CN101329042B - 光源组件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种光源组件,其包括一承载器、一基板、一重配置线路层、多条导线与一透明盖板。其中,基板配置于承载器上,且基板划分出多个发光芯片。此外,各发光芯片具有多个第一接垫。重配置线路层配置于基板所划分出的多个发光芯片上,且重配置线路层具有多个第二接垫,其经由重配置线路层内的接线电性连接至第一接垫。导线电性连接第二接垫与承载器之间。透明盖板配置于承载器上,并覆盖基板。因此,此种光源组件具有较高的亮度。
Description
技术领域
本发明是有关于一种光源组件,且特别是有关于一种采用发光芯片的光源组件。
背景技术
近年来,利用含氮化镓的化合物半导体,如氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)等的发光二极管(light emitting diode,LED)元件备受瞩目。三族氮化物为一宽频带能隙的材料,其发光波长可以从紫外光一直涵盖至红光,因此可说是几乎涵盖整个可见光的波段。此外,相较于传统灯泡,发光二极管具有绝对的优势,例如体积小、寿命长、低电压/电流驱动、不易破裂、不含水银(没有污染问题)以及发光效率佳(省电)等特性,因此发光二极管在产业上的应用非常广泛。
由于发光二极管的发光现象不属于热发光或放电发光,而是属于冷性发光,所以发光二极管装置在散热良好的情况下,寿命可长达十万小时以上,且无须暖灯时间(idling time)。此外,发光二极管装置具有反应速度快(约为10-9秒)、体积小、用电省、污染低(不含水银)、高可靠度、适合量产等优点,因此其应用的领域十分广泛。因此,发光二二极管被视为21世纪最重要的光源。
由发光二极管所构成的光源组件中,由于各发光二极管为单芯片封装体,其所能提供的亮度有限,因此现有的光源组件常需要使用不少的发光二极管,而连接这些发光二极管之间的线路将会造成光源组件设计上的限制。换言之,此种光源组件的体积较大。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种光源组件,以提高亮度。
本发明提出一种光源组件,其包括一承载器、一基板、一重配置线路层、多条导线与一透明盖板。其中,基板配置于承载器上,且基板划分出多个发光芯片。此外,各发光芯片具有多个第一接垫。重配置线路层配置于基板所划分出的多个发光芯片上,且重配置线路层具有多个第二接垫,其经由该重配置线路层内的接线电性连接至第一接垫。导线电性连接第二接垫与承载器之间。透明盖板配置于承载器上,并覆盖基板。
在本发明一实施例中,基板具有多条切割道,以分隔这些发光芯片,且这些第二接垫位于这些切割道上。
在本发明一实施例中,透明盖板的材质可以是玻璃或压克力。
在本发明一实施例中,发光芯片可以是发光二极管芯片或有机发光二极管芯片。
在本发明一实施例中,承载器可以是电路板或软性电路板。
本发明提出一种光源组件,其包括一承载器、一基板、一重配置线路层与多个导电元件。其中,基板配置于承载器上,且基板划分出多个发光芯片。此外,各发光芯片具有多个第一接垫。重配置线路层配置于基板所划分出的多个发光芯片上,且重配置线路层具有多个第二接垫,其经由该重配置线路层内的接线电性连接至第一接垫。导电元件配置于承载器与第二接垫之间,且第二接垫经由导电元件电性连接至承载器之间。
在本发明一实施例中,基板具有多条切割道,以分隔这些发光芯片,且这些第二接垫位于这些切割道上。
在本发明一实施例中,光源组件还包括一透明盖板,其配置于承载器上,并覆盖基板。
在本发明一实施例中,透明盖板的材质可以是玻璃或压克力。
在本发明一实施例中,发光芯片可以是发光二极管芯片或有机发光二极管芯片。
在本发明一实施例中,承载器可以是电路板或软性电路板。
在本发明一实施例中,导电元件包含锡球。
基于上述,本发明利用重配置线路层将多个发光芯片整合成一体,因此相较于现有技术,本发明的光源组件在单位面积上能够发出较高的亮度
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举数个实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是依照本发明第一实施例的一种光源组件的俯视图,其省略部分构件。
图1B是依照本发明第一实施例的一种光源组件的剖面图。
图2是依照本发明第二实施例的一种光源组件的剖面图。
具体实施方式
第一实施例
图1A是依照本发明第一实施例的一种光源组件的俯视图,其省略部分构件。图1B是依照本发明第一实施例的一种光源组件的剖面图。请参考图1A与图1B,此光源组件100包括一承载器110、一基板120、一重配置线路层130、多条导线140与一透明盖板150。其中,承载器110可以是电路板、软性电路板或其他类型的承载器。此外,基板120配置于承载器110上,且基板120划分出多个发光芯片122。换言之,基板120具有多条切割道120a,以分隔这些发光芯片。
更详细而言,发光芯片122可以是排列成一线或面阵列。发光芯片122可以是发光二极管芯片、有机发光二极管芯片或其他型态的发光芯片。此外,各发光芯片122具有多个第一接垫122a。重配置线路层130配置于基板120上,且重配置线路层130具有多个第二接垫132a,其电性连接至第一接垫122a。更详细而言,这些发光芯片122可以经由重配置线路层130而达到电性并联、电性串联或是串并联。
