CN101382622A - 光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法及其组件制备 - Google Patents
光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法及其组件制备 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及光通信技术中光电器件阵列的光耦合封装技术领域，公开了一种光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法，包括：对基片一面进行深刻蚀形成穿透整个基片的微通孔阵列；将光电器件阵列倒扣安装在基片另一面，且光电器件阵列中的每个管芯的有源区与微通孔阵列中对应的每个微通孔中心轴线垂直对准；将光纤阵列插入微通孔阵列并固定。本发明同时公开了一种制备光纤阵列的装置及方法。本发明提供的无源耦合方法具有定位精确、耦合效率高、实现工艺简单的特点。
Description
技术领域
本发明涉及光通信技术中光电器件阵列的光耦合封装技术领域，尤其涉及一种光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法及其组件制备。具体而言，本发明涉及面发射或面接收的光电器件阵列，例如垂直腔面发射激光器(VCSEL)和面接收的光探测器(PIN)阵列，与多模光纤阵列间的无源耦合方法，以及用于光电器件阵列输入或输出光耦合的多模光纤阵列定位组件的制备装置方法。
背景技术
随着光通信网络，特别是光纤接入网和光纤到户的发展，以及大容量交换设备和传输设备间数据传输量的与日俱增，使得VCSEL/PIN阵列组成的光收发结构成为实现高速短距离光通信和并行光互联的合适光通信模式。
垂直腔面发射激光器(VCSEL)与侧向端面出光的边发射激光器在器件结构上有很大差别，顾名思义其发射光束垂直于芯片表面，这使得VCSEL易于制成一维或二维阵列，有利于大量低成本生产。同时VCSEL还具有低阀值、低功耗、圆形光束分布、易实现单纵模等优点。
目前，短波长的VCSEL(如0.85～0.95μm波段)制备技术较为成熟，已经有高速(2.5～10GHz)1×12VCSEL阵列产品。在光电器件阵列中的每一个发射或接收单元与光纤阵列中的每一根光纤之间，实现一对一的高效率、高可靠、低成本的光耦合，是光电器件阵列实用化的关键技术之一，要求耦合方案简单、紧凑、稳定。
对于VCSEL阵列与多模光纤阵列的耦合方法，较普遍的是利用45°角镜面反射将光的传输方向改变90°，如将裸光纤端头加工成45°表面(见中国专利03128028.5)，也有在(100)晶向的硅衬底上利用各向异性的湿法腐蚀和干法刻蚀相结合的方法制作光纤插入的导通孔(见美国专利6,626,585)。上述美国专利中两步法制光纤插入通孔的方法需要在硅片一面(记为A面)先进行各向异性的湿法腐蚀，最后从硅片另一面(记为B面)再干法刻蚀完成通孔。从工艺实现方面来看，这种方法的适用场合受到限制。
例如当进行干法刻蚀前B面上已存在有一定结构，而且在这些结构的全部或者一部分表面上无法制作干法刻蚀所需掩膜时的情况。另外上述美国专利中所述的在(100)硅衬底上各向异性的湿法腐蚀出的孔是倒金字塔形的方孔，倾角为54.7度，这样A面上形成的方形孔尺寸较大。专利中提到的典型值为870微米，而目前光电器件阵列和光纤带产品的典型周期为250微米，大尺寸的通孔不满足光电器件阵列和光纤带对间距的要求。
另外上述美国专利中也没有涉及到关于光纤插入深度的精确控制方法，而缺少对光纤插入深度的控制可能导致两种后果：
(1)光纤插入过浅，使得光纤端面离VCSEL发光面的距离较远，影响VCSEL与光纤间的光耦合效率；
