照射时可以更清楚地标识这些特征。
通过使在两个交叉起偏器间的晶片成像，即在晶片的每一侧安排一个线性起偏器并且这两个起偏器安排成其透射不同偏振取向的光线，还可以确定关于晶片双折射和晶片内张力场的信息。可以将这两个起偏器安排成相互垂直的布置。使得一个起偏器透射光线的偏振取向与另一起偏器透射光线的偏振取向相垂直。图8示出用交叉垂直起偏器以透射方式拍摄的直径76mm SiC晶片的扫描影像。到达探测器的唯一光线是由于与晶片的相互作用其偏振方向已经发生改变的光线。本领域技术人员将评估晶片内张力能够造成的这种偏振旋转，因而影像指明了晶片内存在的张力大小以及张力场的位置。缺陷还可以引起偏振移位，因而缺陷位置也清楚地显现出来。虽然相互垂直交叉的起偏器在某些情况下是有用的，但也可能还是希望使用其他定向方法，例如偏振轴有45°或某个其他数值偏移的起偏器或者是两个起偏器偏振轴对准的定位起偏器。
因此本发明提供了一种使用市售的扫描仪进行晶片检验的简单而费用低廉的解决方案。

Claims (36)

1.一种检验衬底的方法，该方法包括使用具有底片影像扫描能力的PC扫描仪对衬底进行扫描以记录透过衬底透射的光线强度的步骤。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述PC扫描仪包括探测器阵列，该探测器阵列具有接收不同波长光线的多个单元。
3.根据前述权利要求之一所述的方法，其中该衬底为半导体晶片。
4.根据前述权利要求之一所述的方法，其中该衬底为光学薄膜。
5.根据前述权利要求之一所述的方法，其中该衬底为显示器件。
6.根据前述权利要求之一所述的方法，其中该衬底有至少一个外延层。
7.根据前述权利要求之一所述的方法，其中该衬底在可见光波长下基本上是透明的。
8.根据前述权利要求之一所述的方法，其中该衬底在红外波长下基本上透明，而且该方法包括采用红外辐射来照射所述衬底。
9.根据前述权利要求之一所述的方法，其中该衬底包括Sic、AI2O3、GaN、AlN、InN、STO、Si、Ge、MgO、GaP、AIP、ZnSe、CdTe、ZnTe、CdSe、GaAs、InP、InSb、GaSb、AlSb、InAs、AlAs、SiO2其中之一。
10.根据前述权利要求之一所述的方法，该方法包括标识与测量所记录强度图中的干涉条纹的步骤。
11.根据前述权利要求之一所述的方法，其中该方法包括对所记录的不同波长下的强度进行比较的步骤。
12.根据权利要求11所述的方法，其中通过比较不同波长下的强度来确定衬底或外延层的厚度或光学常数。
13.根据前述权利要求之一所述的方法，其中使用检测到的强度来确定晶片曲率、衬底厚度变化、晶片表面形态、外延层厚度变化、表面颗粒和/或划痕密度以及如微管和晶体倾斜等结晶缺陷的位置和/或密度中的至少一个的数值。
14.根据前述权利要求之一所述的方法，该方法包括对PC扫描仪的探测器阵列进行布置使得只接收特定偏振辐射的步骤。
15.根据前述权利要求之一所述的方法，该方法包括用偏振辐射对衬底进行照射。
16.根据前述权利要求之一所述的方法，该方法包括在PC扫描仪的光源与所述衬底之间安排起偏器和/或在所述衬底与PC扫描仪的探测器阵列之间安排起偏器的步骤。
17.根据权利要求16所述的方法，其中将起偏器以交叉配置安排在光程上。
18.根据前述权利要求之一所述的方法，其中衬底上制造了至少某一器件结构。
19.一种确定晶片层厚度和/或曲率的方法，该方法包括使用PC扫描仪获得晶片影像，检测与测量影像中的干涉条纹，以及根据该测量结果来确定晶片层厚度和/或曲率的步骤。
20.根据权利要求19所述的方法，其中PC扫描仪以反射方式获得晶片的影像。
21.根据权利要求20所述的方法，其中PC扫描仪为平板扫描仪。
22.根据权利要求19-21之一所述的方法，该方法还包括分别分析由扫描仪探测器阵列每一波长通道所形成的影像的步骤。
23.根据权利要求19-22之一所述的方法，该方法包括使晶片在光学平玻璃上成像来确定表面曲率的步骤。
24.根据权利要求19-23之一所述的方法，该方法还包括确定晶片折射率的步骤。
25.一种使用PC扫描仪使晶片成像的方法，其中至少一个起偏器放置在从源到探测器的光程上。
26.根据权利要求25所述的方法，其中在源与晶片之间放置起偏器以便利用偏振光来照射晶片。
27.根据权利要求25或26所述的方法，该方法包括利用一种偏振态的偏振光来拍摄晶片的影像，然后再利用不同偏振态的偏振光来拍摄第二个影像的步骤。
28.根据权利要求27的方法，其中不同偏振状态为相互垂直的线性偏振。
29.根据权利要求25-27之一所述的方法，该方法包括将一个起偏器置于光源与晶片之间以及将另一个起偏器置于晶片与探测器之间。
30.根据权利要求29所述的方法，其中这两个起偏器为线性起偏器并按交叉起偏器配置进行布置。
31.根据权利要求25-30之一所述的方法，其中对所记录的影像或每个影像进行分析以确定晶片的双折射程度和/或晶片内的张力的数值。
32.一种分析晶片的方法，该方法包括在使用PC扫描仪使晶片成像的同时在晶片内激励荧光的步骤。
33.根据权利要求32所述的方法，其中激励荧光的步骤包括采用具有适当波长来激励光致发光的辐射以对晶片进行照射的步骤。
34.根据权利要求32所述的方法，其中所述激励荧光的步骤包括在晶片内以电的方式来激励电致发光。
35.根据权利要求34所述的方法，其中在采集影像时将扫描仪的光源断开使得只检测电致发光。
36.计算机程序，用于对执行前述权利要求之一所述方法的扫描仪进行控制。
CNA2007800290657A 2006-06-07 2007-06-01 光学检验 Pending CN101501474A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB0611156.1A GB0611156D0 (en) 2006-06-07 2006-06-07 Optical inspection
GB0611156.1 2006-06-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101501474A true CN101501474A (zh) 2009-08-05

