CN101487978A - 曝光装置及曝光方法 - Google Patents
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Abstract
一种曝光装置，包括：激光源，发射单束激光束；分光系统，将激光源发出的单束激光束分成第一束激光束和第二束激光束；X方向成像系统，接收分光系统发射的第一束激光束并对X极掩模版电路图形进行成像；Y方向成像系统，接收分光系统发射的第二束激光束并对Y极掩模版电路图形进行成像；转像系统，接收X方向成像系统出射的第一束激光束并进行发射，及接收Y方向成像系统出射的第二束激光束并进行发射。本发明还提供一种曝光方法。本发明简化了光刻步骤，节省了成像时间。
Description
技术领域
本发明涉及一种曝光装置及曝光方法。
背景技术
随着集成电路制造工艺中器件的尺寸越来越小，对于光刻工艺的要求也越来越高。目前，一般都是通过缩小曝光光源的曝光波长来达到曝出更小尺寸图形的目的。然而，这种仅仅借由缩小曝光波长的方式，通常会出现光刻分辨率不足的问题。为了增加光刻分辨率，如今已发展出用于改善精细图案分辨率的光刻技术包括：调整光源的方法(例如离轴照明(off-axisillumination))，利用光干涉的方法(例如相位移掩膜方法)以及调整布局的方法(例如光学邻近修正)。最近，还出现了另一种提高分辨率的技术——“两次曝光技术”，所述“两次曝光技术”是将需要进行曝光的电路图形分解成两部分，首先曝光一部分电路图形，然后将已曝光图形移到邻近地方，再对剩下的一部分电路图形进行曝光。采用这一技术能够提高光刻分辨率。而当前在“两次曝光技术”中使用的是基于双极照明的两次曝光技术。
在制作半导体存储器件时，由于这些存储单元具有指定取向，因此一般采用双极照明法，可增大工艺裕度。例如，在曝光装置中利用KrF作为光源且双极孔径作为孔径光阑时，可以实现半导体器件的半节距小于100纳米的精细图案。
同时，两次曝光技术还应先把布局电路图形分解成X极(水平方向)和Y极(垂直方向)两部分，并写入光掩模版，形成X极掩模版电路图形和Y极掩模版电路图形；然后，再分别将通过X双极孔径的激光束对X极掩模版电路图形进行曝光，将通过Y双极孔径的激光束对Y极掩模版电路图形进行曝光，曝光后图形在晶圆上叠加从而得到实际的电路图形。在例如专利申请号为03128638.0的中国专利申请中还能发现更多关于利用双极照明来得到具有较小特征尺寸的电路图形的方法。
现有曝光装置如图1所示，包括激光源100、第一光学准直系统102、聚焦透镜104、双极孔径106、反射系统108、第二光学准直系统110、投影透镜114和晶圆载物台118，其中，激光源100发射激光束至第一光学准直系统102，激光束经第一光学准直系统102准直后射向聚焦透镜104，聚焦透镜104将激光束聚焦后出射至双极孔径106，反射系统108接收双极孔径106射出的激光束并反射至第二光学准直系统110，第二光学准直系统110对激光束准直且发射至投影透镜114，投影透镜114将激光束聚焦至晶圆载物台118上的晶圆116表面。
所述双极孔径具有各种形状及取向，例如沿水平方向(X方向)(如图2A所示)、沿垂直方向(Y方向)(如图2B所示)或任何给定角度。此处，垂直和水平方向表示平面上分别沿Y和X方向形成的图形的正交方向。
现有曝光方法，继续参考图1所示，由激光源100发射单束激光束，经第一光学准直系统102对激光束进行准直；准直后的激光束经过聚焦透镜104进行聚焦；聚焦后的激光束进入双极孔径106，此时双极孔径106沿水平方向(X方向)放置，激光束由双极孔径106输出至反射系统108，对激光束进行全反射；通过反射系统108对激光束进行反射后，将激光束射入第二光学准直系统110；第二光学准直系统110对激光束进行准直，输出至光掩模版112；激光束通过光掩模版112上的透光区域，入射至投影透镜114；投影透镜114将激光束聚焦至晶圆载物台118上的晶圆116表面，并将光掩模版112上的X极掩模版电路图形曝光至晶圆116表面的一个位置；重复上述步骤，将双极孔径106改变方向至垂直方向(Y方向)，将光掩模版112上的Y极掩模版电路图形转移至晶圆116上；经过两次曝光后，X极掩模版电路图形与Y极掩模版电路图形在晶圆上叠加，从而得到实际的电路图形。
现有技术要通过调节双极孔径的取向，经过两次曝光，分别将光掩模版上的X极和Y极掩模版电路图形成像至晶圆上，并经过叠加得到实际电路图形，步骤繁琐，降低光刻效率。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种曝光方法及曝光装置，简化步骤，提高光刻效率。
为解决上述问题，本发明提供一种曝光装置，包括：激光源，发射单束激光束；分光系统，将激光源发出的单束激光束分成第一束激光束和第二束激光束；X方向成像系统，接收分光系统发射的第一束激光束并对X极掩模版电路图形进行成像；Y方向成像系统，接收分光系统发射的第二束激光束并对Y极掩模版电路图形进行成像；转像系统，接收X方向成像系统出射的第一束激光束并进行发射，及接收Y方向成像系统出射的第二束激光束并进行发射。
可选的，所述分光系统为半反半透镜或棱镜分束器或五角棱镜或光栅或梯形棱镜。
可选的，所述转像系统为半反半透镜或棱镜组合。
可选的，所述X方向成像系统还包括：第一聚焦透镜，将第一束激光束进行聚焦；X双极孔径，接收第一聚焦透镜发出第一束激光束，并在X方向将光透过；第一反射系统，将透过X双极孔径的第一束激光束全反射；第一光学准直系统，对全反射后的第一束激光进行准直。
可选的，所述曝光装置还包括：第一开合控制系统，控制第一束激光束在X方向成像系统与转像系统之间的通路。
可选的，所述Y方向成像系统还包括：第二聚焦透镜，将第二束激光束进行聚焦；Y双极孔径，接收第二聚焦透镜发出第二束激光束，并在Y方向将光透过；第二反射系统，将透过Y双极孔径的第二束激光束全反射；第二光学准直系统，对全反射后的第二束激光进行准直。
可选的，所述曝光装置还包括：第二开合控制系统，控制第二束激光束在Y方向成像系统与转像系统之间的通路。