(2)光纤插入过深，使得光纤端面戳到VCSEL发光面，会导致VCSEL激光器损坏。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此，本发明的一个目的在于提供一种光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法，以提高定位的精确度和耦合的效率，降低实现工艺的复杂度。
本发明的另一个目的在于提供一种制备光纤阵列的装置，以实现对光纤插入深度的精确控制。
本发明的另一个目的在于提供一种制备光纤阵列的方法，以实现对光纤插入深度的精确控制。
(二)技术方案
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法，该方法包括：
对基片一面进行深刻蚀形成穿透整个基片的微通孔阵列；
将光电器件阵列倒扣安装在基片另一面，且光电器件阵列中的每个管芯的有源区与微通孔阵列中对应的每个微通孔中心轴线垂直对准；
将光纤阵列插入微通孔阵列并固定。
上述方案中，所述对基片一面进行深刻蚀形成微通孔阵列的步骤之前进一步包括：在基片另一面上利用半导体工艺做金属布线，包括倒扣安装光电器件阵列的电极以及用于光电器件阵列倒扣安装对准的标记。
上述方案中，所述对基片一面进行深刻蚀形成微通孔阵列的步骤包括：在基片一面上制备深刻蚀的掩膜，利用双面曝光技术使掩膜层上开出的圆形刻蚀窗口圆心位置与另一面上设计的光电器件阵列的有源区中心位置对准，然后利用干法刻蚀技术刻蚀出微通孔阵列，将形成的微通孔阵列作为光纤阵列导入和定位孔。
上述方案中，所述掩膜材料选用金属铝、二氧化硅、氮化硅、光刻胶或有机物，掩膜层为上述材料中的一种形成的单层，或为上述材料中的多种形成的叠层；所述干法刻蚀技术为感应耦合等离子体ICP技术；所述形成的微通孔阵列中微通孔间距等于光电器件阵列中的管芯间距。
上述方案中，所述将光纤阵列插入微通孔阵列并固定的步骤包括：将光纤阵列插入已安装了光电器件阵列的基片的微通孔阵列中，完全插入后用紫外固化胶固定，实现光电器件阵列和光纤阵列无源耦合。
上述方案中，所述基片两侧面进一步包括介质层、多层金属布线或MEMS结构；所述微通孔阵列中微通孔的横截面为圆形、方形或多边形；所述光纤阵列中光纤端面为解理面或8°角斜面，所述光纤的前端面相互平行，且前端面伸出上下基板前端面的距离等于带有微通孔阵列基片的厚度；所述微通孔阵列间距、光纤阵列间距以及光电器件阵列单元间距相等。
上述方案中，所述基片为双面抛光的基片，基片材料选用硅、氧化铝、氮化铝、氧化铍或碳化硅。
一种制备光纤阵列的装置，该装置包括：
一L型基座；
一紧贴在所述L型基座侧壁内表面且远离侧壁的表面为光滑镜面的长方体；
紧贴所述长方体光滑镜面内表面上的两个相互平行的小长方体。
上述方案中，所述L型基座底部的上表面和侧壁的内表面平整光洁，L型基座的材料选用金属铜或铝，或选用合金材料，或选用有机材料；所述长方体和两个小长方体的材料选用精抛光的半导体晶片硅片或锗片；所述两个小长方体垂直于L型基座底部的上表面，间距离大于光纤阵列的宽度，且小于上下基板的宽度，在垂直于基座侧壁方向上的厚度等于带有微通孔的基片的厚度。
一种制备光纤阵列的方法，应用于由L型基座、紧贴在L型基座侧壁内表面且远离侧壁的表面为光滑镜面的长方体，和紧贴所述长方体光滑镜面内表面上的两个相互平行的小长方体构成的制备光纤阵列的装置，该方法包括：
预固定表面带有平行等间距排列V型槽的上基板和下基板，V型槽间距等于光电器件阵列的间距，将上基板、下基板和夹在上下基板V型槽之间的光纤一起平放在L型基座的上表面上，向后抽回夹在上基板和下基板之间的光纤，使得每根光纤伸出上基板和下基板前端面的长度都小于两个小长方体的厚度，同时保证任何一根光纤都不能从上基板和下基板中完全抽出；然后将上基板和下基板前端面紧抵住两个小长方体的表面，将光纤向前推出直至每根光纤的前端面都抵住长方体的光滑镜面，增大下基板上基板之间的压力，固定光纤的位置，随后用紫外固化胶将上基板、下基板和上下基板之间的光纤固定，完成光纤阵列组件的制作。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
