CN101436501A - 等离子显示板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种等离子显示板,包括:前面基板,和与前面基板对置配置,并配置下部电介质层的后面基板,和在前面基板和后面基板之间划分放电串的障壁及配置在放电串的荧光体层,荧光体层包括释放红色光的第1荧光体层,释放蓝色光的第2荧光体层及释放绿色光的第3荧光体层,第2荧光体层的侧面部厚度可以为下部厚度的1.64倍以上3.2倍以下。本发明的等离子显示板通过调整荧光体层的厚度,增加可见光的发生量,具有提高影像亮度的效果。
Description
技术领域
本发明为等离子显示板(Plasma Display Panel)相关发明。
背景技术
通常,等离子显示板中,在由障壁划分的放电串(Cell)内形成的荧光体层的同时形成多个电极(Electrode)。通过这种电极向放电串提供驱动信号,放电串内通过供应的驱动信号产生放电。其中,在放电串内通过驱动信号放电时,充入放电串内的放电气体会产生真空紫外线(Vacuum Ultraviolet rays),这种真空紫外线激发形成在放电串内的荧光体,产生可见光。通过这种可见光,在等离子显示板的画面上显示影像。
发明内容
本发明的目的在于提供通过调整荧光体层厚度,增加可见光发生量的等离子显示板。
本发明的技术方案是:
一种等离子显示板:包括前面基板,和与前面基板对置配置,并配置下部电介质层的后面基板,和在前面基板和后面基板之间划分放电串的障壁及配置在放电串的荧光体层,荧光体层包括释放红色光的第1荧光体层,释放蓝色光的第2荧光体层及释放绿色光的第3荧光体层,第2荧光体层的侧面部厚度可以为下部厚度的1.64倍以上3.2倍以下。
而且,第2荧光体层的侧面部厚度可以为下部厚度的1.64倍以上2.6倍以下。
而且,第3荧光体层的侧面部厚度可以为下部厚度的1.72倍以上2.4倍以下。
而且,第1荧光体层的侧面部厚度可以为下部厚度的1.2倍以上2.0倍以下。
而且,第2荧光体层的侧面部厚度可以比第1荧光体层及第3荧光体层当中的至少一个侧面部厚度更厚。
而且,荧光体层的侧面部厚度在将障壁的高度设为h时,可以是在h/2支点中与后面基板并排方向上的厚度。
而且,荧光体层的下部厚度在将放电串间距设为L时,可以是在L/2支点与上述后面基板和交叉的方向上的厚度。
而且,第1荧光体层的荧光体材质颗粒的D50可以为1.0μm以上2.0μm以下。
而且,第2荧光体层的荧光体材质颗粒的D50可以为1.5μm以上2.5μm以下。
而且,第3荧光体层的荧光体材质颗粒的D50可以为1.5μm以上2.5μm以下。
有益效果:本发明的等离子显示板通过调整荧光体层的厚度,增加可见光的发生量,具有提高影像亮度的效果。
附图说明
图1为介绍等离子显示板结构的图片;
图2为介绍等离子显示板的驱动方法的图片;
图3为介绍第2荧光体层的图片;
图4为介绍荧光体层的侧面部厚度和亮度之间关系的图片;
图5为介绍第2荧光体层的侧面部厚度和下部厚度之间关系的图片;
图6为介绍第3荧光体层的图片;
图7为介绍第3荧光体层的侧面部厚度和下部厚度之间关系的图片;
图8为介绍第1荧光体层的图片;
图9为介绍第1荧光体层的侧面部厚度和下部厚度之间关系的图片;
图10至图12为比较第1,2,3荧光体层的图片;
图13至图14为介绍荧光体颗粒大小的图片。
附图中主要部分符号说明:
101:前面基板 102:扫描电极
103:维持电极 104:上部电介质层
105:保护层 111:后面基板
