CN101329291B - 一种气敏传感器 - Google Patents
一种气敏传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101329291B CN101329291B CN2007101176129A CN200710117612A CN101329291B CN 101329291 B CN101329291 B CN 101329291B CN 2007101176129 A CN2007101176129 A CN 2007101176129A CN 200710117612 A CN200710117612 A CN 200710117612A CN 101329291 B CN101329291 B CN 101329291B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- electric insulation
- insulation layer
- gas sensor
- interdigital electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 54
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 49
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 21
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 21
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 claims description 12
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 11
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
本发明涉及微机电系统技术领域，公开了一种气敏传感器，包括单晶硅衬底，起支撑作用的二氧化硅/氮化硅层，加热测温电极、叉指电极，加热测温电极和叉指电极之间的电绝缘层，叉指电极引出线压焊点、加热测温电极引出线压焊点和气体敏感层；所述电绝缘层在所述加热测温电极形成后淀积在所述加热测温电极上，所述叉指电极形成于所述电绝缘层上，所述气体敏感层淀积在所述叉指电极上。利用本发明，提高了器件被加热的工作区域部分与周围的热绝缘，降低了器件功耗，简化了器件中加热和测温部分的结构，有利于器件的大量生产以及和信号采集处理电路的集成。
Description
技术领域
本发明涉及微机电系统(MEMS)技术领域，尤其涉及一种气敏传感器。
背景技术
气体传感器技术有着关阔的应用前景，可用于工厂、车间和矿山的各种易燃易爆或有害气体的检测、家庭可燃性气体泄漏的监控检测等。
二氧化锡气敏传感器由于结构简单，制作方便，寿命长等特点而得到广泛应用。但是传统结构的二氧化锡气敏传感器具有体积大、功耗大、响应慢和一致性差等不可避免的弱点。
近年来，随着硅加工技术的发展，特别是微机械加工技术带来了制造加工技术的根本性变革。采用微电子、微机械加工和薄膜加工技术制备的微结构气敏传感器具有以下诸多独特优点：
(1)微型化；(2)低功耗；(3)工作精度可精确测定和控制；(4)批量生产，成本低，一致性、可靠性好；(5)易于与信号采集处理电路集成。
已有报道的利用微加工技术制作的结构如图1所示，图1为目前利用微加工技术制作的气敏传感器的结构示意图。其中，(1)为叉指电极，(2)为加热电极，(3)为测温电极。这种结构使用加热电极(2)对叉指电极上面的气体敏感层进行加热，由测温电极(3)对温度进行监控。
这种结构的最大问题是器件没有与周围热绝缘，导致热量通过电绝缘层向四周扩散，增大了器件功耗。而且采用测温电极和加热电极分别制作的方法，增加了器件引出线和制作的复杂度。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种气敏传感器，以提高器件被加热的工作区域部分与周围的热绝缘，降低器件功耗，简化器件中加热和测温部分的结构，进而有利于器件的大量生产以及和信号采集处理电路的集成。
(二)技术方案
为达到上述目的，本发明提供了一种气敏传感器，该气敏传感器包括单晶硅衬底1，起支撑作用的二氧化硅/氮化硅层2，加热测温电极9、叉指电极8，加热测温电极9和叉指电极8之间的电绝缘层，叉指电极引出线压焊点6、加热测温电极引出线压焊点7和气体敏感层10；
所述加热测温电极9由二氧化硅/氮化硅层2形成的支撑臂11固定在单晶硅衬底1上，支撑臂11下方为空腔结构；
所述支撑臂11上淀积有金属引线，加热测温电极9和叉指电极8通过各自的金属引线分别与加热测温电极引出线压焊点7和叉指电极引出线压焊点6相连接；
所述电绝缘层在所述加热测温电极9形成后依次淀积在所述加热测温电极9上，所述叉指电极8形成于所述电绝缘层上，所述气体敏感层10淀积在所述叉指电极8上。
上述方案中，所述加热测温电极9采用剥离法在支撑臂11形成，由Pt/Ti构成，Pt厚度为
Ti厚度为
所述加热测温电极的宽度为5～10μm，间隔为5～10μm。
上述方案中，所述支撑臂11的宽度为5～30μm，厚度为
上述方案中，所述空腔结构用于增大器件与周围的热绝缘，是利用KOH对硅进行各向异性腐蚀，将器件下方的硅腐蚀掉而形成的。
上述方案中，所述支撑臂11上的金属引线宽度分别为所述加热测温电极9和叉指电极8宽度的1.4～3倍。
上述方案中，所述电绝缘层为二氧化硅电绝缘层3，或为氮化硅电绝缘层4，或为二氧化硅电绝缘层3和氮化硅电绝缘层4。
