CN101359679A - 有机发光显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光显示器(OLED)，在该OLED中，形成奇数行和偶数行中的分隔件的分隔区域，从而可移动发光层之间的精细金属掩模(FMM)并且FMM不会被卡在分隔件中。OLED包括在发光层之间的奇数分隔件和偶数分隔件，奇数分隔件和偶数分隔件向上突出并被分隔区域分隔开。每行分隔件的分隔区域与相邻行的分隔件对齐，不与相邻行的分隔区域对齐。

Description

有机发光显示器
技术领域
本领域涉及一种有机发光显示器(OLED)，更具体地讲，涉及这样一种OLED，在该OLED中，奇数分隔件的分隔区域与偶数分隔件的分隔区域不同，从而可以移动掩模并且掩模不会被卡在分隔件中，并且抵抗外界震动的耐性增大，从而有效地保护显示区域。
背景技术
有机发光显示器(OLED)是一种电激发荧光体或磷光体有机化合物来发光的显示装置。OLED驱动N×M个有机发光二极管来显示图像。在一些实施例中，有机发光二极管包括阳极(ITO)、有机薄层和阴极(金属)。有机薄层通常具有包括发射层(EML)、电子传输层(ETL)和空穴传输层(HTL)的多层结构，以改善电子和空穴之间的平衡，从而提高发射效率。所述多层结构可另外包括电子注入层(EIL)和空穴注入层(HIL)。
在OLED中，为了显示全色，可分别将红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)发光层图案化。为了将发光层图案化，例如，可在小分子OLED的情况下使用阴影掩模(shadow mask)，可在聚合物OLED的情况下使用喷墨打印法或激光诱导热成像(LITI)法。通过LITI法可将有机层精细地图案化。对于大面积可使用LITI法，并且LITI法的优势在于高分辨率。喷墨打印法是湿法蚀刻工艺，而LITI法是干法工艺。然而，在LITI法中，利用精细金属掩模(FMM)将发光层图案化。在工艺过程中，FMM的狭缝被卡在分隔件彼此分隔开的区域中。当分隔件为一体的而不是彼此分隔开的时，分隔件上的阴极电极有时由于分隔件之间的阶差而被短路，从而OLED会存在缺陷。
发明内容
一方面是一种有机发光显示器，该有机发光显示器包括：多个阵列的发光层，在多个行和多个列中布置所述发光层，相邻的行被多个奇数间隙和偶数间隙分隔开，奇数间隙和偶数间隙隔行交替；像素限定层，形成在每个发光层的外围；多个奇数分隔件，每个奇数分隔件从像素限定层中的一个突出，奇数分隔件形成在奇数间隙中，并具有多个奇数分隔区域；多个偶数分隔件，每个偶数分隔件从像素限定层中的一个突出，偶数分隔件形成在偶数间隙中，并具有多个偶数分隔区域，其中，奇数分隔区域与偶数分隔区域形成在不同的列中。
另一方面为一种有机发光显示器，该有机发光显示器包括：多个发射层；多行的分隔件，位于发射层之间，每行中的分隔件被多个分隔区域分隔开，其中，每行的分隔区域沿垂直于行的方向与相邻行的分隔件对齐。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本发明的以上和其它方面、特征和优点将会更清楚，在附图中：
图1是示出了有机发光显示器(OLED)的框图；
图2是示出了OLED面板的平面图；
图3是示出了放大的OLED面板的平面图；
图4A是沿图3中的线4a-4a截取的示意性剖视图，图4B是沿图3中的线4b-4b截取的分隔件的剖视图，图4C是沿图3中的线4c-4c截取的分隔件的剖视图；
图5是示出了OLED的面板的放大平面图；
图6是示出了OLED的面板的放大平面图；
图7是示出了OLED的面板的放大平面图。
具体实施方式
现在将详细地说明特定的实施例，在附图中示出了特定实施例的示例，其中，相同的标号通常始终表示相同的元件。
图1是示出了有机发光显示器(OLED)的框图。
如图1所示，OLED 1000包括扫描驱动器100、数据驱动器200和OLED面板(以下，称作面板)300。
扫描驱动器100通过扫描线ScanRGB[1]、ScanRGB[2]、…、ScanRGB[n]将扫描信号顺序地供给到面板300。
数据驱动器200通过数据线DataRGB[1]、DataRGB[2]、…、DataRGB[m]将数据信号供给到面板300。
