CN101399253A - 激光切割熔丝方法及其测试结构和方法、测试晶圆 - Google Patents

Abstract

一种激光切割熔丝的测试结构，包括第一熔丝和第二熔丝，第一熔丝、第二熔丝间隔排列，第一熔丝电性连接形成串联熔丝链，第一熔丝、第二熔丝电性连接形成并联熔丝链。所述的测试结构还包括分别电性连接串联熔丝链两端的第一电极垫、第二电极垫，与并联熔丝链没有连接第一电极垫、第二电极垫的一端电性连接的第三电极垫。采用所述的测试结构对激光切割熔丝进行测试，能够预测激光对熔丝的切割效果，以此调整激光器的参数来产生可以准确切割熔丝的激光。本发明还公开了一种激光切割熔丝的测试方法、激光切割熔丝的方法及测试晶圆。

Description

激光切割熔丝方法及其测试结构和方法、测试晶圆

技术领域

本发明涉及半导体器件的熔丝切割工艺，尤其涉及激光切割熔丝的测试结构和方法、激光切割熔丝的方法、以及测试晶圆。

背景技术

一般半导体存储器例如动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic RandomAccess Memory)中的存储单元是以阵列的方式排列，存储器的阵列除了用以执行正常存储动作的核心阵列外，还包括冗余阵列。所谓“冗余阵列”是指在芯片(Die)上多制作几条行列或纵列，这些行列或纵列平常没有作用，但是在晶圆(Wafer)设计出来后，通过测试晶圆上的芯片发现核心阵列中存在有缺陷的阵列时，则会以特定的程序去判断发生缺陷的位置，再进行冗余阵列的修复工艺，经过修复后，冗余阵列会取代缺陷阵列，而使核心阵列中原本存在缺陷的阵列转变成有效阵列。

冗余阵列的修复工艺是对选定的冗余阵列的熔丝(fuse)进行切割，以激活冗余阵列来替代缺陷阵列。切割熔丝的方法如专利号为ZL95109196.4，发明名称为“采用激光对产生缺陷的元件进行修复的方法”的中国发明专利所述，通过激光器产生的激光光束照射并切断熔丝。目前，在使用激光器产生的激光照射冗余阵列的熔丝时，可以通过调整激光器的各种参数例如激光光斑(Spot)尺寸、激光能量以及激光照射时间来控制激光光束对熔丝进行准确的切割。

现有技术中，在进行激光切割熔丝时，通常都是先根据经验设定激光器的参数，再使用产生的激光直接对芯片上选定的熔丝进行切割。然而，在实际生产制造过程中，芯片上的熔丝结构可能会存在差异，例如熔丝的尺寸、相邻熔丝的间距、熔丝表面残留的氧化层(Oxide)厚度等，因此，不同的激光光斑(Spot)尺寸、激光能量以及激光照射时间，对不同的熔丝的切割效果也会有差异：如果激光光斑尺寸较小、激光能量过小、或激光照射时间过短，则不能完全切割开选定的熔丝；如果激光光斑尺寸较大或者激光能量过大，除选定的熔丝之外，相邻不需要切割的熔丝就可能会被损伤到。能否准确地切割开选定的熔丝而不损伤相邻的熔丝是熔丝切割工艺中最为关键的要素，因为采用激光切割熔丝是不可重做(rework)的，一旦选定的熔丝没有被完全切割开或是不需要切割的熔丝被损伤到，就可能会导致修复失败，进而严重地影响芯片的成品率和可靠性。

因此，有必要提供一种测试结构和方法，能够预测激光对熔丝的切割效果，再根据预测的切割效果分析和调整激光器的参数，以使激光器产生可以准确地切割熔丝的激光。

发明内容

本发明解决的问题是，提供一种激光切割熔丝方法及其测试结构和方法、测试晶圆，能够预测激光对熔丝的切割效果。

为解决上述问题，本发明提供一种激光切割熔丝的测试结构，包括：第一熔丝和第二熔丝，第一熔丝、第二熔丝间隔排列，第一熔丝电性连接形成串联熔丝链，第一熔丝、第二熔丝电性连接形成并联熔丝链。

