CN101365289B - 空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的装置及方法 - Google Patents
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Abstract
空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的装置及方法，它涉及一种管筒内表面注入离子的方法及装置。本发明解决了在较细的管筒内产生等离子体困难的问题。装置是：空心阴极管(9)的一端设置在工件管筒(10)内，高压脉冲电源(7)的正极通过低通滤波器(6)连到空心阴极管(9)上，射频电源系统(3)通过匹配保护电路(4)连到空心阴极管(9)上；方法是：气体在射频脉冲的作用下在空心阴极管内产生等离子体，等离子体受到电场的作用，飞向工件管筒(10)内壁形成离子注入。本发明通过在工件管筒内放入空心阴极管，减小了被处理工件管筒的直径，并能容易建立等离子体，通过使空心阴极管处于脉冲正偏压，提高了工件管筒内表面离子注入效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种管筒内表面注入离子的装置及方法，特别是一种空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的装置及方法。
背景技术
由于离子注入时离子行走的直线性对于管筒内壁的注入具有很大的限制，处理的管筒长细比不能很大，否则离子注入时离子会很倾斜地入射，达不到离子注入的效果。如果离子注入机在管筒内部可以直接垂直注入内壁，这要求管筒很大，实际上不现实。因此需要在内部产生等离子体，然后在筒上施加负偏压，吸引离子最后形成离子注入效应。在管筒内部产生等离子体也不是一件很容易的事，尤其对于较细的管筒。有人利用二极放电，在管筒内部插入中心电极，利用中心电极和管筒之间进行放电来产生等离子体，但由于二极放电对于较细的管筒放电空间较小，放电就变得困难。有人提出了内部射频等离子体源的方法，即在管筒内部中心加入一个射频天线，射频天线外套网状金属地电极。输入高压施加在网状地电极和管筒工件之间。等离子体在中心射频电极和网状地电极间产生，金属管上施加负偏压，在负高压吸引下，离子获得加速使管筒内壁实现离子注入。这在一定程度上解决了内部等离子体产生问题，但由于在管筒内加入了中心射频电极和网状地电极，使得管筒的直径也不能较小。
发明内容
本发明的目的是提供一种空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的装置及方法，以解决在较细的管筒内产生等离子体困难的问题。
本发明的技术方案是：
本发明所述的空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的装置由气体源室、真空室、绝缘通气管、射频电源系统、匹配保护电路、电缆、高压电缆、低通滤波器、高压脉冲电源、绝缘体、空心阴极管、抽气系统、支架、齿轮、齿条、传动杆、底座、滚动轴承和动密封圈组成；真空室接地，被处理的工件管筒设置在真空室内的中心处，空心阴极管的一端设置在工件管筒内的中心轴线上，空心阴极管的另一端穿过真空室与绝缘通气管的一端相连接，绝缘通气管的另一端与气体源室的输出端相连接，绝缘体套装在空心阴极管上并固装在真空室的输入端面的中心孔内，高压脉冲电源的正极通过低通滤波器和高压电缆与空心阴极管的外壁固接，高压脉冲电源的负极接在真空室的壁上，工件管筒的侧壁接地，射频电源系统的输出端通过匹配保护电路和电缆与空心阴极管的外壁固接，抽气系统设在真空室的输出端处，齿轮固装在支架上，齿条与齿轮相啮合，传动杆的一端与齿条固接，传动杆的另一端穿过真空室的输出端与底座固接，管筒安装在底座上，在底座与真空室的内壁之间设有滚动轴承，在传动杆与真空室的输出端之间设有动密封圈。
本发明的空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的方法由以下步骤完成：一、将气体源室中产生的离子气体通入到绝缘通气管内；二、射频电源系统的射频脉冲经过匹配保护电路由射频电缆耦合到空心阴极管上，高压脉冲电源的高压正脉冲经过低通滤波器由高压电缆加在空心阴极管上，射频脉冲与高压正脉冲在空心阴极管上耦合，在射频脉冲与高压正脉冲间隔输出的作用下，气体在空心阴极管内产生等离子体，工件管筒内的等离子体受到电场的作用，飞向工件管筒的内壁，形成离子注入。
本发明具有以下有益效果：通过在管筒内放入空心阴极管，利用射频电源系统的射频正负脉冲与高压脉冲电源的高压正脉冲的耦合使气体产生等离子体并形成离子注入，减小了被处理管筒工件的直径；并由于在空心阴极管口附近的气压较高，同时由于空心阴极效应的电子振荡，等离子体较为容易建立；利用正电极排斥离子获得离子注入，非常适合于管筒内壁处理，正电极排斥出的离子利用率高，基本全部被管筒内表面接收、注入。
附图说明
