CN101349877B - 剥离方法及借此制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及剥离方法及借此制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法。该剥离方法包括：在基板上形成第一材料层；在第一材料层上形成包含第一开孔和第二开孔的光刻胶图案；使用光刻胶图案作为构图掩模而对第一材料层构图，从而形成材料图案，材料图案具有位于材料图案内的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽分别对应于第一开孔和第二开孔；在包括光刻胶图案及第一沟槽和第二沟槽的基板的整个表面上形成第二材料层；及同时去除光刻胶图案和位于光刻胶图案上的第二材料层，其中材料图案的在第一与第二沟槽之间的部分和材料图案的在第一与第二沟槽侧边的部分整体上构成了线。

Description

剥离方法及借此制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法 

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置，尤其涉及一种剥离方法及借此制造用于液晶显示(LCD)装置的阵列基板的方法，其能够防止图像质量的恶化。 

背景技术

相关技术的液晶显示(LCD)装置使用了液晶分子的光学各向异性和极化特性。作为其形状薄而长的结果，液晶分子具有确定的对准方向。可通过将电场作用于液晶分子而控制液晶分子的对准方向。换句话说，当电场的强度或方向改变时，液晶分子的对准也得到了改变。由于液晶分子光学各向异性之缘故，入射光线基于液晶分子的朝向而折射，因此可通过控制光线的透射率来显示图像。 

由于包含薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的LCD装置(称为有源矩阵LCD(AM-LCD)装置)具有高分辨率和显示移动图像的优越特性，AM-LCD已经得到了广泛使用。 

图1为平面视图，示出了用于相关技术LCD的阵列基板。在图1中的LCD装置中，像素电极和公共电极都设置在阵列基板上。可将其称为板内切换(IPS)模式的LCD装置。 

如图1所示，阵列基板10包括显示区域DR和位于显示区域DR外围的非显示区域NDR。显示区域DR用作根据液晶分子排列的改变的图像显示区。阵列基板10上形成了多条选通线20和多条数据线30。该多条选通线20和多条数据线30互相交叉，从而限定多个像素区域。此外，阵列基板10上形成了多条公共线50。公共线50与选通线20平行并且互相隔开。通过非显示区域NDR内的公共连接线70而将公共信号施加于公共线50。 

如果公共连接线70与选通线20形成于同一层的话，则选通线20之间会出现短路的问题。因此，公共连接线70与数据线30形成于同一层内。公共连接线70通过公共触点孔CMH而连接到公共线50上。 

在各个像素区域内设置有像素电极(图未示)、公共电极(图未示)和薄膜晶体管(TFT)T。像素电极(图未示)和公共电极(图未示)互相交替地设置。TFT T设置在选通线20与数据线30之间的交叉部位上，并且由从选通线20延伸的栅极、半导体层、从数据线30延伸的源极及与源极分开的漏极组成。 

栅焊盘电极42设置在选通线20的一端，而数据焊盘电极44则设置在数据线30的一端。栅焊盘电极42和数据焊盘电极44分别通过选通带载封装(TCP)(图未示)和数据TCP(图未示)而连接到选通驱动单元(图未示)和数据驱动单元(图未示)上。此外，虽然图未示，静电保护电路线(图未示)和多种信号线设置在非显示区域NDR上。 

公共连接线70将来自公共信号产生单元(图未示)的公共信号传输到显示区域DR内的多条公共线50。因此，公共连接线70的宽度大于各公共线50。 

另一方面，为了减少掩模工艺步骤，引入了剥离方法。然而，由于多种信号线和金属图案(例如公共连接线70、栅焊盘电极42、数据焊盘电极44、静电保护电路线(图未示)、用于检测短路问题的多模式查找(MPS)线(图未示)及哑线(图未示))具有相对较大的宽度，剥离方法中存在一些问题。具体地，由于将光刻胶(PR)图案和光刻胶图案上的层去除的剥离剂没有渗入到信号线和金属图案上方的中心部位内，PR图案不合需要地保留下来。 

参照附图来解释以上问题。图2为图1中部位“A”的平面放大图，图3A-3C为截面图，示出了制造沿着图2中的线III-III取出的部位的工艺。图2和图3A-3C示出了公共连接线，然而问题也可产生于各种信号线和金属图案内，比如非显示区域NDR内的栅焊盘电极、数据焊盘电极、静电保护电路线、多模式查找(MPS)(图未示)线及哑线(图未示)内。 

线70是由图2中的剥离工艺制成的。由于用于剥离工艺的剥离剂容 易渗入感光图案比如线70上的光刻胶(PR)图案的边缘部位D和E中，因而完美地将感光图案去除。然而，剥离剂难以渗入到中心部位F内。此后分别将感光层和感光图案称为PR层和PR图案。因此，感光图案在剥离工艺之后保留了下来。剩余的感光图案对随后的工艺或图像显示质量产生不良效果。当线具有相对较大的宽度时，出现了严重问题。 

将详细地解释剥离工艺中的问题。如图3A所示，栅绝缘层45形成于基板10上。在非显示区域NDR内，金属层60形成于栅绝缘层45上，而对应于金属层60一部分的PR层82则形成于金属层60上。 

接下来如图3B所示，借助PR图案82作为蚀刻掩模而对(图3A中的)金属层60进行蚀刻，从而形成线70并且使栅绝缘层45的一部分暴露出来。由于(图3A中的)金属层60为过蚀刻，PR图案82的宽度大于线70的宽度。然后，层50(比如钝化层)形成于PR图案82和暴露出来的栅绝缘层45上。如上所述，由于PR图案82的宽度因过蚀刻之缘故而大于线70的宽度，因而层50内在PR图案82与线70之间的边界处不连续。 

接下来如图3C所示，剥离剂渗入到层50的不连续部位，以便执行剥离工艺。结果，同时将PR图案82和直接位于PR图案82上的层50去除。在这种情况下，由于剥离剂容易渗入到线的边缘部位D和E，PR图案82和直接位于PR图案82上的层50在边缘部位D和E处被完美地去除。然而，剥离剂难以穿入到线70的中心部位F，PR图案82和直接位于PR图案82上的层50在中心部位F处很少被去除。剩余的PR图案82导致不良后果。 

另一方面，阵列基板内具有第一到第四非显示区域。比如，栅焊盘和数据焊盘分别形成于第一和第二非显示区域内。当像素电极的材料层形成于第三和第四区域内时，存在一些问题，比如相邻像素区域上的短路和腐蚀。然而，由于非显示区域具有相对较大的宽度，PR图案和像素电极的材料层保留下来，从而恶化了图像显示质量。 