在本发明的实施方式中，所述各熔丝的间距相等。所述第一熔丝形成的串联熔丝链为迂回曲折结构的串联熔丝链，所述第二熔丝电性连接形成两条梳状结构的熔丝链，所述第一熔丝、第二熔丝形成的并联熔丝链包括两条并联熔丝链。所述测试结构还包括分别电性连接所述串联熔丝链两端的第一电极垫、第二电极垫，将两条并联熔丝链电性连接在一起的第三电极垫；或者所述测试结构还包括分别电性连接所述串联熔丝链两端的第一电极垫、第二电极垫，分别与两条并联熔丝链没有连接第一电极垫、第二电极垫的一端电性连接的第三电极垫、第四电极垫。

为解决上述问题，本发明还提供一种激光切割熔丝的测试方法，包括：

提供激光切割熔丝的测试结构，所述测试结构包括第一熔丝和第二熔丝，第一熔丝、第二熔丝间隔排列，第一熔丝电性连接形成串联熔丝链，第一熔丝、第二熔丝电性连接形成并联熔丝链；

采用激光对所述并联熔丝链的第二熔丝进行切割；

在并联熔丝链的两端加电压，测量并联熔丝链的两端的电流，若测量到漏电流，则判定并联熔丝链中有第二熔丝没有被完全切割开；

在串联熔丝链的两端加电压，测量串联熔丝链的两端的电流，若没有测量到电流或测量到有漏电流，则判定串联熔丝链中有第一熔丝被误切割到。

可选的，所述提供激光切割熔丝的测试结构是在晶圆的分割区域放置所述的测试结构。

根据上述测试方法，本发明又提供一种激光切割熔丝的方法，包括下述步骤：

提供激光切割熔丝的测试结构，所述测试结构包括第一熔丝和第二熔丝，第一熔丝、第二熔丝间隔排列，第一熔丝电性连接形成串联熔丝链，第一熔丝、第二熔丝电性连接形成并联熔丝链；

采用激光对所述并联熔丝链的第二熔丝进行切割；

在并联熔丝链的两端加电压，测量并联熔丝链的两端的电流，若测量到漏电流，则判定并联熔丝链中有第二熔丝没有被完全切割开，调整激光器的参数；

在串联熔丝链的两端加电压，测量串联熔丝链的两端的电流，若没有测量到电流或测量到有漏电流，则判定串联熔丝链中有第一熔丝被误切割到，调整激光器的参数；

采用激光对芯片上选定的熔丝进行切割。

可选的，所述调整激光器的参数的步骤包括：

若并联熔丝链中有第二熔丝没有被完全切割开，则增加激光光斑尺寸、激光能量和激光照射时间之其中一者或者其结合；

若串联熔丝链中有第一熔丝被误切割到，则减小激光光斑尺寸、激光能量和激光照射时间之其中一者或者其结合。

本发明还提供一种测试晶圆，包括：放置在晶圆的分割区域或芯片区域的测试结构，所述的测试结构包括第一熔丝和第二熔丝，第一熔丝、第二熔丝间隔排列，第一熔丝电性连接形成串联熔丝链，第一熔丝、第二熔丝电性连接形成并联熔丝链。

相较于现有技术，上述技术方案提供了一种激光切割熔丝的测试结构，包括由第一熔丝电性连接形成的串联熔丝链，第一熔丝、第二熔丝电性连接形成的并联熔丝链，其中，第一熔丝、第二熔丝间隔排列。采用激光对测试结构的并联熔丝链的第二熔丝进行切割，而不对第一熔丝进行切割，利用串联电路和并联电路的电性特性可以预先测试激光对熔丝的切割效果，再根据预测的切割效果分析和调整激光器的参数，以使激光器产生的激光可以准确地切割开芯片上选定的熔丝并且不会损伤到相邻的熔丝。因此，上述技术方案降低了现有技术中采用激光直接对芯片上选定的熔丝进行切割而导致修复失败的可能性，进而可以提高芯片的成品率和可靠性。

