CN101457389A - 可同时生产七根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构 - Google Patents
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Abstract
一种可同时生产七根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，涉及高频线圈技术领域；所述的高频线圈结构包括用于电流(15)导流的放射状分流槽(14)，七个内孔(8)为中部设置一个内孔，另外六个内孔呈花瓣状均匀分布在中部内孔的周围，在电流输送暨冷却水输送铜管A(11)及电流输送暨冷却水输送铜管B(12)一侧的斜开口(13)连接惯通连接中部内孔，所述的放射状分流槽由中部内孔向外延伸至除了斜开口以外的每两个内孔之间；本发明的斜开口连接中部内孔，放射状分流槽利用中部内孔呈放射状的分布在每两个外围内孔之间，使电流运行时在分流槽的分流作用下均匀围绕七个内孔运行，实现了电流在七个内孔周围均匀分布的目的。
Description
技术领域：
本发明涉及高频线圈技术领域，尤其是涉及一种可使电流均匀分布在内孔周围，通过电流使硅芯或其它晶体材料受热均匀，并可同时生产七根硅芯及其它晶体材料的新型高频线圈结构。
背景技术：
目前，硅芯在国内使用量非常巨大；现有的硅芯、单晶硅及其它材料晶体区熔方式生产的工艺过程中，大多使用的是一种单目高频线圈，其工作原理如下：工作时通过给高频线圈通入高频电流，使高频线圈产生电流对原料棒进行感应加热，加热后的原料棒上端头形成融化区，然后将仔晶插入熔化区，慢慢提升仔晶，熔化后的原料就会跟随仔晶上升，形成一个新的柱形晶体，这个新的柱形晶体便是硅芯或其它材料晶体的制成品。
本人通过多次实验发现，由于布局不合理；如本人在先申请的两项实用新型专利；
其中专利1：专利名称、一种一次可生产七根硅芯或其它晶体材料的高频线圈；申请日、2007年1月19日；授权公告号、CN200996059Y；
其中专利2：专利名称、可同时生产七根硅芯或其它晶体材料的高频线圈；申请日、2007年2月13日；授权公告号、CN201024226Y；
上述专利通过这两年的使用，在内孔周围的电流运行达不到预期的目的，如上述两项专利申请文件中所表述的结构，内孔放射形状排列，出现了除中部和连接斜开口的内孔电流运行较多，另外几个内孔的环绕电流受到高频电流运行原理的影响，使得大部分内孔的温度远低于靠近或连接斜开口内孔的温度(也就是电流走近路)，由于电流的走近路现象，所产生的后果是提升起来的仔晶直径悬殊非常大，从而造成残次品数量的增加。
发明内容：
为了克服背景技术中的不足，本发明公开了一种可同时生产七根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，本发明的斜开口连接中部内孔，放射状分流槽利用中部内孔呈放射状的分布在每两个外围内孔之间，使电流运行时在分流槽的分流作用下均匀围绕七个内孔运行，并且分流槽辅助电流更均匀的分布在七个内孔周围，实现了电流在七个内孔周围均匀分布的目的。
为了实现上述发明的目的，本发明采用如下技术方案：
一种可同时生产七根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的高频线圈结构在高频线圈的下部设置有电流输送暨冷却水输送铜管A及电流输送暨冷却水输送铜管B，高频线圈的高频线圈上面呈向中心位置内陷的斜面，高频线圈的高频线圈下面设有向中心位置内陷的梯形，冷却水道环埋在高频线圈的外部；所述的高频线圈结构包括用于电流导流的放射状分流槽，七个内孔为中部设置一个内孔，另外六个内孔呈花瓣状均匀分布在中部内孔的周围，在电流输送暨冷却水输送铜管A及电流输送暨冷却水输送铜管B一侧的斜开口连接惯通连接中部内孔，所述的放射状分流槽由中部内孔向外延伸至除了斜开口以外的每两个内孔之间。
所述的可同时生产七根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的内孔可设置为圆形内孔、方形内孔、方形内角倒圆内孔、长方形内孔、长方形内角倒圆内孔、三角形内孔、三角形内角倒圆内孔、多边形内孔、不规则多边形内孔、菱形内孔、菱形内角倒圆内孔、梯形内孔、梯形内角倒圆内孔、长圆形内孔或椭圆形内孔。
由于采用上述技术方案，本发明具有如下优越性：