发明内容

因此本发明涉及一种剥离方法及借助该剥离方法制造用于液晶显示 装置的阵列基板的方法，从而基本消除由相关技术的局限性和缺点所导致的一个或更多个问题。 

本发明的其它特征和优点将阐述于接下来的描述中，并且根据描述而至少局部地容易理解本发明的其它特征和优点，或者可通过实施本发明而获知本发明的其它特征和优点。本发明的目的和其它优点将通过特别在书面描述中、其权利要求中及附图中指出的结构而实现并获得。 

为了实现这些和其它优点并且根据所体现并在文中宽泛描述的发明目的，一种剥离方法包括：在基板上形成第一材料层；在第一材料层上形成包含第一开孔和第二开孔的光刻胶图案；使用光刻胶图案作为构图掩模而对第一材料层构图，从而形成材料图案，该材料图案具有位于材料图案内的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽分别对应于第一开孔和第二开孔；在包括光刻胶图案及第一沟槽和第二沟槽的基板的整个表面上形成第二材料层；及同时去除光刻胶图案和位于光刻胶图案上的第二材料层，其中材料图案的在第一与第二沟槽之间的部分和材料图案的在第一与第二沟槽侧边的部分整体上构成了线。 

根据本发明的另一方面，一种制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法包括：在具有显示区域及位于显示区域外围的第一到第四非显示区域的基板上形成选通线和栅极，栅极设置在显示区域内；形成数据线、数据焊盘、半导体层、源极和漏极，数据线与选通线交叉，数据焊盘设置在数据线的一端并且位于第一非显示区域内，半导体层设置在栅极的上方，源极与数据线连接并且设置在半导体层上，漏极与源极分开并且设置在半导体层上；在包含数据线、数据焊盘、源极和漏极的基板的整个表面上形成绝缘材料层；形成与源极和漏极对应的第一光刻胶图案及具有第一开孔和第二开孔的第二光刻胶图案，第一光刻胶图案暴露了漏极的一部分，而第一开孔和第二开孔分别对应于数据焊盘第一部位和第二部位；使用第一光刻胶图案和第二光刻胶图案作为构图掩模来对绝缘材料层构图，从而形成了暴露出漏极一部分的钝化层和具有第一沟槽和第二沟槽的第一钝化图案，第一沟槽和第二沟槽分别暴露出数据焊盘的第一部位和第二部位；在包含第一光刻胶图案和第二光刻胶图案、钝化 层和第一钝化图案的基板的整个表面上形成透明导电材料层；及借助剥离工艺同时将第一光刻胶图案和第二光刻胶图案及位于第一光刻胶图案和第二光刻胶图案上的透明导电材料层去除。 

根据本发明的另一方面，一种制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法包括：在基板上形成选通线和栅焊盘，栅焊盘设置在选通线的一端；在包含选通线和栅焊盘的基板的整个表面上依次形成栅绝缘层、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和金属层；对金属层、掺杂非晶硅层、本征非晶硅层和栅绝缘层构图，以便将栅焊盘暴露出来，并且形成与选通线交叉的数据线，从而限定像素区域和设置在数据线一端的数据焊盘；在包含数据线和数据焊盘的基板的整个表面上形成透明导电材料层；形成包含第一开孔和第二开孔的第一光刻胶图案和包含第三与第四开孔的第二光刻胶图案，第一开孔和第二开孔分别对应于栅焊盘的第一部位和第二部位，第三和第四开孔分别对应于栅焊盘的第三和第四部位；使用第一光刻胶图案和第二光刻胶图案作为构图掩模而对透明导电材料层构图，从而形成具有第一沟槽和第二沟槽的第一透明导电材料图案及具有第三沟槽和第四沟槽的第二透明导电材料图案，第一沟槽和第二沟槽分别将栅焊盘的第一部位和第二部位暴露出来，而第三沟槽和第四沟槽分别将数据焊盘的第三和第四部位暴露出来；在包含第一光刻胶图案和第二光刻胶图案及第一、二、三和第四沟槽的基板的整个表面上形成钝化层；借助剥离工艺同时将第一光刻胶图案和第二光刻胶图案及位于第一光刻胶图案和第二光刻胶图案上的钝化层去除。 

应当理解：以上概述及接下来的详述为示例性和解释性的，并用于进一步解释要求保护的发明。 

附图说明

包含在内用于进一步理解本发明并且结合于并构成了本说明书一部分的附图解释了发明的实施方式，并且与文字说明一起用来解释发明原理。 

图1为平面视图，示出了用于相关技术LCD装置的阵列基板。 

图2为图1中部位“A”的平面放大视图。 

图3A-3C为截面视图，示出了取自图2中的线III-III的部位的制造工艺。 

图4为平面视图，示出了根据本发明的包含沟槽的线的一部分。 

图5A-5C为截面视图，示出了取自图4中的线V-V的部位的制造工艺。 

图6为放大的平面视图，示出了图4中的部位“H”。 

图7为平面视图，示出了根据本发明的包含沟槽的线的一部分。 

图8A-8D为截面视图，示出了取自图7中的线VIII-VIII的部位的制造工艺。 

图9为放大的平面视图，示出了图7中的部位“I”。 

图10A-10F为平面视图，分别示出了根据本发明的沟槽。 

图11为平面示意图，示出了根据本发明的用于液晶显示装置的阵列基板。 

图12A-12F为截面视图，示出了取自图11中的线XII-XII的部位的制造工艺。 

图13A-13F为截面视图，示出了取自图11中的线XIII-XIII的部位的制造工艺。 

图14A-14F为截面视图，示出了取自图11中的线XIV-XIV的部位的制造工艺。 

图15A-15H为截面视图，示出了根据本发明的包含切换区域的像素区域制造工艺。 

图16A-16H为截面视图，示出了根据本发明的栅焊盘区域制造工艺。 

图17A-17H为截面视图，示出了根据本发明的数据焊盘区域制造工艺。 

具体实施方式

现在详细地说明本发明的优选实施方式，其实施例示出于附图中。 

图4为平面视图，示出了根据本发明的包含沟槽的线的一部分，而图5A-5C为截面视图，示出了取自图4中的线V-V的部位的制造工艺。 

如图4所示，多个第一沟槽172和多个第二沟槽174形成于线170上。第一沟槽172和第二沟槽174中的每一个都具有条状形状或矩形形状。线170可以为公共连接线、栅焊盘、数据焊盘、静电保护电路线、MPS线和哑线中的其中之一。线170具有相对较大的宽度。比如线170具有大于大约200微米的宽度。多个第一沟槽172设置在第一排内，互相隔开。多个第二沟槽174设置在第二排内，互相隔开。在通过剥离工艺形成线170之后，完美地将位于线170中心部位的钝化层或PR层去除。然而，钝化图案152和156(或PR层)保留在与第一沟槽172和第二沟槽174之间的部位远离的部位。参考图5A-5C对其进行详细的解释。 