另外，面板300包括沿行方向布置的多条扫描线ScanRGB[1]、ScanRGB[2]、…、ScanRGB[n]、沿列方向布置的多条数据线DataRGB[1]、DataRGB[2]、…、DataRGB[m]以及在多条扫描线ScanRGB[1]、ScanRGB[2]、…、ScanRGB[n]和多条数据线DataRGB[1]、DataRGB[2]、…、DataRGB[m]的交叉处附近的像素301。
每个像素形成在由两条相邻的扫描线和两条相邻的数据线限定的像素区域中。如上所述，扫描信号被从扫描驱动器100供给到扫描线ScanRGB[1]、ScanRGB[2]、…、ScanRGB[n]，数据信号被从数据驱动器200供给到数据线DataRGB[1]、DataRGB[2]、…、DataRGB[m]。
面板300接收第一电源电压和第二电源电压，以将第一电源电压和第二电源电压供给到像素301。接收第一电源电压和第二电源电压的像素电路响应数据信号控制从第一电源电压经发光器件流到第二电源电压的电流，以发射与数据信号对应的光。
图2是示出OLED面板的平面图。
如图2所示，OLED面板包括像素单元302和非像素单元303。
多个像素301形成在OLED面板中的像素单元302中。多个像素301包括OLED。OLED包括阳极(可包含ITO)、有机薄层和阴极(可包含金属)。在一些实施例中，有机薄层具有包括发射层(EML)、电子传输层(ETL)和空穴传输层(HTL)的多层结构，其中，发射层(EML)通过电子和空穴的复合而发光，电子传输层(ETL)传输电子，空穴传输层(HTL)传输空穴。OLED可另外包括注入电子的电子注入层(EIL)和注入空穴的空穴注入层(HIL)。即，像素单元302包括EML以发光。像素单元302被划分为主像素单元302a和无效像素单元(dummy pixel unit)302b。在主像素单元302a中，当OLED面板位于将被完成作为产品的OLED 1000中时，OLED中的发光层发光。即，在主像素单元302a上显示图像，从而用户可以看到图像。无效像素单元302b具有与主像素单元302a的结构相同的结构，并且当形成主像素单元302a时被形成。然而，在无效像素单元302b上并不显示图像。分隔件形成单元304沿行方向形成在像素单元302的多个像素301之间。分隔件形成单元304包括沿行方向形成的多个分隔件。分隔件形成在主像素单元302a和无效像素单元302b中。
OLED面板300的像素单元302外部没有形成像素301的非像素单元303至少用于保护像素单元302。分隔件形成单元304沿行方向从像素单元302延伸到非像素单元303，并且包括多个分隔件。当在非像素单元303中没有形成分隔件形成单元304时，不可能保护像素单元302抵抗外部震动。
图3是示出放大的OLED面板的平面图。在图3中，像素单元的OLED面板的一部分被放大。像素单元的OLED面板的像素单元302具有与图3中的OLED面板的像素单元的结构相同的结构，在非像素单元303中没有形成像素，并且分隔件340具有与图2中的分隔件的结构相同的结构。在图3的OLED面板中，通过精细金属掩模(FMM)370来形成发光层353。
如图3所示，OLED面板包括成行的发光层353，其中，相邻的行被多个隔行的奇数和偶数间隙分隔开。OLED面板还包括在奇数间隙和偶数间隙内的分隔件340。
发光层353形成在与像素301(参见图2)对应的区域中。利用FMM 370通过激光诱导热成像(LITI)法将发光层353形成为红色发光层353R、绿色发光层353G和蓝色发光层353B。在图3中，为了形成红色发光层353R，将具有狭缝371的FMM 370定位，以仅曝光将形成红色发光层353R的列。在FMM 370的曝光的区域中形成红色发光层353R，然后移动FMM 370以形成下一列的红色发光层353R，从而顺序地形成红色发光层353R。通过与形成红色发光层353R所使用的方法相同的方法来顺序地形成绿色发光层353G和蓝色发光层353B。由于在形成分隔件340之后一体地形成阴极电极，并且由于分隔件之间的阶差(step difference)会使得阴极电极短路，从而导致形成有缺陷的OLED面板，所以在分隔件340中形成分隔区域345。因此，分隔区域345是有益的。奇数分隔件340a之间形成的奇数分隔件340a的分隔区域345和相邻行(next row)中的偶数分隔件340b之间形成的偶数分隔件340b的分隔区域345被布置在不同的列中，从而能够防止FMM 370被卡在分隔区域345中。发光层353包括奇数发光层353a和偶数发光层353b。奇数发光层353a为奇数行的像素单元中的发光层，并形成在与奇数行中的像素301(参见图2)对应的区域中。偶数发光层353b为偶数行的像素单元中的发光层，并形成在与偶数行中的像素301(参见图2)对应的区域中。