Family

ID=36745350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007800290657A Pending CN101501474A (zh) 2006-06-07 2007-06-01 光学检验

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090236542A1 (zh)
EP (1) EP2024731A1 (zh)
JP (1) JP2009540284A (zh)
CN (1) CN101501474A (zh)
GB (2) GB0611156D0 (zh)
WO (1) WO2007141496A1 (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102686787A (zh) * 2010-12-27 2012-09-19 住友电气工业株式会社 碳化硅衬底、半导体器件、制造碳化硅衬底的方法和制造半导体器件的方法
CN102866143A (zh) * 2011-07-08 2013-01-09 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 外延材料层的特性测试装置
CN103053018A (zh) * 2010-08-11 2013-04-17 Toto株式会社 静电吸盘及静电吸盘的制造方法
CN103217430A (zh) * 2012-01-19 2013-07-24 昆山思拓机器有限公司 一种用于smt网板的扫描仪设备
CN104969328A (zh) * 2013-02-15 2015-10-07 弗赖贝格化合物原料有限公司 用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途
CN105203305A (zh) * 2015-11-03 2015-12-30 山东华光光电子有限公司 一种半导体激光器无损波长分类筛选方法
CN107144574A (zh) * 2017-06-06 2017-09-08 深圳振华富电子有限公司 检测晶圆缺陷的装置及方法
CN107884414A (zh) * 2017-11-03 2018-04-06 电子科技大学 一种剔除灰尘影响的镜面物体表面缺陷检测系统及方法
CN108474650A (zh) * 2015-11-11 2018-08-31 株式会社钢臂功科研 形状测量方法以及形状测量装置
US10883941B2 (en) 2015-05-04 2021-01-05 Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd. Micro photoluminescence imaging
CN113533206A (zh) * 2021-07-26 2021-10-22 上海图也信息技术有限公司 一种工业互联网的工业检测系统及方法
CN115575413A (zh) * 2022-11-24 2023-01-06 昂坤视觉(北京)科技有限公司 一种晶圆光致发光缺陷成像系统及成像方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4719284B2 (ja) * 2008-10-10 2011-07-06 トヨタ自動車株式会社 表面検査装置
US8647876B2 (en) * 2010-03-31 2014-02-11 Fujifilm Corporation Oxygen permeability measuring apparatus and method, and defect inspection apparatus and method
JP2012060107A (ja) * 2010-08-11 2012-03-22 Toto Ltd 吸着保持装置の表面評価方法
CN103217433A (zh) * 2012-01-19 2013-07-24 昆山思拓机器有限公司 一种smt网板扫描仪的灯箱盖板结构
FR2994264B1 (fr) * 2012-08-02 2014-09-12 Centre Nat Rech Scient Procede d'analyse de la structure cristalline d'un materiau semi-conducteur poly-cristallin
WO2015105490A1 (en) * 2014-01-09 2015-07-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for analyzing defects in thermoplastic articles
US9996766B2 (en) 2015-05-01 2018-06-12 Corning Incorporated Imaging-based methods for detecting and measuring defects in extruded cellular ceramic articles
WO2016187180A1 (en) 2015-05-21 2016-11-24 Corning Incorporated Methods for inspecting cellular articles
CN106057694B (zh) * 2016-05-24 2018-11-27 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 一种透明材料的缺陷分析方法
US20180269044A1 (en) * 2017-03-20 2018-09-20 International Business Machines Corporation Pvd tool to deposit highly reactive materials
JP2019009173A (ja) * 2017-06-21 2019-01-17 クアーズテック株式会社 化合物半導体基板の凹凸識別方法、および、これに用いる化合物半導体基板の表面検査装置
CN114608482B (zh) * 2022-05-11 2022-08-05 南昌昂坤半导体设备有限公司 曲率测量方法、系统、可读存储介质及计算机设备

