CN101452009B - 实现hall芯片硅片级测试的探针卡及测试方法 - Google Patents

实现hall芯片硅片级测试的探针卡及测试方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101452009B
CN101452009B CN2007100943617A CN200710094361A CN101452009B CN 101452009 B CN101452009 B CN 101452009B CN 2007100943617 A CN2007100943617 A CN 2007100943617A CN 200710094361 A CN200710094361 A CN 200710094361A CN 101452009 B CN101452009 B CN 101452009B
Authority
CN
China
Prior art keywords
probe
hall sensor
hall
induction current
magnetic field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2007100943617A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101452009A (zh
Inventor
武建宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd filed Critical Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority to CN2007100943617A priority Critical patent/CN101452009B/zh
Publication of CN101452009A publication Critical patent/CN101452009A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101452009B publication Critical patent/CN101452009B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明公开了一种实现HALL芯片硅片级测试的探针卡，包括多个探针；还包括一个HALL传感器，该HALL传感器连接在两个探针的探测端上。本发明还公开了一种相应测试方法，包括如下步骤：将探针卡置于M1磁场下，测量感应电流I1；将探针卡置于实际测量环境磁场M2中，测量感应电流I2；测量被测HALL芯片上的HALL传感器在实际M2磁场下的感应电流I3；根据公式I1∶I2＝M1∶M2＝ΔI∶I3，计算出磁场M1下的感应电流ΔI作为补正值，写入被测HALL芯片中。因为本发明的探针卡采用一个HALL传感器测试感应电流，进而求出感应磁场的强度，可以在硅片级测试中对被测芯片的感应初始值进行调整，实现同测。

Description

实现HALL芯片硅片级测试的探针卡及测试方法 
技术领域
本发明涉及一种芯片测试工具，具体涉及一种实现HALL(霍尔)芯片测试的探针卡。本发明还涉及一种基于上述探针卡的测试方法。 
背景技术
HALL芯片目前在汽车领域广泛应用，HALL芯片对磁场的感应初始值必须实测调整，而目前初始值的调整都在后端，而非在硅片级测试中进行，这样就无法进行同测。 
目前硅片级测试中用到的探针台，并没有提供对磁场的屏蔽，因此无法提供一个绝对零磁场。也就无法在探针台上进行调零工作。目前使用的探针卡如图1所示，间隙板2在上定位板3和下定位板1之间保证了探针的容置空间，下定位板1与一弹簧5连接，该弹簧5通过螺钉固定在衬盘4上，该衬盘4通过螺钉穿设定位块6固定在一块PCB板8上，PCB板8上还有加强块7防止探针卡的受力形变。其结构上也没有探测磁场强度的装置，因而初始值只能够在后端完成。 
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种实现HALL芯片硅片级测试的探针卡，它可以在硅片级测试中对被测芯片的感应初始值进行调整，实现同测。为此，本发明还要提供一种实现HALL芯片硅片级测试的测试方法。 
为了解决以上技术问题，本发明提供了一种实现HALL芯片硅片级测试的探针卡，探针卡包括多个探针，所述探针卡的间隙板在上定位板和下定位板之间保证了探针的容置空间，下定位板与一弹簧连接，该弹簧通过螺钉固定在衬盘，该衬盘通过螺钉穿设定位块固定在一块PCB板上，PCB板上还有加强块防止探针卡的受力形变；还包括一个HALL传感器，该HALL传感器连接在两个探针的探测端上。
本发明还提供了一种实现HALL芯片硅片级测试的测试方法，包括如下步骤：(1)将探针卡置于M1磁场下，测量探针卡的HALL传感器中的感应电流I1；所述探针卡包括多个探针，还包括一个HALL传感器，所述HALL传感器连接在两个所述探针的探测端上；(2)将探针卡置于实际测量环境中，测量探针卡的HALL传感器在实际M2磁场下的感应电流I2；(3)测量被测HALL芯片上的HALL传感器在实际M2磁场下的感应电流I3；(4)根据公式I1∶I2＝M1∶M2＝ΔI∶I3，计算出磁场M1下的感应电流ΔI作为补正值，写入被测HALL芯片中。 
因为本发明的探针卡采用一个HALL传感器测试感应电流，进而求出感应磁场的强度，可以在硅片级测试中对被测芯片的感应初始值进行调整，实现同测。 
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。 
图1是现有探针卡的结构示意图； 
图2是本发明的探针卡的结构示意图； 
图3是本发明的HALL传感器的正视放大图； 
图4是本发明的HALL传感器的俯视放大图。 
图中附图标记为，1、下定位板；2、间隙板；3、上定位板；4、衬盘；5、弹簧；6、定位块；7、加强块；8、PCB板；9、HALL传感器。 
具体实施方式
如图2是本发明的探针卡结构示意图，与传统探针卡相同：间隙板2在上定位板3和下定位板1之间保证了探针的容置空间，下定位板1与一弹簧5连接，该弹簧5通过螺钉固定在衬盘4上，该衬盘4通过螺钉穿设定位块6固定在一块PCB板8上，PCB板8上还有加强块7防止探针卡的受力形变。本发明的探针卡主要是增加了一个HALL传感器，该HALL传感器连接在两个探针的探测端上。 
如图3和图4所示，本发明的探针卡，其HALL传感器连接在的两个探针长度小于其他探针的长度。 
基于上述装置，本发明的实现HALL芯片硅片级测试的测试方法，包括如下步骤：(1)将探针卡置于M1磁场下，测量探针卡的HALL传感器中的感应电流I1；(2)将探针卡置于实际测量环境中，测量探针卡的HALL传感器在实际M2磁场下的感应电流I2；(3)测量被测HALL芯片上的HALL传感器在实际M2磁场下的感应电流I3；(4)根据公式I1∶I2＝M1∶M2＝ΔI∶I3，计算出磁场M1下的感应电流ΔI作为补正值，写入被测HALL芯片中。 