112:障壁 113:寻址电极
114:荧光体层 115:下部电介质层
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明:
图1为介绍等离子显示板结构的图片。
分析图1,本发明一实例的等离子显示板可以包括形成并排的扫描电极(102,Y)和维持电极(103,Z)的前面基板101,和形成与扫描电极102及维持电极103交叉的寻址电极113的后面基板111。
可以在扫描电极102和维持电极103的上部,配置限制扫描电极(102,Y)和维持电极(103,Z)的放电电流,使扫描电极(102,Y)和维持电极(103,Z)之间绝缘的上部电介质层104。
可以在上部电介质层104的上部形成易化放电条件的保护层105。这种保护层105可以包含二次电子释放系数高的材料,例如氧化镁(MgO)材质。
而且,后面基板111上形成寻址电极(113,X),可以在这种寻址电极(113,X)的上部形成使寻址电极(113,X)绝缘的下部电介质层115。
同时,下部电介质层115的上部可以形成划分放电空间即放电串的条形(StripeType),井形(WellType),三角形(DeltaType),蜂窝形等障壁112。通过这种障壁112。由此,可以在前面基板101和后面基板111之间形成释放红色(Red:R)光的第1放电串,释放蓝色(Blue:B)光的第2放电串及释放绿色(Blue:B)光的第3放电串。
而且,除了第1,2,3放电串之外,可以再形成释放白色(White:W)或黄色(Yellow:Y)的第4放电串。
同时,第1,2,3放电串的宽度可以实际相同,也可以将第1放电串,第2放电串及第3放电串当中的一个以上的放电串的宽度设为与其他放电串宽度不同。
例如,可以设为释放红色(R)光的第1放电串的宽度最小,使释放绿色(G)光的第3放电串及释放蓝色(B)光的第1放电串宽度大于释放红色(R)光的第1放电串的宽度。则可以提高所显现的影像的色温特性。第2放电串的宽度可以与第3放电串的宽度实际相同或不同。
而且,不仅可以采用图1所示的障壁112结构,也可以采用多种形状的障壁结构。例如,障壁112包括互相交叉的第1障壁和第2障壁。在此可以采用,第1障壁高度与第2障壁高度互不相同的差分型障壁结构。在第1障壁或第2障壁当中至少任一个以上障壁形成可作为排气通道的频道(Channel)的频道型障壁结构,第1障壁或第2障壁当中至少任一个以上障壁形成槽(Hollow)的槽形障壁结构。
而且,图示和介绍了第1,2,3放电串分别在同一个线上的例子,但是也可以采用其他方式排列。比如第1,2,3放电串以三角形排列的三角洲(Delta)型的排列。放电串的形状也同样,不仅可以采取四角形,也可以采取五角形,六角形等多种多角形状。
而且,在此图1中只显示了障壁112形成在后面基板111上的例子,但是障壁112可以形成在前面基板201或后面基板111当中的至少一个上。
在此,由障壁112划分的放电串内充入放电气体。
同时,可以在由障壁112划分的放电串内形成寻址放电时释放显示图像的可见光的荧光体层114。例如,可以形成释放红光的第1荧光体层,释放蓝色光的第2荧光体层及释放绿色光的第3荧光体层。
而且,除了第1,2,3荧光体层之外,还可以再形成释放白色(White:W)及/或黄色(Yellow:Y)光的第4荧光体层。
以上介绍中只显示了上部电介质层104及下部电介质层115分别为一个层(Layer)的例子,但是这种上部电介质层104及下部电介质层104当中可以至少一个是由多个层组成。