本发明提供一种曝光方法，包括下列步骤：通过激光源发射单束激光束；分光系统将激光源发出的单束激光束分成第一束激光束和第二束激光束，并进行发射；从分光系统发射的第一束激光束进入对应的X方向成像系统，对X极掩模版电路图形进行成像；第二束激光束进入对应的Y方向成像系统，对Y极掩模版电路图形进行成像；转像系统将X方向成像系统发射出的第一束激光束和Y方向成像系统发射出的第二束激光束合并成一束激光束；晶圆接收转像系统射出的合并后激光束。
可选的，所述分光系统为半反半透镜或棱镜分束器或五角棱镜或光栅或梯形棱镜。
可选的，所述转像系统为半反半透镜或棱镜组合。
可选的，所述第一束激光束进入X方向成像系统对X极掩模版电路图形进行成像的步骤还包括：第一束激光束发射至第一聚焦透镜进行聚焦，并发射；X双极孔径接收第一聚焦透镜发射出的第一束激光束，并在X方向将光透过；从X双极孔径透过的第一束激光束进入第一反射系统进行全反射；第一光学准直系统对第一反射系统全反射后的第一束激光进行准直。
可选的，所述第二束激光束进入Y方向成像系统对Y极掩模版电路图形进行成像的步骤还包括：第二束激光束发射至第二聚焦透镜进行聚焦，并发射；Y双极孔径接收第二聚焦透镜发射出的第二束激光束，并在Y方向将光透过；从Y双极孔径透过的第二束激光束进入第二反射系统进行全反射；第二光学准直系统对第二反射系统全反射后的第二束激光进行准直。
本发明提供一种曝光方法，包括下列步骤：通过激光源发射单束激光束；分光系统将激光源发出的单束激光束分成第一束激光束和第二束激光束，并进行发射；从分光系统发射的第一束激光束进入对应的X方向成像系统，对X极掩模版电路图形进行成像；第二束激光束进入对应的Y方向成像系统，对Y极掩模版电路图形进行成像；转像系统将从X方向成像系统接收的第一束激光束进行发射，将从Y方向成像系统接收的第二束激光束进行发射；晶圆分别接收转像系统出射的第一束激光束和第二束激光束。
可选的，所述分光系统为半反半透镜或棱镜分束器或五角棱镜或光栅或梯形棱镜。
可选的，所述转像系统为半反半透镜或棱镜组合。
可选的，转像系统在接收X方向成像系统发射的第一束激光束之前，还包括步骤：第一开合控制系统接收到X方向成像系统发射的第一束激光束，并控制第一束激光束发射至转像系统的通路。
可选的，所述第一束激光束进入X方向成像系统对X极掩模版电路图形进行成像的步骤还包括：第一束激光束发射至第一聚焦透镜进行聚焦，并发射；X双极孔径接收第一聚焦透镜发射出的第一束激光束，并在X方向将光透过；从X双极孔径透过的第一束激光束进入第一反射系统进行全反射；第一光学准直系统对第一反射系统全反射后的第一束激光进行准直。
可选的，转像系统在接收Y方向成像系统发射的第二束激光束之前，还包括步骤：第二开合控制系统接收到Y方向成像系统发射的第二束激光束，并控制第二束激光束发射至转像系统的通路。
可选的，所述第二束激光束进入Y方向成像系统对Y极掩模版电路图形进行成像的步骤还包括：第二束激光束发射至第二聚焦透镜进行聚焦，并发射；Y双极孔径接收第二聚焦透镜发射出的第二束激光束，并在Y方向将光透过；从Y双极孔径透过的第二束激光束进入第二反射系统进行全反射；第二光学准直系统对第二反射系统全反射后的第二束激光进行准直。
与现有技术相比，上述方案具有以下优点：将单束激光束通过分光系统分成两束激光束，两束激光束分别经过X方向成像系统和Y方向成像系统；将光掩模版上的X极和Y极掩模版电路图形成像至晶圆上，进行叠加形成实际电路图形。简化了光刻步骤，节省了成像时间。
附图说明
图1是现有曝光装置的结构示意图；
图2A和图2B是X双极孔径及Y双极孔径的示意图；
图3是本发明曝光装置的第一实施例结构示意图；
图4A和图4B是本发明第一实施例曝光装置的分光系统及转像系统的工作原理图；
图5是本发明曝光装置的第二实施例结构示意图；
图6A和图6B是本发明第二实施例曝光装置的分光系统及转像系统的工作原理图；
图7是用本发明曝光装置进行曝光的第一具体实施方式流程图；
图8是用本发明曝光装置进行曝光的第二具体实施方式流程图；
图9是通过X双极孔径及Y双极孔成像的示意图。
具体实施方式
随着集成电路器件集成度的提高，集成电路器件中的特征尺寸也在不断地减小，因此对光刻技术的要求也越来越高。为了增加光刻分辨率，采用基于双极照明的两次曝光技术，但是现有技术要通过调节双极孔径的取向，经过两次曝光，分别将光掩模版上的X极方向和Y极方向掩模版图形成像至晶圆上，并经过叠加得到实际电路图形，步骤繁琐，降低光刻效率。
本发明将单束激光束通过分光系统分成两束激光束，两束激光束分别经过X方向成像系统和Y方向成像系统；将光掩模版上的X极和Y极掩模版电路图形成像至晶圆上，进行叠加形成实际电路图形。简化了光刻步骤，节省了成像时间。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
图3是本发明曝光装置的第一实施例结构示意图。如图3所示，曝光装置包括：激光源200，发射单束激光束；分光系统218，将激光源发出的单束激光束分成两束激光束；X方向成像系统211，接收分光系统218发射的第一束激光束并对X极掩模版电路图形进行成像；Y方向成像系统225，接收分光系统218发射的第二束激光束并对Y极掩模版电路图形进行成像；转像系统213，接收X方向成像系统211出射的第一束激光束并进行发射，及接收Y方向成像系统225出射的第二束激光束并进行发射。
本实施例的第一优选方案为：在上述曝光装置中包含晶圆载物台230；以及在X方向成像系统211中包含X双极孔径206和第一反射系统208；在Y方向成像系统225中包含Y双极孔径222和第二反射系统224。
激光源200发射单束激光束；分光系统218对激光源200发出的单束激光束进行分成第一束激光束和第二束激光束；X方向成像系统211中的X双极孔径206接收从分光系统218中透射的第一束激光束并出射；第一反射系统208接收到从X双极孔径206透过的第一束激光束后，进行全反射；同时在Y方向成像系统225中的Y双极孔径222接收从分光系统218中反射的第二束激光束并出射，其中，Y双极孔径222与X双极孔径206互相垂直；第二反射系统224接收到从Y双极孔径222透过的第二束激光束后，进行全反射；转像系统213将从X方向成像系统211的第一反射系统224出射的第一束激光束和Y方向成像系统225的第二反射系统224出射的第二束激光束进行合并且出射至晶圆载物台230上的晶圆216表面。