1、利用本发明，通过对基片一面进行深刻蚀形成穿透整个基片的微通孔阵列，然后将光电器件阵列倒扣安装在基片另一面，且光电器件阵列中的每个管芯的有源区与微通孔阵列中对应的每个微通孔中心轴线垂直对准，最后将光纤阵列插入微通孔阵列并固定，实现了光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合，提高了定位的精确度和耦合的效率，降低了实现工艺的复杂度。
2、利用本发明，通过利用由L型基座、紧贴在L型基座侧壁内表面且远离侧壁的表面为光滑镜面的长方体，和紧贴所述长方体光滑镜面内表面上的两个相互平行的小长方体构成的制备光纤阵列的装置，来制备光纤阵列，实现了对光纤插入深度的精确控制。
附图说明
图1为1×N的一维光纤阵列组件的示意图，其中1为下基板，2为上基板，3为N根光纤形成的光纤阵列；
图2为图1中沿A-A’线的剖面图；
图3为图1的侧视图；
图4为带有1×N的一维微通孔阵列的硅基片4的示意图，其中5为N个微通孔形成的微通孔阵列；
图5为将1×N的一维光电器件阵列倒扣安装在带有1×N的一维微通孔阵列的硅基片4上的示意图，其中6为N个光电器件管芯形成的光电器件阵列；
图6为图5中沿B-B’线的剖面图，其中，光电器件阵列6中的一个管芯的有源区7与微通孔阵列5中对应的一个微通孔中心轴线垂直对准，有源区的中心点与微通孔中心点重合；
图7为一种控制光纤阵列3的前端面齐整以及前端面伸出上下基板1和2的长度的装置的示意图；
图8为光电器件阵列的光纤阵列无源耦合组件的示意图；
图9为图8中沿C-C’线的剖面图；
图10为本发明提供的光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合的方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
本发明提供了一种光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法，特别是面发射或面接收的光电器件阵列，例如垂直腔面发射激光器VCSEL和面接收的PIN光探测器阵列，与多模光纤阵列间的无源耦合方法。从硅片一面深刻蚀穿透整个硅片的微通孔阵列作为光纤阵列导入和定位孔，光电器件阵列倒扣安装在硅片另一面并且光电器件阵列中的每一个管芯的有源区与微通孔阵列中对应的每一个微通孔中心轴线垂直对准，将光纤阵列插入微通孔阵列完成光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合。该方法具有定位精确、耦合效率高、实现工艺简单的特点。同时本发明还提供了一种光纤阵列定位组件的制备方法，其中包括一种保证光纤阵列前端面齐整和控制光纤阵列插入微通孔阵列深度的方法以及相应的装置结构。
本发明中光纤阵列中各个光纤间的精确定位依靠一对单晶硅片上的平行等间距的“V”型槽阵列来实现。首先，在表面为(100)晶面的单晶硅片上生长二氧化硅或氮化硅或二氧化硅和氮化硅叠层，作为接下来硅腐蚀的阻挡层，利用半导体光刻工艺在上述阻挡层上沿[110]或[110]晶向开出平行等间距的条形窗口阵列，窗口间距等于光电器件阵列中的管芯间距。如VCSEL激光器阵列和PIN光电二极管探测器阵列的管芯间距的典型值为250微米，窗口宽度取决于裸光纤的直径，由于裸光纤的典型直径为125微米，窗口宽度可选择在138微米到145微米范围之内。通过各向异性湿法腐蚀出“V”型槽阵列，然后用划片设备将单晶硅片分割成合适尺寸的小片，即完成了附图中的下基板1和上基板2，清洗干净备用。
然后，将N根光纤前端的包层剥去成裸光纤，将光纤端面解理出解理面或制成8°角，清洗干净备用。此N根光纤可以是带状光纤带中的N根光纤，也可以是束状光纤带中的N根光纤，也可以是N根分立光纤。
将下基板1“V”型槽开口向上水平放置，将N根光纤平行排列在“V”型槽内，将上基板2“V”型槽开口向下扣在下基板1上，并将N根光纤嵌在上基板2的N个“V”型槽内。此时，每根光纤都分别被下基板1和上基板2中的一对向上“V”型槽和向下“V”型槽构成的“◇”型空间定位，如图2所示。