同时,为了防止障壁112引起的外光反射,可以在障壁112的上部增设可以吸收外光的黑色层(图中未显示)。
而且,也可以在与障壁112对应的前面基板101上的特定位置增设黑色层(图中未显示)。
而且,形成在后面基板111上的寻址电极113的宽或厚度可以是一定值,但是放电串内的宽或厚度可以与放电串外部的宽或厚度不同。例如,放电串内部的宽或厚度大于放电串外部的宽或厚度。
图2为介绍等离子显示板的驱动方法的图片。
分析图2,可以在初始化的重置期间向扫描电极(Y)提供重置信号。重置信号可以包含上斜(Ramp-Up)信号和下斜(Ramp-Down)信号。
具体地说,在创建(Set-Up)期间内,向扫描电极提供上斜信号,由此创建期间内,放电串内通过上斜信号发生弱的暗放电(DarkDischarge)即创建放电。通过此创建放电,放电串内将积累某一程度的壁电荷(WallCharge)。
在创建期间之后的记忆(Set-Down)期间内,可以在上斜信号之后,向扫描电极(Y)提供与这种上斜信号相反极性方向的下斜信号。则放电串内发生微弱的消除放电(EraseDischarge),即记忆放电。通过此记忆放电,将在放电串内均匀残留可以稳定发生寻址放电的壁电荷。
在重置期间之后的寻址期间内,可以向扫描电极提供实际维持比下斜信号的最低电压(V5)更高电压,例如第6电压(V6)的扫描偏置信号。
同时,可以向扫描电极提供从扫描偏置信号开始下降的扫描信号。
同时,至少一个子字段的寻址期间内,向扫描电极提供的扫描信号(Scan)的脉冲宽度可以与其他子字段脉冲宽度不同。例如,在时间上位于后位的子字段中的扫描信号(Scan)宽度可以比在前面的子字段中的扫描信号(Scan)宽度更小。而且,子字段排列顺序的扫描信号(Scan)宽度减少可以采用2.6μs(微秒),2.3μs,2.1μs,1.9μs等渐进的方式,或采用2.6μs,2.3μs,2.3μs,2.1μs......1.9μs,1.9μs等方式。
向扫描电极提供扫描信号时,可以与扫描信号对应,向寻址电极(X)提供数据信号。
随着这些扫描信号和数据信号信号的供应,扫描信号与数据信号之间的电压之差将与,重置期间内生成的壁电荷引起的壁电压相加,由此在供应数据信号的放电串内产生寻址放电。
在此,在寻址期间内,为了防止维持电极(Z)的干涉引起寻址放电的不稳定,可以向维持电极提供维持偏置信号(Vzb)。
在此,维持偏置信号稳定维持小于在维持期间施加维持信号的电压,大于接地电平(GND)的电压的维持偏置电压(Vz)。
之后,在显示影像的维持期间内向扫描电极或维持电极当中的一个以上电极提供维持信号。例如,可以向扫描电极或维持电极交替施加维持信号。
若提供这样的维持信号,则通过寻址放电被选的放电串在随着放电串内壁电压和维持信号的维持电压(Vs)相加而提供维持信号时,在扫描电极和维持电极之间产生维持放电即显示放电。
同时,至少一个子字段中,在维持期间内提供多个维持信号,多个维持信号当中至少一个维持信号的脉冲宽度可以与其他维持信号的脉冲宽度不同。例如,多个维持信号当中,最早提供的维持信号的脉冲宽度大于其他维持信号的脉冲宽度。则,维持信号能够更稳定。
图3为介绍第2荧光体层的图片。
分析图3,第2荧光体层114B中侧面部厚度(t1)比下部厚度(t2)更厚。
在此,第2荧光体层114B的侧面部厚度在将障壁112高度设为h时,可以为在h/2支点与后面基板111并排方向上的厚度。
而且,第2荧光体层114B的下部厚度(t2)在将放电串间距设为L时,可以为在L/2支点与后面基板111交叉的方向上的厚度。