Claims (3)

1.一种实现HALL芯片硅片级测试的探针卡，探针卡包括多个探针，所述探针卡的间隙板在上定位板和下定位板之间保证了探针的容置空间，下定位板与一弹簧连接，该弹簧通过螺钉固定在衬盘，该衬盘通过螺钉穿设定位块固定在一块PCB板上，PCB板上还有加强块防止探针卡的受力形变；其特征在于，还包括一个HALL传感器，所述HALL传感器连接在两个所述探针的探测端上。
2.如权利要求1所述的一种实现HALL芯片硅片级测试的探针卡，其特征在于，所述HALL传感器连接在的两个探针长度小于其他探针。
3.一种实现HALL芯片硅片级测试的测试方法；其特征在于，包括如下步骤：
(1)将探针卡置于磁场M1下，测量探针卡的HALL传感器中的感应电流I1；所述探针卡包括多个探针，还包括一个HALL传感器，所述HALL传感器连接在两个所述探针的探测端上；
(2)将探针卡置于实际测量环境中，测量探针卡的HALL传感器在实际磁场M2下的感应电流I2；
(3)测量被测HALL芯片上的HALL传感器在实际磁场M2下的感应电流I3；
(4)根据公式I1∶I2＝M1∶M2＝ΔI∶I3，计算出磁场M1下的感应电流ΔI作为补正值，写入被测HALL芯片中。
CN2007100943617A 2007-11-30 2007-11-30 实现hall芯片硅片级测试的探针卡及测试方法 Active CN101452009B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007100943617A CN101452009B (zh) 2007-11-30 2007-11-30 实现hall芯片硅片级测试的探针卡及测试方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007100943617A CN101452009B (zh) 2007-11-30 2007-11-30 实现hall芯片硅片级测试的探针卡及测试方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101452009A CN101452009A (zh) 2009-06-10
CN101452009B true CN101452009B (zh) 2011-06-01

Family

ID=40734366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007100943617A Active CN101452009B (zh) 2007-11-30 2007-11-30 实现hall芯片硅片级测试的探针卡及测试方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101452009B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2409518Y (zh) * 2000-03-03 2000-12-06 冶金工业部钢铁研究总院 快速测量软磁材料磁化率的测量装置
CN1727904A (zh) * 2004-07-09 2006-02-01 雅马哈株式会社 测试磁性传感器的探针板和方法
JP2006258592A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Nikkoshi Co Ltd ホールプローブ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2409518Y (zh) * 2000-03-03 2000-12-06 冶金工业部钢铁研究总院 快速测量软磁材料磁化率的测量装置
CN1727904A (zh) * 2004-07-09 2006-02-01 雅马哈株式会社 测试磁性传感器的探针板和方法
JP2006258592A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Nikkoshi Co Ltd ホールプローブ

Also Published As

Publication number Publication date
CN101452009A (zh) 2009-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103411504B (zh) 孔位测量装置
CN104613844B (zh) 靶材厚度测量装置
CN210222235U (zh) 一种磁传感器的测试系统
CN102735133B (zh) 安装孔检测装置
CN202119392U (zh) 光电千分尺装置
CN110108249A (zh) 一种用于测量变压器外轮廓位置及形变的测量工具及测量方法
CN111043944A (zh) 电涡流位移传感器原位标定装置
CN211085095U (zh) 一种电涡流位移传感器原位标定装置
CN204881375U (zh) 一种感栅位移传感器调校装置
CN202329505U (zh) 位置误差检验夹具
CN103575295B (zh) 一种惯性元件磁场灵敏度测量系统
CN106769609B (zh) 一种钓线柔软度测试装置及其方法
CN101852580A (zh) 工件长度校正装置
CN203811126U (zh) 一种应力环变形检测装置
CN104865541A (zh) 一种检测磁性元件磁通量的设备
CN101452009B (zh) 实现hall芯片硅片级测试的探针卡及测试方法
CN202372102U (zh) 分离角接触球轴承调心力及调心量检测仪
CN115128522B (zh) 一种霍尔探头的封装结构、检测设备及封装精度管控方法
CN207571080U (zh) 超声波检测仪测试装置
CN109298368A (zh) 一种局部放电特高频传感器等效高度补偿测量系统及方法
CN216562198U (zh) 一种霍尔效应测试应用实验仪
CN207408344U (zh) 一种磁传感器探头标定装置
CN206618353U (zh) 一种尺寸是否超差的快速检测治具
CN105203401A (zh) 一种快速平板载荷测试仪
CN203414582U (zh) 一种检测磁性元件磁通量的设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

Free format text: FORMER OWNER: HUAHONG NEC ELECTRONICS CO LTD, SHANGHAI

Effective date: 20131216

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201206 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20131216

Address after: 201203 Shanghai city Zuchongzhi road Pudong New Area Zhangjiang hi tech Park No. 1399

Patentee after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

Address before: 201206, Shanghai, Pudong New Area, Sichuan Road, No. 1188 Bridge

Patentee before: Shanghai Huahong NEC Electronics Co., Ltd.