本实施例的第二优选的方案为：在上述曝光装置中放置第三光学准直系统202、投影透镜214、晶圆载物台230；其中，在X方向成像系统211中放置有第一聚焦透镜204、X双极孔径206、第一反射系统208、第一光学准直系统210；在Y方向成像系统225中放置有第二聚焦透镜220、Y双极孔径222、第二反射系统224、第二光学准直系统226。
激光源200发射单束激光束；第三光学准直系统202将激光源200发射的单束激光束进行准直；分光系统218对第三光学准直系统202发出的单束激光束进行分成第一束激光束和第二束激光束；X方向成像系统211中的第一聚焦透镜204对分光系统218中透射的第一束激光束聚焦且出射至X双极孔径206，第一束激光束透过X双极孔径206；第一反射系统208接收到从X双极孔径206透过的第一束激光束后，进行全反射；第一光学准直系统210对全反射后的第一束激光束进行准直；同时在Y方向成像系统225中，第二聚焦透镜220对分光系统218中反射的第二束激光束进行聚焦且出射至Y双极孔径222，第二束激光束透过Y双极孔径222，Y双极孔径222与X双极孔径206互相垂直；第二反射系统224接收到从Y双极孔径222透过的第二束激光束后，进行全反射；第二光学准直系统226对全反射后的第二束激光束进行准直；转像系统213将从X方向成像系统211和Y方向成像系统225出射的第一束激光束和第二束激光束进行合并；投影透镜214将转像系统213合并的激光束进行会聚且出射至晶圆载物台230上的晶圆216表面。
本实施例第三优选的方案为：在上述曝光装置中放置有晶圆载物台230；以及在X方向成像系统211中放置X双极孔径206、第一反射系统208；在X方向成像系统211与转像系统213之间放置有第一开合控制系统215；在Y方向成像系统225中包含Y双极孔径222、第二反射系统224；在Y方向成像系统225与转像系统213之间放置有第二开合控制系统229。
激光源200发射单束激光束；分光系统218对激光源200发出的单束激光束进行分成第一束激光束和第二束激光束；X方向成像系统211中的X双极孔径206接收从分光系统218中透射的第一束激光束并出射；第一反射系统208接收到从X双极孔径206透过的第一束激光束后，进行全反射；第一开合控制系统215接收从第一反射系统208反射的第一束激光束后，控制第一束激光束传输至后续系统的通路；在Y方向成像系统225中的Y双极孔径222接收从分光系统218中反射的第二束激光束并出射，其中，Y双极孔径222与X双极孔径206互相垂直；第二反射系统224接收到从Y双极孔径222透过的第二束激光束后，进行全反射；第二开合控制系统229接收从第二反射系统224反射的第二束激光束后，控制第二束激光束传输至后续系统的通路；转像系统213分别将从第一开合控制系统215打开通路时接收到的第一束激光束进行透射至晶圆载物台230上的晶圆216表面，将从第二开合控制系统229打开通路时接收到的第二束激光束进行反射至晶圆载物台230上的晶圆216表面。
本实施例第四优选的方案为：在上述曝光装置中放置有第三光学准直系统202、投影透镜214、晶圆载物台230；其中，在X方向成像系统211中放置有第一聚焦透镜204、X双极孔径206、第一反射系统208、第一光学准直系统210；在X方向成像系统211和转像系统213之间放置有第一开合控制系统215；在Y方向成像系统225中加入第二聚焦透镜220、Y双极孔径222、第二反射系统224、第二光学准直系统226；在Y方向成像系统225和转像系统213之间放置有第二开合控制系统229。
激光源200发射单束激光束；第三光学准直系统202将激光源200发射的单束激光束进行准直；分光系统218对第三光学准直系统202发出的单束激光束进行分成第一束激光束和第二束激光束；X方向成像系统211中的第一聚焦透镜204对分光系统218中透射的第一束激光束聚焦且出射至X双极孔径206，第一束激光束透过X双极孔径206；第一反射系统208接收到从X双极孔径206透过的第一束激光束后，进行全反射；第一光学准直系统210对全反射后的第一束激光束进行准直；第一开合控制系统215，接收第一光学准直系统210出射的第一束激光束后，控制第一束激光束传输至后续系统的通路；在Y方向成像系统225中，第二聚焦透镜220对分光系统218中反射的第二束激光束进行聚焦且出射至Y双极孔径222，第二束激光束透过Y双极孔径222，Y双极孔径222与X双极孔径206互相垂直；第二反射系统224接收到从Y双极孔径222透过的第二束激光束后，进行全反射；第二光学准直系统226对全反射后的第二束激光束进行准直；第二开合控制系统229接收从第二光学准直系统229出射的第二束激光束后，控制第二束激光束传输至后续系统的通路；转像系统213将从第一开合控制系统215打开通路时接收到的第一束激光束进行透射，将从第二开合控制系统229打开通路时接收到的第二束激光束进行反射；投影透镜214分别将从转像系统214透射的第一束激光束会聚且出射至晶圆载物台230上的晶圆216表面，将从转像系统214反射的第二束激光束会聚且出射至晶圆载物台230上的晶圆216表面。
本实施例中，所述激光源200可以是KrF、ArF或F2等激光装置。
本实施例中，所述第三光学准直系统202、第一光学准直系统210及第二光学准直系统226可以是激光准直仪、精密准直仪或光学准直仪，作用为对激光束进行准直。
分光系统218可以是半反半透镜或棱镜分束器等。转像系统213可以是半反半透镜，还可以是棱镜组合等。本实施例中，采用的是半反半透镜，即在平板玻璃上镀上半反半透膜，其中，半反半透镜的厚度为4毫米～6毫米，具体可以是4毫米、5毫米或6毫米等，优选5毫米；所述半反半透膜的厚度为4×10-5毫米～5×10-5毫米，具体例如4×10-5毫米、4.1×10-5毫米、4.2×10-5毫米、4.3×10-5毫米、4.4×10-5毫米、4.5×10-5毫米、4.6×10-5毫米、4.7×10-5毫米、4.8×10-5毫米、4.9×10-5毫米或5×10-5毫米等，优选4.5×10-5毫米。