分隔件340沿行方向形成在与分隔件形成单元304(参见图2)对应的区域中，并包括奇数分隔件340a和偶数分隔件340b。奇数分隔件340a邻近于奇数行中的发光层353a形成在奇数行中。偶数分隔件340b邻近于偶数行中的发光层353b形成在偶数行中。分隔件340沿行方向分隔开地形成。奇数分隔件340a和偶数分隔件340b的分隔区域345形成在不同的部分中。在一些实施例中，分隔件340的水平长度比两个发光层353的水平长度长，比三个发光层的水平长度短，并且大于分隔区域345。奇数分隔区域和偶数分隔区域具有相同的宽度。在一些实施例中，分隔区域345按相对于发光层353的图案形成。如图3所示，形成分隔区域345，使得分隔区域345沿行与每隔一个的发光层353对齐，即，奇数分隔区域345相对于偶数分隔区域345偏移一个发光层353。也可以使用其它图案。因此，在形成有奇数分隔件的分隔区域的列中不形成偶数分隔件的分隔区域345，在没有形成奇数分隔件的分隔区域345的列中形成偶数分隔件的分隔区域345。即，奇数分隔件的分隔区域345形成在与形成有偶数分隔件的分隔区域345的列不同的列中。结果，当使用FMM 370并形成发光层时，FMM 370的狭缝371不会被卡在分隔区域345中。
图4A是沿图3中的线4a-4a截取的示意性剖视图，图4B是沿图3中的线4b-4b截取的分隔件的剖视图，图4C是沿图3中的线4c-4c截取的分隔件的剖视图。
图4A、图4B和图4C中示出的OLED面板300和分隔件340并不是必须与实际的大小、厚度和长度成合适的比例，反而是为了清晰可以夸大或简化。作为示例，在图4A中，OLED面板300的发光区域和非发光区域具有相似的大小。然而，在一些实施中，非发光区域比发光区域小很多。
图4A中示出的OLED面板300包括：下基底310；阳极电极320，形成在下基底310上；像素限定层330，形成在下基底310和阳极电极320上；分隔件340，形成在像素限定层330上并突出；有机薄层350，形成在阳极电极320、像素限定层330和分隔件340上；阴极电极360，形成在有机薄层350上。
下基底310包括：基底311；缓冲层312，形成在基底311上；有源层313，形成在缓冲层312上；栅极绝缘层314，形成在有源层313和缓冲层312上；栅电极315，形成在栅极绝缘层314上；层间绝缘层316，形成在栅极绝缘层314和栅电极315上；源/漏电极317，形成在层间绝缘层316上；保护层318，形成在层间绝缘层316和源/漏电极317上；平坦化层319，形成在保护层318上。
基底310可由玻璃基底、塑料基底、金属基底、聚合物基底或它们的等价物形成。然而，本发明的基底的材料并不受限制。
缓冲层312形成在基底311上。缓冲层312防止潮气(H2O)、氢(H2)和氧(O2)穿透基底311渗透到有源层313和有机薄层350。因此，缓冲层312可由氧化硅层(SiO2)、氮化硅层(Si3N4)、无机层或它们的等价物形成。然而，本发明的缓冲层的材料不受限制。另外，在一些实施例中，省略了缓冲层312。
有源层313形成在缓冲层312上。有源层313由形成在两侧且彼此面对的源/漏区和形成在源/漏区之间的沟道区构成。有源层313可由非晶硅(Si)、多晶Si、有机薄层、微晶Si(晶粒尺寸在非晶Si和多晶Si之间的硅)或它们的等价物形成。然而，有源层313的材料不受限制。另外，当有源层313由多晶Si形成时，可通过利用激光在低温下使多晶Si晶化的方法、利用金属催化剂使多晶Si晶化的方法或它们的等价方法来形成有源层313。然而，使多晶Si晶化的方法不受限制。
栅极绝缘层314可形成在有源层313上。栅极绝缘层314还可以形成在有源层313外围的缓冲层312上。此外，栅极绝缘层314可由氧化硅层、氮化硅层、无机层或它们的等价物形成。本发明的栅极绝缘层314的材料不限于上述材料。
栅电极315可对应于有源层313中的沟道区形成在栅极绝缘层314上。栅电极315具有场效应晶体管(FET)结构，在该结构中，电场被施加到栅极绝缘层314下方的沟道区，从而在沟道区中形成空穴或电子的沟道。另外，栅电极315可由用金属(例如，Mo、MoW、Ti、Cu、Al、AlNd、Cr、Mo合金、Cu合金和Al合金)掺杂的多晶Si或其等价物形成。然而，栅电极315的材料不受限制。