图1是空心阴极耦合正偏压的管筒内表面离子注入装置的整体结构示意图，图2是匹配保护电路4与空心阴极管9、射频电源系统3和真空室11连接的结构示意图，图3是具体实施方式六中射频脉冲和高压正脉冲时序图，图4是具体实施方式七中射频脉冲和高压正脉冲时序图。
具体实施方式
具体实施方式一：结合图1说明本实施方式，本实施方式的空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的装置由气体源室1、真空室11、绝缘通气管2、射频电源系统3、匹配保护电路4、电缆5、高压电缆12、低通滤波器6、高压脉冲电源7、绝缘体8、空心阴极管9组成；真空室11接地，被处理的工件管筒10设置在真空室11内的中心处，空心阴极管9的一端设置在工件管筒10内的中心轴线上，空心阴极管9的另一端穿过真空室11与绝缘通气管2的一端相连接，绝缘通气管2的另一端与气体源室1的输出端相连接，绝缘体8套装在空心阴极管9上并固装在真空室11的输入端面的中心孔内，高压脉冲电源7的正极通过低通滤波器6和高压电缆12与空心阴极管9的外壁固接，高压脉冲电源7的负极接在真空室11的壁上，工件管筒10的侧壁接地，射频电源系统3的输出端通过匹配保护电路4和电缆5与空心阴极管9的外壁固接，抽气系统13设在真空室11的输出端处，齿轮15固装在支架14上，齿条16与齿轮15相啮合，传动杆17的一端与齿条16固接，传动杆17的另一端穿过真空室11的输出端与底座18固接，管筒10安装在底座18上，在底座18与真空室11的内壁之间设有滚动轴承19，在传动杆17与真空室11的输出端之间设有动密封圈20。
具体实施方式二：结合图1说明本实施方式，本实施方式中的空心阴极管9的内径为0.5-20mm。当空心阴极管9采用Cr、Ti或Zr等阴极材料时，可以在工件管筒10的内表面获得纯金属的涂层。
具体实施方式三：结合图1说明本实施方式，本实施方式中的高压电缆12与空心阴极管9相连接的连接点位于绝缘通气管2和绝缘体8之间。
具体实施方式四：本实施方式中的高压脉冲电源7输出的正脉冲的电压幅值为1-50kV，输出的脉冲频率为1-500Hz。
具体实施方式五：本实施方式中的射频电源系统3的功率为20W-5000W。
具体实施方式六：结合图2说明本实施方式，本实施方式中的匹配保护电路4由第一电容C1、第二电容C2、电感L1和电阻R组成；第一电容C1的一端由电缆5连接到空心阴极管9的外壁上，第一电容C1的另一端与电感L1的一端相连接，第二电容C2与电阻R并联后一端与真空室11相连接，第二电容C2与电阻R并联后的另一端与电感L1的另一端一起与射频电源系统3的输出端相连接。其它组成及连接关系与具体实施方式一相同。
通过C1、L1和C2以及低通滤波器6的匹配使得高压脉冲与射频脉冲互不影响，这里关键是在通过C1和C2串联分压使得C2上获得较小的分压，从而避免高压对射频的影响；低通滤波器6利用感抗XL＝2πfL和射频频率f＝13.56MHz(其中L为电感)，使得该滤波器通低频阻高频，在实际工作中高压注入脉冲一般仅有几百赫芝，远远低于射频频率，因而通过该低通滤波器6可以有效避免射频对高压的影响。
具体实施方式七：结合图4说明本实施方式，本实施方式的空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的方法由以下步骤完成：一、将气体源室1中产生的离子气体通入到绝缘通气管2内；二、射频电源系统3的射频脉冲经过匹配保护电路4由射频电缆5耦合到空心阴极管9上，高压脉冲电源7的高压正脉冲经过低通滤波器6由高压电缆12加在空心阴极管9上，射频脉冲与高压正脉冲在空心阴极管9上耦合，在射频脉冲与高压正脉冲间隔输出的作用下，气体在空心阴极管9内产生等离子体，工件管筒10内的等离子体受到电场的作用，飞向工件管筒10的内壁，形成离子注入。
具体实施方式八：本实施方式在步骤一中，气体源室1提供氧气、氮气、氩气、甲烷或乙炔等多种气体形成离子注入；气体源室1提供甲烷或乙炔气体，可以对工件管筒10的内表面进行类金刚石薄膜沉积；气体源室1提供氮气或乙炔气体，能对工件管筒10进行TiN、CrN、ZrN、TiC或TiCN等薄膜的沉积。其它方法和步骤与具体实施方式七相同。
具体实施方式九：本实施方式在步骤二中，工件管筒10在空心阴极管9上作左右相对移动，使得工件管筒10表面获得更均匀的离子注入。其它方法和步骤与具体实施方式七相同。
具体实施方式十：本实施方式在步骤二中，在射频电源系统3发射的相邻两个射频脉冲间有高压脉冲电源7发射的两个以上高压正脉冲。其它方法和步骤与具体实施方式七相同。
Claims (10)