本发明的斜开口连接中部内孔，放射状分流槽利用中部内孔呈放射状的分布在每两个外围内孔之间，使电流运行时在分流槽的分流作用下均匀围绕七个内孔运行，并且分流槽辅助电流更均匀的分布在七个内孔周围，通过实验及测试，证明了本发明改进后电流在放射状分流槽的导流下可以均匀的环绕各个内孔运行，七个内孔的加热温度基本相同，实现了电流在七个内孔周围均匀分布的目的，提高能量利用率，降低生产成本和减少次品率；本发明且具有加热均匀、大量节约能源、减少设备投资及人工综合成本可有效降低等优点，易于在多晶硅行业推广实施。
附图说明：
图1是本发明的电流分配图。
图2是本发明的平面结构示意图。
图3是图2的A-A示图。
图4是本发明的工作原理示意图。
在图中：1、原料棒；2、磁力线；3、高频线圈；4、冷却水道；5、硅芯；6、仔晶；7、仔晶夹头；8、内孔；9、高频线圈上面；10、高频线圈下面；11、电流输送暨冷却水输送铜管A；12、电流输送暨冷却水输送铜管B；13、斜开口；14、放射状分流槽；15、电流。
具体实施方式：
参考下面的实施例，可以更详细地解释本发明；但是，本发明并不局限于这些实施例。
在图1、2、3、4中；一种可同时生产七根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的高频线圈结构在高频线圈的下部设置有电流输送暨冷却水输送铜管A11及电流输送暨冷却水输送铜管B12，高频线圈的高频线圈上面9呈向中心位置内陷的斜面，高频线圈的高频线圈下面设有向中心位置内陷的梯形，冷却水道4环埋在高频线圈3的外部；所述的高频线圈结构包括用于电流15导流的放射状分流槽14，七个内孔8为中部设置一个内孔8，另外六个内孔8呈花瓣状均匀分布在中部内孔8的周围，在电流输送暨冷却水输送铜管A11及电流输送暨冷却水输送铜管B12一侧的斜开口13连接惯通连接中部内孔8，所述的放射状分流槽14由中部内孔8向外延伸至除了斜开口13以外的每两个内孔8之间。
所述的可同时生产七根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的内孔8可设置为圆形内孔8、方形内孔8、方形内角倒圆内孔8、长方形内孔8、长方形内角倒圆内孔8、三角形内孔8、三角形内角倒圆内孔8、多边形内孔8、不规则多边形内孔8、菱形内孔8、菱形内角倒圆内孔8、梯形内孔8、梯形内角倒圆内孔8、长圆形内孔8或椭圆形内孔8。
使用过程如下所述：在图4中，先将原料棒1送至高频线圈3下部，原料棒1距高频线圈3越近越好，但是不得与高频线圈3接触，然后在高频线圈3上的电流输送暨冷却水输送铜管A11通电送水及另一根电流输送暨冷却水输送铜管B12通电排水，电流15促使高频线圈3产生强大的磁力线2，使原料硅棒1上端头靠近线圈的部分利用磁力线2进行感应加热，冷却水道4中流过的冷却水给高频线圈3降温，斜开口13做成斜口并惯通至中部内孔8。
在图1、2或4中，在电流输送暨冷却水输送铜管A11及电流输送暨冷却水输送铜管B12一侧的斜开口13连接惯通连接中部内孔8，该放射状分流槽14由中部内孔8向外延伸至除了斜开口13以外的每两个内孔8之间，其主要功能是为了使高频电流在分界处能形成交叉使原料棒1均匀受热，并且可以实现辅助化料的作用；在原料硅棒1的端头靠近高频线圈下面10的部位融化后，仔晶夹头7带着仔晶6下降，使仔晶6通过七个内孔8后插入原料棒1的熔化区，然后提升仔晶6，原料棒1上部的熔化液体会跟随仔晶6上升，其原料棒1下部的下轴也相应跟随同步缓慢上升，但是其原料棒1不得与高频线圈3接触；因为原料棒1的端部可能不太平整，所以，高频线圈下面10设计为内陷台阶，其作用在于尽可能的使原料硅棒1多靠近高频线圈的下部面10，其高频线圈上面9设计为由外至内的斜坡，其作用是可以减少高频电流过于在中部的集中，使其在高频线圈3上均匀分布，以实现受热均匀的效果；原料硅棒1上部的熔化区在仔晶6的粘和带动并通过高频线圈3内孔8后，由于磁力线2的减弱而冷凝，便形成一个新的柱型晶体，其仔晶夹头7夹带仔晶6缓慢上升，便可形成所需长度的成品硅芯5。
为了公开本发明的目的而在本文中选用的实施例，当前认为是适宜的，但是应了解的使，本发明旨在包括一切属于本构思和本发明范围内的实施例的所有变化和改进。
Claims (2)
