CN101457392A - 可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构 - Google Patents
可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101457392A CN101457392A CNA2008101820553A CN200810182055A CN101457392A CN 101457392 A CN101457392 A CN 101457392A CN A2008101820553 A CNA2008101820553 A CN A2008101820553A CN 200810182055 A CN200810182055 A CN 200810182055A CN 101457392 A CN101457392 A CN 101457392A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- endoporus
- frequency coil
- radio
- electric current
- copper pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 19
- 235000019994 cava Nutrition 0.000 claims description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000019771 cognition Effects 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 235000019628 coolness Nutrition 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
一种可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，涉及高频线圈技术领域；所述的高频线圈结构包括用于电流(15)导流的分流槽(14)，五个内孔(8)为中部设置一个内孔(8)，另外四个内孔(8)呈“十”字形均匀分布在中部内孔(8)的周围，在电流输送暨冷却水输送铜管A(11)及电流输送暨冷却水输送铜管B(12)一侧的斜开口(13)连接惯通连接中部内孔(8)，所述的分流槽(14)由中部内孔(8)向外延伸至除了斜开口(13)以外的每两个内孔(8)之间；本发明可使电流运行时在分流槽的分流作用下均匀围绕五个内孔运行，实现了电流在五个内孔周围均匀分布的目的。
Description
技术领域：
本发明涉及高频线圈技术领域，尤其是涉及一种可使电流均匀分布在内孔周围，通过电流使硅芯或其它晶体材料受热均匀，并可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的新型高频线圈结构。
背景技术：
目前，硅芯在国内使用量非常巨大；现有的硅芯、单晶硅及其它材料晶体区熔方式生产的工艺过程中，大多使用的是一种单目高频线圈，其工作原理如下：工作时通过给高频线圈通入高频电流，使高频线圈产生电流对原料棒进行感应加热，加热后的原料棒上端头形成融化区，然后将仔晶插入熔化区，慢慢提升仔晶，熔化后的原料就会跟随仔晶上升，形成一个新的柱形晶体，这个新的柱形晶体便是硅芯或其它材料晶体的制成品。
本人通过多次实验发现，在先专利布局不合理；例如本人在先申请的两项实用新型专利；
其中专利1：专利名称、一种一次可生产五根硅芯或其它晶体材料的高频线圈；申请日、2007年1月19日；授权公告号、CN200996058Y；
其中专利2：专利名称、一种一次可生产五根硅芯或其它晶体材料的高频线圈；申请日、2007年2月13日；授权公告号、CN201024229Y；
通过这两年的使用，在内孔周围的电流运行达不到预期的目的，如上述两项专利申请文件图中所示的结构，电流在环绕各个内孔运行时，会出现中部内孔的电流运行较多，另外四个内孔的环绕电流受到高频电流运行原理的影响，使得连通斜开口的内孔的温度远高于另外的四个内孔，特别是距离斜开口最远的那个内孔(也就是电流走近路)，由于电流的走近路现象，所产生的后果是提升起来的仔晶直径大小不一，从而造成残次品数量的增加。
发明内容：
为了克服背景技术中的不足，本发明公开了一种可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，本发明的斜开口连接中部内孔，三条分流槽由中部内孔向上、左、右三个方向延伸至无斜开口的内孔之间，使电流运行时在分流槽的分流作用下均匀围绕四个内孔运行，并且分流槽辅助电流更均匀的分布在五个内孔周围，实现了电流在五个内孔周围均匀分布的目的。
为了实现上述发明的目的，本发明采用如下技术方案：
一种可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的高频线圈结构在高频线圈的下部设置有电流输送暨冷却水输送铜管A及电流输送暨冷却水输送铜管B，高频线圈的高频线圈上面呈向中心位置内陷的斜面，高频线圈的高频线圈下面设有向中心位置内陷的梯形，冷却水道环埋在高频线圈的外部；所述的高频线圈结构包括用于电流导流的分流槽，五个内孔为中部设置一个内孔，另外四个内孔呈“十”字形均匀分布在中部内孔的周围，在电流输送暨冷却水输送铜管A及电流输送暨冷却水输送铜管B一侧的斜开口连接惯通连接中部内孔，所述的分流槽由中部内孔向外延伸至除了斜开口以外的每两个内孔之间。