在下基板1和上基板2间施加一定的压力使得每根光纤与“◇”型空间的四壁有一定摩擦力但每根光纤仍可以在“◇”型空间内前后抽动，将下基板1和上基板2的前端面对齐后，预固定上下基板1、2。
为了使得夹在上下基板1、2间的N根光纤的前端面相互平行，同时控制N根光纤的前端面与上下基板1和2的前端面间的距离，本发明采用如图7所示的装置结构，该装置包括：L型基座8；紧贴在所述L型基座8侧壁内表面且远离侧壁的表面为光滑镜面的长方体9；紧贴所述长方体9光滑镜面内表面上的两个相互平行的小长方体10。
所述L型基座8底部的上表面和侧壁的内表面平整光洁，L型基座的材料选用金属铜或铝，或选用合金材料，或选用有机材料；所述长方体9和两个小长方体10的材料选用精抛光的半导体晶片硅片或锗片；所述两个小长方体10垂直于L型基座底部的上表面，间距离大于光纤阵列的宽度，且小于上下基板的宽度，在垂直于基座侧壁方向上的厚度等于带有微通孔的基片的厚度。
下面详细说明本发明提供的这种制备光纤阵列的装置：首先机械加工一“L”型的基座8，其上表面和侧壁内表面保证良好的光洁度，其材料可以是铜、铝等金属或合金材料，也可以是有机材料。在“L”型的基座8侧壁贴上一薄片长方体9，要求长方体9远离基座8侧壁的那一面的表面为光滑镜面，9的材料可选用精抛光的半导体晶片(如硅片、锗片等)，但不限于此。紧贴在薄片长方体9上的两个长方体10，10的材料可选用精抛光的半导体晶片(如硅片、锗片等)，但不限于此。两个长方体10相互平行，同时平行于“L”型的基座8的侧壁并且垂直于“L”型的基座8的上表面，两个长方体10间的距离大于夹在上下基板1、2的N根光纤构成的光纤阵列3的宽度，而小于上下基板1和2的宽度，两个长方体10在垂直于基座8侧壁方向上的厚度等于带有1×N的一维微通孔阵列的硅基片4的厚度。
基于上述制备光纤阵列的装置，下面提供了一种制备光纤阵列的方法，该方法应用于由L型基座、紧贴在L型基座侧壁内表面且远离侧壁的表面为光滑镜面的长方体，和紧贴所述长方体光滑镜面内表面上的两个相互平行的小长方体构成的制备光纤阵列的装置，该方法包括：预固定上基板和下基板，将上基板、下基板和夹在上下基板之间的光纤一起平放在L型基座的上表面上，向后抽回夹在上基板和下基板之间的光纤，使得每根光纤伸出上基板和下基板前端面的长度都小于两个小长方体的厚度，同时保证任何一根光纤都不能从上基板和下基板中完全抽出；然后将上基板和下基板前端面紧抵住两个小长方体的表面，将光纤向前推出直至每根光纤的前端面都抵住长方体的光滑镜面，增大下基板上基板之间的压力，固定光纤的位置，随后用紫外固化胶将上基板、下基板和上下基板之间的光纤固定，完成光纤阵列组件的制作。
上述制备光纤阵列的方法具体包括以下步骤：将预固定后的上下基板1、2和夹在其间的N根光纤一起平放在“L”型的基座8的上表面上，向后抽回夹在上下基板1、2间的N根光纤，使得每根光纤伸出上下基板1、2前端面的长度都小于两个长方体10的厚度，同时保证任何一根光纤都不能从“◇”型空间中完全抽出，如图7所示将上下基板1、2前端面紧抵住两个长方体10的表面，将N根光纤向前戳出直至其中每一根光纤的前端面都抵住长方体9的光滑镜面，增大下基板1和上基板2间的压力，固定N根光纤的位置，随后用紫外固化胶将上下基板1、2和其间的N根光纤固定，完成光纤阵列组件的制作，完成的光纤阵列组件如图1所示，上基板2的长度小于下基板1的长度主要是为了涂胶方便，上基板2的长度也可以等于甚至大于下基板1的长度。
如图10所示，图10为本发明提供的光电器件阵列与光纤阵列无源耦合的方法流程图，该方法包括以下步骤：
步骤101：对基片一面进行深刻蚀形成穿透整个基片的微通孔阵列；
步骤102：将光电器件阵列倒扣安装在基片另一面，且光电器件阵列中的每个管芯的有源区与微通孔阵列中对应的每个微通孔中心轴线垂直对准；
步骤103：将光纤阵列插入微通孔阵列并固定。
