CN101465387A - 彩色透明光电幕墙玻璃 - Google Patents

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CN101465387A CN 200910060467 CN200910060467A CN101465387A CN 101465387 A CN101465387 A CN 101465387A CN 200910060467 CN200910060467 CN 200910060467 CN 200910060467 A CN200910060467 A CN 200910060467A CN 101465387 A CN101465387 A CN 101465387A
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transparent photoelectric
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徐进明
王晓晶
余飞
黄小利
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WUHAN RIXIN TECHNOLOGY Co Ltd
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WUHAN RIXIN TECHNOLOGY Co Ltd
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    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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Abstract

本发明涉及一种彩色透明光电幕墙玻璃,由导电玻璃、半导体硅薄膜层、封装材料和背面玻璃组合而成,在导电玻璃上通过等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺沉积半导体硅薄膜以实现发电功能,后在半导体薄膜上依次铺上封装材料和背面玻璃,形成彩色透明光电幕墙玻璃,并从侧面通过铜锡带引出正、负极。本发明具有颜色多变、透明、透光率可调等优势,也具有更好的隔热、防水、防火、防紫外、防碎落、发电等功能。并直接安装在建筑上,结构简单适用,且成本低廉,便于太阳能与建筑的一体化应用。

Description

彩色透明光电幕墙玻璃
技术领域
本发明涉及一种玻璃产品,特别涉及一种彩色透明光电幕墙玻璃。
背景技术
1929年,世界级建筑大师勒·柯布西埃率先提出大片玻璃幕墙的设想,并将之描绘成理想的建筑形式。玻璃幕墙视野开阔,通透性强,而写字楼进深大,采光要求较高,玻璃幕墙相对易满足其设计要求等优点。在过去的几十年中得到了广泛应用。但是,由于玻璃幕墙给城市造成了大面积的光污染,而且多数不能开启,通风效果差,保温性能差,能耗大,运行维护的费用高等劣势使其应用受到越来越多的限制。
发明内容
本发明为了克服传统的幕墙玻璃光污染严重、通风效果差、能耗大、运行费用高等的劣势,而提供一种彩色透明、透光率可调、不存在光污染、可以发电且运行费用低的彩色透明光电幕墙玻璃。该彩色透明光电幕墙玻璃是在普通导电玻璃上镀膜而形成的,在镀膜过程中,调整各层薄膜厚度和薄膜间距,进而调节玻璃的透光率和颜色。另外,在后续加工过程中,可根据客户对外观颜色和透光率的需求,加透明彩色薄膜,依据三基色原理经背面玻璃几次调光,达到调整幕墙玻璃颜色和透光率的要求,既利用太阳能发电,又不影响建筑自然采光,将太阳光的综合转换率提高到40%以上。本发明特别适合在屋面、天窗、幕墙等建筑构件领域应用。
本发明采用的技术方案是:
彩色透明光电幕墙玻璃,由导电玻璃、半导体硅薄膜层、封装材料和背面玻璃组合而成,在导电玻璃上通过等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺沉积半导体硅薄膜以实现发电功能,后在半导体薄膜上依次铺上封装材料和背面玻璃,形成彩色透明光电幕墙玻璃,并从侧面通过铜锡带引出正、负极。