如此,在第2荧光体层114B中,将侧面部厚度(t1)设为相对比下部厚度(t2)更厚时,可见光的发生量会增加,从而提高体现的影像亮度。
参照图4,具体介绍荧光体层(114R,114B,114G)的侧面部厚度和亮度。
图4为介绍荧光体层的侧面部厚度和亮度关系的图片。
图4显示了,第1荧光体层的侧面部厚度约为19μm,下部厚度约为12μm,第2荧光体层的侧面部厚度约为26μm,下部厚度约为18μm,第3荧光体层的侧面部厚度约为26μm,下部厚度约为16μm的第1类型(Typel),和第1荧光体层的侧面部厚度约为19μm,下部厚度约为12μm,第2荧光体层的侧面部厚度约为33μm,下部厚度约为16μm,第3荧光体层的侧面部厚度约为27μm,下部厚度约为12μm的第2类型(Type2)的亮度特性。
可以得知,第1类型中,在所有放电串形成第1荧光体层之后测量的红色光的亮度约为153(cd/m2),第2类型中约为165(cd/m2)。
而且可以得知,第1类型中,在所有放电串形成第3荧光体层之后测量的绿色光的亮度约为366(cd/m2),第2类型中约为398(cd/m2)。
而且可以得知,第1类型中,在所有放电串形成第2荧光体层之后测量的蓝色光的亮度约为61(cd/m2),第2类型中约为65(cd/m2)。
而且,第1放电串中形成第1荧光体层,第2放电串在形成第2荧光体层,第3放电串中形成第3荧光体层时,第1类型中白色(White)光的亮度约为207(cd/m2),第2类型中约为222(cd/m2)。
分析以上的图4的数据时,可以得知,影像亮度随着荧光体层的下部厚度比侧面部厚度增加而增加。
图5为介绍第2荧光体层的侧面部厚度和下部厚度关系的图片。
图5显示了,第2荧光体层的侧面部厚度(t1)为下部厚度(t2)的1.32倍以上3.7倍以下的范围中,评价第2荧光体层的制造工序中的工序难易度和所显现的影像亮度的数据。◎表示影像亮度充分高或,工序难易度充分低因此很好,○表示相对良好,X表示很差。
首先,从影像亮度角度分析时可以得知,第2荧光体层的侧面部厚度(t1)为下部厚度(t2)的1.32倍时,第2荧光体层的侧面部厚度(t1)过薄,影像的亮度会过低,因此很差。
相反,第2荧光体层的侧面部厚度(t1)为下部厚度(t2)的1.48倍时,影像的亮度相对良好。
而且可以得知,第2荧光体层的侧面部厚度(t1)为下部厚度(t2)的1.64倍以上时,第2荧光体层的侧面部厚度(t1)充分厚,因此影像的亮度很好。
同时,从工序难易度的角度分析时可以得知,第2荧光体层的侧面部厚度(t1)为下部厚度(t2)的3.55倍以上3.7倍以下时,工序难易度很差。
为了在荧光体层的制造工序中,相对加厚侧面部厚度,在假设荧光体颗粒大小一致时,应增加荧光体组成物的粘度。
更具体地说,荧光体组成物的粘度相对低时,障壁和荧光体组成物之间的附着力会变弱,因此荧光体层的侧面部厚度会相对变薄。相反,荧光体组成物粘度过高时,可以充分加厚侧面部厚度,但是荧光体调配(Dispensing)工序时会堵塞调配装置的喷头(Nozzle),采用丝网印刷(ScreenPrinting)方法印刷荧光体组成物时,会过度增加工序所需的时间。因此,制造工序中的工序难易度会过度增高,因此工序难易度很差。
荧光体颗粒的大小或材质改变时,荧光体组成物的粘度和工序难易度特性之间关系也会变化。
相反可以得知,第2荧光体层的侧面部厚度(t1)为下部厚度(t2)的1.32倍以上1.48倍以下或,2.85倍以上3.2倍以下时,工序难易度相对良好。
而且可以得知,第2荧光体层的侧面部厚度(t1)为下部厚度(t2)的1.64倍以上2.6倍以下时,工序难易度很好。