上述步骤101之前进一步包括：在基片另一面上利用半导体工艺做金属布线，包括倒扣安装光电器件阵列的电极以及用于光电器件阵列倒扣安装对准的标记。
上述步骤101包括：在基片一面上制备深刻蚀的掩膜，利用双面曝光技术使掩膜层上开出的圆形刻蚀窗口，刻蚀窗口圆心位置与另一面上设计的光电器件阵列的有源区中心位置对准，然后利用干法刻蚀技术刻蚀出微通孔阵列，将形成的微通孔阵列作为光纤阵列导入和定位孔。
在本步骤中，所述掩膜材料可以选用金属(例如铝)、二氧化硅、氮化硅、光刻胶、有机物等，但并不限于此；掩膜层可以选用上述材料中的一种形成的单层，也可以选用上述材料中的多种形成的叠层；所述干法刻蚀技术为感应耦合等离子体(ICP)技术；所述形成的微通孔阵列中微通孔间距等于光电器件阵列中的管芯间距。
上述步骤103包括：将光纤阵列插入已安装了光电器件阵列的基片的微通孔阵列中，完全插入后用紫外固化胶固定，实现光电器件阵列和光纤阵列无源耦合。
上述基片为双面抛光的基片，基片材料除采用硅、可以选用氧化铝、氮化铝、氧化铍、碳化硅等，但并不限于此；所述微通孔阵列中微通孔的横截面可以为圆形、方形或多边形等，也并不限于此；所述微通孔阵列间距、光纤阵列间距以及光电器件阵列单元间距相等。
上述基片两侧面还可以进一步包括介质层、多层金属布线或MEMS结构等，也并不限于此；所述光纤阵列中光纤端面为解理面或8°角斜面，所述光纤的前端面相互平行，且前端面伸出上下基板前端面的距离等于带有微通孔阵列基片的厚度。
基于图10所述的光电器件阵列与光纤阵列无源耦合的方法流程图，以下结合具体的实施例对本发明光电器件阵列与光纤阵列无源耦合的方法进一步详细说明。
在一双面抛光硅片的一面上利用半导体工艺做金属布线，其中包括倒扣安装光电器件阵列的电极以及用于光电器件阵列倒扣安装对准的标记，在另一面上制备硅深刻蚀的掩膜，根据硅深刻蚀工艺条件的不同，掩膜材料可选用金属如铝，二氧化硅，氮化硅，光刻胶，有机物等，掩膜层可以是上述材料中的一种形成的单层也可以是多种形成的叠层，利用双面曝光技术使掩膜层上开出的圆形刻蚀窗口，刻蚀窗口圆心位置与另一面上设计的光电器件阵列的有源区中心位置对准，然后利用干法刻蚀技术如感应耦合等离子体ICP技术刻蚀出图4中所示的微通孔阵列5，其中微通孔间距等于光电器件阵列中的管芯间距，如VCSEL激光器阵列和PIN光电二极管探测器阵列的管芯间距的典型值为250微米，为了随后安装方便，微通孔直径略大于剥离后的光纤直径(典型值125um)2-5微米，这里需要指出图4所示的带有1×N的一维微通孔阵列的硅基片4表面还可以有其它结构，如在两面上都可以有单层或多层金属布线结构，介质层(二氧化硅层、氮化硅层)，硅MEMS图形等等，但不限于此，为了突出本发明的重点，同时使附图简明扼要，图中未示出硅基片4的表面结构。
然后将1×N的一维光电器件阵列6倒扣安装在带有1×N的一维微通孔阵列的硅基片4上，每一个半导体光电器件的有源区(如VCSEL激光器的表面出光区、光电二极管探测器的表面光接收区)的中心与硅基片4上相对应的微通孔的圆心一一对准，如图6所示。最后，将制备好的1×N的光纤阵列组件的光纤阵列插入已安装了1×N的光电器件阵列的硅基片4的微通孔阵列5中，完全插入后用紫外固化胶固定，实现半导体光电器件阵列和光纤阵列无源耦合，整个封装组件如图8所示。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1、一种光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法，其特征在于，该方法包括：
对基片一面进行深刻蚀形成穿透整个基片的微通孔阵列；
将光电器件阵列倒扣安装在基片另一面，且光电器件阵列中的每个管芯的有源区与微通孔阵列中对应的每个微通孔中心轴线垂直对准；
将光纤阵列插入微通孔阵列并固定。
2、根据权利要求1所述的光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法，其特征在于，所述对基片一面进行深刻蚀形成微通孔阵列的步骤之前进一步包括：