参考图5A，基板100上形成了第一材料层175。然后，PR层180形成于第一材料层175上。考虑到其它条件，可以通过积淀包含氧化硅和氮化硅中的至少一种的无机绝缘材料而在基板100与第一材料层175之间形成栅绝缘层(图未示)。第一材料层175可以为第一层透明导电材料和第二层导电金属材料中的至少一种。第一层透明导电材料可以为铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。第二层导电金属材料可为铜(Cu)、钼(Mo)、钼钛合金(Mo-Ti)、铝(Al)、铝合金或铬(Cr)。图5A示出了包含其上形成了PR层180的第一材料层175。 

接下来将具有透射区域TA和阻光区域BA的掩模190设置在PR层180的上方。透射区域TA和阻光区域BA互相交替地设置。考虑到其它条件，可以使用不仅具有透射区域TA和阻光区域BA而且还具有半透射区域的半色调掩模。 

接下来参考图5B，通过(图5A中的)掩模190对(图5A中的)PR层180进行曝光并显影。结果，完美地将与(图5A中的)透射区域TA对应的(图5A中的)PR层180去除，从而使第一材料层175的一部分暴露出来。与(图5A中的)阻光区域BA对应的(图5A中的)PR层180则保留在(图5A中的)第一材料层175上，从而形成了第一到第三PR图案182、184和186。 

然后使用第一到第三PR图案182、184和186对暴露出来的(图5A中的)第一材料层175进行构图，从而在(图5A中的)第一材料层175上形成了第一到第三线形图案170a、170b和170c。此外，将第一与第二线形 图案170a与170b之间的第一部位定义为第一沟槽172，而将第二与第三线形图案170b与170c之间的第二部位定义为第二沟槽174。第一到第三线形图案170a、170b和170c的末端部位互相连接起来从而形成了线170。在这种情况下，(图5A中的)第一材料层175被过蚀刻，从而使第一到第三PR图案182、184和186分别具有比第一到第三线形图案170a、170b和170c大的宽度。可以将其称为底切结构。 

再次参考图4，第一沟槽和第二沟槽172、174对应于在线170的宽度W内将线去除的部位，以便提高提高剥离工艺特性。考虑到线170的电特性，第一沟槽和第二沟槽172、174互相隔开。第一沟槽和第二沟槽172、174分别互相平行地设置在第一和第二排内。此外，一个沟槽具有与相邻沟槽相同的距离。由于第一沟槽和第二沟槽172、174之缘故，用于剥离工艺的剥离剂容易渗入到第一沟槽和第二沟槽172、174内。 

接下来包含第一到第三PR图案182、184和186的基板100上形成了第二材料层150。第二材料层150由透明导电材料、导电金属材料和钝化层中的至少一个所形成。透明导电材料可以为ITO或IZO。导电金属材料可以为铜(Cu)、钼(Mo)、钼钛合金(Mo-Ti)、铝(Al)、铝合金或铬(Cr)。钝化层可以为有机绝缘材料或无机绝缘材料。比如，钝化层由氧化硅或氮化硅制成。第二材料层150借助溅射方法积淀而成。 

如上所述，由于第一到第三PR图案182、184和186的宽度分别大于第一到第三线形图案170a、170b和170c的宽度，所以第一到第三PR图案182、184和186在各第一到第三PR图案182、184和186中与各第一到第三线形图案170a、170b和170c之间的边界处的边缘部位处暴露出来。结果，第二材料层150在各第一到第三PR图案182、184和186与各第一到第三线形图案170a、170b和170c之间的边界处不连续。 

接下来如图5C所示，剥离剂经由第二材料层150内的不连续部位渗入(图5B中的)第一到第三PR图案182、184和186。然后，(图5B中的)第一和第三PR图案182和186及位于(图5B中的)第一和第三PR图案182、186上的第二材料层150被同时去除。与第一沟槽和第二沟槽172、174对应的(图5B中的)第二材料层150保留下来从而在第一与第二线形 图案170a、170b之间和在第二与第三线形图案170b、170c之间形成了第一材料图案158。 

借助剥离工艺，完美地将第二线形图案170b上的(图5B中的)第二PR图案184及第二PR图案184上的(图5B中的)第二材料层150去除。然而，分别设置在第一和第三线形图案170a、170c上的第一和第三PR图案182、186及分别位于第一和第三PR图案182、186上的钝化图案152、156部分地保留下来。虽然以上剥离工艺相对于相关技术中的剥离工艺更加有效，以上剥离工艺仍然具有一些问题。这些问题可能是由沟槽的排列结构引起的。 

图6为放大的平面视图，示出了图4中的部位“H”。参考图6，在剥离工艺中，剥离剂沿着箭头方向渗入第一沟槽和第二沟槽172、174的边缘部位。(箭头朝着图6中的第一沟槽和第二沟槽的边角，而剥离剂则穿过了沟槽的所有边缘。)因此，相对远离第一和第二PR图案172、174边缘的(图5C中的)第一和第三PR图案182、186则部分地保留下来。从而在后续工艺中和LCD装置中产生一些问题。具体地，剩余的PR图案对用于摩擦配向层的摩擦布造成了损害，从而可能产生线缺陷。此外，剩余的PR图案和液晶分子产生了化学反应，从而可能产生后图案缺陷。 

引入了以下实施方式来解决这些问题。图7为平面视图，示出了根据本发明的包含沟槽的线的一部分，而图8A-8C为截面视图，示出了取自图7中的线VIII-VIII的部位的制造工艺。 

如图7所示，线270上形成了多个第一沟槽273和多个第二沟槽274。多个第一沟槽273设置在第(2N-1)列内，互相隔开，而多个第二沟槽274则设置在第(2N)列内，互相隔开(N为正整数)。第二沟槽274中的每一个对应于两个相邻的第一沟槽273的与之面对的部分，而第一沟槽273中的每一个对应于两个相邻的第二沟槽274的与之面对的部分。线270具有大于大约200微米的宽度。由于图7中的第一沟槽和第二沟槽273、274的原因，线270的每个部位与第一沟槽和第二沟槽273、274之间的距离具有相对低的偏离度。因此，防止了由剥离工艺之后剩余的PR图案所引起的问题。 