本实施例中，第一反射系统208与第二反射系统224为全反射镜，即镀有全反射膜的平板玻璃，其厚度为4毫米～6毫米，具体可以是4毫米、5毫米或6毫米等，优选5毫米；所述全反射膜厚度为4×10-5毫米～5×10-5毫米，具体例如4×10-5毫米、4.1×10-5毫米、4.2×10-5毫米、4.3×10-5毫米、4.4×10-5毫米、4.5×10-5毫米、4.6×10-5毫米、4.7×10-5毫米、4.8×10-5毫米、4.9×10-5毫米或5×10-5毫米等，优选4.5×10-5毫米。
图4A和图4B是本发明第一实施例曝光装置的分光系统及转像系统的工作原理图。其中，图4A是分光系统的工作原理图，如图4A所示，单束激光束入射至厚度为5毫米的半反半透镜20，半反半透镜20在激光透射面21上镀有半反半透膜；单束激光束经过半反半透镜20的激光入射面22，透射至激光透射面21，一部分光在分光镜激光透射面21的半反半透膜直接反射，另一部分光则透射出半反半透镜20的激光透射面21；此时单束激光束分成第一束激光束和第二束激光束。
本实施例中，激光束射向分光系统的半反半透镜20，激光束与半反半透镜20所成的角度为45度。
本实施例中，双束激光束能量分别为单束激光束能量的50％。
图4B是转像系统的工作原理图，如图4B所示，双束激光束入射厚度为5毫米的半反半透镜30，半反半透镜30激光透射面31上镀有半透半反膜；第一束激光束经过半反半透镜30激光透射面31，进入半反半透镜30内，并经过激光入射面32透射出半反半透镜30；第二束激光束经由激光入射面32进入半反半透镜30内，经过激光透射面31上的半反半透膜，反射出半反半透镜30，第一束激光束和第二束激光束合并成单束激光束。
本实施例中，激光束射向分光系统的半反半透镜30，激光束与半反半透镜30所成的角度为45度。
本实施例中，双束激光束能量分别为单束激光束能量的50％。
图5是本发明曝光装置的第二实施例结构示意图。如图5所示，曝光装置包括：激光源300，发射单束激光束；分光系统318，将激光源发出的单束激光束分成两束激光束；X方向成像系统311，接收分光系统318发射的第一束激光束并对X极掩模版电路图形进行成像；Y方向成像系统325，接收分光系统318发射的第二束激光束并对Y极掩模版电路图形进行成像；转像系统315，接收X方向成像系统311出射的第一束激光束并进行发射，及接收Y方向成像系统325出射的第二束激光束并进行发射。
本实施例的第一优选方案为：在上述曝光装置中包含晶圆载物台330；以及在X方向成像系统311中包含X双极孔径306；在Y方向成像系统225中包含Y双极孔径322和第二反射系统329。
激光源300发射单束激光束；分光系统318对激光源300发出的单束激光束进行分成第一束激光束和第二束激光束；X方向成像系统311中的X双极孔径306接收从分光系统318中反射的第一束激光束并出射；同时在Y方向成像系统325中的Y双极孔径322接收从分光系统318中反射的第二束激光束并出射，其中，Y双极孔径322与X双极孔径306互相垂直；第二反射系统329接收到从Y双极孔径322透过的第二束激光束后，进行全反射；转像系统315将从X方向成像系统311的X双极孔径306出射的第一束激光束和Y方向成像系统325的第一反射系统329出射的第二束激光束进行合并且出射至晶圆载物台330上的晶圆316表面。
本实施例的第二优选的方案为：在上述曝光装置中放置第三光学准直系统302、投影透镜314、晶圆载物台330；其中，在X方向成像系统311中放置有第一聚焦透镜304、X双极孔径306、第一光学准直系统308；在Y方向成像系统325中放置有第二聚焦透镜320、Y双极孔径322、第二光学准直系统324、第二反射系统329。
激光源300发射单束激光束；第三光学准直系统302将激光源300发射的单束激光束进行准直；分光系统318对第三光学准直系统302发出的单束激光束进行分成第一束激光束和第二束激光束；X方向成像系统311中的第一聚焦透镜304对分光系统318中反射的第一束激光束聚焦且出射至X双极孔径306，第一束激光束透过X双极孔径306；第一光学准直系统308接收到从X双极孔径306透过的第一束激光束后，进行准直；同时在Y方向成像系统325中，第二聚焦透镜320对分光系统318中反射的第二束激光束进行聚焦且出射至Y双极孔径322，第二束激光束透过Y双极孔径322，Y双极孔径322与X双极孔径306互相垂直；第二光学准直系统324接收到从Y双极孔径322透过的第二束激光束后，进行准直；第二反射系统329接收到从第二光学准直系统324透过的第二束激光束后，进行全反射；转像系统315将从X方向成像系统311出射的第一束激光束和Y方向成像系统325出射的第二束激光束进行合并；投影透镜314将转像系统315合并的激光束进行会聚且出射至晶圆载物台330上的晶圆316表面。
本实施例第三优选的方案为：在上述曝光装置中放置有晶圆载物台330；以及在X方向成像系统311中包含X双极孔径306；在X方向成像系统311与转像系统315之间放置有第一开合控制系统312；在Y方向成像系统325中包含Y双极孔径322、第二反射系统324；在Y方向成像系统325与转像系统315之间放置有第二开合控制系统328。
激光源300发射单束激光束；分光系统318对激光源300发出的单束激光束进行分成第一束激光束和第二束激光束；X方向成像系统311中的X双极孔径306接收从分光系统318中反射的第一束激光束并出射；第一开合控制系统312接收从X双极孔径306出射的第一束激光束后，控制第一束激光束传输至后续系统的通路；在Y方向成像系统325中的Y双极孔径322接收从分光系统318中反射的第二束激光束并出射，其中，Y双极孔径322与X双极孔径306互相垂直；第二反射系统329接收到从Y双极孔径322透过的第二束激光束后，进行全反射；第二开合控制系统328接收从第二反射系统329反射的第二束激光束后，控制第二束激光束传输至后续系统的通路；转像系统315分别将从第一开合控制系统312打开通路时接收到的第一束激光束进行透射至晶圆载物台330上的晶圆316表面，将从第二开合控制系统328打开通路时接收到的第二束激光束进行反射至晶圆载物台330上的晶圆316表面。