附图说明

图1A至1D是本发明第一实施例的激光切割熔丝的测试结构及其切割效果示意图；

图1E是本发明第一实施例的激光切割熔丝的测试方法的流程图；

图2是本发明第二实施例的激光切割熔丝的测试结构示意图；

图3是本发明第三实施例的激光切割熔丝的测试结构示意图；

图4是本发明实施例的激光切割熔丝的方法的流程图。

具体实施方式

本发明实施例提供的激光切割熔丝的测试结构，包括多个第一熔丝电性连接形成的串联熔丝链，多个第一熔丝、多个第二熔丝电性连接形成的并联熔丝链，其中，一个第一熔丝间隔一个第二熔丝排列。采用激光对所述并联熔丝链的第二熔丝进行切割而不对第一熔丝进行切割，并且利用串联电路和并联电路的电性特性可以测试激光对熔丝的切割效果，即激光器产生的激光是否可以准确地切割开选定的熔丝并且不会损伤到相邻的熔丝。下面结合附图和较佳实施例对本发明的具体实施方式做详细的说明。

第一实施例

图1A至1D是本实施例的激光切割熔丝的测试结构及其切割效果示意图；图1E是本实施例的激光切割熔丝的测试方法的流程图。

步骤S11，提供如图1A所示的激光切割熔丝的测试结构1。本实施例中，所述的测试结构1放置在晶圆的分割区域(scribe line，即晶圆表面的芯片与芯片之间预留给切割器分割芯片所需的空白面积)，用于模拟芯片上熔丝的实际生产状况。

所述的测试结构1包括多个第一熔丝40和多个第二熔丝42，第一熔丝、第二熔丝间隔排列，即一个第一熔丝40间隔一个第二熔丝42排列，各熔丝间的间距相等或基本相等。第一熔丝40电性连接形成一条迂回曲折(Serpentine)结构的串联熔丝链10，第二熔丝42电性连接形成两条梳状(Comb)结构的熔丝链，即各个第二熔丝42的一端电性连接在串联熔丝链10上且与其相邻的第一熔丝40电性连接，另一端电性连接在一起且与串联熔丝链10不相交，因此，第一熔丝40、第二熔丝42电性连接形成两条并联熔丝链20、30。

第一熔丝40、第二熔丝42的尺寸以及相邻的第一熔丝40和第二熔丝42的间距根据晶圆上芯片的规格确定，即与芯片上实际的熔丝的宽度和间距相同或基本相同，这样的熔丝结构和排列方式能够模拟芯片上熔丝的实际状况。另外，第一熔丝40、第二熔丝42的数量根据晶圆的分割区域的面积确定。

图1A所示的测试结构1还包括第一电极垫A、第二电极垫B、第三电极垫C。第一电极垫A电性连接串联熔丝链10的一端，第二电极垫B电性连接串联熔丝链10的另一端。第三电极垫C电性连接并联熔丝链20没有连接第一电极垫A、第二电极垫B的一端，同时电性连接并联熔丝链30没有连接第一电极垫A、第二电极垫B的一端，即第三电极垫C将两条并联熔丝链20、30电性连接在一起，由此形成一条并联熔丝链，第一电极垫A和第三电极垫C间的并联熔丝链与第二电极垫B和第三电极垫C间的并联熔丝链是等效的。

第一熔丝40、第二熔丝42的材料与芯片上的熔丝相同，通常为铝；第一电极垫A、第二电极垫B、第三电极垫C采用金属材料制成，例如为铝垫、铜垫等，其可以是晶圆上原有的用于其它测试的电极垫，也可以是新增加的专用于测试结构1的电极垫。第一熔丝40、第二熔丝42、第一电极垫A、第二电极垫B、第三电极垫C之间采用例如为金属线的导电介质实现电性连接。