分析以上图5的数据时,第2荧光体层的侧面部厚度(t1)最好是下部厚度(t2)的1.64倍以上3.2倍以下,最好是1.64倍以上2.6倍以下。
图6为介绍第3荧光体层的图片。以下将省略以上已经具体介绍的内容。分析图6,第3荧光体层114G中侧面部厚度(t3)可以比下部厚度(t4)更厚。如此,第3荧光体层114G中,将侧面部厚度(t3)设为相对比下部厚度(t4)更厚时,会增加可见光的发生量,从而提高显现的影像亮度。
图7为介绍第3荧光体层的侧面部厚度和下部厚度之间关系的图片。
图7显示了,在第3荧光体层的侧面部厚度(t3)为下部厚度(t4)的1.31倍以上3.2倍以下的范围内,评价第3荧光体层的制造工序中的工序难易度和显现影像的亮度的数据。◎表示影像亮度充分高,或工序难易度充分低,因此很好,
○表示相对良好,X表示很差。
首先,从影像的亮度角度分析时可以得知,第3荧光体层的侧面部厚度(t3)为下部厚度(t4)的1.31倍时,第3荧光体层的侧面部厚度(t3)会过薄,因此影像亮度过低而很差。
相反可以得知,第3荧光体层的侧面部厚度(t3)为下部厚度(t4)的1.6倍时,影像亮度相对良好。
而且可以得知,第3荧光体层的侧面部厚度(t3)为下部厚度(t4)的1.72倍以上时,第3荧光体层的侧面部厚度(t3)充分厚,因此影像亮度很好。
同时可以得知,从工序难易度角度分析时,第3荧光体层的侧面部厚度(t3)为下部厚度(t4)的3.2倍时,工序难易度很差。
相反可以得知,第3荧光体层的侧面部厚度(t3)为下部厚度(t4)的1.31倍或2.56倍以上3.0倍以下时,工序难易度相对良好。
而且可以得知,第3荧光体层的侧面部厚度(t3)为下部厚度(t4)的1.6倍以上2.4倍以下时,工序难易度很好。
分析以上图7的数据时,第3荧光体层的侧面部厚度(t3)最好是下部厚度(t4)的1.6倍以上3.0倍以下,最好为1.72倍以上2.4倍以下。
图8为介绍第1荧光体层的图片。以下将省略以上具体介绍的内容。
分析图8,则第1荧光体层114R中侧面部厚度(t5)可以比下部厚度(t6)更厚。如此,第1荧光体层114R中,将侧面部厚度(t5)设得相对比下部厚度(t6)更厚时,会增加可见光的发生量,会提高所显现的影像亮度。
图9为介绍第1荧光体层的侧面部厚度和下部厚度之间关系的图片。
图9显示了,在第1荧光体层的侧面部厚度(t5)为下部厚度(t6)的1.0倍以上3.4倍以下的范围内,评价第1荧光体层的制造工序中的工序难易度和显现影像的亮度的数据。◎表示影像亮度充分高,或工序难易度充分低,因此很好,○表示相对良好,X表示很差。
首先,从影像的亮度角度分析时可以得知,第1荧光体层的侧面部厚度(t5)为下部厚度(t6)的1.0倍时,第3荧光体层的侧面部厚度(t5)会过薄,因此影像亮度过低而很差。
相反可以得知,第1荧光体层的侧面部厚度(t5)为下部厚度(t6)的1.1倍时,工序难易度相对良好。
而且可以得知,第1荧光体层的侧面部厚度(t5)为下部厚度(t6)的1.2倍以上时,第1荧光体层的侧面部厚度(t5)充分厚,因此影像亮度很好。
同时,从工序难易度角度分析时可以得知,第1荧光体层的侧面部厚度(t5)为下部厚度(t6)的3.0倍以上3.4倍以下时,工序难易度很差。
相反可以得知,第1荧光体层的侧面部厚度(t5)为下部厚度(t6)的1.0倍或2.32倍以上2.72倍以下时,工序难易度相对良好。
而且可以得知,第1荧光体层的侧面部厚度(t5)为下部厚度(t6)的1.1倍以上2.0倍以下时,工序难易度很好。