1、一种可同时生产七根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的高频线圈结构在高频线圈的下部设置有电流输送暨冷却水输送铜管A(11)及电流输送暨冷却水输送铜管B(12)，高频线圈的高频线圈上面(9)呈向中心位置内陷的斜面，高频线圈的高频线圈下面设有向中心位置内陷的梯形，冷却水道(4)环埋在高频线圈(3)的外部；其特征在于：所述的高频线圈结构包括用于电流(15)导流的放射状分流槽(14)，七个内孔(8)为中部设置一个内孔(8)，另外六个内孔(8)呈花瓣状均匀分布在中部内孔(8)的周围，在电流输送暨冷却水输送铜管A(11)及电流输送暨冷却水输送铜管B(12)一侧的斜开口(13)连接惯通连接中部内孔(8)，所述的放射状分流槽(14)由中部内孔(8)向外延伸至除了斜开口(13)以外的每两个内孔(8)之间。
2、如权利要求1所述的，其特征在于：所述的内孔(8)可设置为圆形内孔(8)、方形内孔(8)、方形内角倒圆内孔(8)、长方形内孔(8)、长方形内角倒圆内孔(8)、三角形内孔(8)、三角形内角倒圆内孔(8)、多边形内孔(8)、不规则多边形内孔(8)、菱形内孔(8)、菱形内角倒圆内孔(8)、梯形内孔(8)、梯形内角倒圆内孔(8)、长圆形内孔(8)或椭圆形内孔(8)。
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Legal Events
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Owner name: LUOYANG JINNUO MACHINERY ENGINEERING CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: LIU ZHAOXUAN Effective date: 20110816 |
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Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 471000 LUOYANG, HENAN PROVINCE TO: 471009 LUOYANG, HENAN PROVINCE |
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Effective date of registration: 20110816 Address after: 471009 Jin Xin of Henan Province, Luoyang national hi tech Industrial Development Zone, Road No. 2 Luoyang Jinnuo Machinery Engineering Co Ltd Applicant after: Luoyang Jinnuo Mechanical Engineering Co., Ltd. Address before: 471000 Henan province Luoyang Xigong Road No. 1, No. 24 Jiashuyuan monocrystalline silicon factory building 1 unit 101 room Applicant before: Liu Chaoxuan |
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Application publication date: 20090617 Assignee: LUOYANG AUTOMATION INSTITUTE Co.,Ltd. Assignor: LUOYANG JINNUO MECHANICAL ENGINEERING Co.,Ltd. Contract record no.: X2020980007510 Denomination of invention: It can produce seven silicon cores and other crystal materials at the same time Granted publication date: 20110928 License type: Common License Record date: 20201103 |
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| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |