CN101497757A - 防辐射涂料 - Google Patents
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Abstract
本发明属于化工技术领域，具体涉及一种水性防辐射涂料，它是由是鳞片状石墨粉、乙炔碳粉、羰基铁粉、铁氧体粉构成吸收电磁波功能材料的主料，辅料有扩散剂、粘固剂、成膜剂、氨水、纯水，它吸收电磁波频率为1.0－20000MHz，根据所涂后的厚度不同，电磁波吸收衰减2－20dB，它能解决屏蔽材料所无法解决的整体电磁辐射污染环境净化难题，也有效防止电磁辐射对周围设备及人员的干扰和伤害。
Description
技术领域
本发明属于化工技术领域，具体涉及一种水性环保的能吸收电磁波的特种涂料，它可净化和建立健康电磁波时空，尤其是保障人体和电子设备不受伤害和电磁干扰。
背景技术
目前在电磁波污染防护方面，大多采用的是电磁波反射材料，这种方法虽然解决了对某种物体的防护作用，但势必又造成了电磁波的二次污染。
发明内容
本发明的目的是：为了克服现有的电磁波屏蔽材料所造成的二次电磁污染，提供一种新型的防辐射涂料，该涂料是利用电磁能量转换的原理，吸收电磁波，无二次电磁污染，且吸收频带宽、衰减强、环保无污染、成本低廉，可涂、喷、刷使用方便。
本发明的具体技术方案是：本发明防辐射涂料有以下配方，以成品重量为100％，所含各重量比：
吸收电磁波功能材料的主料25-35％，
辅料有扩散剂0.4-1.1％，
粘固剂5-15％，
成膜剂8-14％，
氨水0.4-0.9％，
其余为水。
其中，吸收电磁波功能材料的主料是鳞片状石墨粉、乙炔碳粉、羰基铁粉、铁氧体粉构成，粒度应小于10微米。
所述扩散剂可选用亚甲基甲基萘双萘磺酸纳、羧甲基纤维素、羟己基纤维素、及相当的物质。
所述粘固剂可选自硅溶胶、硅酸钾、硅酸钠、硅酸锂之一。
所述成膜剂是苯乙烯丙烯酸树脂，或者是苯乙烯丙烯酸甲脂聚合而成的材料。
氨水用来调整涂料的PH值，以分析纯的氨水为好。
其余的水，为纯水。
具体实施方式
本发明防辐射涂料的制备方法由以下步骤组成：
(1)将吸收电磁波功能材料的鳞片状石墨粉或乙炔碳粉和羰基铁粉或铁氧体粉按9:1—6:4重量比，吸收电磁波功能材料用量的60％、扩散剂用量的40％、氨水用量的40％及水用量作为第一次投料配制成第一次原料。
(2)预处理：使用胶体磨、振动磨、球磨机中的一种对第一次原料处理8-14小时，优选使用振动磨。
(3)乳化：将鳞片状石墨粉或乙炔碳粉和羰基铁粉或铁氧体粉、扩散剂、氨水的余量及成膜剂、粘固剂用量作为第二次投料配制成第二次原料加入经预处理的第一次原料中，使用胶体磨、振动磨、球磨机、搅拌机中的一种进行乳化处理，优选使用球磨机。
(4)过筛：除去杂质，即成为成品防辐射涂料。
在本制备方法中，要根据吸收电磁波频率的不同，调整吸收电磁波功能材料配比。
用本发明配方及制备方法形成的防辐射涂料，吸收电磁波频率为1.0—20000MHz，根据所涂后的厚度不同，电磁波吸收衰减2—20dB。
本发明的有益效果是：对于室内外的电磁辐射污染，在内墙体、顶棚、地面、进行防辐射涂料涂刷，吸收来自室内外各个方向的辐射波，防止杂波反射，不对室内的人体和仪器设备产生影响，洁净室内的电磁环境。对电子电器设备，对它们的内外体敷设防辐射涂料，还能解决屏蔽材料所无法解决的整体电磁辐射污染环境净化难题，它不仅减少杂波对自身设备的干扰，也有效防止电磁辐射对周围设备及人员的干扰和伤害，防辐射涂料能够在复杂的曲面、微小的角落、孔、棱边等处方便地涂抹，解决屏蔽工艺精度不高及效果不理想的难题，满足工业、科学和医疗设备的屏蔽、EMC的需要。能将辐射波大幅度削减，并将污染控制在较小范围内。
Claims (6)
1、一种防辐射涂料，其特征在于它采用下述组份(按重量百分比)：
吸收电磁波功能材料的主料 25-35％，
辅料有扩散剂 0.4-1.1％，
粘固剂 5-15％，
成膜剂 8-14％，
氨水 0.4-0.9％，
纯水 34-61％，
将上述组份充分混合，加入球磨机中均匀分散，排料后，检测，调整，筛分即可。
2、根据权利要求1所述的防辐射涂料，其特征在于所说的吸收电磁波功能材料的主料配比是，鳞片状石墨粉或乙炔碳粉和羰基铁粉或铁氧体粉按9:1—6:4重量比。
3、根据权利要求1所述的防辐射涂料，其特征在于所说的扩散剂可选用亚甲基甲基萘双萘磺酸纳、羧甲基纤维素、羟己基纤维素中的至少一种。
4、根据权利要求1所述的防辐射涂料，其特征在于所说的粘固剂可选自硅溶胶、硅酸钾、硅酸钠、硅酸锂中的至少一种。
5、根据权利要求1所述的防辐射涂料，其特征在于所说的成膜剂是苯乙烯丙烯酸树脂，或者是苯乙烯丙烯酸甲脂聚合而成的材料。
6、根据权利要求1或2所述的防辐射涂料，其特征在于所说的吸收电磁波功能材料的主料：鳞片状石墨粉、乙炔碳粉、羰基铁粉、铁氧体粉颗粒直径是微米、亚微米、纳米级。
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| C53 | Correction of patent for invention or patent application | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Pan Zhijun Inventor before: Pan Zhijun Inventor before: Yu Jinlong |
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| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: PAN ZHIJUN YU JINLONG TO: PAN ZHIJUN |
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| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20110509 Address after: 230001 A Building 2, Fortune Plaza, Suixi Road, Anhui, Hefei, 910 Applicant after: Pan Zhijun Address before: 230001 A Building 2, Fortune Plaza, Suixi Road, Anhui, Hefei, 910 Applicant before: Pan Zhijun Co-applicant before: Yu Jinlong |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: ANHUI SPACE PMA RADIATION PROTECTION TECHNOLOGY CO Free format text: FORMER OWNER: PAN ZHIJUN Effective date: 20130904 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 230001 HEFEI, ANHUI PROVINCE TO: 230000 HEFEI, ANHUI PROVINCE |
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| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20130904 Address after: Lake Road Shushan District of Hefei City, Anhui province 230000 No. 1201 national e-commerce Industrial Park No. 16 building paimon Patentee after: ANHUI YUHANG PAM RADIATION PROTECTION SCIENCE & TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: 230001 A Building 2, Fortune Plaza, Suixi Road, Anhui, Hefei, 910 Patentee before: Pan Zhijun |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 230000 Parmon Building, No. 16, National E-Commerce Industrial Park, 1201 Huguang East Road, Shushan District, Hefei City, Anhui Province Patentee after: Anhui Yuhang Pyrmont radiation Polytron Technologies Inc Address before: 230000 Parmon Building, No. 16, National E-Commerce Industrial Park, 1201 Huguang East Road, Shushan District, Hefei City, Anhui Province Patentee before: ANHUI YUHANG PAM RADIATION PROTECTION SCIENCE & TECHNOLOGY CO., LTD. |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 230000 Parmon Building, No. 16, National E-Commerce Industrial Park, 1201 Huguang East Road, Shushan District, Hefei City, Anhui Province Patentee after: Anhui Aerospace Paimeng Health Technology Co., Ltd. Address before: 230000 Parmon Building, No. 16, National E-Commerce Industrial Park, 1201 Huguang East Road, Shushan District, Hefei City, Anhui Province Patentee before: Anhui Yuhang Pyrmont radiation Polytron Technologies Inc |