分析以上图9的数据时,第1荧光体层的侧面部厚度(t5)最好为下部厚度(t6)的1.1倍以上2.72倍以下,最好为1.2倍以上2.0倍以下。
图10至图12为比较第1,2,3荧光体层的图片。
首先分析图10,则第2荧光体层114B的侧面部厚度(t20)可以比第1荧光体层114R的侧面部厚度(t10)及第3荧光体层114G的侧面部厚度(t30)更厚。而且,第3荧光体层114G的侧面部厚度(t30)可以比第1荧光体层114R的侧面部厚度(t10)更厚。
如此,第2荧光体层114B的侧面部厚度(t20)比第1荧光体层114R的侧面部厚度(t10)及第3荧光体层114G的侧面部厚度(t30)更厚时,蓝色光的发生量比红色光及绿色光的发生量更多,从而可以提高影像色温。
以下,分析图11时,第2荧光体层114B的下部厚度(t12)可以比第1荧光体层114R的下部厚度(t11)更厚。而且,第3荧光体层114G的下部厚度(t13)可以比第1荧光体层114R的下部厚度(t11)更厚,而且第2荧光体层114B的下部厚度(t12)可以比第3荧光体层114G的下部厚度(t13)更厚。
如此,第2荧光体层114B的下部厚度(t12)比第1荧光体层114R的下部厚度(t11)更厚时,蓝色光的发生量比红色光的发生量更多,因此可以提高影像的色温。
以下,分析图12,则第2荧光体层114B间距(Pitch)(L2)可以比第1荧光体层114R间距(L1)更长。而且,第3荧光体层114G间距(L3)可以比第1荧光体层114R间距(L1)更长,而且第2荧光体层114B间距(L2)可以比第3荧光体层114G间距(L3)更长。
如此,第2荧光体层114B间距(L2)比第1荧光体层114R间距(L1)更长时,蓝色光的发生量比红色光的发生量更多,因此可以提高影像色温。
图13至图14为介绍荧光体颗粒大小的图片。
首先,分析图13,则第1荧光体层的荧光体材质颗粒的D50可以为1.0μm以上2.0μm。在此,D50为1.0μm以上2.0μm以下表示,整体颗粒的约为50%左右的粒度为1.0μm以上2.0μm以下。
例如,假设第1荧光体层的荧光体材质的D50约为5μm。此时,第1荧光体层的荧光体材质的粒度过大,而且其重量也大,因此进行第1荧光体层的制造工序时,荧光体材质的颗粒不能充分粘到障壁上,因此第1荧光体层的侧面部厚度会过薄。
相反,第1荧光体层的荧光体材质颗粒的D50为1.0μm以上2.0μm以下,第1荧光体层的荧光体材质的粒度充分小时,进行第1荧光体层的制造工序时,荧光体材质可以充分粘贴到障壁上,由此可以充分加厚第1荧光体层侧面厚度。
而且,第2荧光体层的荧光体材质颗粒的D50可以为1.5μm以上2.5μm以下。
而且,第3荧光体层的荧光体材质颗粒的D50可以为1.5μm以上2.5μm以下。
如上所述,设置第2荧光体层的荧光体材质颗粒或第3荧光体层的荧光体材质颗粒的粒度时,可以充分加厚第2荧光体层或第3荧光体层的侧面部厚度。
以下,图14的(a)中显示第2荧光体层的荧光体材质颗粒的D50为4.5μm时的一例,(b)中显示了第2荧光体层的荧光体材质颗粒的D50为2μm时的一例。使用(a)和(b)的荧光体材质,分别形成多个第2荧光体层,多个第2荧光体层中测量了侧面部厚度和下部厚度。
分析测量结果时可以得知,(a)中,第一个第2荧光体层的左侧侧面部厚度(t100)约为25.3μm,右侧侧面部厚度(120)约为28.3μm,下部厚度(t110)为17.3μm。而且可以得知,第二个第2荧光体层的左侧侧面部厚度(t100)约为32.3μm,右侧侧面部厚度(t120)约为33.6μm,下部厚度(t110)为21.3μm。