1.一种空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的装置，它由气体源室(1)、真空室(11)、绝缘通气管(2)、射频电源系统(3)、匹配保护电路(4)、电缆(5)、高压电缆(12)、低通滤波器(6)、高压脉冲电源(7)、绝缘体(8)、空心阴极管(9)组成；其特征在于真空室(11)接地，被处理的工件管筒(10)设置在真空室(11)内的中心处，空心阴极管(9)的一端设置在工件管筒(10)内的中心轴线上，空心阴极管(9)的另一端穿过真空室(11)与绝缘通气管(2)的一端相连接，绝缘通气管(2)的另一端与气体源室(1)的输出端相连接，绝缘体(8)套装在空心阴极管(9)上并固装在真空室(11)的输入端面的中心孔内，高压脉冲电源(7)的正极通过低通滤波器(6)和高压电缆(12)与空心阴极管(9)的外壁固接，高压脉冲电源(7)的负极接在真空室(11)的壁上，工件管筒(10)的侧壁接地，射频电源系统(3)的输出端通过匹配保护电路(4)和电缆(5)与空心阴极管(9)的外壁固接，抽气系统(13)设在真空室(11)的输出端处，齿轮(15)固装在支架(14)上，齿条(16)与齿轮(15)相啮合，传动杆(17)的一端与齿条(16)固接，传动杆(17)的另一端穿过真空室(11)的输出端与底座(18)固接，管筒(10)安装在底座(18)上，在底座(18)与真空室(11)的内壁之间设有滚动轴承(19)，在传动杆(17)与真空室(11)的输出端之间设有动密封圈(20)。
2.根据权利要求1所述的空心阴极耦合正偏压的管筒内表面离子注入装置，其特征在于空心阴极管(9)的内径为0.5-20mm。
3.根据权利要求1所述的空心阴极耦合正偏压的管筒内表面离子注入装置，其特征在于高压电缆(12)与空心阴极管(9)相连接的连接点位于绝缘通气管(2)和绝缘体(8)之间。
4.根据权利要求1所述的空心阴极耦合正偏压的管筒内表面离子注入装置，其特征在于高压脉冲电源(7)输出的正脉冲的电压幅值为1-50kV，输出的脉冲频率为1-500Hz。
5.根据权利要求1所述的空心阴极耦合正偏压的管筒内表面离子注入装置，其特征在于匹配保护电路(4)由第一电容C1、第二电容C2、电感L1和电阻R组成；第一电容C1的一端由电缆(5)连接到空心阴极管(9)的外壁上，第一电容C1的另一端与电感L1的一端相连接，第二电容C2与电阻R并联后一端与真空室(11)相连接，第二电容C2与电阻R并联后的另一端与电感L1的另一端一起与射频电源系统(3)的输出端相连接。
6.一种空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的方法，其特征在于它由以下步骤完成：一、将气体源室(1)中产生的离子气体通入到绝缘通气管(2)内，空心阴极管(9)的一端设置在工件管筒(10)内的中心轴线上，空心阴极管(9)的另一端穿过真空室(11)与绝缘通气管(2)的一端相连接；二、射频电源系统(3)的射频脉冲经过匹配保护电路(4)由射频电缆(5)耦合到空心阴极管(9)上，高压脉冲电源(7)的高压正脉冲经过低通滤波器(6)由高压电缆(12)加在空心阴极管(9)上，射频脉冲与高压正脉冲在空心阴极管(9)上耦合，在射频脉冲与高压正脉冲间隔输出的作用下，气体在空心阴极管(9)内产生等离子体，工件管筒(10)内的等离子体受到电场的作用，飞向工件管筒(10)的内壁，形成离子注入。
7.根据权利要求6所述的空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的方法，其特征在于步骤二中，工件管筒(10)在空心阴极管(9)上作左右相对移动。
8.根据权利要求6所述的空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的方法，其特征在于在射频电源系统(3)发射的相邻两个射频脉冲间有高压脉冲电源(7)发射的两个以上高压正脉冲。
9.根据权利要求6所述的空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的方法，其特征在于气体源室(1)提供甲烷或乙炔能对工件管筒(10)的内表面进行类金刚石薄膜沉积。
10.根据权利要求6所述的空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的方法，其特征在于气体源室(1)提供氮气或乙炔能对工件管筒(10)进行TiN、CrN、ZrN、TiC或TiCN薄膜的沉积。
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Families Citing this family (9)
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|---|---|---|---|---|
| CN103137412B (zh) * | 2011-11-30 | 2016-09-28 | 中国科学院微电子研究所 | 模块化离子注入机控制系统 |
| CN105132879B (zh) * | 2015-08-13 | 2017-12-22 | 黄山明明德轴承有限公司 | 一种轴承钢球强化处理装置及处理方法 |
| CN105088165B (zh) * | 2015-08-13 | 2017-12-22 | 黄山明明德轴承有限公司 | 一种轴承内圈滚道强化处理装置及处理方法 |