所述的可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的内孔可设置为圆形内孔、方形内孔、方形内角倒圆内孔、长方形内孔、长方形内角倒圆内孔、三角形内孔、三角形内角倒圆内孔、多边形内孔、不规则多边形内孔、菱形内孔、菱形内角倒圆内孔、梯形内孔、梯形内角倒圆内孔、长圆形内孔或椭圆形内孔。
由于采用上述技术方案，本发明具有如下优越性：
本发明的斜开口连接中部内孔，分流槽由中部内孔向外分布在每两个外围内孔之间，使电流运行时在分流槽的分流作用下均匀围绕五个内孔运行，并且分流槽辅助电流更均匀的分布在五个内孔周围，通过实验及测试，证明了本发明改进后电流在分流槽的导流下可以均匀的环绕各个内孔运行，五个内孔的加热温度基本相同，实现了电流在五个内孔周围均匀分布的目的，提高能量利用率，降低生产成本和减少次品率；本发明且具有加热均匀、大量节约能源、减少设备投资及人工综合成本可有效降低等优点，易于在多晶硅行业推广实施。
附图说明：
图1是本发明的电流分配图。
图2是本发明的平面结构示意图。
图3是图2的A-A示图。
图4是本发明的工作原理示意图。
在图中：1、原料棒；2、磁力线；3、高频线圈；4、冷却水道；5、硅芯；6、仔晶；7、仔晶夹头；8、内孔；9、高频线圈上面；10、高频线圈下面；11、电流输送暨冷却水输送铜管A；12、电流输送暨冷却水输送铜管B；13、斜开口；14、分流槽；15、电流。
具体实施方式：
参考下面的实施例，可以更详细地解释本发明；但是，本发明并不局限于这些实施例。
在图1、2、3、4中；一种可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的高频线圈结构在高频线圈的下部设置有电流输送暨冷却水输送铜管A11及电流输送暨冷却水输送铜管B12，高频线圈的高频线圈上面9呈向中心位置内陷的斜面，高频线圈的高频线圈下面设有向中心位置内陷的梯形，冷却水道4环埋在高频线圈3的外部；所述的高频线圈结构包括用于电流15导流的分流槽14，五个内孔8为中部设置一个内孔8，另外四个内孔8呈“十”字形均匀分布在中部内孔8的周围，在电流输送暨冷却水输送铜管A11及电流输送暨冷却水输送铜管B12一侧的斜开口13连接惯通连接中部内孔8，所述的分流槽14由中部内孔8向外延伸至除了斜开口13以外的每两个内孔8之间。
所述的可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的内孔8可设置为圆形内孔8、方形内孔8、方形内角倒圆内孔8、长方形内孔8、长方形内角倒圆内孔8、三角形内孔8、三角形内角倒圆内孔8、多边形内孔8、不规则多边形内孔8、菱形内孔8、菱形内角倒圆内孔8、梯形内孔8、梯形内角倒圆内孔8、长圆形内孔8或椭圆形内孔8。
使用过程如下所述：在图4中，先将原料棒1送至高频线圈3下部，原料棒1距高频线圈3越近越好，但是不得与高频线圈3接触，然后在高频线圈3上的电流输送暨冷却水输送铜管A11通电送水及另一根电流输送暨冷却水输送铜管B12通电排水，电流15促使高频线圈3产生强大的磁力线2，使原料硅棒1上端头靠近线圈的部分利用磁力线2进行感应加热，冷却水道4中流过的冷却水给高频线圈3降温，斜开口13做成斜口并惯通至中部内孔8。
在图1、2或4中，在电流输送暨冷却水输送铜管A11及电流输送暨冷却水输送铜管B12一侧的斜开口13连接惯通连接中部内孔8，该分流槽14由中部内孔8向外延伸至除了斜开口13以外的每两个内孔8之间，其主要功能是为了使高频电流在分界处能形成交叉使原料棒1均匀受热，并且可以实现辅助化料的作用；在原料硅棒1的端头靠近高频线圈下面10的部位融化后，仔晶夹头7带着仔晶6下降，使仔晶6通过五个内孔8后插入原料棒1的熔化区，然后提升仔晶6，原料棒1上部的熔化液体会跟随仔晶6上升，其原料棒1下部的下轴也相应跟随同步缓慢上升，但是其原料棒1不得与高频线圈3接触；因为原料棒1的端部可能不太平整，所以，高频线圈下面10设计为内陷台阶，其作用在于尽可能的使原料硅棒1多靠近高频线圈的下部面10，其高频线圈上面9设计为由外至内的斜坡，其作用是可以减少高频电流过于在中部的集中，使其在高频线圈3上均匀分布，以实现受热均匀的效果；原料硅棒1上部的熔化区在仔晶6的粘和带动并通过高频线圈3内孔8后，由于磁力线2的减弱而冷凝，便形成一个新的柱型晶体，其仔晶夹头7夹带仔晶6缓慢上升，便可形成所需长度的成品硅芯5。
为了公开本发明的目的而在本文中选用的实施例，当前认为是适宜的，但是应了解的使，本发明旨在包括一切属于本构思和本发明范围内的实施例的所有变化和改进。
Claims (2)
1、一种可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的高频线圈结构在高频线圈的下部设置有电流输送暨冷却水输送铜管A(11)及电流输送暨冷却水输送铜管B(12)，高频线圈的高频线圈上面(9)呈向中心位置内陷的斜面，高频线圈的高频线圈下面设有向中心位置内陷的梯形，冷却水道(4)环埋在高频线圈(3)的外部；其特征在于：所述的高频线圈结构包括用于电流(15)导流的分流槽(14)，五个内孔(8)为中部设置一个内孔(8)，另外四个内孔(8)呈“十”字形均匀分布在中部内孔(8)的周围，在电流输送暨冷却水输送铜管A(11)及电流输送暨冷却水输送铜管B(12)一侧的斜开口(13)连接惯通连接中部内孔(8)，所述的分流槽(14)由中部内孔(8)向外延伸至除了斜开口(13)以外的每两个内孔(8)之间。