步骤S12，采用激光对并联熔丝链的第二熔丝42进行切割。如图1B所示，控制激光器产生的激光切割第二熔丝42而不对第一熔丝40进行切割，也就是说，希望激光能够完全切割开第二熔丝42而不损伤相邻的第一熔丝40。

步骤S13，在并联熔丝链的两端加电压，测量并联熔丝链的两端的电流。如图1C所示，在第一电极垫A、第三电极垫C加电压，测量第一电极垫A和第三电极垫C间的电流。本实施例是在并联熔丝链两端的电极垫上加电压，实际上，测试结构1也可以不包括电极垫，而直接将电压加在并联熔丝链两端的导电介质上。

步骤S14，判断在并联熔丝链的两端是否测量到电流。若是，即在并联熔丝链的两端测量到了电流，则进行步骤S15；若否，即在并联熔丝链的两端没有测量到电流，则进行步骤S16。

步骤S15，若测量到电流，则判定并联熔丝链中有第二熔丝42没有被完全切割开。根据并联电路的特性，如果并联熔丝链的第二熔丝42都被完全切割开，第一电极垫A、第三电极垫C应是断开的，即不会测量到电流，因此，如果在第一电极垫A和第三电极垫C间测量到线性的漏电流，则说明有第二熔丝42没有被完全切割开而使第一电极垫A、第三电极垫C连接，如图1C所示的熔丝420即没有被切割开而使第一电极垫A、第三电极垫C连接，并且电流的大小会随没有切割开的第二熔丝的数目的增加而增加。本实施例中，电压是加在第一电极垫A、第三电极垫C上，实际上，由于第一电极垫A和第三电极垫C间的并联熔丝链与第二电极垫B和第三电极垫C间的并联熔丝链是等效的，因此，也可以在第二电极垫B、第三电极垫C加电压，并通过测量第二电极垫B和第三电极垫C间的电流来判定并联熔丝链中是否有没有被完全切割开的第二熔丝42。

步骤S16，若没有测量到电流，则在串联熔丝链10的两端加电压，测量串联熔丝链10的两端的电流。如图1D所示，在第一电极垫A、第二电极垫B加电压，测量第一电极垫A和第二电极垫B间的电流。本实施例是在串联熔丝链两端的电极垫上加电压，实际上，测试结构1也可以不包括电极垫，而直接将电压加在串联熔丝链两端的导电介质上。

步骤S17，判断在串联熔丝链10的两端是否测量到明显的线性电流。若是，即在串联熔丝链10的两端测量到明显的线性电流，则进行步骤S18；若否，即在串联熔丝链10的两端没有测量到电流或测量到少量的漏电流，则进行步骤S19。

步骤S18，若测量到有明显的线性电流，则判定激光器产生的激光可以将选定的熔丝(第二熔丝42)完全切割开并且不会损伤到相邻的熔丝(第一熔丝40)。由于串联熔丝链10的第一熔丝40串联在第一电极垫A和第二电极垫B之间，根据串联电路的特性，如果第一熔丝40都没有被切割到(即被误损伤到)，则第一电极垫A和第二电极垫B应是连接的，即会测量到明显的线性电流。

步骤S19，若没有测量到电流或测量到有少量的漏电流，则判定串联熔丝链10中有第一熔丝40被误切割到。如果在第一电极垫A和第二电极垫B间没有测量到电流或测量到有少量的漏电流，则说明有第一熔丝40被误切割到而使第一电极垫A、第二电极垫B断开或没有完全连接，如图1D所示的熔丝400即被误切割开而使第一电极垫A、第二电极垫B断开。