本实施例第四优选的方案为：在上述曝光装置中放置有第三光学准直系统302、投影透镜314、晶圆载物台330；其中，在X方向成像系统311中放置有第一聚焦透镜304、X双极孔径306、第一光学准直系统308；在X方向成像系统311和转像系统315之间放置有第一开合控制系统312；在Y方向成像系统325中放置有第二聚焦透镜320、Y双极孔径322、第二光学准直系统324、第二反射系统329；在Y方向成像系统325和转像系统315之间放置有第二开合控制系统328。
激光源300发射单束激光束；第三光学准直系统302将激光源300发射的单束激光束进行准直；分光系统318对第三光学准直系统302发出的单束激光束进行分成第一束激光束和第二束激光束；X方向成像系统311中的第一聚焦透镜304对分光系统318中反射的第一束激光束聚焦且出射至X双极孔径306，第一束激光束透过X双极孔径306；第一光学准直系统308接收到从X双极孔径306透过的第一束激光束后，进行准直；第一开合控制系统215，接收第一光学准直系统308出射的第一束激光束后，控制第一束激光束传输至后续系统的通路；在Y方向成像系统325中，第二聚焦透镜320对分光系统318中反射的第二束激光束进行聚焦且出射至Y双极孔径322，第二束激光束透过Y双极孔径322，Y双极孔径322与X双极孔径306互相垂直；第二光学准直系统324接收到从Y双极孔径322透过的第一束激光束后，进行准直；第二反射系统329接收到从第二光学准直系统324透过的第二束激光束后，进行全反射；第二开合控制系统328接收从第二反射系统329反射的第二束激光束后，控制第二束激光束传输至后续系统的通路；转像系统315将从第一开合控制系统312打开通路时接收到的第一束激光束进行透射，将从第二开合控制系统328打开通路时接收到的第二束激光束进行反射；投影透镜314分别将从转像系统315透射的第一束激光束会聚且出射至晶圆载物台330上的晶圆316表面，将从转像系统315反射的第二束激光束会聚且出射至晶圆载物台330上的晶圆316表面。
本实施例中，所述激光源300可以是KrF、ArF或F2等激光装置。
本实施例中，所述第三光学准直系统302、第一光学准直系统308及第二光学准直系统324可以是激光准直仪、精密准直仪或光学准直仪，作用为对激光束进行准直。
分光系统318可以是分光镜或棱镜分束器或五角棱镜或光栅或梯形棱镜等。本实施例中，采用分光镜，即在平板玻璃的第一反射面(将激光束反射至第二成像系统325的面)上镀有半反半透膜，而在平板玻璃的第二反射面(将激光束反射至第一成像系统311的面)上镀有全反膜。
转像系统315可以是半反半透镜，还可以是棱镜组合等。本实施例中，采用的是半反半透镜，即在平板玻璃上镀上半反半透膜，其中，半反半透镜的厚度为4毫米～6毫米，具体可以是4毫米、5毫米或6毫米等，优选5毫米；所述半反半透膜的厚度为4×10-5毫米～5×10-5毫米，具体例如4×10-5毫米、4.1×10-5毫米、4.2×10-5毫米、4.3×10-5毫米、4.4×10-5毫米、4.5×10-5毫米、4.6×10-5毫米、4.7×10-5毫米、4.8×10-5毫米、4.9×10-5毫米或5×10-5毫米等，优选4.5×10-5毫米。
本实施例中，第二反射系统329为全反射镜，即镀有全反射膜的平板玻璃，其厚度为4毫米～6毫米，具体可以是4毫米、5毫米或6毫米等，优选5毫米；所述全反射膜厚度为4×10-5毫米～5×10-5毫米，具体例如4×10-5毫米、4.1×10-5毫米、4.2×10-5毫米、4.3×10-5毫米、4.4×10-5毫米、4.5×10-5毫米、4.6×10-5毫米、4.7×10-5毫米、4.8×10-5毫米、4.9×10-5毫米或5×10-5毫米等，优选4.5×10-5毫米。
除本实施例外，还可以在X成像系统311与转像系统315之间放置光强补偿器，在Y成像系统325与转像系统315之间也放置光强补偿器，使从两条光路上出射至转像系统315上的光强一致。
图6A和图6B是本发明第二实施例曝光装置的分光系统及转像系统的工作原理图。其中，图6A是分光系统的工作原理图，如图6A所示，单束激光束入射至分光镜40，分光镜40在第一反射面41上镀有半反半透膜，第二反射面42上镀有全反膜；单束激光束经过分光镜40的第一反射面41后，一部分激光由分光镜40的第一反射面41的半反半透膜直接反射，一部分激光透射至第二反射面42，并由第二反射面42上的全反膜进行全反射；此时单束激光束分成第一束激光束和第二束激光束。
本实施例中，激光束射向分光系统的分光镜40，激光束与分光镜40所成的角度为45度。
本实施例中，双束激光束能量分别为单束激光束能量的50％。
图6B是转像系统的工作原理图，如图6B所示，双束激光束入射厚度为5毫米的半反半透镜50，半反半透镜50激光透射面51上镀有半透半反膜；第一束激光束经过半反半透镜50激光透射面51，进入半反半透镜50内，并经过激光入射面52透射出半反半透镜50；第二束激光束经由激光入射面52进入半反半透镜50内，经过激光透射面51上的半反半透膜，反射出半反半透镜50，第一束激光束和第二束激光束合并成单束激光束。
本实施例中，激光束射向分光系统的半反半透镜50，激光束与半反半透镜50所成的角度为45度。
本实施例中，双束激光束能量分别为单束激光束能量的50％。
图7是用本发明曝光装置进行曝光的第一具体实施方式流程图。如图7所示，执行步骤S101，通过激光源发射单束激光束；执行步骤S102，分光系统将激光源发出的单束激光束分成第一束激光束和第二束激光束，并进行发射；执行步骤S103，从分光系统发射的第一束激光束进入对应的X方向成像系统，对X极掩模版电路图形进行成像；第二束激光束进入对应的Y方向成像系统，对Y极掩模版电路图形进行成像；执行步骤S104，转像系统将X方向成像系统发射出的第一束激光束和Y方向成像系统发射出的第二束激光束合并成一束激光束；执行步骤S105，晶圆接收转像系统射出的合并后激光束。