上述方案中，所述二氧化硅电绝缘层3或氮化硅电绝缘层4采用溅射法淀积在所述加热测温电极9上，厚度分别为
和
上述方案中，所述叉指电极8采用剥离法形成于所述电绝缘层上，由Pt/Ti构成，Pt厚度为
Ti厚度为
，所述叉指电极8的宽度为5～20μm，间隔为5～20μm。
上述方案中，所述气体敏感层10采用溅射法淀积在所述叉指电极8上，厚度为
上述方案中，所述气体敏感层10为半导体气体敏感材料，至少包括二氧化锡、氧化锌、三氧化二铟和三氧化钨。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
1、本发明提供的这种气敏传感器，与利用微加工技术制作的气敏传感器相比，具有更好的热绝缘效果，降低了器件功耗，而且采用Pt/Ti电极同时作为加热电极和测温电极，简化了器件设计和制作复杂度。
2、本发明提供的这种气敏传感器，使用成熟可行的MEMS工艺制造，可以实现器件的大规模制造，降低单个器件的制造成本，提高器件性能的可靠性和一致性。
附图说明
图1为目前利用微加工技术制作的气敏传感器的结构示意图；
图2为本发明提供的气敏传感器的剖面结构示意图；
图3为本发明提供的气敏传感器的俯视图；
图4为本发明提供的气敏传感器中加热测温电极的俯视图；
图5为本发明提供的气敏传感器中叉指电极的俯视图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
如图2和图3所示，图2为本发明提供的气敏传感器的剖面结构示意图，图3为本发明提供的气敏传感器的俯视图。该气敏传感器包括单晶硅衬底1，起支撑作用的二氧化硅/氮化硅层2，加热测温电极9、叉指电极8，加热测温电极9和叉指电极8之间的电绝缘层，叉指电极引出线压焊点6、加热测温电极引出线压焊点7和气体敏感层10。
其中，加热测温电极9由二氧化硅/氮化硅层2形成的支撑臂11固定在单晶硅衬底1上，支撑臂11下方为空腔结构。支撑臂11上淀积有金属引线，加热测温电极9和叉指电极8通过各自的金属引线分别与加热测温电极引出线压焊点7和叉指电极引出线压焊点6相连接。所述电绝缘层可以为二氧化硅电绝缘层3，也可以为氮化硅电绝缘层，或者为二氧化硅电绝缘层3和氮化硅电绝缘层4。电绝缘层在所述加热测温电极9形成后依次淀积在所述加热测温电极9上，所述叉指电极8形成于所述电绝缘层上，所述气体敏感层10淀积在所述叉指电极8上。
如图4所示，图4为本发明提供的气敏传感器中加热测温电极的俯视图。加热测温电极9采用剥离法在支撑臂11形成，由Pt/Ti构成，Pt厚度为
Ti厚度为
所述加热测温电极的宽度为5～10μm，间隔为5～10μm。支撑臂11的宽度为5～30μm，厚度为300～1000
上述空腔结构用于增大器件与周围的热绝缘，是利用KOH对硅进行各向异性腐蚀，将器件下方的硅腐蚀掉而形成的。支撑臂11上的金属引线宽度分别为所述加热测温电极9和叉指电极8宽度的1.4～3倍。二氧化硅电绝缘层3或氮化硅电绝缘层4采用溅射法淀积在所述加热测温电极9上，厚度分别为
和
如图5所示，图5为本发明提供的气敏传感器中叉指电极的俯视图。叉指电极8采用剥离法形成于所述电绝缘层上，由Pt/Ti构成，Pt厚度为1000～2000
，Ti厚度为100～200
所述叉指电极8的宽度为5～20μm，间隔为5～20μm。叉指电极和加热测温电极通过支撑臂与电源和信号采集处理电路相连接。气体敏感层10采用溅射法淀积在所述叉指电极8上，厚度为2000
气体敏感层10为半导体气体敏感材料，至少包括二氧化锡、氧化锌、三氧化二铟和三氧化钨。各种不同的半导体气体敏感材料，能够实现对不同气体探测目标的探测。当敏感层吸附了待探测的气体之后，敏感层的电阻发生变化，敏感层的电阻变化通过叉指电极输出到测试电路。
实施例
再参照图2、3、4和5，器件主要由硅衬底(1)、二氧化硅/氮化硅层(2)、二氧化硅电绝缘层(3)、氮化硅电绝缘层(4)、二氧化硅层(5)、叉指电极引出线Au/Cr层(6)、加热测温电极引出线Au/Cr层(7)、叉指电极Pt/Ti层(8)、加热测温电极(9)和二氧化锡气体敏感层(10)十个部分构成。
硅衬底主要作为支撑结构，器件通过支撑臂(11)固定在硅衬底上，利用KOH对硅的各向异性腐蚀，把器件下方的硅腐蚀掉形成空腔，以增大器件与周围的热绝缘，叉指电极和加热测温电极通过支撑臂与电源和信号采集处理电路相连接。支撑臂宽度为5～30μm。加热测温电极宽度为5～10μm，间隔为5～10μm，加热区域面积为40×40、60×60、80×80、120×120μm2。加热测温电极下面为起支撑作用的二氧化硅/氮化硅层(2)，厚度为300～
使用剥离法形成加热测温电极之后，使用溅射法淀积二氧化硅和氮化硅作为电绝缘层，厚度分别为4500和1500
加热测温电极通过两根支撑梁上面的导线和电源以及测试电路连接。
使用剥离法在氮化硅电绝缘层(4)上面制作叉指电极Pt/Ti层(8)，叉指电极Pt/Ti层(8)的宽度为5～20μm，间隔为5～20μm，叉指电极Pt/Ti层(8)通过两根支撑梁上面的电极的导线与测试电路连接。通过溅射法在叉指电极Pt/Ti层(8)上淀积二氧化锡气体敏感层，厚度2000
也可以溅射其它敏感材料，包括氧化锌、三氧化二铟、三氧化钨等半导体气体敏感材料，实现对不同气体探测目标的探测。当敏感层吸附了待探测的气体之后，敏感层的电阻发生变化，敏感层的电阻变化通过叉指电极输出到测试电路。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种气敏传感器，其特征在于，该气敏传感器包括单晶硅衬底(1)，起支撑作用的二氧化硅/氮化硅层(2)，加热测温电极(9)，叉指电极(8)，加热测温电极(9)和叉指电极(8)之间的电绝缘层，叉指电极引出线压焊点(6)、加热测温电极引出线压焊点(7)和气体敏感层(10)；