层间绝缘层316可形成在栅极绝缘层314和栅电极315上。层间绝缘层316可由氧化硅层、氮化硅层、聚合物、塑料、玻璃或它们的等价物形成。然而，层间绝缘层316的材料不受限制。层间绝缘层316和栅极绝缘层314的特定区域被蚀刻，以形成暴露有源层313的部分的接触孔。
通过例如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法、低压化学气相沉积(LPCVD)法、溅射法或其等价方法在层间绝缘层316上形成源/漏电极317。
例如，通过光致抗蚀剂涂覆工艺、曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺以及上述工艺之后的光致抗蚀剂分离工艺，源/漏电极317可形成在期望的位置处。穿过层间绝缘层316的导电接触件形成在源/漏电极317和有源层313的源/漏区之间。通过先前形成的接触孔来形成导电接触件。
保护层318形成在源/漏电极317和层间绝缘层316上，以保护源/漏电极317。保护层318可由无机层或其等价物形成。然而，本发明的保护层318的材料不限于上述材料。
平坦化层319可形成在保护层318上。平坦化层319防止有机薄层350和阴极电极由于阶差而被短路，并可由苯并环丁烯(benzocyclo butene)、丙烯酰化合物(acryl)或它们的等价物形成。然而，本发明的平坦化层319的材料不受限制。在形成平坦化层319之后，蚀刻与源/漏电极317对应的区域，以在保护层318和平坦化层319中形成通孔。
尽管已经示出和描述了几个实施例，但是本领域的技术人员应该理解，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可以做出改变。
阳极电极320可由氧化铟锡(ITO)、ITO/Ag、ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/氧化铟锌(IZO)、银合金(ITO/Ag合金/ITO)和它们的等价物中的任何一种制成，但是阳极电极320的材料不受限制。ITO是逸出功均匀的透明导电层，从而相对于有机发光薄层的空穴注入势垒小，Ag是将光从有机发光薄层向顶部发射型装置中的上表面反射的层。穿透保护层318和平坦化层319的导电通孔形成在源/漏电极317和阳极电极320之间。导电通孔用于将阳极电极320电连接到有源层313的源/漏区。阳极电极320可形成在除了与晶体管结构对应的区域313、314、315和317之外的区域中，即，可形成在发光区域中，以将开口率最大化。
像素限定层330可形成在平坦化层319和阳极电极320的上面。并且，像素限定层330形成在与晶体管结构对应的区域中，即，形成在非发光区域中，从而增大像素的开口率。像素限定层330使得各个有机发光器件之间的边界被清晰地区分，从而像素之间的发光边界区域变得清楚。像素限定层330可由从聚酰亚胺和其等价物中选择的至少一种材料形成，但是像素限定层330的材料不受限制。
分隔件340被形成为从像素限定层330的上面突出。需要分隔件340是为了防止OLED的面板受到外界压力而被毁坏。换言之，形成分隔件340，从而OLED的面板具有形成在上面的余量空间(margin space)，并且防止OLED受到外界压力而被毁坏。
接下来，可在阳极电极320、像素限定层330和分隔件340的上面形成有机薄层350。有机薄层350包括空穴注入层351、空穴传输层352、发光层353、电子传输层354和电子注入层355。利用精细金属掩模(FMM)通过激光诱导热成像(LITI)在与形成有阳极电极320的上面对应的发光区域中形成发光层353。其余有机薄层351、352、354和355可形成在OLED的下基底310的整个区域上。在分隔件340中，偶数分隔件的分隔区域345不同于奇数分隔件的分隔区域345，从而当利用精细金属掩模(FMM)形成发光层353时，可以防止FMM的狭缝371被卡住。
在电子注入层355的上面，阴极电极360可形成在OLED的下基底310的整个区域上。由于下面的分隔件340和像素限定层330产生的台阶(step)会造成阴极电极的短路。因此，像素限定层330和分隔件340的侧面被形成为倾斜的表面并且在分隔件340中形成分隔区域，从而可以防止阴极电极360的短路。侧面分为沿行方向的第一侧面343(见图4B)和沿列方向的第二侧面344(见图4C)。
