CN101373730B - 硅片角度定位装置及反应腔室 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅片角度定位装置及设有该装置的反应腔室。硅片角度定位装置包括刻度盘，刻度盘为圆形，刻度盘的上表面沿与刻度盘同心的圆周方向刻有均分360度的刻度线。反应腔室内设有硅片角度定位装置，与硅片支撑装置的中心轴线重合。可以直接读出硅片支撑装置上的硅片缺口所对准的角度，使用方便、测量准确。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体加工设备部件，尤其涉及一种硅片角度定位装置及反应腔室。
背景技术
在半导体加工的硅片传输过程中，机械手把硅片从真空传输平台腔室搬运到反应腔室，进行加工工艺。为了检验反应腔室的一致性问题或者其它工艺需求，需要明确硅片在反应腔室中的角度，也就是硅片缺口的角度。一般通过控制硅片中心校准装置的硅片缺口定位功能来实现。在某些传输系统中经过硅片中心校准装置校准且确定了缺口位置的硅片并不直接被机械手传输到反应腔室，而是经过中间传递(例如，某些传输系统使用的是大气硅片中心校准装置，经过校准的硅片需要经过大气、真空过渡腔室，之后由真空机械手将硅片传输到反应室中)，中间经过了两只机械手的传递。在对机械手进行调试时，两只机械手之间的夹角会因调试而不同，这样就不能直接通过硅片中心校准装置来确定硅片的角度。
现有技术中，对机械手进行调试时，一般在硅片传输到反应室的硅片支撑装置上之后，用角度测量工具手动进行测量。该方法在使用中较难测量且不容易测量准确，调试较为麻烦。
发明内容
本发明的目的是提供一种使用方便、测量准确的硅片角度定位装置及设有该装置的反应腔室。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
本发明的硅片角度定位装置，包括刻度盘，所述的刻度盘为圆形，所述刻度盘的上表面，沿与刻度盘同心的圆周方向刻有均分360度的刻度线。
本发明的反应腔室，所述反应腔室内设有硅片支撑装置，所述反应腔室内还设有上述的硅片角度定位装置，所述硅片支撑装置与硅片角度定位装置的中心轴线重合。
由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的硅片角度定位装置及反应腔室，由于反应腔室内设有硅片角度定位装置，硅片角度定位装置上沿与刻度盘同心的圆周方向刻有均分360度的刻度线。可以直接读出硅片缺口所对准的角度，使用方便、测量准确。
附图说明
图1为本发明硅片角度定位装置的平面结构示意图；
图2为本发明硅片角度定位装置的立面结构示意图；
图3为本发明反应腔室的结构示意图。
具体实施方式
本发明的硅片角度定位装置，较佳的具体实施方式如图1、图2所示，包括刻度盘1，所述的刻度盘1为圆形，所述刻度盘1的上表面，沿与刻度盘1同心的圆周方向刻有均分360度的刻度线。
所述的刻度盘1的下表面设有支架2，支架2可以为圆环形，根据需要也可以是方形、椭圆形，或其它的形状。
所述的刻度盘1上开有至少一个通孔。所述的通孔可以为一个与刻度盘1同心的圆孔。开孔的目的是为了硅片角度定位装置使用过程中，便于其它的设备器件穿过，或便于安装等。
本发明的反应腔室，较佳的具体实施方式如图3所示，所述反应腔室3内设有硅片支撑装置4，硅片支撑装置4上设有硅片5，所述反应腔室3内还设有上述的硅片角度定位装置，所述硅片支撑装置4与硅片角度定位装置的中心轴线重合。
刻度盘1的下表面设有支架2，支架2支撑于反应腔室3的底壁上。刻度盘1的中部开有与刻度盘1同心的圆孔；硅片支撑装置4为圆形，刻度盘1中部的圆孔的内径略大于硅片支撑装置4的外径，所述硅片支撑装置4恰可至于所述圆孔中。这样，硅片5的中心便与刻度盘1的中心重合，通过硅片5上的缺口对准的刻度，可以方便准确的读出硅片的角度。
本发明在反应腔室的硅片支撑装置上，临时安装一个硅片角度定位装置。将硅片缺口在反应腔室中的角度读出来，供硅片中心校准装置定位硅片的缺口使用。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种硅片角度定位装置，其特征在于，包括刻度盘，所述的刻度盘为圆形，所述刻度盘的上表面，沿与刻度盘同心的圆周方向刻有均分360度的刻度线；
所述的刻度盘上开有一个通孔，所述的通孔为一个与所述刻度盘同心的圆孔，该通孔用于放置硅片，所述硅片的中心与通孔的中心重合。
2.根据权利要求1所述的硅片角度定位装置，其特征在于，所述的刻度盘的下表面设有支架。
3.根据权利要求2所述的硅片角度定位装置，其特征在于，所述的支架为圆环形。
4.一种反应腔室，所述反应腔室内设有硅片支撑装置，其特征在于，所述反应腔室内还设有权利要求1至3任一项所述的硅片角度定位装置，所述硅片支撑装置与硅片角度定位装置的中心轴线重合。
5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述的刻度盘的下表面设有支架，所述支架支撑于所述反应腔室的底壁上。
6.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述硅片支撑装置为圆形，所述刻度盘上的通孔的内径大于所述硅片支撑装置的外径，所述硅片支撑装置恰可置于所述通孔中。
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| CN2007101204932A CN101373730B (zh) | 2007-08-20 | 2007-08-20 | 硅片角度定位装置及反应腔室 |
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| CN101373730A CN101373730A (zh) | 2009-02-25 |
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Citations (4)
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| CN1278887A (zh) * | 1997-09-09 | 2001-01-03 | 艾利森公司 | 铰接定位装置 |
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2007
- 2007-08-20 CN CN2007101204932A patent/CN101373730B/zh active Active
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Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| CN 1278887 A,全文. |
Also Published As
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| CN101373730A (zh) | 2009-02-25 |
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