2、如权利要求1所述的可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，其特征在于：所述的内孔(8)可设置为圆形内孔(8)、方形内孔(8)、方形内角倒圆内孔(8)、长方形内孔(8)、长方形内角倒圆内孔(8)、三角形内孔(8)、三角形内角倒圆内孔(8)、多边形内孔(8)、不规则多边形内孔(8)、菱形内孔(8)、菱形内角倒圆内孔(8)、梯形内孔(8)、梯形内角倒圆内孔(8)、长圆形内孔(8)或椭圆形内孔(8)。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2008101820553A CN101457392A (zh) | 2008-11-25 | 2008-11-25 | 可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构 |
| PCT/CN2009/074838 WO2010060349A1 (zh) | 2008-11-25 | 2009-11-06 | 制造多根硅芯的高频线圈拉制孔布局 |
| EP09828609.9A EP2366814A4 (en) | 2008-11-25 | 2009-11-06 | HIGH FREQUENCY PULLING PULL OVER ASSEMBLY FOR THE MANUFACTURE OF SEVERAL SILICON CORE |
| JP2011529439A JP5313354B2 (ja) | 2008-11-25 | 2009-11-06 | 複数のシリコン芯を製造する高周波コイル引き孔の配置 |
| US13/125,973 US20110204044A1 (en) | 2008-11-25 | 2009-11-06 | High-frequency coil pulling holes arrangement for producing multiple silicon cores |
| KR1020107026853A KR101324582B1 (ko) | 2008-11-25 | 2009-11-06 | 복수 개의 실리콘 코어를 제조하기 위한 고주파 코일 인상홀 배열체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2008101820553A CN101457392A (zh) | 2008-11-25 | 2008-11-25 | 可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101457392A true CN101457392A (zh) | 2009-06-17 |
Family
ID=40768503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2008101820553A Pending CN101457392A (zh) | 2008-11-25 | 2008-11-25 | 可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101457392A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010060349A1 (zh) * | 2008-11-25 | 2010-06-03 | Liu Chaoxuan | 制造多根硅芯的高频线圈拉制孔布局 |
| WO2013040735A1 (zh) * | 2011-09-20 | 2013-03-28 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 可同时生产五根至十根硅芯的高频线圈拉制孔结构 |
-
2008
- 2008-11-25 CN CNA2008101820553A patent/CN101457392A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010060349A1 (zh) * | 2008-11-25 | 2010-06-03 | Liu Chaoxuan | 制造多根硅芯的高频线圈拉制孔布局 |
| WO2013040735A1 (zh) * | 2011-09-20 | 2013-03-28 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 可同时生产五根至十根硅芯的高频线圈拉制孔结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101457388B (zh) | 可同时生产两根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构 | |