图4B中的分隔件包括上面341、下面342和第一侧面343。上面341的垂直长度VTL比下面342的垂直长度VBL短，下面342的垂直长度VBL比偶数发光层和奇数发光层彼此分隔的距离短。在上面341和下面342之间形成的侧面为倾斜的面，从而上面341的垂直长度VTL防止阴极电极短路。由于分隔件340形成在发光层之间以防止发光层受到外部震动的影响，但是分隔件340必须形成在非发光区域(见图4A)中，所以下面342的垂直长度VBL比偶数发光层与奇数发光层分隔的距离短。第一侧面343是倾斜的，以防止阴极电极360短路，并且第一侧面343和下面342之间的倾角可为30度到60度。如果第一侧面343的倾角等于或小于30度，则发光层会被引入到其它发光层。如果该倾角等于或大于60度，则由于分隔件的台阶会使形成在分隔件上面的阴极电极短路。
图4C中的分隔件包括上面341、下面342和第二侧面344。上面341的水平长度HTL比下面342的水平长度HBL短，下面342的水平长度HBL比一个发光层的水平长度长，并且比四个发光层的水平长度短。上面341和下面342之间形成的侧面是倾斜的面，从而上面341的水平长度HTL防止阴极电极短路。如果下面342的水平长度HBL比一个发光层的水平长度短，则用于形成发光层的精细金属掩模FMM的狭缝会被分隔件340卡住。如果下面342的水平长度HBL比四个发光层的水平长度长，则由于分隔件340的台阶会使一体地形成在分隔件340的上面的阴极电极短路。第二侧面344是倾斜的，以防止阴极电极360短路，并且第二侧面344的倾角可为30度至60度，并且可以与第一侧面的倾角相同。如果第二侧面344的倾角等于或小于30度，则发光层会被引入到其它发光层。如果倾角等于或大于60度，则由于分隔件的台阶会使形成在分隔件340上面的阴极电极360短路。
图5是示出根据另一实施例的OLED的面板的放大的平面图。图5示出了局部放大的图2的OLED的面板。由于图2中的OLED的面板的像素单元302的结构与图5中的OLED的面板的像素单元的结构相似，并且在图5中的OLED中没有形成非像素单元303，所以分隔件440与像素单元的分隔件相似。分隔件440的大小和结构与图4A、图4B和图4C中描述的分隔件的大小和结构相似。图5示出了通过精细金属掩模狭缝371形成发光层353时的OLED。
如图5所示，除了分隔件440，OLED面板的结构与图3中示出的OLED面板的结构相似。分隔件440沿行方向形成在与图2中的分隔件形成单元304对应的区域中，并且包括奇数分隔件440a和偶数分隔件440b。奇数分隔件440a位于第奇数行中，偶数分隔件440b位于第偶数行中。分隔件440沿行方向形成，并且奇数分隔件440a和偶数分隔件440b的分隔区域445形成在不同的水平位置处。分隔件440的水平长度比两个发光层的水平长度长，比三个发光层的水平长度短，并且比分隔区域445长。分隔区域445比一个发光层的水平长度长，并且比两个发光层的水平长度短。如果分隔区域445比一个发光层的水平长度长，则与分隔区域345比一个发光层的水平长度短时相比，可易于防止阴极电极短路。如果分隔区域445比两个发光层的水平长度长时，则分隔区域比分隔件长。结果，精细金属掩模370的狭缝371可被分隔件卡住。因此，分隔件优选地形成为大于分隔区域。
当发光层353以下面的方式形成时，即，沿列方向形成相同颜色的发光层并且沿行方向顺序地形成红色发光层353R、绿色发光层353G和蓝色发光层353B时，分隔件的分隔区域445按照与上面描述的按行形成的分隔件和分隔区域的图案类似的图案沿着列形成。在图5中示出的实施例中，在形成有奇数分隔件的分隔区域的列中不形成偶数分隔件的分隔区域445，而在不形成奇数分隔件的分隔区域445的列中形成偶数分隔件的分隔区域445。换言之，奇数分隔件的分隔区域445和偶数分隔件的分隔区域445形成在不同的列中。因此，当通过精细金属掩模370形成发光层时，可防止精细金属掩模370的狭缝371被分隔区域445卡住。如果在分隔件440中没有形成分隔区域445，则由于在形成分隔件440之后形成阴极电极，所以阴极电极会由于分隔件的台阶而被短路。