图7中所示的线270是通过下列工艺制成的。参考图8A，基板200上形成了第一材料层260。然后通过涂覆光刻胶而在第一材料层260上形成了PR层280。考虑到其它条件，可以通过积淀包含氧化硅和氮化硅中的一种的无机绝缘材料而在基板200与第一材料层260之间形成栅绝缘层(图未示)。第一材料层260可以为第一层透明导电材料和第二层导电金属材料中的至少一种。第一层透明导电材料可以为铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。第二层导电金属材料可为铜(Cu)、钼(Mo)、钼钛合金(Mo-Ti)、铝(Al)、铝合金或铬(Cr)。图8A示出了包含其上形成了PR层280的第一材料层260。 

接下来将具有透射区域TA和阻光区域BA的掩模290设置在PR层280的上方。透射区域TA和阻光区域BA互相交替地设置。考虑到其它条件，可以使用不仅具有透射区域TA和阻光区域BA而且还具有半透射区域的半色调掩模。 

接下来参考图8B，通过(图8A中的)掩模290对(图5B中的)PR层280进行曝光并显影。结果，完美地将与(图8A中的)透射区域TA对应的(图8A中的)PR层280去除，从而使(图8A中的)第一材料层260的一部分暴露出来。与(图8A中的)阻光区域BA对应的(图8A中的)PR层280则保留在(图8A中的)第一材料层260上，从而形成了图8B所示的第一到第四PR图案282、284、286和288。 

接下来参考图8C，使用第一到第四PR图案282、284、286和288对暴露出来的(图8B中的)第一材料层260构图，从而在形成了第一沟槽和第二沟槽273、274的位置形成了线270。与第一到第四PR图案282、284、286和288分别对应的第一到第四线形图案270a、270b、270c和270d互相隔开。第一到第四线形图案270a、270b、270c和270d的末端互相连接起来从而形成了线270。将第一到第四线形图案270a、270b、270c和270d之间的空间定义为第一沟槽和第二沟槽273、274。 

第一沟槽和第二沟槽273、274对应于在线270的宽度W内将线270去除的部位，以便提高剥离工艺特性。第一沟槽和第二沟槽273、274可具有图7中的结构。 

更具体地，第一沟槽和第二沟槽273、274中的每一个具有棒条形状。第一沟槽273设置在第(2N-1)列内，互相隔开，而第二沟槽274则设置在第(2N)列内，互相隔开(N为正整数)。第二沟槽274中的每一个对应于两个相邻的第一沟槽273的与之面对的部分，而第一沟槽273中的每一个对应于两个相邻的第二沟槽274的与之面对的部分。线270的每个部位与第一沟槽和第二沟槽273、274之间的距离具有相对低的偏离度。因此，用于剥离工艺的剥离剂容易地渗入线270整个区域上的PR图案内。考虑到线270的面积和电特性失真而设置了第一沟槽和第二沟槽273、274。 

在这种情况下，借助各向同性湿蚀刻而对(图8B中的)第一材料层260进行构图。第一到第四PR图案282、284、286和288下方的(图8A中的)第一材料层260被过蚀刻，从而使第一到第四PR图案282、284、286和288分别具有比第一到第四线形图案270a、270b、270c和270d大的宽度。即，第一到第四PR图案282、284、286和288在各第一到第四PR图案282、284、286和288中与各第一到第四线形图案270a、270b、270c和270d之间的边界处的边缘部位处暴露出来。在剥离工艺过程中，剥离剂渗入第一到第四PR图案282、284、286和288的露出的边缘部位。 

接下来第二材料层250形成于包含第一到第四PR图案282、284、286和288的基板200上。第二材料层250由透明导电材料、导电金属材料和钝化层中的至少一个所形成。透明导电材料可以为ITO或IZO。导电金属材料可以为铜(Cu)、钼(Mo)、钼钛合金(Mo-Ti)、铝(Al)、铝合金或铬(Cr)。钝化层可以为有机绝缘材料或无机绝缘材料。比如，钝化层由氧化硅或氮化硅制成。第二材料层250借助溅射方法积淀而成。特别地，钝化层借助溅射方法而不是等离子化学蒸汽积淀方法积淀而成。 

一般地讲，LCD装置的钝化层是通过借助等离子化学蒸汽积淀方法积淀无机绝缘材料而形成的。然而，由于等离子化学蒸汽积淀方法要求相对较高的温度，比如大于大约350℃的温度，因此对第一到第四PR图案282、284、286和288造成了一些损害。这是因为第一到第四PR图案282、284、286和288的材料具有针对大约150℃的阻热特性。当通过等离子化学蒸汽积淀方法而积淀钝化层时，第一到第四PR图案282、284、 286和288塌陷并且完美地覆盖有钝化层。在这种情况下，由于剥离剂无法渗入到第一到第四PR图案282、284、286和288内，剥离工艺中存在严重问题。另外，剩余的PR图案和液晶分子产生了化学反应，从而可能产生后图案缺陷。为了解决这些问题，借助具有小于大约150℃的处理温度的溅射方法来积淀钝化层。 

当借助具有小于第一到第四PR图案282、284、286和288的阻热温度的处理温度的溅射方法来积淀第二材料层250时，没有对第一到第四PR图案282、284、286和288造成损害。此外，将第二材料层250积淀于柔性基板(比如塑料基板)上是可行的。 

接下来参考图8D，借助剥离剂而对包含第二材料层250(图8C)和第一到第四PR图案282、284、286和288(图8C)的基板200执行剥离工艺。结果，同时将第一到第四PR图案282、284、286和288(图8C)及位于第一到第四PR图案282、284、286和288(图8C)上的第二材料层250(图8C)去除。与第一沟槽和第二沟槽273、274对应的第二材料层250(图8C)保留下来从而形成了材料图案252。 

在本发明的该实施方式中，多个第一沟槽273和多个第二沟槽274可以如图7所示那样设置。即，第二沟槽274中的每一个对应于两个相邻第一沟槽273之间的空间。因此，剥离剂容易地渗入PR图案282、284、286和288(图8C)的整个区域。即，由于可如图7所示那样设置的第一沟槽和第二沟槽273、274之原因，剥离工艺的特性得到了改善。此外由于PR图案上的材料层是通过溅射方法形成的，因此剥离工艺中不存在损害。 