上述激光切割熔丝的测试方法也可以先进行判定熔丝被误切割到的步骤，再进行判定熔丝没有被完全切割开的步骤。即先进行步骤S16，在串联熔丝链10的两端加电压，测量串联熔丝链10的两端的电流；接着进行步骤S17，判断在串联熔丝链10的两端是否测量到明显的线性电流，若在串联熔丝链10的两端没有测量到电流或测量到少量的漏电流，则进行步骤S19，判定串联熔丝链10中有第一熔丝40被误切割到；若在串联熔丝链10的两端测量到明显的线性电流，则进行步骤S13，在并联熔丝链的两端加电压，测量并联熔丝链的两端的电流；接着进行步骤S14，判断在并联熔丝链的两端是否测量到电流，若在并联熔丝链的两端测量到了电流，则进行步骤S15，判定并联熔丝链中有第二熔丝42没有被完全切割开；若在并联熔丝链的两端没有测量到电流，则判定激光器产生的激光可以将选定的熔丝完全切割开并且不会损伤到相邻的熔丝。

第二实施例

请参考图2，本实施例的激光切割熔丝的测试结构2与第一实施例的测试结构1中，熔丝的排列方式相同，即一个第一熔丝40间隔一个第二熔丝42排列，但区别在于：第一熔丝40与第二熔丝42的排列位置相反，即第一实施例中，与电极垫A最近的熔丝为第一熔丝40；本实施例中，与电极垫A最近的熔丝为第二熔丝42。

测试结构2包括由第一熔丝40电性连接形成的串联熔丝链11，由第一熔丝40、第二熔丝42电性连接形成的两条并联熔丝链21、31，分别电性连接在串联熔丝链11两端的第一电极垫A、第二电极垫B，将并联熔丝链21、31电性连接在一起形成一条并联熔丝链的第三电极垫C。在对测试结构2进行测试时，控制激光器产生的激光切割第二熔丝42而不对第一熔丝40进行切割，其后的测试步骤与第一实施例相同，在此不予重复。

第三实施例

如图3所示，本实施例的激光切割熔丝的测试结构3与第一实施例的测试结构1的区别在于：第一实施例的第三电极垫C将两条并联熔丝链20、30电性连接在一起形成一条并联熔丝链，因此，在第一电极垫A、第三电极垫C加电压，通过测量第一电极垫A和第三电极垫C间的电流即可以判定两条并联熔丝链20、30中是否有第二熔丝42没有被完全切割开。本实施例的两条并联熔丝链20、30没有电性连接在一起，第三电极垫C电性连接并联熔丝链20没有连接第一电极垫A、第二电极垫B的一端，第一电极垫A和第三电极垫C间的并联熔丝链20与第二电极垫B和第三电极垫C间的并联熔丝链20是等效的；第四电极垫D电性连接并联熔丝链30没有连接第一电极垫A、第二电极垫B的一端，第一电极垫A和第四电极垫D间的并联熔丝链30与第二电极垫B和第四电极垫D间的并联熔丝链30是等效的。

对本实施例的测试结构3进行测试，可以分别判定并联熔丝链20、30中是否有第二熔丝42没有被完全切割开，即在第一电极垫A、第三电极垫C加电压，通过测量第一电极垫A和第三电极垫C间的电流判定并联熔丝链20中是否有第二熔丝42没有被完全切割开；在第一电极垫A、第四电极垫D加电压，通过测量第一电极垫A和第四电极垫D间的电流判定并联熔丝链30中是否有第二熔丝42没有被完全切割开，这样有利于查找具体是哪个或哪些熔丝没有被完全切割开。

对应于上述激光切割熔丝的测试方法，本发明还提供一种激光切割熔丝的方法，如图4所示。

步骤S41，提供激光切割熔丝的测试结构，包括多个第一熔丝和多个第二熔丝，一个第一熔丝间隔一个第二熔丝排列，第一熔丝电性连接形成串联熔丝链，第一熔丝、第二熔丝电性连接形成并联熔丝链。本实施例中，所述测试结构如图1A所示。

步骤S42，采用激光切割并联熔丝链的第二熔丝，而不对第一熔丝进行切割。

步骤S43，在并联熔丝链的两端加电压，测量并联熔丝链的两端的电流。

步骤S44，判断在并联熔丝链的两端是否测量到电流。若是，即在并联熔丝链的两端测量到了电流，则进行步骤S45；若否，即在并联熔丝链的两端没有测量到电流，则进行步骤S46。