图6是示出了根据另一实施例的OLED的面板的放大的平面图。图6中的OLED的面板的放大的平面图示出了局部放大的图2中的OLED的面板。由于图2中的OLED的面板的像素单元302具有与图6中的OLED的面板的像素单元的结构相似的结构，并且像素不形成在非像素单元303中，所以分隔件540与像素单元的分隔件相似。分隔件540的大小和结构与图4A、图4B和图4C中描述的分隔件的大小和结构相似。图6示出了当通过精细金属掩模370形成发光层353时的OLED面板。
如图6所示，除了分隔件540，OLED面板具有与图3中示出的结构相似的结构。分隔件540沿行方向形成在与分隔件形成单元304(参见图2)对应的区域中，并包括奇数分隔件540a和偶数分隔件540b。奇数分隔件540a位于第奇数行中，偶数分隔件540b位于第偶数行中。分隔件540沿行方向分开地形成，并且奇数分隔件540a和偶数分隔件540b的分隔区域545形成在不同的垂直位置。分隔件540的水平长度比一个发光层的水平长度长，比两个发光层的水平长度短，并且比分隔区域545长。分隔区域545比一个发光层的水平长度短。
当发光层353以下面的方式形成时，即，沿列方向形成相同颜色的发光层并且沿行方向顺序地形成红色发光层353R、绿色发光层353G和蓝色发光层353B时，奇数分隔件的分隔区域545按照与上述描述的按行形成的分隔件和分隔区域的图案类似的图案沿着列形成。在图6中示出的实施例中，奇数分隔件的分隔区域545和偶数分隔件的分隔区域545形成在不同的列中。因此，当通过精细金属掩模370形成发光层时，可防止精细金属掩模370的狭缝371被分隔区域545卡住。
图7是示出了根据另一实施例的OLED的面板的放大的平面图。图7示出了局部放大的图2的OLED的面板。由于图2中的OLED面板的像素单元302具有与图7中的OLED的面板的像素单元的结构相似的结构，并且像素不形成在非像素单元303中，所以仅分隔件640与像素单元的分隔件相似。分隔件640的大小和结构与图4A、图4B和图4C中描述的分隔件相似。图7示出了当通过精细金属掩模狭缝371形成发光层353时的OLED面板。
如图7所示，除了分隔件640，OLED面板具有与图3中示出的OLED面板的结构相似的结构。分隔件640沿行方向形成在与分隔件形成单元304(参见图2)对应的区域中，并包括奇数分隔件640a和偶数分隔件640b。奇数分隔件640a位于第奇数行中，偶数分隔件640b位于第偶数行中。分隔件640沿行方向分开地形成，并且奇数分隔件640a和偶数分隔件640b的分隔区域645形成在不同的部分中。分隔件640的水平长度比三个发光层的水平长度长，比四个发光层的水平长度短，并且比分隔区域645长。分隔区域645比一个发光层的水平长度短。如果分隔件640比四个发光层的水平长度长，则在分隔件上面一体形成的阴极电极会被短路。奇数分隔件的分隔区域645和偶数分隔件的分隔区域645形成在不同的列中。当通过精细金属掩模370形成发光层时，可以防止精细金属掩模370的狭缝371被分隔区域645卡住。
如上所述，奇数分隔件的分隔区域与偶数分隔件的分隔区域并不是对齐的，从而当形成发光层时，可以移动精细金属掩模，并且不会被卡住。
提供上述的详细描述是为了解释本发明的有机发光显示器的原理和它的一些实际应用的目的。上述详细的描述并不意图是穷举性的或将本发明限制为公开的精确的实施例。修改和等价物对于本领域的技术实践者来说将是清楚的。
本申请要求于2007年8月3日提交的第10-2007-0078157号韩国专利申请的优先权和利益，该申请的全部内容通过引用包含于此。

Claims (20)

1、一种有机发光显示器，包括：
多个阵列的发光层，其中，在多个行和多个列中布置所述发光层，相邻的行被多个奇数间隙和偶数间隙分隔开，奇数间隙和偶数间隙隔行交替；
像素限定层，形成在每个发光层的外围；
多个奇数分隔件，每个奇数分隔件从像素限定层中的一个突出，其中，奇数分隔件形成在奇数间隙中，并具有多个奇数分隔区域；
多个偶数分隔件，每个偶数分隔件从像素限定层中的一个突出，其中，偶数分隔件形成在偶数间隙中，并具有多个偶数分隔区域，其中，
奇数分隔区域与偶数分隔区域形成在不同的列中。
2、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，奇数分隔区域和偶数分隔区域具有相同的宽度。
3、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，奇数分隔区域和偶数分隔区域的宽度比奇数分隔件和偶数分隔件的宽度小。
