一种高温无铅软钎料及制备方法
技术领域
本发明涉及一种电子封装与组装等钎焊焊料技术,特别是涉及一种高温无铅软钎料及制备方法。
背景技术
随着人们环境保护意识的增强和SnPb合金材料的负面影响日渐突出,在欧盟(EU)已通过了ROSH指令和电气电子设备废弃法令(WEEE)后,各国已相继立法限制铅在电子产品中的使用。中国也拟订了《电子信息产品生产污染防治管理办法》,规定电子信息产品制造者应当保证,自2003年7月1日起实行有毒有害物质的减量化生产措施;自2006年7月1日起投放市场的国家重点监管目录内的电子信息产品不能含有铅、汞、镉、六价铬、聚合溴化联苯(PBB)或者聚合溴化联苯乙醚(PBDE)等有害物质,因此无铅化已经成为电子产品发展的必然趋势。
经过20多年的研究,无铅常温钎料已经趋于成熟并产业化。由于结构形式和使用要求等方面的差异,有些电子产品或某些器件不适合用常温钎料来钎接,例如,在半导体器件组装过程中,绝缘基片及芯片与引线的钎接及外壳封装钎焊等各种芯片的封装,厚膜电路的连接组装等,这些工序位于线路组装的前道工序,所用连接用钎料在下一道工序中不能熔化,因此需要在两次钎焊过程中分别使用较高熔点和较低熔点的软钎料。即在电子组装中,还存在分步钎焊的问题。先组装的部分要采用较高熔点的钎料,在随后再流焊过程中,先焊的连接不能熔化。目前高温钎料主要沿用传统的铅基钎料和金基钎料。
铅基钎料合金是金、银、锑、锡等金属与铅形成的共晶合金,熔点在250-360℃,铅钎料能生成脆性的金属间化合物,一般比较软,可吸收由于芯片与基板之间的热膨胀不匹配而引起的应变.若钎焊接头经受多次热循环,就会在钎料的晶界处发生应变积累,以致产生微裂纹而导致热阻的增加,最终引起疲劳破坏。所以铅基钎料不能用在对连接强度要求高的地方。
金基钎料的应用主要在光电子封装、高可靠性大功率电子器件气密性封装和芯片封装中。通常采用Au-20Sn,其熔点在280℃,Au-30Si,熔点在370℃,Au-26Ge熔点350℃的共晶体系作钎料。但由于Au-Sn形成AuSn4金属间化合物,该化合物很脆,严重影响其服役的可靠性,同时钎料成本大大提高。
目前,国内对高温软钎料的研究很少,随着电子产品无铅化进程的加速发展,研究和开发无铅高温软钎料专利产品势在必行,这对发展我国电子行业,提高我国电子产品竞争力具有十分重要的意义。
欧洲专利EP1705258A2提出含Ag为2%~18wt.%,Bi为98~82wt.%,并有0.1~5.0wt.%的微量元素Au、Cu、Pt、Sb、Zn、In、Sn、Ni和Ge的Bi-Ag-X合金来代替高Pb钎料,该合金熔点合适,固相线温度大于262.5℃,但该合金脆性大、加工性差、与基体结合强度弱、固液相区间较宽以及在Cu和Ni基体上润湿性差等一系列问题。
中国专利CN1221216A提出一种含Sb5~15%的Sn-Sb二元合金用来涂覆引线框架,以保证能承受随后较高温度的密封工艺。但当Sb含量较低(<10%)时Sn-Sb二元合金的熔点相对较低,对于需要承受高温封装工艺焊点的可靠性不利,且该合金存在对Cu或Ni基体焊盘溶蚀快的问题。
美国专利20040241039提出了至少5%Sn,0.5~7%Cu,0.05~18%Sb的配方,中国专利CN1954958A提出了8~20%Sb,3~7%Cu,其余为5%Sn的配方,虽然这两篇专利都提出用SnSbCu三元合金作为高温无铅软钎料,但该系列合金抗氧化能力较差,在高温焊接过程中会产生大量的锡渣,且该合金依然存在对Cu或Ni基体焊盘溶蚀快的问题。
发明内容
本发明目的是在于提供一种熔点在250℃~450℃之间、润湿铺展性好、强度高、耐腐蚀性好的新型高温无铅软钎料来替代相应高铅钎料及制备方法,以适应不断发展的电子工业的各种技术、环境和人为要素的要求。
为了实现上述发明目的,本发明采用如下技术方案:
该新型高温无铅软钎料,其原料组份按重量计为:锑:2-8%;锡:2-12%;铜:0.5-5%,其余为铋。优选的原料锡按重量计组份为:5-10%;优选的铜组份按重量计为:1-4%;优选的锑组份按重量计为4-6%。
该新型高温无铅软钎料合金熔点在250~300℃之间,力学性能优于相应的高铅钎料,铺展性能满足钎焊使用要求。
本专利新型无铅高温软钎料BiSbCuSn的制备方法为:
将原料按成分比例配好,放入工业用非真空感应炉或非自耗真空感应炉中冶炼,制备过程中,每半个小时将合金翻转后再进行熔炼,熔炼完成后浇铸即可得到焊料合金。优选的感应炉中冶炼制备过程中工艺参数为真空度为4x10-3Pa、电流为450A~500A、电压为16V~20V。
本发明新型高温无铅软钎料无毒、无污染,力学性能优于相应的高铅钎料,铺展性能满足钎焊使用要求。能够替代目前广泛应用的高铅钎料,满足当前高温电子封装需要。
与现有技术相比,本发明具有如下显著优势:
1、本发明合金的熔化温度较高并具有良好的润湿性能,熔点范围在250~320℃之间,可以替代电子封装中的高Pb钎料;
2、本发明在Bi-Sb合金的基础上添加了Cu和Sn,有效的改善了钎料的润湿行为;
3、本发明在Bi-Sb合金的基础上添加了Cu和Sn,有效的提高了钎料的力学性能,增强了焊点的可靠性。
具体实施方式
下面结合实施例对本专利进行说明
实施例1
将原料按照如下比例(重量计)配比:铋Bi:91%,锑Sb:2%,铜Cu:5%,锡Sn:2%,将原料放入工业用非真空感应炉中冶炼,在真空度为4x10-3Pa的条件下引弧,在电流为480A、电压为20V的条件下熔炼,熔炼过程中通过移动电极来搅拌熔融的合金。之后在真空条件下冷却至室温,取出翻转后放入炉中在相同条件下再次进行熔炼,冷却后备用。在相同实验条件下,本实施例合金熔点稍稍较低,但铺展面积、抗拉强度及剪切强度均较对比例合金高,其中抗拉强度是对比例合金的3.9倍。
实施例2
将原料按照如下比例(重量计)配比:铋Bi:84%,锑Sb:6%,铜Cu:2%,锡Sn:8%,将原料放入工业用非真空感应炉中冶炼,在真空度为4x10-3Pa的条件下引弧,在电流为480A、电压为20V的条件下熔炼,熔炼过程中通过移动电极来搅拌熔融的合金。之后在真空条件下冷却至室温,取出翻转后放入炉中在相同条件下再次进行熔炼,冷却后备用。本实施例合金熔点稍稍较低,但铺展面积、抗拉强度及剪切强度均较对比例合金明显提高。
实施例3
将原料按照如下比例(重量计)配比:铋Bi:82%,锑Sb:5%,铜Cu:1%,锡Sn:12%,将原料放入工业用非真空感应炉中冶炼,在真空度为4x10-3Pa的条件下引弧,在电流为480A、电压为20V的条件下熔炼,熔炼过程中通过移动电极来搅拌熔融的合金。之后在真空条件下冷却至室温,取出翻转后放入炉中在相同条件下再次进行熔炼,冷却后备用。本实施例合金熔点稍稍较低,但铺展面积、抗拉强度及剪切强度均较对比例合金明显提高。
实施例4
将原料按照如下比例(重量计)配比:铋Bi:86.5%,锑Sb:5%,锡Sn:8%,铜Cu:0.5%,将原料放入工业用非真空感应炉中冶炼,在真空度为4x10-3Pa的条件下引弧,在电流为480A、电压为20V的条件下熔炼,熔炼过程中通过移动电极来搅拌熔融的合金。之后在真空条件下冷却至室温,取出翻转后放入炉中在相同条件下再次进行熔炼,冷却后备用。本实施例合金熔点稍稍较低,但铺展面积、抗拉强度及剪切强度均较对比例合金明显提高。
实施例5
将原料按照如下比例(重量计)配比:铋Bi:83%,锑Sb:8%,锡Sn:6%,铜Cu:3.0%,将原料放入工业用非真空感应炉中冶炼,在真空度为4x10-3Pa的条件下引弧,在电流为480A、电压为20V的条件下熔炼,熔炼过程中通过移动电极来搅拌熔融的合金。之后在真空条件下冷却至室温,取出翻转后放入炉中在相同条件下再次进行熔炼,冷却后备用。本实施例合金熔点稍稍较低,但铺展面积、抗拉强度及剪切强度均较对比例合金明显提高。
对比例:将原料按照如下比例(重量计)配比:铋Bi:95%,锑Sb:5%,将原料放入工业用非真空感应炉中冶炼,在真空度为4x10-3Pa的条件下引弧,在电流为480A、电压为20V的条件下熔炼,熔炼过程中通过移动电极来搅拌熔融的合金。之后在真空条件下冷却至室温,取出翻转后放入炉中在相同条件下再次进行熔炼,冷却后备用。
实施例1~5合金材料的技术指标如表1。
表1材料的技术指标
序号 | 焊料成分 | 熔点(℃) | 铺展面积(mm<sup>2</sup>) | 电阻率(10<sup>-6</sup>Ω.m) | 抗拉强度(MPa) | 剪切强度(Mpa) |
对比例 | Bi5Sb | 285.3-295.3 | 12.6 | 4.2 | 10.5 | 8.5 |
1 | Bi2Sb5Cu2Sn | 273.9-289.1 | 18.02 | 3.58 | 40.10 | 14.04 |
2 | Bi6Sb2Cu8Sn | 262.9-286.2 | 22.45 | 2.46 | 52.79 | 17.00 |
3 | Bi5Sb1Cu12Sn | 250.4-268.3 | 26.22 | 2.14 | 32.58 | 16.35 |
序号 | 焊料成分 | 熔点(℃) | 铺展面积(mm<sup>2</sup>) | 电阻率(10<sup>-6</sup>Ω.m) | 抗拉强度(MPa) | 剪切强度(Mpa) |
4 | Bi5Sb8Sn0.5Cu | 262.9-288.5 | 25.95 | 2.48 | 45.84 | 16.65 |
5 | Bi8Sb6Sn3.0Cu | 260.9-286.7 | 23.66 | 2.45 | 32.96 | 15.05 |
而与该无铅软钎料相比较,其熔点在270℃的高铅钎料,其抗拉强度约27MPa,铺展面积约98.7mm2。
注:上述实验均是在相同实验条件下完成。