| CN101457389B (zh) | 可同时生产七根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构 | |
| CN101487136B (zh) | 可同时生产六根硅芯或其它晶体材料的高频线圈结构 | |
| CN101570884B (zh) | 一次可同时拉制十六根硅芯或其它晶体材料的高频线圈 | |
| CN101570886B (zh) | 可以拉制二十二根硅芯或其它晶体材料的高频线圈结构 | |
| CN202226951U (zh) | 生产八或九根硅芯的水滴形拉制孔结构的高频线圈 | |
| CN200996059Y (zh) | 一种一次可生产七根硅芯或其它晶体材料的高频线圈 | |
| CN202226956U (zh) | 生产八或九根硅芯水滴形和球拍形组合拉制孔的高频线圈 | |
| CN200996058Y (zh) | 一种一次可生产五根硅芯或其它晶体材料的高频线圈 | |
| CN101457391B (zh) | 可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构 | |
| CN101457390B (zh) | 可同时生产八根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构 | |
| CN101457392A (zh) | 可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构 | |
| CN101457393B (zh) | 可同时生产三根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构 | |
| CN101457395B (zh) | 可同时生产三根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构 | |
| CN101457394B (zh) | 可同时生产两根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构 | |
| CN101487137B (zh) | 可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构 | |
| CN201001209Y (zh) | 一种一次可生产四根硅芯或其它晶体材料的高频线圈 | |
| CN101570885B (zh) | 一次可同时拉制十三根硅芯或其它晶体材料的高频线圈 | |
| CN101570883B (zh) | 可以同时拉制十九根硅芯或其它晶体材料的高频线圈结构 | |
| CN101570887B (zh) | 一种拉制十九根硅芯或其它晶体材料的高频线圈 | |
| CN202226952U (zh) | 生产七或八根硅芯水滴形和球拍形组合拉制孔的高频线圈 | |
| CN200999269Y (zh) | 一种一次可生产六根硅芯或其它晶体材料的高频线圈 | |
| CN202246982U (zh) | 生产七或八根硅芯的球拍形拉制孔结构的高频线圈 | |
| CN202226954U (zh) | 生产六或七根硅芯的球拍形拉制孔结构的高频线圈 | |
| CN202246980U (zh) | 生产六或七根硅芯的水滴形拉制孔结构的高频线圈 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: LUOYANG JINNUO MACHINERY ENGINEERING CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: LIU ZHAOXUAN Effective date: 20111115 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 471000 LUOYANG, HENAN PROVINCE TO: 471009 LUOYANG, HENAN PROVINCE |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20111115 Address after: 471009 Jin Xin of Henan Province, Luoyang national hi tech Industrial Development Zone, Road No. 2 Luoyang Jinnuo Machinery Engineering Co Ltd Applicant after: Luoyang Jinnuo Mechanical Engineering Co., Ltd. Address before: 471000 Henan province Luoyang Xigong Road No. 1, No. 24 Jiashuyuan monocrystalline silicon factory building 1 unit 101 room Applicant before: Liu Chaoxuan |
|
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20090617 |