4、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，奇数分隔件和偶数分隔件的列向长度比奇数间隙和偶数间隙的列向长度短。
5、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，奇数分隔件和偶数分隔件的下面的列向长度比奇数间隙和偶数间隙的列向长度短。
6、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，奇数分隔件和偶数分隔件的下面的列向长度比奇数分隔件和偶数分隔件的上面的列向长度长，所述上面比所述下面离像素限定层远。
7、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，奇数分隔件和偶数分隔件的行向长度比发光层中的一个的行向长度长，比四个发光层的行向长度短。
8、根据权利要求7所述的有机发光显示器，其中，奇数分隔件和偶数分隔件的下面的行向长度比一个发光层的行向长度长，比四个发光层的行向长度短。
9、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，奇数分隔件和偶数分隔件的下面的行向长度比奇数分隔件和偶数分隔件的上面的行向长度长，所述上面比所述下面离像素限定层远。
10、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，奇数分隔件和偶数分隔件的行向长度比一个发光层的行向长度长，比两个发光层的行向长度短。
11、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，奇数分隔件和偶数分隔件的行向长度比两个发光层的行向长度长，比三个发光层的行向长度短。
12、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，奇数分隔件和偶数分隔件的行向长度比三个发光层的行向长度长，比四个发光层的行向长度短。
13、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，奇数分隔件和偶数分隔件的每个包括：
下面，位于像素限定层上；
上面，与下面相对；
多个侧面，将下面倾斜地连接到上面。
14、根据权利要求13所述的有机发光显示器，其中，奇数分隔件和偶数分隔件中的每个包括位于下面和上面之间且在30度和60度之间的倾角。
15、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，有机发光显示器包括有机发光面板，所述有机发光面板包括：
主像素单元，被构造为显示图像；
无效像素单元，形成在主像素单元外部，无效像素单元被构造为不显示图像；
其中，奇数分隔件和偶数分隔件形成在主像素单元和无效像素单元中。
16、根据权利要求1所述的有机发光显示器，还包括形成在发光层外部的非像素单元，在非像素单元中不形成像素，其中，
奇数分隔件和偶数分隔件另外地形成在非像素单元中。
17、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，有机发光显示器包括有机发光面板，所述有机发光面板包括：
主像素单元，被构造为显示图像；
无效像素单元，形成在主像素单元外部，其中，无效像素单元被构造为不显示图像；
非像素单元，在非像素单元中不形成发光层；其中，
奇数分隔件和偶数分隔件形成在主像素单元、无效像素单元和非像素单元中，其中，奇数分隔件和偶数分隔件被构造为保护发光区域。
18、根据权利要求1所述的有机发光显示器，还包括：
多个阳极电极，形成在发光层下方；
阴极电极，形成在发光层、像素限定层、奇数分隔件和偶数分隔件的上方；
像素电路，形成在像素限定层下面与像素限定层对应的区域中。
19、根据权利要求18所述的有机发光显示器，还包括：
空穴注入层，形成在阳极电极和发光层之间并位于像素限定层、奇数分隔件和偶数分隔件上方；
空穴传输层，形成在空穴注入层上方。
20、根据权利要求19所述的有机发光显示器，还包括：
电子传输层，在与发光层对应的区域中形成在发光层上方，在除了与发光层对应的区域之外的区域中形成在空穴传输层上方；
电子注入层，形成在电子传输层和阴极电极之间。
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