图9为放大的平面视图，示出了图7中的部位“I”。参考图9，在剥离工艺中，剥离剂沿着箭头方向穿过第一沟槽和第二沟槽273、274的边缘部位。(箭头朝着图9中的第一沟槽和第二沟槽的边角，而剥离剂则穿过了沟槽的所有边缘。)由于第一沟槽和第二沟槽273、274交替地设置，因此可容易地借助剥离工艺将线270的每个区域处的第一到第四PR图案282、284、286和288及第二材料层250(图8C)去除。 

图4到图9示出了具有棒条形状的第一沟槽和第二沟槽。然而它们也可以具有不同的形状。图10A-10F为平面视图，分别示出了根据本发 明的沟槽。如上所述，图10A-10F中的线370为具有大于大约200微米的宽度的信号线和金属图案中的一个。 

参考图10A，岛的至少一个沟槽371设置在线370上。沟槽371具有锯齿形状。参考图10B，沟槽372具有两条交叉的线。该两条交叉的线互相倾斜。即，沟槽372在两条线的交叉部位具有钝角或锐角。参考图10C，沟槽373具有十字形状。沟槽373的线互相交叉从而互相垂直。参考图10D，包含第一沟槽和第二沟槽线374a、374b的沟槽374具有风标形状(weathercock shape)。即，第一沟槽和第二沟槽线374a、374b互相交叉从而互相垂直，并且第一沟槽和第二沟槽线374a、374b的延伸线互相隔开并互相垂直。参考图10E，沟槽375在棒条形状图案中具有壁，该壁具有开口。参考图10F，沟槽376具有菱形形状。在其它实施方式中，沟槽可具有三角形、方形等中的一个形状。沟槽形成于具有相对较大宽度的线上以便改善剥离工艺特性。沟槽设置为岛状从而使线维持了电特性。线为栅焊盘、数据焊盘、MPS线、静电保护电路线和哑线中的一个。 

由于用于剥离工艺的剥离剂容易地借助沟槽而渗入PR图案中，因此剥离工艺中没有问题。此外，由于材料层是通过具有相对较低处理温度的溅射方法而积淀于PR图案上的，因此防止了对PR图案的损害。 

此后解释借助上述剥离工艺来制造用于LCD装置的阵列基板的方法。 

图11为平面示意图，示出了根据本发明的用于液晶显示装置的阵列基板。图12A-12F为截面视图，示出了取自图11中的线XII-XII的部位的制造工艺，图13A-13F为截面视图，示出了取自图11中的线XIII-XIII的部位的制造工艺，而图14A-14F为截面视图，示出了取自图11中的线XIV-XIV的部位的制造工艺。 

参考图11，液晶显示装置的基板410包括显示区域和非显示区域。非显示区域设置在像素区域P的显示区域的外周。如图11所示，非显示区域具有多个分段，并且每个分段具有至少一个沟槽。另选地，每个分段具有多个沟槽，并且相邻两个沟槽互相隔开。上述分段可以为栅焊盘、数据焊盘、MPS线、静电保护电路线、哑线、哑区域、选通线或数据线。具体地，选通线420形成于阵列基板400的基板410上。数据线440与 选通线420交叉从而限定像素区域P。像素区域P内形成了包括栅极422、半导体层(图未示)、源极442和漏极444的薄膜晶体管(TFT)Tr。与TFT Tr连接的像素电极460也形成于像素区域P内。栅极422和源极442分别连接到选通线和数据线420、440上。像素电极460与金属图案448交叠，金属图案448与选通线420交叠，从而形成了存储器电容Cst。金属图案448电连接到像素电极460和选通线420中的一个上。 

通过栅焊盘接触孔GPC而与栅焊盘电极(图未示)接触的栅焊盘424设置在选通线420的一端，而与数据焊盘电极(图未示)接触的数据焊盘446则设置在数据线440的一端。栅焊盘424和数据焊盘446设置在非显示区域内，非显示区域位于像素区域P的显示区域的外周。 

非显示区域内形成了第一到第四沟槽HP1、HP2、HP3和HP4。第一沟槽HP1形成于第一非显示区域内形成了栅焊盘424的位置处，而第二沟槽HP2则形成于第二非显示区域内形成了栅焊盘424的位置处。第三沟槽HP3形成于面对第二非显示区域的第三非显示区域内，而第四沟槽HP4则形成于面对第一非显示区域的第四非显示区域内。由于第一到第四沟槽HP1、HP2、HP3和HP4之原因，容易在剥离工艺中将材料层的一部分去除。在去除材料层一部分的过程中定义了像素电极460。第一到第四沟槽HP1、HP2、HP3和HP4具有图4、图7和图10A-10F中的一种形状。 

通过以下工艺制成了阵列基板。图12A-12F示出了包含其内形成了TFT的切换区域TrA的像素区域P，图13A-13F示出了形成了栅焊盘的栅焊盘区域GPA，而图14A-14F则示出了形成了数据焊盘的数据焊盘区域DPA。 

参考示出了第一个掩模工艺的图12A、13A和14A，通过积淀铜(Cu)、钼(Mo)、钼钛合金(Mo-Ti)、铝(Al)、铝合金或铬(Cr)中的至少一个而在基板410上形成了第一金属层(图未示)。对第一金属层(图未示)构图，从而形成了选通线(图未示)、从选通线(图未示)延伸到切换区域TrA内的栅极422及与栅焊盘区域GPA内的选通线(图未示)连接的栅焊盘424。接下来由氧化硅或氮化硅形成的栅绝缘层426形成于包含选通线(图未示)、栅极 422及栅焊盘424的基板的整个表面上。 

图12B-12D、图13B-13D和图14B-14D示出了第二个掩模工艺。参考图12B、13B和14B，依次在在栅绝缘层426上积淀有本征非晶硅层428、掺杂非晶硅层430和第二金属层432。第二金属层432可以为铜(Cu)、钼(Mo)、钼钛合金(Mo-Ti)、铝(Al)、铝合金或铬(Cr)中的至少一个。光刻胶的第一PR层480形成于第二金属层432上，然后将包含透射区域TA、半透射区域HTA和阻光区域BA的掩模M设置在第一PR层480上方。半透射区域HTA具有小于透射区域TA但大于阻光区域BA的透射率。半透射区域HTA对应于栅极422的中心和栅焊盘424的两个侧边，而阻光区域BA则对应于栅极422的两侧及数据焊盘(图未示)。透射区域TA对应于其它部位。通过掩模M而对第一PR层480进行曝光然后显影。 