所述加热测温电极(9)由二氧化硅/氮化硅层(2)形成的支撑臂(11)固定在单晶硅衬底(1)上，支撑臂(11)下方为空腔结构，该空腔结构用于增大器件与周围的热绝缘，是利用KOH对硅进行各向异性腐蚀，将器件下方的硅腐蚀掉而形成的；
所述支撑臂(11)上淀积有金属引线，加热测温电极(9)和叉指电极(8)通过各自的金属引线分别与加热测温电极引出线压焊点(7)和叉指电极引出线压焊点(6)相连接；
所述电绝缘层为二氧化硅电绝缘层(3)，或为氮化硅电绝缘层(4)，或为二氧化硅电绝缘层(3)和氮化硅电绝缘层(4)；所述电绝缘层在所述加热测温电极(9)形成后依次淀积在所述加热测温电极(9)上，所述叉指电极(8)形成于所述电绝缘层上，所述气体敏感层(10)淀积在所述叉指电极(8)上。
2.根据权利要求1所述的气敏传感器，其特征在于，所述加热测温电极(9)采用剥离法在支撑臂(11)形成，由Pt/Ti构成，Pt厚度为1000～Ti厚度为
所述加热测温电极的宽度为5～10μm，间隔为5～10μm。
3.根据权利要求1所述的气敏传感器，其特征在于，所述支撑臂(11)的宽度为5～30μm，厚度为
4.根据权利要求1所述的气敏传感器，其特征在于，所述支撑臂(11)上的金属引线宽度分别为所述加热测温电极(9)和叉指电极(8)宽度的1.4～3倍。
5.根据权利要求1所述的气敏传感器，其特征在于，所述二氧化硅电绝缘层(3)或氮化硅电绝缘层(4)采用溅射法淀积在所述加热测温电极(9)上，厚度分别为和
6.根据权利要求1所述的气敏传感器，其特征在于，所述叉指电极(8)采用剥离法形成于所述电绝缘层上，由Pt/Ti构成，Pt厚度为1000～
Ti厚度为
所述叉指电极(8)的宽度为5～20μm，间隔为5～20μm。
7.根据权利要求1所述的气敏传感器，其特征在于，所述气体敏感层(10)采用溅射法淀积在所述叉指电极(8)上，厚度为
8.根据权利要求1所述的气敏传感器，其特征在于，所述气体敏感层(10)为半导体气体敏感材料，至少包括二氧化锡、氧化锌、三氧化二铟和三氧化钨。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2007101176129A CN101329291B (zh) | 2007-06-20 | 2007-06-20 | 一种气敏传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2007101176129A CN101329291B (zh) | 2007-06-20 | 2007-06-20 | 一种气敏传感器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101329291A CN101329291A (zh) | 2008-12-24 |
| CN101329291B true CN101329291B (zh) | 2012-01-11 |
Family
ID=40205206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007101176129A Expired - Fee Related CN101329291B (zh) | 2007-06-20 | 2007-06-20 | 一种气敏传感器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101329291B (zh) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102235969B (zh) * | 2010-04-21 | 2013-05-01 | 中国科学院微电子研究所 | 多通道滤波阵列mems光谱式气敏传感器 |
| CN102288644A (zh) * | 2011-07-08 | 2011-12-21 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种具有四支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器及方法 |
| CN102359980A (zh) * | 2011-07-08 | 2012-02-22 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种具有两支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器及方法 |
| CN102359981A (zh) * | 2011-07-08 | 2012-02-22 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种具有两支撑悬梁六层结构的电阻式气体传感器及方法 |
| CN102426176B (zh) * | 2011-11-18 | 2013-03-27 | 南京工业大学 | 一种气体传感器及其制造工艺 |
| CN103175866A (zh) * | 2011-12-26 | 2013-06-26 | 中国第一汽车股份有限公司 | 集成平面式气体传感器衬底 |
| CN102645454A (zh) * | 2012-03-30 | 2012-08-22 | 长春理工大学 | 具有纳米纤维敏感层的平面式乙炔气体传感器 |