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5535214A (en) * 1978-09-04 1980-03-12 Asahi Chem Ind Co Ltd Method and device for film-thickness measurement making use of infrared-ray interference
DE3422143A1 (de) * 1984-06-14 1985-12-19 Josef Prof. Dr. Bille Geraet zur wafer-inspektion
JPS63286062A (ja) * 1987-05-19 1988-11-22 Toshiba Corp 画像読取装置
JPH01101063A (ja) * 1987-10-14 1989-04-19 Toshiba Corp 画像情報読取装置
US5251072A (en) * 1991-05-28 1993-10-05 Shinko Electric Co., Ltd. Image reader
US5288991A (en) * 1992-12-04 1994-02-22 International Business Machines Corporation Optical system for rapid inspection of via location
US5479252A (en) * 1993-06-17 1995-12-26 Ultrapointe Corporation Laser imaging system for inspection and analysis of sub-micron particles
US5805278A (en) * 1995-02-09 1998-09-08 Inspex, Inc. Particle detection method and apparatus
US5917588A (en) * 1996-11-04 1999-06-29 Kla-Tencor Corporation Automated specimen inspection system for and method of distinguishing features or anomalies under either bright field or dark field illumination
AU682145B3 (en) * 1997-03-19 1997-09-18 Umax Data Systems Inc. Transparency optical scanner
US6175645B1 (en) * 1998-01-22 2001-01-16 Applied Materials, Inc. Optical inspection method and apparatus
US6248988B1 (en) * 1998-05-05 2001-06-19 Kla-Tencor Corporation Conventional and confocal multi-spot scanning optical microscope
US6507394B1 (en) * 1999-11-30 2003-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method and apparatus for inspecting the surface of a semiconductor device
GB2379735A (en) * 2001-09-14 2003-03-19 Qinetiq Ltd Method and apparatus for controlling the growth of thin film during deposition process by measuring the rate of change of optical thickness of the thin-film
US6639201B2 (en) * 2001-11-07 2003-10-28 Applied Materials, Inc. Spot grid array imaging system
DE10157244B4 (de) * 2001-11-22 2006-05-04 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Defektanalyse von Wafern
US6638778B1 (en) * 2002-02-25 2003-10-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method for determining, tracking and/or controlling processing based upon silicon characteristics
DE60302698T2 (de) * 2002-04-26 2006-08-24 Optrex Corp. Nematische Flüssigkristallanzeigevorrichtung vom Doppelschichttyp
DE10307454B4 (de) * 2003-02-21 2010-10-28 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur optischen Inspektion eines Halbleitersubstrats
US7220978B2 (en) * 2003-04-15 2007-05-22 The University Of South Carolina System and method for detecting defects in semiconductor wafers
US6937916B2 (en) * 2003-05-28 2005-08-30 Texas Instruments Incorporated Automatic recognition of locator die in partial wafermap process
DE102004029212B4 (de) * 2004-06-16 2006-07-13 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur optischen Auf- und/oder Durchlichtinspektion von Mikrostrukturen im IR
JP2008507296A (ja) * 2004-07-26 2008-03-13 ナノスフェアー　インコーポレイテッド 混合培養物中でメチシリン耐性黄色ブドウ球菌とメチシリン感受性黄色ブドウ球菌とを区別する方法
JP4143084B2 (ja) * 2005-09-06 2008-09-03 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 試料検査装置、画像位置合わせ方法及びプログラム