而且可以得知,(a)中,平均为第2荧光体层的左侧侧面部厚度(t100)约为26.5μm,右侧侧面部厚度(t120)约为28.2μm,下部厚度(t110)为17.8μm。相反可以得知,(b)中,第一个第2荧光体层的左侧侧面部厚度(t130)约为32.5μm,右侧侧面部厚度(150)约为34.6μm,下部厚度(t140)为16.7μm。而且可以得知,第二个第2荧光体层的左侧侧面部厚度(t130)约为30.8μm,右侧侧面部厚度(t150)约为26.4μm,下部厚度(t140)为14.1μm。
而且,(b)中,平均为第2荧光体层的左侧侧面部厚度(t130)约为33.1μm,右侧侧面部厚度(t150)约为31.7μm,下部厚度(t140)为16.0μm。
分析以上的图14数据时,第2荧光体材质颗粒的D50为2μm,相对小时,第2荧光体层的侧面部厚度可以比下部厚度充分厚。
由此,可以理解,上述本发明的技术组成是本发明所属技术领域的业内人士不对本发明的技术思想或必要特点进行变更,就可以以其他具体形式实施。
因此,应理解以上所记述的实例是在各方面的例示,并不是为限制。比上述详细介绍,更能显示本发明的范围的是后述的专利申请范围,应解释为从专利申请范围的意义及范围且其等价观念导出的所有变更或变更形式都包括在本发明的范围。
Claims (10)
1、一种等离子显示板,包括:前面基板;与上述前面基板对置配置,并配置下部电介质层的后面基板;在上述前面基板和后面基板之间划分放电串的障壁;及配置在上述放电串的荧光体层;荧光体层包括释放红色光的第1荧光体层,释放蓝色光的第2荧光体层及释放绿色光的第3荧光体层,其特征在于:上述第2荧光体层的侧面部厚度可以为下部厚度的1.64倍以上3.2倍以下的等离子显示板。
2、根据权利要求1所述的等离子显示板,其特征在于:上述第2荧光体层的侧面部厚度可以为下部厚度的1.64倍以上2.6倍以下的等离子显示板。
3、根据权利要求1所述的等离子显示板,其特征在于:上述第3荧光体层的侧面部厚度万下部厚度的1.72倍以上2.4倍以下的等离子显示板。
4、根据权利要求1所述的等离子显示板,其特征在于:上述第1荧光体层的侧面部厚度为下部厚度的1.2倍以上2.0倍以下的等离子显示板。
5、根据权利要求1所述的等离子显示板,其特征在于:上述第2荧光体层的侧面部厚度比上述第1荧光体层及上述第3荧光体层当中至少一个的侧面部厚度更厚的等离子显示板。
6、根据权利要求1所述的等离子显示板,其特征在于:上述荧光体层的侧面部厚度在将上述障壁的高度设为h时,可以是在h/2支点中与上述后面基板并排方向上的厚度的等离子显示板。
7、根据权利要求1所述的等离子显示板,其特征在于:上述荧光体层的下部厚度在将上述放电串间距设为L时,可以是在L/2支点与上述后面基板和交叉的方向上的厚度的等离子显示板。
8、根据权利要求1所述的等离子显示板,其特征在于:上述第1荧光体层的荧光体材质颗粒的D50为1.0μm以上2.0μm的等离子显示板。
9、根据权利要求1所述的等离子显示板,其特征在于:上述第2荧光体层的荧光体材质颗粒的D50为1.5μm以上2.5μm以下的等离子显示板。
10、根据权利要求1所述的等离子显示板,其特征在于:上述第3荧光体层的荧光体材质颗粒的D50为1.5μm以上2.5μm以下的等离子显示板。
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