图8是用本发明曝光装置进行曝光的第二具体实施方式流程图。如图8所示，执行步骤S201，通过激光源发射单束激光束；执行步骤S202，分光系统将激光源发出的单束激光束分成第一束激光束和第二束激光束，并进行发射；执行步骤S203，从分光系统发射的第一束激光束进入对应的X方向成像系统，对X极掩模版电路图形进行成像；第二束激光束进入对应的Y方向成像系统，对Y极掩模版电路图形进行成像；执行步骤S204，转像系统将从X方向成像系统接收的第一束激光束进行发射，将从Y方向成像系统接收的第二束激光束进行发射；执行步骤S205，晶圆分别接收转像系统出射的第一束激光束和第二束激光束。
继续参考图3，采用第一实施例第一优选方案得到的曝光装置进行曝光的方法为：激光源200发射单束激光束至分光系统218；分光系统218对激光源200发出的单束激光束进行分光，分成透射的第一束激光束及反射的第二束激光束；X方向成像系统211中的X双极孔径206接收第一束激光束并出射至第一反射系统208；第一反射系统208接收到从X双极孔径206透过的第一束激光束后，进行全反射；经过第一反射系统208全反射后的第一束激光束透过光掩模版212上的X极掩模版电路图形，然后再出射至转像系统213；同时，在Y方向成像系统225中的Y双极孔径222接收第二束激光束并出射至第二反射系统224，其中，Y双极孔径222与X双极孔径206互相垂直；第二反射系统224接收到从Y双极孔径222透过的第二束激光束后，进行全反射；经过第二反射系统224全反射后的第二束激光束透过光掩模版228上的Y极掩模版电路图形，然后再出射至转像系统213；转像系统213将从X方向成像系统211出射的第一束激光束和Y方向成像系统225出射的第二束激光束进行合并出射至晶圆载物台230上的晶圆216表面，将X极电路图形与Y极电路图形进行叠加，形成完整的实际电路图形。
采用第一实施例第二优选方案得到的曝光装置进行曝光的方法为：激光源200发射单束激光束至第三光学准直系统202；第三光学准直系统202将激光束进行准直后射向分光系统218；分光系统218对第三光学准直系统202发出的单束激光束进行分光，分成透射的第一束激光束及反射的第二束激光束；X方向成像系统211中的第一聚焦透镜204对分光系统218中透射的第一束激光束聚焦且出射至X双极孔径206，第一束激光束透过X双极孔径206；第一反射系统208接收到从X双极孔径206透过的第一束激光束后，进行全反射；第一光学准直系统210对全反射后的第一束激光束进行准直并透过光掩模版212上的X极掩模版图形，然后再出射至转像系统213；同时，在Y方向成像系统225中，第二聚焦透镜220对分光系统218中反射的第二束激光束进行聚焦且出射至Y双极孔径222，第二束激光束透过Y双极孔径222，Y双极孔径222与X双极孔径206互相垂直；第二反射系统224接收到从Y双极孔径222透过的第二束激光束后，进行全反射；第二光学准直系统226对全反射后的第二束激光束进行准直并透过光掩模版228上的Y极掩模版图形，然后再出射至转像系统213；转像系统213将从X方向成像系统211出射的第一束激光束和Y方向成像系统225出射的第二束激光束进行合并出射至投影透镜214；投影透镜214将合并后的激光束进行会聚且出射至晶圆载物台230上的晶圆216表面，将X极电路图形与Y极电路图形进行叠加，形成完整的实际电路图形。
采用第一实施例第三优选方案得到的曝光装置进行曝光的方法为：激光源200发射单束激光束至分光系统218；分光系统218对激光源200发出的单束激光束进行分光，分成透射的第一束激光束及反射的第二束激光束；X方向成像系统211中的X双极孔径206接收第一束激光束并出射至第一反射系统208；第一反射系统208接收到从X双极孔径206透过的第一束激光束后，进行全反射；经过第一反射系统208全反射后的第一束激光束透过光掩模版212上的X极掩模版电路图形，然后再出射至第一开合控制系统215；第一开合控制系统215控制第一束激光束传输至转像系统213的通路；转像系统213将从第一开合控制系统215打开通路时接收到的第一束激光束进行透射至晶圆载物台230上的晶圆216表面，形成X极电路图形；在Y方向成像系统225中的Y双极孔径222接收第二束激光束并出射至第二反射系统224，其中，Y双极孔径222与X双极孔径206互相垂直；第二反射系统224接收到从Y双极孔径222透过的第二束激光束后，进行全反射；经过第二反射系统224全反射后的第二束激光束透过光掩模版228上的Y极掩模版电路图形，然后再出射至第二开合控制系统229；第二开合控制系统229控制第二束激光束传输至转像系统213的通路；转像系统213将从第二开合控制系统229打开通路时接收到的第二束激光束进行透射至晶圆载物台230上的晶圆216表面，形成Y极电路图形；X极电路图形与Y极电路图形叠加，形成实际电路图形。
采用第一实施例第四优选方案得到的曝光装置进行曝光的方法为：激光源200发射单束激光束至第三光学准直系统202；第三光学准直系统202将激光束进行准直后射向分光系统218；分光系统218对第三光学准直系统202发出的单束激光束进行分光，分成透射的第一束激光束及反射的第二束激光束；X方向成像系统211中的第一聚焦透镜204对分光系统218中透射的第一束激光束聚焦且出射至X双极孔径206，第一束激光束透过X双极孔径206；第一反射系统208接收到从X双极孔径206透过的第一束激光束后，进行全反射；第一光学准直系统210对全反射后的第一束激光束进行准直并透过光掩模版212上的X极掩模版图形，然后再出射至第一开合控制系统215；第一开合控制系统215控制第一束激光束传输至转像系统213的通路；转像系统213将从第一开合控制系统215打开通路时接收到的第一束激光束出射至投影透镜214；投影透镜214对第一束激光束进行聚焦并投射至晶圆载物台230上的晶圆216表面，形成X极电路图形；在Y方向成像系统225中，第二聚焦透镜220对分光系统218中反射的第二束激光束进行聚焦且出射至Y双极孔径222，第二束激光束透过Y双极孔径222的，Y双极孔径222与X双极孔径206互相垂直；第二反射系统224接收到从Y双极孔径222透过的第二束激光束后，进行全反射；第二光学准直系统226对全反射后的第二束激光束进行准直并透过光掩模版228上的Y极掩模版图形，然后再出射至第二开合控制系统229；第二开合控制系统229控制第二束激光束传输至转像系统213的通路；转像系统213将从第二开合控制系统229打开通路时接收到的第二束激光束进行透射至投影透镜214；投影透镜214对第二束激光束进行聚焦并投射至晶圆载物台230上的晶圆216表面，形成Y极电路图形；X极电路图形与Y极电路图形叠加，形成实际电路图形。