结果，参考图12C、13C和14C，与阻光区域BA(图12B和图14B)对应并具有第一高度的第一PR图案482a，及与半透射区域HTA(图12B和图13B)对应并具有比第一高度小的第二高度的第二PR图案482b形成于第二金属层432上(图12B、图13B和图14B)。另一方面，与透射区域TA(图12B、图13B和图14B)对应的第一PR层480(图12B)完美地被去除，从而将第二金属层432(图12B、图13B和图14B)的一部分暴露出来。接下来，通过使用第一和第二PR图案482a、482b作为构图掩模而依次对所暴露出的第二金属层432(图12B、图13B和图14B)、掺杂非晶硅层430(图12B、图13B和图14B)、本征非晶硅层428(图12B、图13B和图14B)及位于所暴露出的第二金属层432(图12B、图13B和图14B)下方的栅绝缘层426(图12B、图13B和图14B)进行构图。结果，基板410上与像素区域P对应的部位暴露出来，而栅焊盘424则通过栅焊盘孔GPC而暴露出来。由数据焊盘区域DPA内的第二金属层432(图14C)形成了数据焊盘446。此外，也形成了金属材料图案432a、掺杂非晶硅图案430a和本征非晶硅图案428a。 

接下来参考图12D、13D和14D，在第一和第二PR图案482a、482b(图12C、13C和14C)上进行灰化工艺，以便去除第二PR图案482b(图12C、13C和14C)并且从第一PR图案482a上形成第三PR图案482c(图12C、 13C和14C)。第三PR图案482c具有小于第一PR图案482a(图12C和图14C)的高度。将暴露出的金属材料图案432a(图12C和图13C)及位于暴露出的金属材料图案432a(图12C和图13C)下方的掺杂非晶硅图案430a(图12C和图13C)去除，以便使本征非晶硅图案428a的一部分(图12C和图13C)暴露出来。结果，源极442及与源极442隔开的漏极444由金属材料图案432a(图12C)形成。欧姆接触层434b由掺杂非晶硅图案430a(图12C)形成。并且将暴露于源极442与漏极444之间的本征非晶硅图案428a(图12C)定义为有源层434a。有源层434a与欧姆接触层434b构成了半导体层434。栅极422、栅绝缘层426、包含有源层434a与欧姆接触层434b的半导体层434、源极442及漏极444构成了切换区域TrA内的TFT Tr。 

图12E-12F、图13E-13F和图14E-14F示出了第三个掩模工艺。参考图12E、13E和14E，将第三PR图案482c去除，然后形成了绝缘材料层(图未示)及位于该绝缘材料层(图未示)上的第四PR图案484。第四PR图案484对应于切换区域TrA和栅焊盘424的边界。栅焊盘区域GPA内的第四PR图案484从截面图上看互相隔开。切换区域TrA内的第四PR图案484将漏极444的一部分暴露出来。将栅焊盘区域GPA内的相邻两个第四PR图案484之间的空间定义为第一沟槽HP1。此外，第四PR图案484也形成于数据焊盘446上。数据焊盘446内的第四PR图案484对应于数据焊盘446的中心和两个侧边。将中心内的第四PR图案484与每个侧边内的第四PR图案484之间的空间定义为第二沟槽HP2。在附图中，看起来第四PR图案484的部位之间互相分开。然而，第一沟槽和第二沟槽HP1、HP2对应于第四PR图案484内的开孔，从而使每个区域中的第四PR图案484整体是集成在一起的。 

虽然图未示，在面对数据焊盘区域DPA和栅焊盘区域GPA的非显示区域内具有另外四个图案，从而使第三沟槽和第四沟槽分别定义在非显示区域内。 

接下来，通过将第四PR图案484用作构图掩模对绝缘材料层(图未示)构图而形成了钝化层450。在这种情况下，对绝缘材料层(图未示)进行 过蚀刻，从而使第四PR图案484的末端部位从钝化层450突出。即，第四PR图案484的宽度大于钝化层450的宽度。可以将其称为底切结构。 

接下来，通过积淀透明导电材料比如ITO或IZO而使透明导电材料层452形成于第四PR图案484和钝化层450上。如上所述，由于第四PR图案484的末端部位从钝化层450上突出，因此透明导电材料层452在第四PR图案484与钝化层450之间的边界处不连续。当通过具有高于350℃的处理温度的等离子化学蒸汽积淀方法来形成透明导电材料层452时，对第四PR图案484造成了损害，从而在剥离工艺中产生了缺陷。因此，通过具有小于大约150℃的处理温度的溅射方法来形成透明导电材料层452。 

接下来借助剥离剂来执行剥离工艺。剥离剂经由透明导电材料层452上的不连续部位而渗入第四PR图案484内，从而使第四PR图案484及位于第四PR图案484上的透明导电材料层452可被去除。在这种情况下，第一沟槽和第二沟槽HP1、HP2及第三沟槽和第四沟槽(图未示)对该剥离工艺有作用。更具体地，非显示区域内的第四PR图案484具有大于大约200微米的宽度。因此，如果通过相关技术中的剥离工艺来去除第四PR图案484及位于第四PR图案484上的透明导电材料层452的话，则不会完美地将第四PR图案484及位于第四PR图案484上的透明导电材料层452去除。然而，由于本发明中的第一沟槽和第二沟槽HP1、HP2及第三沟槽和第四沟槽(图未示)之缘故，可以克服相关技术剥离工艺中的问题。 

作为剥离工艺的结果，参考图12F、13F和14F，在像素区域P内形成了与漏极444连接的像素电极460。通过栅焊盘接触孔GPC而与栅焊盘424接触的栅焊盘电极462形成于栅焊盘区域GPA内，而与数据焊盘446接触并且对应于第二沟槽HP2的数据焊盘电极则形成于数据焊盘区域DPA内。而且，与第一沟槽HP1对应的透明导电材料层452(图13E)则保留下来从而形成了岛状第一剥离图案452a。虽然图未示，透明导电材料层452(图13E和13F)保留下来从而形成了第二到第四剥离图案，第二到第四剥离图案具有形成于数据焊盘446的外周和面对数据焊盘区域DPA的非显示区域和栅焊盘区域GPA内的小岛形状。 

由包含根据本发明的剥离工艺的以上工艺制成了用于LCD装置的阵列基板。 

此后解释了根据另一实施方式并且使用了上述剥离工艺来制造用于LCD装置的阵列基板的方法。并且简单地解释了与图12A-12H、图13A-13H及图14A-14H中所示要素类似的要素。 