步骤S45，若测量到电流，则判定并联熔丝链中有第二熔丝没有被完全切割开，进行步骤S50。

步骤S46，在串联熔丝链的两端加电压，测量串联熔丝链的两端的电流。

步骤S47，判断在串联熔丝链的两端是否测量到明显的线性电流。若是，即在串联熔丝链的两端测量到明显的线性电流，则进行步骤S48；若否，即在串联熔丝链的两端没有测量到电流或测量到少量的漏电流，则进行步骤S49。

步骤S48，若测量到有明显的线性电流，则判定激光可以完全切割开选定的熔丝(第二熔丝)并且不会损伤到相邻的熔丝(第一熔丝)，进行步骤S51。

步骤S49，若没有测量到电流或测量到少量的漏电流，则判定串联熔丝链中有第一熔丝被误切割到。

步骤S50，调整激光器的参数。根据步骤S45和S49预测的切割效果进行失效分析，并通过调整激光器的参数使激光器产生的激光可以准确地切割开芯片上选定的熔丝并且不会损伤到相邻的熔丝，其中，调整激光器的参数是指改变激光光斑尺寸、激光能量和激光照射时间，本步骤进一步包括：

若并联熔丝链中有第二熔丝没有被完全切割开，则增加激光光斑尺寸、激光能量和激光照射时间之其中一者或者其结合。

若串联熔丝链中有第一熔丝被误切割到，则减小激光光斑尺寸、激光能量和激光照射时间之其中一者或者其结合。

步骤S51，采用激光对芯片上选定的熔丝进行切割。若在并联熔丝链的两端没有测量到电流，并且在串联熔丝链的两端测量到有明显的线性电流，采用激光对芯片上选定的熔丝进行切割。另外，在调整激光器的参数后，可以采用调整后的激光重新对图1A所示的测试结构进行测试，也可以采用调整后的激光直接对芯片上选定的熔丝进行切割。

测试结构和上述步骤S41至S49在第一实施例中已有对应的详细描述，并且上述激光切割熔丝的方法也可以先进行判定熔丝被误切割到的步骤，再进行判定熔丝没有被完全切割开的步骤，在此即不予重复说明。

本发明实施例还提供一种测试晶圆，包括：放置在晶圆上的测试结构，所述的测试结构包括多个第一熔丝和多个第二熔丝，一个第一熔丝间隔一个第二熔丝排列，第一熔丝电性连接形成串联熔丝链，第一熔丝、第二熔丝电性连接形成并联熔丝链。所述晶圆包括已形成有实际电路的芯片区域，测试结构可以放置在所述晶圆的分割区域，用于模拟与其相近的芯片上的实际电路，晶圆的分割区域是指晶圆表面的芯片与芯片之间预留给切割器分割芯片所需的空白面积。另外，测试结构也可以放置在空白晶圆的芯片区域或分割区域，即所述晶圆仅用于测试。测试结构的放置方向不限于图1A、图2和图3所示的横向放置，也可以是纵向放置。测试结构在上述实施例中已有详细的说明，在此不予重复。

综上所述，上述技术方案提供了一种激光切割熔丝的测试结构，包括多个第一熔丝和多个第二熔丝，一个第一熔丝间隔一个第二熔丝排列，第一熔丝电性连接形成串联熔丝链，第一熔丝、第二熔丝电性连接形成并联熔丝链，采用激光切割并联熔丝链的第二熔丝而不对第一熔丝进行切割，利用串联电路和并联电路的电性特性可以预先测试激光对熔丝的切割效果，再根据预测的切割效果分析和调整激光器的参数，以使激光器产生的激光可以准确地切割开芯片上选定的熔丝并且不会损伤到相邻的熔丝。因此，上述技术方案降低了现有技术中采用激光直接对芯片上选定的熔丝进行切割而导致修复失败的可能性，进而可以提高芯片的成品率和可靠性。

本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims (23)