继续参考图5，采用第二实施例第一优选方案得到的曝光装置进行曝光的方法为：激光源300发射单束激光束至分光系统318；分光系统318对激光源300发出的单束激光束进行分光，分成第一束激光束和第二束激光束；X方向成像系统311中的X双极孔径306接收第一束激光束并出射至光掩模版310上；第一束激光束经过光掩模版310上的X极掩模版电路图形，然后再出射至转像系统315；同时，在Y方向成像系统325中的Y双极孔径322接收第二束激光束并出射至光掩模版326上，其中，Y双极孔径322与X双极孔径306互相垂直；第二束激光束经过光掩模版326上的Y极掩模版电路图形，然后再出射至第二反射系统329；第二反射系统329接收到从光掩模版326透过的第二束激光束后，进行全反射；经过第二反射系统329全反射后的第二束激光束出射至转像系统315；转像系统315将从X方向成像系统311出射的第一束激光束和Y方向成像系统325出射的第二束激光束进行合并出射至晶圆载物台330上的晶圆316表面，将X极电路图形与Y极电路图形进行叠加，形成完整的实际电路图形。
采用第二实施例第二优选方案得到的曝光装置进行曝光的方法为：激光源300发射单束激光束至第三光学准直系统302；第三光学准直系统302将激光束进行准直后射向分光系统318；分光系统318对第三光学准直系统302发出的单束激光束进行分光，分成第一束激光束及第二束激光束；X方向成像系统311中的第一聚焦透镜304对分光系统318中出射的第一束激光束聚焦且出射至X双极孔径306，第一束激光束透过X双极孔径306；第一光学准直系统308对透过X双极孔径306的第一束激光束进行准直并透过光掩模版310上的X极掩模版图形，然后再出射至转像系统315；同时，在Y方向成像系统325中，第二聚焦透镜320对分光系统318中反射的第二束激光束进行聚焦且出射至Y双极孔径322，第二束激光束透过Y双极孔径322；第二光学准直系统324对透过Y双极孔径322的第二束激光束进行准直并透过光掩模版326上的Y极掩模版图形，然后再出射至第二反射系统329；第二反射系统329接收到从光掩模版326透过的第二束激光束后，进行全反射；转像系统315将从X方向成像系统311出射的第一束激光束和Y方向成像系统325出射的第二束激光束进行合并出射至投影透镜314；投影透镜314将合并后的激光束进行会聚且出射至晶圆载物台330上的晶圆316表面，将X极电路图形与Y极电路图形进行叠加，形成完整的实际电路图形。
采用第二实施例第三优选方案得到的曝光装置进行曝光的方法为：激光源300发射单束激光束至分光系统318；分光系统318对激光源300发出的单束激光束进行分光，分成第一束激光束及第二束激光束；X方向成像系统311中的X双极孔径306接收第一束激光束并出射至光掩模版310上；第一束激光束经过光掩模版310上的X极掩模版电路图形，然后再出射至第一开合控制系统312；第一开合控制系统312控制第一束激光束传输至转像系统315的通路；转像系统315将从第一开合控制系统312打开通路时接收到的第一束激光束进行透射至晶圆载物台330上的晶圆316表面，形成X极电路图形；在Y方向成像系统325中的Y双极孔径322接收第二束激光束并出射至光掩模版326上，其中，Y双极孔径322与X双极孔径306互相垂直；第二束激光束经过光掩模版326上的Y极掩模版电路图形，然后再出射至第二反射系统329；第二反射系统329接收到从光掩模版326透过的第二束激光束后，进行全反射；经过第二反射系统329全反射后的第二束激光束出射至第二开合控制系统328；第二开合控制系统328控制第二束激光束传输至转像系统315的通路；转像系统315将从第二开合控制系统328打开通路时接收到的第二束激光束进行透射至晶圆载物台330上的晶圆316表面，形成Y极电路图形；X极电路图形与Y极电路图形叠加，形成实际电路图形。
采用第二实施例第四优选方案得到的曝光装置进行曝光的方法为：激光源300发射单束激光束至第三光学准直系统302；第三光学准直系统302将激光束进行准直后射向分光系统318；分光系统318对第三光学准直系统302发出的单束激光束进行分光，分成第一束激光束及第二束激光束；X方向成像系统311中的第一聚焦透镜304对分光系统318中透射的第一束激光束聚焦且出射至X双极孔径306，第一束激光束透过X双极孔径306；第一光学准直系统308对透过X双极孔径306的第一束激光束进行准直并透过光掩模版310上的X极掩模版图形，然后再出射至第一开合控制系统312；第一开合控制系统312控制第一束激光束传输至转像系统315的通路；转像系统315将从第一开合控制系统312打开通路时接收到的第一束激光束出射至投影透镜314；投影透镜314对第一束激光束聚焦后投射至晶圆载物台330上的晶圆316表面，形成X极电路图形；在Y方向成像系统325中，第二聚焦透镜320对分光系统318中反射的第二束激光束进行聚焦且出射至Y双极孔径322，第二束激光束透过Y双极孔径322；第二光学准直系统324对透过Y双极孔径322的第二束激光束进行准直并透过光掩模版326上的Y极掩模版图形，然后再出射至第二反射系统329；第二反射系统329接收到从光掩模版326透过的第二束激光束后，进行全反射；经过第二反射系统329全反射后的第二束激光束出射至第二开合控制系统328；第二开合控制系统328控制第二束激光束传输至转像系统315的通路；转像系统315将从将从第二开合控制系统328打开通路时接收到的第二束激光束出射至投影透镜314；投影透镜314对第二束激光束聚焦后投射至晶圆载物台330上的晶圆316表面，形成Y极电路图形；X极电路图形与Y极电路图形叠加，形成实际电路图形。