图15A-15H为截面视图，示出了根据本发明的包含切换区域的像素区域的制造工艺，图16A-16H为截面视图，示出了根据本发明的栅焊盘区域的制造工艺，而图17A-17H为截面视图，示出了根据本发明的数据焊盘区域的制造工艺。 

参考示出了第一个掩模工艺的图15A、16A和17A，在基板510上形成了第一金属层(图未示)。对第一金属层(图未示)进行构图，从而形成了选通线(图未示)、从选通线(图未示)延伸到切换区域TrA内的栅极522及与栅焊盘区域GPA内的选通线(图未示)连接起来的栅焊盘524。接下来栅绝缘层526形成于包含选通线(图未示)、栅极522及栅焊盘524的基板的整个表面上。 

图15B-15D、图16B-16D和图17B-17D示出了第二个掩模工艺。参考图15B、16B和17B，依次在在栅绝缘层526上积淀有本征非晶硅层528、掺杂非晶硅层530和第二金属层532。第一PR层580形成于第二金属层532上。然后借助包含透射区域、半透射区域和阻光区域的掩模(图未示)而对第一PR层580构图，从而形成了具有不同高度的第一和第二PR图案582a、582b。 

接下来，参考图15C、16C和17C，通过将第一和第二PR图案582a、582b作为构图掩模而依次对第二金属层532(图15B、图16B和图17B)、掺杂非晶硅层528(图15B、图16B和图17B)、本征非晶硅层528(图15B、图16B和图17B)及栅绝缘层526进行构图，来暴露栅焊盘524。接下来下来执行灰化工艺以便形成第三PR图案582c。使用第三PR图案582c而对由第三PR图案582c所暴露出来的第二金属层532(图15B、图16B和图17B)、掺杂非晶硅层530(图15B、图16B和图17B)及本征非晶硅层528(图15B、图16B和图17B)进行构图，从而使金属材料图案532a、掺 杂非晶硅图案530a和本征非晶硅图案528a形成于栅焊盘524的两侧上。 

结果，参考图15D、16D和17D，本征非晶硅图案528a、掺杂非晶硅图案530a和金属材料图案532a堆叠在切换区域TrA内，而本征非晶硅图案528a、掺杂非晶硅图案530a和数据焊盘546则堆叠在数据焊盘区域DPA内。 

图15E-15H、图16E-16H和图17E-17H示出了第三个掩模工艺。参考图15E、16E和17E，形成了透明导电材料层552，并且具有不同高度第四和第五PR图案584a、584b形成于透明导电材料层552上。 

接下来参考图15F、16F和17F，借助第四和第五PR图案584a、584b而对透明导电材料层552、金属材料图案532a及掺杂非晶硅图案530a进行构图，从而形成了源极542、与源极542隔开的漏极544、位于源极542及漏极544下方的欧姆接触层534b和有源层534a。栅极522、栅绝缘层526、包含欧姆接触层534b和有源层534a的半导体层534、源极542及漏极544构成了切换区域TrA内的TFT Tr。接下来借助灰化工艺由第四PR图案584a而形成了第六PR图案584c。将栅焊盘524上的第六PR图案584c之间的空间定义为第一沟槽HP1，而将数据焊盘546上的第六PR图案584c之间的空间定义为第二沟槽HP2。在附图中，看起来第六PR图案584c的部位之间互相分开。然而，第一沟槽和第二沟槽HP1、HP2对应于第六PR图案584c中的开孔，从而使每个区域中的第六PR图案584c整体上集成在一起的。借助第六PR图案584c而对透明导电材料层552(图15E、16E和17E)进行构图，从而形成了与漏极544连接的像素电极560，并且在栅焊盘524和数据焊盘546上形成了透明导电材料图案552a。在这种情况下，由于透明导电材料层552(图15E、16E和17E)被过蚀刻，因此第六PR图案584c从透明导电材料图案552a的末端部位突出。 

接下来参考图15G、16G和17G，通过溅射方法而形成了由氮化硅或氧化硅组成的钝化层550。一般地讲，LCD装置的钝化层是通过借助等离子化学蒸汽积淀方法积淀无机绝缘材料而形成的。然而，由于等离子化学蒸汽积淀方法要求相对较高的温度，比如大于大约350℃的温度，因此对第六PR图案584c造成了一些损害。因此，借助具有小于大约150℃ 的处理温度的溅射方法来积淀钝化层550。 

由于钝化层550在像素电极560与第六PR图案584c之间的边界处及在透明导电材料图案552a与第六PR图案584c之间的边界处是不连续的，因而，在剥离工艺中，剥离剂经由不连续部位而渗入第六PR图案584c内。结果，同时将第六PR图案584c及位于第六PR图案584c上的钝化层550去除。特别地，由于第一沟槽和第二沟槽HP1、HP2之缘故，剥离工艺在栅焊盘526和数据焊盘546中具有强大的效果，栅焊盘526和数据焊盘546具有大于大约200微米的宽度。 

参考图15H、16H和17H，切换区域TrA内的钝化层550覆盖并保护着有源层534a所暴露出的部位。与第一沟槽HP1对应的钝化层550保留在栅焊盘区域GPA内。设置在第一沟槽HP1之间并且由透明导电材料形成的栅焊盘电极562与栅焊盘526接触。此外，与第二沟槽HP2对应的钝化层550保留在数据焊盘区域DPA内。设置在第二沟槽HP2之间并且由透明导电材料形成的数据焊盘电极564与数据焊盘546接触。 

当通过根据本发明的剥离方法来制造具有相对较大宽度(比如大于大约200微米的宽度)的线或图案时，由于多个沟槽之缘故而防止了比如剩余有PR图案之类的问题。 

此外，由于通过具有相对较低处理温度的溅射方法来积淀设置在PR图案上的材料层，因此不会对PR图案造成损害。 

另外，借助剥离工艺而制造出了用于具有改善的质量的液晶层的阵列基板。 

熟悉本领域的技术人员应当明白：在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明的有机电发光装置及其制造方法中可以做出许多修改和变形。因此，发明的实施方式旨在涵盖本发明的修改和变形，只要这些修改和变形落入了后附权利及其等同的范围之内即可。 

本申请要求申请日分别为2007年7月20日和2008年5月21日的韩国专利申请第2007-0073055号和2008-0046998号的优先权，这些申请通过引用而将全部内容并入。 

Claims (14)