| CN105088164B (zh) * | 2015-08-13 | 2018-01-26 | 黄山明明德轴承有限公司 | 一种轴承外圈滚道强化处理装置及处理方法 |
| CZ307842B6 (cs) * | 2018-05-02 | 2019-06-12 | Fyzikální Ústav Av Čr, V. V. I. | Způsob generování nízkoteplotního plazmatu, způsob povlakování vnitřního povrchu dutých elektricky vodivých nebo feromagnetických trubic a zařízení pro provádění těchto způsobů |
| CN110965022B (zh) * | 2018-09-28 | 2021-12-24 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的形成方法 |
| CN109402612B (zh) * | 2018-11-21 | 2020-12-01 | 哈尔滨工业大学 | 利用自源自偏压空心阴极放电法沉积dlc薄膜的装置及基于该装置沉积dlc薄膜的方法 |
| CN111328174A (zh) * | 2018-12-17 | 2020-06-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室及等离子体产生方法 |
| CN113293357B (zh) * | 2021-05-25 | 2022-10-18 | 哈尔滨工业大学 | 一种脉冲复合射频增强空心阴极长管内壁沉积类金刚石涂层方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5935391A (en) * | 1994-01-31 | 1999-08-10 | Nissin Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a tube having a film on its inner peripheral surface and apparatus for manufacturing the same |
| CN1414136A (zh) * | 2002-09-30 | 2003-04-30 | 哈尔滨工业大学 | 管筒状工件内表面束线离子注入装置 |
| CN1844449A (zh) * | 2006-04-30 | 2006-10-11 | 哈尔滨工业大学 | 细长管筒内表面中空阴极等离子体表面处理装置及方法 |
| CN101130855A (zh) * | 2007-08-24 | 2008-02-27 | 哈尔滨工业大学 | 射频天线耦合细长管内表面离子注入表面改性方法 |
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2008
- 2008-09-28 CN CN200810137235XA patent/CN101365289B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5935391A (en) * | 1994-01-31 | 1999-08-10 | Nissin Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a tube having a film on its inner peripheral surface and apparatus for manufacturing the same |
| CN1414136A (zh) * | 2002-09-30 | 2003-04-30 | 哈尔滨工业大学 | 管筒状工件内表面束线离子注入装置 |
| CN1844449A (zh) * | 2006-04-30 | 2006-10-11 | 哈尔滨工业大学 | 细长管筒内表面中空阴极等离子体表面处理装置及方法 |
| CN101130855A (zh) * | 2007-08-24 | 2008-02-27 | 哈尔滨工业大学 | 射频天线耦合细长管内表面离子注入表面改性方法 |
Non-Patent Citations (1)
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| 巩春志,田修波，杨士勤.利用射频与高压直接耦合等离子体注入进行不锈钢表面改性.《微细加工技术》.2008,(第4期),14-18. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101365289A (zh) | 2009-02-11 |
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