在基片另一面上利用半导体工艺做金属布线，包括倒扣安装光电器件阵列的电极以及用于光电器件阵列倒扣安装对准的标记。
3、根据权利要求2所述的光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法，其特征在于，所述对基片一面进行深刻蚀形成微通孔阵列的步骤包括：
在基片一面上制备深刻蚀的掩膜，利用双面曝光技术使掩膜层上开出的圆形刻蚀窗口圆心位置与另一面上设计的光电器件阵列的有源区中心位置对准，然后利用干法刻蚀技术刻蚀出微通孔阵列，将形成的微通孔阵列作为光纤阵列导入和定位孔。
4、根据权利要求3所述的光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法，其特征在于，所述掩膜材料选用金属铝、二氧化硅、氮化硅、光刻胶或有机物，掩膜层为上述材料中的一种形成的单层，或为上述材料中的多种形成的叠层；
所述干法刻蚀技术为感应耦合等离子体ICP技术；
所述形成的微通孔阵列中微通孔间距等于光电器件阵列中的管芯间距。
5、根据权利要求1所述的光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法，其特征在于，所述将光纤阵列插入微通孔阵列并固定的步骤包括：
将光纤阵列插入已安装了光电器件阵列的基片的微通孔阵列中，完全插入后用紫外固化胶固定，实现光电器件阵列和光纤阵列无源耦合。
6、根据权利要求1至5中任一项所述的光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法，其特征在于，所述基片两侧面进一步包括介质层、多层金属布线或MEMS结构；
所述微通孔阵列中微通孔的横截面为圆形、方形或多边形；
所述光纤阵列中光纤端面为解理面或8°角斜面，所述光纤的前端面相互平行，且前端面伸出上下基板前端面的距离等于带有微通孔阵列基片的厚度；
所述微通孔阵列间距、光纤阵列间距以及光电器件阵列单元间距相等。
7、根据权利要求1所述的光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法，其特征在于，所述基片为双面抛光的基片，基片材料选用硅、氧化铝、氮化铝、氧化铍或碳化硅。
8、一种制备光纤阵列的装置，其特征在于，该装置包括：
一L型基座；
一紧贴在所述L型基座侧壁内表面且远离侧壁的表面为光滑镜面的长方体；
紧贴所述长方体光滑镜面内表面上的两个相互平行的小长方体。
9、根据权利要求8所述的制备光纤阵列的装置，其特征在于，
所述L型基座底部的上表面和侧壁的内表面平整光洁，L型基座的材料选用金属铜或铝，或选用合金材料，或选用有机材料；
所述长方体和两个小长方体的材料选用精抛光的半导体晶片硅片或锗片；
所述两个小长方体垂直于L型基座底部的上表面，间距离大于光纤阵列的宽度，且小于上下基板的宽度，在垂直于基座侧壁方向上的厚度等于带有微通孔的基片的厚度。
10、一种制备光纤阵列的方法，应用于由L型基座、紧贴在L型基座侧壁内表面且远离侧壁的表面为光滑镜面的长方体，和紧贴所述长方体光滑镜面内表面上的两个相互平行的小长方体构成的制备光纤阵列的装置，其特征在于，该方法包括：
预固定表面带有平行等间距排列V型槽的上基板和下基板，V型槽间距等于光电器件阵列的间距，将上基板、下基板和夹在上下基板V型槽之间的光纤一起平放在L型基座的上表面上，向后抽回夹在上基板和下基板之间的光纤，使得每根光纤伸出上基板和下基板前端面的长度都小于两个小长方体的厚度，同时保证任何一根光纤都不能从上基板和下基板中完全抽出；然后将上基板和下基板前端面紧抵住两个小长方体的表面，将光纤向前推出直至每根光纤的前端面都抵住长方体的光滑镜面，增大下基板上基板之间的压力，固定光纤的位置，随后用紫外固化胶将上基板、下基板和上下基板之间的光纤固定，完成光纤阵列组件的制作。
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