1.一种激光切割熔丝的测试结构，其特征在于，包括：第一熔丝和第二熔丝，第一熔丝、第二熔丝间隔排列，第一熔丝电性连接形成串联熔丝链，第一熔丝、第二熔丝电性连接形成并联熔丝链。

2.根据权利要求1所述的激光切割熔丝的测试结构，其特征在于，所述各熔丝的间距相等。

3.根据权利要求1所述的激光切割熔丝的测试结构，其特征在于，所述第一熔丝形成的串联熔丝链为迂回曲折结构的串联熔丝链，所述第二熔丝电性连接形成两条梳状结构的熔丝链，所述第一熔丝、第二熔丝形成的并联熔丝链包括两条并联熔丝链。

4.根据权利要求3所述的激光切割熔丝的测试结构，其特征在于，还包括：分别电性连接所述串联熔丝链两端的第一电极垫、第二电极垫，将两条并联熔丝链电性连接在一起的第三电极垫。

5.根据权利要求3所述的激光切割熔丝的测试结构，其特征在于，还包括：分别电性连接所述串联熔丝链两端的第一电极垫、第二电极垫，分别与两条并联熔丝链没有连接第一电极垫、第二电极垫的一端电性连接的第三电极垫、第四电极垫。

6.一种激光切割熔丝的测试方法，其特征在于，包括：

提供激光切割熔丝的测试结构，所述测试结构包括第一熔丝和第二熔丝，第一熔丝、第二熔丝间隔排列，第一熔丝电性连接形成串联熔丝链，第一熔丝、第二熔丝电性连接形成并联熔丝链；

采用激光对所述并联熔丝链的第二熔丝进行切割；

在并联熔丝链的两端加电压，测量并联熔丝链的两端的电流，若测量到电流，则判定并联熔丝链中有第二熔丝没有被完全切割开；

在串联熔丝链的两端加电压，测量串联熔丝链的两端的电流，若没有测量到电流或测量到有漏电流，则判定串联熔丝链中有第一熔丝被误切割到。

7.根据权利要求6所述的激光切割熔丝的测试方法，其特征在于，所述提供激光切割熔丝的测试结构是在晶圆的分割区域放置所述的测试结构。

8.根据权利要求6所述的激光切割熔丝的测试方法，其特征在于，所述测试结构的各熔丝的间距相等。

9.根据权利要求6所述的激光切割熔丝的测试方法，其特征在于，所述测试结构的第一熔丝形成的串联熔丝链为迂回曲折结构的串联熔丝链，所述第二熔丝电性连接形成两条梳状结构的熔丝链，所述第一熔丝、第二熔丝形成的并联熔丝链包括两条并联熔丝链。

10.根据权利要求9所述的激光切割熔丝的测试方法，其特征在于，所述测试结构还包括分别电性连接所述串联熔丝链两端的第一电极垫、第二电极垫，将两条并联熔丝链电性连接在一起的第三电极垫，所述在并联熔丝链的两端加电压是在第一电极垫、第三电极垫加电压或在第二电极垫、第三电极垫加电压；所述在串联熔丝链的两端加电压是在第一电极垫、第二电极垫加电压。

11.根据权利要求9所述的激光切割熔丝的测试方法，其特征在于，所述测试结构还包括分别电性连接所述串联熔丝链两端的第一电极垫、第二电极垫，分别与两条并联熔丝链没有连接第一电极垫、第二电极垫的一端电性连接的第三电极垫、第四电极垫，所述在并联熔丝链的两端加电压是在第一电极垫、第三电极垫加电压或在第二电极垫、第三电极垫加电压，以及在第一电极垫、第四电极垫加电压或在第二电极垫、第四电极垫加电压；所述在串联熔丝链的两端加电压是在第一电极垫、第二电极垫加电压。

12.一种激光切割熔丝的方法，其特征在于，包括下述步骤：

提供激光切割熔丝的测试结构，所述测试结构包括第一熔丝和第二熔丝，第一熔丝、第二熔丝间隔排列，第一熔丝电性连接形成串联熔丝链，第一熔丝、第二熔丝电性连接形成并联熔丝链；