| CN103630582B (zh) * | 2013-12-11 | 2016-02-10 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种mems湿度传感器及制备方法 |
| CN104181203B (zh) * | 2014-08-13 | 2017-12-22 | 苏州能斯达电子科技有限公司 | 一种mems气体传感器及其制作方法 |
| CN104297303B (zh) * | 2014-11-05 | 2017-04-05 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 丙酮气敏传感器及其制备方法 |
| CN105987935B (zh) * | 2015-02-16 | 2019-08-23 | 郑州炜盛电子科技有限公司 | Mems气体传感器及其制作方法 |
| US9658179B2 (en) | 2015-06-24 | 2017-05-23 | Infineon Technologies Ag | System and method for a MEMS transducer |
| CN104914135A (zh) * | 2015-07-03 | 2015-09-16 | 安徽中杰信息科技有限公司 | 一种用于危化品泄露检测的气体传感器 |
| US20180128774A1 (en) * | 2016-11-07 | 2018-05-10 | Epistar Corporation | Sensing device |
| CN108107081B (zh) * | 2017-11-30 | 2020-07-10 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种气体传感器的制造方法以及由此制造的气体传感器 |
| CN109060895A (zh) * | 2018-09-05 | 2018-12-21 | 上海交通大学 | 一种在升温模式下工作的电阻型金属薄膜氢气传感器 |
| CN110044972A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-07-23 | 厦门理工学院 | 一种石墨烯基气敏传感器及其制备方法 |
| CN210775316U (zh) * | 2019-06-20 | 2020-06-16 | 南京云创大数据科技股份有限公司 | 一种基于wo3纳米薄膜的可燃气体传感器 |
| CN110174442A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-08-27 | 苏州大学 | 二氧化钛基气体传感器及其制备方法 |
| CN110806432A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-02-18 | 清华大学 | 微热板和微热板的制作方法 |
| CN110988051A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-10 | 武汉微纳传感技术有限公司 | 一种双模式mems气体传感器及其工作方法 |
| CN110988050A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-10 | 武汉微纳传感技术有限公司 | 一种带温度感测功能的mems气体传感器及其制备方法 |
| CN111272828B (zh) * | 2020-03-26 | 2022-04-12 | 微纳感知(合肥)技术有限公司 | 一种mems气体传感器及其阵列、制备方法 |
| CN113514499A (zh) * | 2020-04-10 | 2021-10-19 | 中国石油化工股份有限公司 | 内嵌式三维结构微加热板及制备方法、气体传感器 |
| CN112255287B (zh) * | 2020-09-24 | 2023-06-13 | 遵义师范学院 | 一种基于多孔硅的硅基叉指电极及其制造方法 |
| CN116087282A (zh) * | 2023-01-10 | 2023-05-09 | 安徽军工集团控股有限公司 | 一种mems气体传感器 |
| CN117783220A (zh) * | 2023-12-21 | 2024-03-29 | 南京邮电大学 | 一种气体传感器及其加工方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10247857A1 (de) * | 2002-10-14 | 2004-04-22 | Moos, Ralf, Prof. Dr.-Ing. | Gassensor in keramischer Mehrlagentechnologie |
| WO2005081931A2 (en) * | 2004-02-23 | 2005-09-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Nickel-coated free-standing silicon carbide structure for sensing fluoro or halogen species in semiconductor processing systems, and processes of making and using same |
| CN1674319A (zh) * | 2005-03-16 | 2005-09-28 | 北京青鸟元芯微系统科技有限责任公司 | 用半导体工艺制作平面式气体传感器基底的方法 |