图9是通过X双极孔径及Y双极孔成像的示意图。如图9所示，在分光系统将激光源发出的单束激光束分成两束后，透过分光系统的第一束激光束进入X双极孔径206，并出射至光掩模版212，为光掩模版212上的X极掩模版图形提供了最大空间图像亮度，即对X极掩模版图形进行成像。从分光系统反射的第二束激光束进入Y双极孔径222后，出射至光掩模版228，为光掩模版228上的Y极掩模版图形提供了最大空间图像亮度，即对Y极掩模版图形进行像；最后，经过转像系统，将透过X极掩模版图形的第一束激光和透过Y极掩模版图形的第二束激光进行合并，使X极掩模版图形与Y极掩模版图形叠加，成像至晶圆上，形成实际的电路图形。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
Claims (19)
1.一种曝光装置，包括：
激光源，发射单束激光束；
分光系统，将激光源发出的单束激光束分成第一束激光束和第二束激光束；
X方向成像系统，接收分光系统发射的第一束激光束并对X极掩模版电路图形进行成像；
Y方向成像系统，接收分光系统发射的第二束激光束并对Y极掩模版电路图形进行成像；
转像系统，接收X方向成像系统出射的第一束激光束并进行发射，及接收Y方向成像系统出射的第二束激光束并进行发射。
2.根据权利要求1所述曝光装置，其特征在于，所述分光系统为半反半透镜或棱镜分束器或五角棱镜或光栅或梯形棱镜。
3.根据权利要求1所述曝光装置，其特征在于，所述转像系统为半反半透镜或棱镜组合。
4.根据权利要求1所述曝光装置，其特征在于，所述X方向成像系统还包括：
第一聚焦透镜，将第一束激光束进行聚焦；
X双极孔径，接收第一聚焦透镜发出第一束激光束，并在X方向将光透过；
第一反射系统，将透过X双极孔径的第一束激光束全反射；
第一光学准直系统，对全反射后的第一束激光进行准直。
5.根据权利要求1所述曝光装置，其特征在于，所述曝光装置还包括：第一开合控制系统，控制第一束激光束在X方向成像系统与转像系统之间的通路。
6.根据权利要求1所述曝光装置，其特征在于，所述Y方向成像系统还包括：第二聚焦透镜，将第二束激光束进行聚焦；
Y双极孔径，接收第二聚焦透镜发出第二束激光束，并在Y方向将光透过；
第二反射系统，将透过Y双极孔径的第二束激光束全反射；
第二光学准直系统，对全反射后的第二束激光进行准直。
7.根据权利要求1所述曝光装置，其特征在于，所述曝光装置还包括：第二开合控制系统，控制第二束激光束在Y方向成像系统与转像系统之间的通路。
8.一种曝光方法，包括下列步骤：
通过激光源发射单束激光束；
分光系统将激光源发出的单束激光束分成第一束激光束和第二束激光束，并进行发射；
从分光系统发射的第一束激光束进入对应的X方向成像系统，对X极掩模版电路图形进行成像；第二束激光束进入对应的Y方向成像系统，对Y极掩模版电路图形进行成像；
转像系统将X方向成像系统发射出的第一束激光束和Y方向成像系统发射出的第二束激光束合并成一束激光束；
晶圆接收转像系统射出的合并后激光束。
9.根据权利要求8所述曝光方法，其特征在于，所述分光系统为半反半透镜或棱镜分束器或五角棱镜或光栅或梯形棱镜。
10.根据权利要求8所述曝光方法，其特征在于，所述转像系统为半反半透镜或棱镜组合。
11.根据权利要求8所述曝光方法，其特征在于，所述第一束激光束进入X方向成像系统对X极掩模版电路图形进行成像的步骤还包括：
第一束激光束发射至第一聚焦透镜进行聚焦，并发射；
X双极孔径接收第一聚焦透镜发射出的第一束激光束，并在X方向将光透过；
从X双极孔径透过的第一束激光束进入第一反射系统进行全反射；
第一光学准直系统对第一反射系统全反射后的第一束激光进行准直。
12.根据权利要求8所述曝光方法，其特征在于，所述第二束激光束进入Y方向成像系统对Y极掩模版电路图形进行成像的步骤还包括：
第二束激光束发射至第二聚焦透镜进行聚焦，并发射；
Y双极孔径接收第二聚焦透镜发射出的第二束激光束，并在Y方向将光透过；
从Y双极孔径透过的第二束激光束进入第二反射系统进行全反射；
第二光学准直系统对第二反射系统全反射后的第二束激光进行准直。
13.一种曝光方法，包括下列步骤：
通过激光源发射单束激光束；
分光系统将激光源发出的单束激光束分成第一束激光束和第二束激光束，并进行发射；
从分光系统发射的第一束激光束进入对应的X方向成像系统，对X极掩模版电路图形进行成像；第二束激光束进入对应的Y方向成像系统，对Y极掩模版电路图形进行成像；
转像系统将从X方向成像系统接收的第一束激光束进行发射，将从Y方向成像系统接收的第二束激光束进行发射；
晶圆分别接收转像系统出射的第一束激光束和第二束激光束。
14.根据权利要求13所述曝光方法，其特征在于，所述分光系统为半反半透镜或棱镜分束器或五角棱镜或光栅或梯形棱镜。
15.根据权利要求13所述曝光方法，其特征在于，所述转像系统为半反半透镜或棱镜组合。
16.根据权利要求13所述曝光方法，其特征在于，转像系统在接收X方向成像系统发射的第一束激光束之前，还包括步骤：
第一开合控制系统接收到X方向成像系统发射的第一束激光束，并控制第一束激光束发射至转像系统的通路。
17.根据权利要求13所述曝光方法，其特征在于，所述第一束激光束进入X方向成像系统对X极掩模版电路图形进行成像的步骤还包括：
第一束激光束发射至第一聚焦透镜进行聚焦，并发射；
X双极孔径接收第一聚焦透镜发射出的第一束激光束，并在X方向将光透过；
从X双极孔径透过的第一束激光束进入第一反射系统进行全反射；
第一光学准直系统对第一反射系统全反射后的第一束激光进行准直。
18.根据权利要求13所述曝光方法，其特征在于，转像系统在接收Y方向成像系统发射的第二束激光束之前，还包括步骤：
第二开合控制系统接收到Y方向成像系统发射的第二束激光束，并控制第二束激光束发射至转像系统的通路。
19.根据权利要求13所述曝光方法，其特征在于，所述第二束激光束进入Y方向成像系统对Y极掩模版电路图形进行成像的步骤还包括：
第二束激光束发射至第二聚焦透镜进行聚焦，并发射；
Y双极孔径接收第二聚焦透镜发射出的第二束激光束，并在Y方向将光透过；
从Y双极孔径透过的第二束激光束进入第二反射系统进行全反射；
第二光学准直系统对第二反射系统全反射后的第二束激光进行准直。
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