半导体硅薄膜制备过程中通过改变和间距来改变玻璃的颜色和透光率,以适合建筑应用的需要。半导体硅薄膜层厚度为235nm-450nm,半导体硅薄膜层之间的间隙:150um-650um。
彩色透明光电幕墙玻璃主要由导电玻璃、半导体硅薄膜层、封装材料和背面玻璃组合而成。导电玻璃为普通导电玻璃,背面玻璃采用普通钢化玻璃,封装材料选用具有多种颜色、透明、密封、防潮、稳定、耐温、抗紫外线等功能的建筑PVB胶膜。彩色透明光电幕墙玻璃为夹胶结构,既具有颜色可调、透明等优势,又可隔热保温、隔音、防紫外,且可以发电。在侧面通过铜锡带引出正、负极。该彩色透明光电幕墙玻璃像普通幕墙玻璃一样直接作为建筑材料使用。各幕墙组件之间打密封胶,相互紧密连接在一起不需要其他的密封装置,施工快捷便利。电池的背电极采用磁控溅射透明导电薄膜替代传统的真空蒸发的不透明铝或银电极。
本发明的有益效果是:彩色透明光电幕墙玻璃有效的弥补了传统幕墙玻璃的光污染、高能耗、高运行费用等的劣势,可以满足客户对不同外观颜色和透光率的要求,同时可以起到更好的隔热保温、隔音、防紫外、防水、防火以及发电等功能且无需支架系统结构,直接作为建筑玻璃使用,简单适用,能与建筑完美的结合,安装快捷便利,成本低廉。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明的横截面示意图,图中5-金属导电层,6-非晶硅薄膜,7-为透明导电层。
图3为本发明的引出电极示意图。
具体实施方式
结合附图对本发明作进一步的描述。
如图1所示,彩色透明光电幕墙玻璃由导电玻璃1、半导体硅薄膜层2、封装材料3和背面玻璃4组成,半导体硅薄膜2的膜厚和间隙可以调整透光率和颜色,并可以发电,半导体硅薄膜2上铺封装材料3彩色透明PVB胶膜及背面玻璃4封装成彩色透明光电幕墙玻璃,并从侧面通过铜锡带引出正、负电极。如图2、图3所示。
彩色透明光电幕墙玻璃按以下步骤进行制作:
1、导电玻璃、背面玻璃准备:下料、清洗、烘干;背面玻璃采用普通钢化玻璃;
2、镀膜:沉积p-i-n结:将清洗好的导电玻璃1,放入等离子体化学气相沉积PECVD设备沉积室内,调整沉积参数,在透明导电膜7即TCO膜上依次进行p型非晶硅薄膜、i型非晶硅薄膜和n型非晶硅薄膜的沉积,如果是多结电池,重复沉积p,i,n即可;
3、溅射透明背电极:将经过第2步制作的导电玻璃,放入磁控溅射室内,调整溅射参数,在非晶硅薄膜上沉积氧化锌铝透明导电薄膜这层称为金属导电层5,金属导电层5作为背电极;
4、引出电极:将第三步的半成品,用涂铜锡带从背电极连出两条电极引出线以便将电流引出和后面的封装;
5、组合:半导体硅薄膜2上铺彩色透明3PVB胶膜及背面玻璃4封装成彩色透明光电幕墙玻璃;
6、封装:将第5步完成的半成品在专用设备上引出正、负电极;
7、检测:进行外观、机械性能及电性能检测;
8、包装。
半导体硅薄膜层厚度为235nm-450nm,半导体硅薄膜层的之间的间隙在150um-650um,根据客户的不同要求,可以通过第2步的镀膜来改变半导体硅薄膜层的厚度和半导体硅薄膜层之间的间距来改变玻璃的颜色和透光率,以适合客户的建筑应用需要。

Claims (4)

1、彩色透明光电幕墙玻璃,由导电玻璃(1)、半导体硅薄膜层(2)、封装材料(3)和背面玻璃(4)组成,其特征在于:在导电玻璃(1)上通过等离子体化学气相沉积工艺沉积半导体硅薄膜层(2),在半导体薄膜层(2)上依次铺上封装材料(3)和背面玻璃(4),并从侧面通过铜锡带引出正、负极。
2、根据权利要求1所述的彩色透明光电幕墙玻璃,其特征在于:所述半导体硅薄膜层(2)的厚度为:235nm-450nm。
3、根据权利要求1所述的彩色透明光电幕墙玻璃,其特征在于:所述半导体硅薄膜层(2)之间的间隙:150um-650um。
4、根据权利要求1所述的彩色透明光电幕墙玻璃,其特征在于:所述的封装材料(3)为彩色透明PVB胶膜。
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Cited By (4)

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Date Code Title Description
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20090624