1.一种剥离方法，该方法包括：

在基板上形成第一材料层；

在所述第一材料层上形成包含第一开孔和第二开孔的光刻胶图案；

使用所述光刻胶图案作为构图掩模而对所述第一材料层进行构图，从而形成材料图案，所述材料图案具有位于所述材料图案内的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽分别对应于所述第一开孔和第二开孔；

在包括所述光刻胶图案及所述第一沟槽和第二沟槽的所述基板的整个表面上形成第二材料层；及

同时去除所述光刻胶图案和所述光刻胶图案上的所述第二材料层，

其中所述材料图案的在所述第一沟槽与第二沟槽之间的部分和所述材料图案的在所述第一沟槽与第二沟槽侧边的部分的末端部位相互连接起来从而形成了线，

其中形成所述第二材料层的步骤是通过具有小于各个光刻胶图案的阻热温度的处理温度的溅射方法来进行的。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽从包括棒条形状、锯齿形状、交叉形状及风标形状的组中选出。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二材料层包括钝化层、透明导电材料层和导电金属材料层中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述线具有大于200微米的宽度。

5.一种制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法，该方法包括：

在具有显示区域及位于所述显示区域外围的第一到第四非显示区域的基板上形成选通线和栅极，所述栅极设置在所述显示区域内；

在所述基板上形成数据线、数据焊盘、半导体层、源极和漏极，所述数据线与所述选通线交叉，所述数据焊盘设置在所述数据线的一端并且位于所述第一非显示区域内，所述半导体层设置在所述栅极的上方，所述源极与所述数据线连接并且设置在所述半导体层上，所述漏极与所述源极分开并且设置在所述半导体层上；

在包含所述数据线、所述数据焊盘、所述源极和所述漏极的所述基板的整个表面上形成绝缘材料层；

形成与所述源极和所述漏极对应的第一光刻胶图案及具有第一开孔和第二开孔的第二光刻胶图案，所述第一光刻胶图案暴露出所述漏极的一部分，而所述第一开孔和第二开孔分别对应于所述数据焊盘的第一部位和第二部位；

使用所述第一光刻胶图案和第二光刻胶图案作为构图掩模而对所述绝缘材料层进行构图，从而形成暴露出所述漏极一部分的钝化层和具有第一沟槽和第二沟槽的第一钝化图案，所述第一沟槽和第二沟槽分别暴露出所述数据焊盘的所述第一部位和第二部位；

在包含所述第一光刻胶图案和第二光刻胶图案、所述钝化层和所述第一钝化图案的所述基板的整个表面上形成导电材料层；及

借助剥离工艺同时将所述第一光刻胶图案和第二光刻胶图案及位于所述第一光刻胶图案和第二光刻胶图案上的所述导电材料层去除，

其中形成所述导电材料层的步骤是通过具有小于各个光刻胶图案的阻热温度的处理温度的溅射方法来进行的。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述导电材料层为透明导电材料或不透明金属导电材料。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述第一光刻胶图案和第二光刻胶图案的步骤包括形成具有第三开孔和第四开孔的第三光刻胶图案，所述第三开孔和第四开孔分别对应于第二、第三和第四非显示区域中的每一个内的第三部位和第四部位；

对所述绝缘材料层构图的步骤包括形成具有第三沟槽和第四沟槽的第二钝化图案，所述第三沟槽和第四沟槽分别将第二、第三和第四非显示区域中的每一个内的第三和第四部位暴露出来；及

剥离步骤包括将所述第三光刻胶图案及位于所述第三光刻胶图案上的所述透明导电材料层去除。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽中的每一个包括棒条形状、锯齿形状、交叉形状及风标形状中的其中一个。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述数据焊盘和所述第二、第三及第四非显示区域中的每一个具有大于200微米的宽度。

10.一种制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法，该方法包括：

在基板上形成选通线和栅焊盘，所述栅焊盘设置在所述选通线的一端；

在包含所述选通线和所述栅焊盘的所述基板的整个表面上依次形成栅绝缘层、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和金属层；

对所述金属层、所述掺杂非晶硅层、所述本征非晶硅层和所述栅绝缘层进行构图，以便将所述栅焊盘暴露出来，并且形成与所述选通线交叉从而限定像素区域的数据线和设置在所述数据线一端的数据焊盘；

在包含所述数据线和所述数据焊盘的所述基板的整个表面上形成导电材料层；

形成包含第一开孔和第二开孔的第一光刻胶图案和包含第三开孔与第四开孔的第二光刻胶图案，所述第一开孔和第二开孔分别对应于所述栅焊盘的第一部位和第二部位，所述第二开孔和第四开孔分别对应于所述栅焊盘的第三部位和第四部位；

使用所述第一光刻胶图案和第二光刻胶图案作为构图掩模而对所述导电材料层构图，从而形成具有第一沟槽和第二沟槽的第一导电材料图案及具有第三沟槽和第四沟槽的第二导电材料图案，所述第一沟槽和第二沟槽分别将所述栅焊盘的所述第一部位和第二部位暴露出来，而所述第三沟槽和第四沟槽分别将所述数据焊盘的所述第三部位和第四部位暴露出来；

在包含所述第一光刻胶图案和第二光刻胶图案及所述第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽的所述基板的整个表面上形成钝化层；

借助剥离工艺同时将所述第一光刻胶图案和第二光刻胶图案及位于所述第一光刻胶图案和第二光刻胶图案上的所述钝化层去除，

其中形成所述钝化层的步骤是通过具有小于各个光刻胶图案的阻热温度的处理温度的溅射方法来进行的。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述导电材料层为透明导电材料或不透明金属导电材料。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述选通线和所述栅焊盘的步骤包括形成与所述选通线连接的栅极；

对所述金属层、所述掺杂非晶硅层、所述本征非晶硅层和所述栅绝缘层进行构图的步骤包括形成堆叠在所述栅极上的本征非晶硅图案、掺杂非晶硅图案及金属图案；

形成所述第一光刻胶图案和第二光刻胶图案的步骤包括形成将所述金属图案的中心暴露出来的第三光刻胶图案；

对所述导电材料层进行构图的步骤包括将所暴露出来的金属图案及所述掺杂非晶硅图案的一部分去除，并且形成位于所述像素区域内并且与所述金属图案的一部分连接的像素电极；及

去除所述第一光刻胶图案和第二光刻胶图案及所述钝化层的步骤包括去除所述第三光刻胶图案及位于所述第三光刻胶图案上的所述钝化层。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽中的每一个包括棒条形状、锯齿形状、交叉形状及风标形状中的其中一个。

14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述栅焊盘和所述数据焊盘中的每一个具有大于200微米的宽度。

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