采用激光对所述并联熔丝链的第二熔丝进行切割；

在并联熔丝链的两端加电压，测量并联熔丝链的两端的电流，若测量到电流，则判定并联熔丝链中有第二熔丝没有被完全切割开，调整激光器的参数；

在串联熔丝链的两端加电压，测量串联熔丝链的两端的电流，若没有测量到电流或测量到有漏电流，则判定串联熔丝链中有第一熔丝被误切割到，调整激光器的参数；

采用激光对芯片上选定的熔丝进行切割。

13.根据权利要求12所述的激光切割熔丝的方法，其特征在于，所述提供激光切割熔丝的测试结构是在晶圆的分割区域放置所述的测试结构。

14.根据权利要求12所述的激光切割熔丝的方法，其特征在于，所述测试结构的各熔丝的间距相等。

15.根据权利要求12所述的激光切割熔丝的方法，其特征在于，所述测试结构的第一熔丝形成的串联熔丝链为迂回曲折结构的串联熔丝链，所述第二熔丝电性连接形成两条梳状结构的熔丝链，所述第一熔丝、第二熔丝形成的并联熔丝链包括两条并联熔丝链。

16.根据权利要求15所述的激光切割熔丝的方法，其特征在于，所述测试结构还包括分别电性连接所述串联熔丝链两端的第一电极垫、第二电极垫，将两条并联熔丝链电性连接在一起的第三电极垫，所述在并联熔丝链的两端加电压是在第一电极垫、第三电极垫加电压或在第二电极垫、第三电极垫加电压；所述在串联熔丝链的两端加电压是在第一电极垫、第二电极垫加电压。

17.根据权利要求15所述的激光切割熔丝的方法，其特征在于，所述测试结构还包括分别电性连接所述串联熔丝链两端的第一电极垫、第二电极垫，分别与两条并联熔丝链没有连接第一电极垫、第二电极垫的一端电性连接的第三电极垫、第四电极垫，所述在并联熔丝链的两端加电压是在第一电极垫、第三电极垫加电压或在第二电极垫、第三电极垫加电压，以及在第一电极垫、第四电极垫加电压或在第二电极垫、第四电极垫加电压；所述在串联熔丝链的两端加电压是在第一电极垫、第二电极垫加电压。

18.根据权利要求12所述的激光切割熔丝的方法，其特征在于，所述调整激光器的参数包括：

若并联熔丝链中有第二熔丝没有被完全切割开，则增加激光光斑尺寸、激光能量和激光照射时间之其中一者或者其结合；

若串联熔丝链中有第一熔丝被误切割到，则减小激光光斑尺寸、激光能量和激光照射时间之其中一者或者其结合。

19.一种测试晶圆，其特征在于，包括：放置在晶圆的分割区域或芯片区域的测试结构，所述的测试结构包括第一熔丝和第二熔丝，第一熔丝、第二熔丝间隔排列，第一熔丝电性连接形成串联熔丝链，第一熔丝、第二熔丝电性连接形成并联熔丝链。

20.根据权利要求19所述的测试晶圆，其特征在于，所述测试结构的各熔丝的间距相等。

21.根据权利要求19所述的测试晶圆，其特征在于，所述测试结构的第一熔丝形成的串联熔丝链为迂回曲折结构的串联熔丝链，所述第二熔丝电性连接形成两条梳状结构的熔丝链，所述第一熔丝、第二熔丝形成的并联熔丝链包括两条并联熔丝链。

22.根据权利要求21所述的测试晶圆，其特征在于，所述测试结构还包括：分别电性连接所述串联熔丝链两端的第一电极垫、第二电极垫，将两条并联熔丝链电性连接在一起的第三电极垫。

23.根据权利要求21所述的测试晶圆，其特征在于，所述测试结构还包括：分别电性连接所述串联熔丝链两端的第一电极垫、第二电极垫，分别与两条并联熔丝链没有连接第一电极垫、第二电极垫的一端电性连接的第三电极垫、第四电极垫。

Images