| CN1684285A (zh) * | 2004-04-16 | 2005-10-19 | 中国科学院电子学研究所 | 微结构气敏传感器阵列芯片及其制备方法 |
| CN1936563A (zh) * | 2006-10-09 | 2007-03-28 | 西南交通大学 | 一种具有压差补偿功能的气体传感器 |
-
2007
- 2007-06-20 CN CN2007101176129A patent/CN101329291B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10247857A1 (de) * | 2002-10-14 | 2004-04-22 | Moos, Ralf, Prof. Dr.-Ing. | Gassensor in keramischer Mehrlagentechnologie |
| WO2005081931A2 (en) * | 2004-02-23 | 2005-09-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Nickel-coated free-standing silicon carbide structure for sensing fluoro or halogen species in semiconductor processing systems, and processes of making and using same |
| CN1942751A (zh) * | 2004-02-23 | 2007-04-04 | 高级技术材料公司 | 用于检测在半导体加工系统中的氟或卤素物质的涂镍自立式碳化硅结构及其制造和应用方法 |
| CN1684285A (zh) * | 2004-04-16 | 2005-10-19 | 中国科学院电子学研究所 | 微结构气敏传感器阵列芯片及其制备方法 |
| CN1674319A (zh) * | 2005-03-16 | 2005-09-28 | 北京青鸟元芯微系统科技有限责任公司 | 用半导体工艺制作平面式气体传感器基底的方法 |
| CN1936563A (zh) * | 2006-10-09 | 2007-03-28 | 西南交通大学 | 一种具有压差补偿功能的气体传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101329291A (zh) | 2008-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101329291B (zh) | 一种气敏传感器 | |
| CN1974372B (zh) | 差压/绝压/温度三参数单片集成传感器芯片 | |
| CN201653604U (zh) | 一种压力传感器 | |
| CN101551403B (zh) | 一种测试加速度,压力和温度的集成硅芯片及制作方法 | |
| CN101487747B (zh) | 一种基于表面微机械加工的绝对压力传感器芯片及制作方法 | |
| CN104297303A (zh) | 丙酮气敏传感器及其制备方法 | |
| Vincenzi et al. | Development of a low-power thick-film gas sensor deposited by screen-printing technique onto a micromachined hotplate | |
| CN102426176A (zh) | 一种气体传感器及其制造工艺 | |
| CN104677952A (zh) | 一种高稳定性薄膜氢气传感器及其使用方法 | |
| CN104142359B (zh) | 一种mems气体传感器及其加工方法 | |
| CN105967136A (zh) | 微电子温度传感器及其制备方法 | |
| CN104280085A (zh) | 一种气体流量传感器及其制作方法 | |
| CN104991087A (zh) | 一种具有片上自标定功能的mems热式风速传感器 | |
| CN204129000U (zh) | 一种mems气体传感器 | |
| CN102589760A (zh) | 一种微型电容式力学传感器及其制备方法 | |
| CN102368042B (zh) | 微型流量传感器 | |
| CN103954383B (zh) | 一种可用于高温环境下壁面剪应力测量的底层隔板微传感器及其制造方法 | |
| CN101881664A (zh) | 一种空气绝热薄膜式红外传感器 | |
| CN108275649B (zh) | 一种mems可燃气体传感器及其加工方法 | |
| CN102012437B (zh) | 应用无线射频识别标签技术的热气泡式加速仪及制备方法 | |
| CN102358612A (zh) | 硅基共平面微型气体传感器芯片及制备微型气体传感器 | |
| CN201203591Y (zh) | 有热净化功能的低功耗热隔离双模块集成湿度传感器芯片 | |
| CN109060895A (zh) | 一种在升温模式下工作的电阻型金属薄膜氢气传感器 | |
| CN105116023A (zh) | Mos型气体传感器及制备方法 | |
| CN204831651U (zh) | 一种多晶硅压阻式密封表压压力传感器芯片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120111 |