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103053018A (zh) * 2010-08-11 2013-04-17 Toto株式会社 静电吸盘及静电吸盘的制造方法
CN102686787A (zh) * 2010-12-27 2012-09-19 住友电气工业株式会社 碳化硅衬底、半导体器件、制造碳化硅衬底的方法和制造半导体器件的方法
CN102866143A (zh) * 2011-07-08 2013-01-09 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 外延材料层的特性测试装置
CN103217430A (zh) * 2012-01-19 2013-07-24 昆山思拓机器有限公司 一种用于smt网板的扫描仪设备
US11170989B2 (en) 2013-02-15 2021-11-09 Freiberger Compound Materials Gmbh Gallium arsenide substrate comprising a surface oxide layer with improved surface homogeneity
CN104969328A (zh) * 2013-02-15 2015-10-07 弗赖贝格化合物原料有限公司 用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途
CN104969328B (zh) * 2013-02-15 2020-07-10 弗赖贝格化合物原料有限公司 用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途
CN107634000A (zh) * 2013-02-15 2018-01-26 弗赖贝格化合物原料有限公司 用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途
CN109801836A (zh) * 2013-02-15 2019-05-24 弗赖贝格化合物原料有限公司 用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途
US10460924B2 (en) 2013-02-15 2019-10-29 Freiberger Compound Materials Gmbh Process for producing a gallium arsenide substrate which includes marangoni drying
US10883941B2 (en) 2015-05-04 2021-01-05 Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd. Micro photoluminescence imaging
CN105203305A (zh) * 2015-11-03 2015-12-30 山东华光光电子有限公司 一种半导体激光器无损波长分类筛选方法
CN108474650A (zh) * 2015-11-11 2018-08-31 株式会社钢臂功科研 形状测量方法以及形状测量装置
CN107144574A (zh) * 2017-06-06 2017-09-08 深圳振华富电子有限公司 检测晶圆缺陷的装置及方法
CN107884414A (zh) * 2017-11-03 2018-04-06 电子科技大学 一种剔除灰尘影响的镜面物体表面缺陷检测系统及方法
CN107884414B (zh) * 2017-11-03 2019-12-27 电子科技大学 一种剔除灰尘影响的镜面物体表面缺陷检测系统及方法
CN113533206A (zh) * 2021-07-26 2021-10-22 上海图也信息技术有限公司 一种工业互联网的工业检测系统及方法
CN115575413A (zh) * 2022-11-24 2023-01-06 昂坤视觉(北京)科技有限公司 一种晶圆光致发光缺陷成像系统及成像方法
CN115575413B (zh) * 2022-11-24 2023-03-07 昂坤视觉(北京)科技有限公司 一种晶圆光致发光缺陷成像系统及成像方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB2452875B (en) 2011-03-02
JP2009540284A (ja) 2009-11-19
US20090236542A1 (en) 2009-09-24
GB0611156D0 (en) 2006-07-19
GB0821538D0 (en) 2008-12-31
GB2452875A (en) 2009-03-18
WO2007141496A1 (en) 2007-12-13
EP2024731A1 (en) 2009-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101501474A (zh) 光学检验
US7446321B2 (en) Differential wavelength photoluminescence for non-contact measuring of contaminants and defects located below the surface of a wafer or other workpiece
US20090297017A1 (en) High resolution multimodal imaging for non-destructive evaluation of polysilicon solar cells
US5777743A (en) Scribe mark reader
US7504642B2 (en) Photoluminescence imaging with preferential detection of photoluminescence signals emitted from a specified material layer of a wafer or other workpiece
US20070076198A1 (en) Optical inspection of a specimen using multi-channel responses from the specimen
CN109900717A (zh) 使用斜率数据的用于半导体衬底的检查方法及检查装置
US7719672B2 (en) Macro inspection apparatus and microscopic inspection method
US20030081201A1 (en) Method and apparatus for inspecting defects
US8766192B2 (en) Method for inspecting a photovoltaic substrate
US20110194101A1 (en) Supersensitization of defect inspection method
CA2580551A1 (en) Optical inspection of flat media using direct image technology
TW201425911A (zh) 檢測裝置以及檢測方法
CN106092970B (zh) 一种光学检测系统及光学检测设备
CN104458758A (zh) 一种人造蓝宝石晶片缺陷检测装置
CN108956571A (zh) 一种基于泄露辐射成像在ccd靶面与安装定位面夹角误差的校准方法及装置
US11536648B2 (en) Optical inspection device and method
US9500582B2 (en) Method for detecting buried layers
CN108240989A (zh) 照明成像优化装置
JP3811728B2 (ja) 膜厚取得方法
JP4716827B2 (ja) 外観検査装置及び外観検査方法
CN110044932A (zh) 一种曲面玻璃表面和内部缺陷的检测方法
US20230314682A1 (en) Apparatuses and methods for inspecting embedded features
Bechtler et al. Optical surface analysis: a new technique for the inspection and metrology of optoelectronic films and wafers
TW202141083A (zh) 金屬線柵偏光片之影像式判定裝置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20090805