为了降低遮光的面积,第二接垫132a可以是位于切割道120a上,且重配置线路层130内的线路(未绘示)也可以配置在切割道120a上。另外,导线140电性连接第二接垫132a与承载器110之间。透明盖板150配置于承载器110上,并覆盖基板120,以保护导线140。此外,透明盖板150的材质可以是玻璃、压克力或其他透明材质。
由于数个发光芯片122经由重配置线路层130整合成一体,因此相较于现有技术,本实施例的光源组件100能够提供较高亮度的光源。此外,相较于现有技术,本实施例的光源组件100具有较小的体积。再者,相较于现有技术对于各个发光芯片122均需进行多次的打线制程,本实施例的光源组件100所需的打线次数较少。
第二实施例
图2是依照本发明第二实施例的一种光源组件的剖面图。请参考图2,本实施例的光源组件200与上述实施例相似,其不同之处在于:在本实施例中,光源组件200包括多个焊球210,其配置于承载器110与第二接垫132a之间,且第二接垫132a经由导电元件210,例如是焊球,电性连接至承载器110之间。
此外,如同第一实施例,为了保护承载器110与第二接垫132a之间的电性连接,光源组件200也可以包括一透明盖板150配置于承载器110上,并覆盖基板120,以保护焊球210。然而,本实施例并不限定需具有一透明盖板150。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上,然其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许更动与润饰,因此本发明的保护范围当以权利要求所界定的为准。
Claims (15)
1.一种光源组件,包括:
一承载器;
一基板,配置于该承载器上,且该基板划分出多个发光芯片,其中各该发光芯片具有多个第一接垫;
一重配置线路层,配置于该基板所划分出的多个发光芯片上,且该重配置线路层具有多个第二接垫,经由该重配置线路层内的接线电性连接至该些第一接垫;
多条导线,电性连接该些第二接垫与该承载器之间;以及
一透明盖板,配置于该承载器上,并覆盖该基板。
2.如权利要求1所述的光源组件,其特征在于,该基板具有多条切割道,以分隔该些发光芯片,且该些第二接垫位于该些切割道上。
3.如权利要求1所述的光源组件,其特征在于,该些发光芯片包括发光二极管芯片。
4.如权利要求3所述的光源组件,其特征在于,该些发光芯片是有机发光二极管芯片。
5.如权利要求1所述的光源组件,其特征在于,该承载器包括电路板。
6.如权利要求5所述的光源组件,其特征在于,该承载器是软性电路板。
7.一种光源组件,包括:
一承载器;
一基板,配置于该承载器上,且该基板划分出多个发光芯片,其中各该发光芯片具有多个第一接垫;
一重配置线路层,配置于该基板所划分出的多个发光芯片上,且该重配置线路层具有多个第二接垫,经由该重配置线路层内的接线电性连接至该些第一接垫;以及
多个导电元件,配置于该承载器与该些第二接垫之间,且该些第二接垫经由该些导电元件电性连接至该承载器之间。
8.如权利要求7所述的光源组件,其特征在于,该基板具有多条切割道,以分隔该些发光芯片,且该些第二接垫位于该些切割道上。
9.如权利要求7所述的光源组件,其特征在于,还包括一透明盖板,配置于该承载器上,并覆盖该基板。
10.如权利要求9所述的光源组件,其特征在于,该透明盖板的材质包括玻璃或压克力。
11.如权利要求7所述的光源组件,其特征在于,该些发光芯片包括发光二极管芯片。
12.如权利要求11所述的光源组件,其特征在于,该些发光芯片是有机发光二极管芯片。
13.如权利要求7所述的光源组件,其特征在于,该承载器包括电路板。
14.如权利要求13所述的光源组件,其特征在于,该承载器是软性电路板。
15.如权利要求7所述的光源组件,其特征在于,该导电元件包含锡球。
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CN1378291A (zh) * | 2001-03-29 | 2002-11-06 | 桦晶科技股份有限公司 | 具有光学隔离结构的发光二极管阵列及其制作方法 |
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Patent Citations (5)
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TWI271880B (en) * | 2004-05-11 | 2007-01-21 | Chipmos Technologies Inc | Method of manufacturing wafer level light emitting diode package and structure of the same |
CN1885528A (zh) * | 2005-06-20 | 2006-12-27 | 南茂科技股份有限公司 | 倒装片封装结构 |
CN1964084A (zh) * | 2005-11-11 | 2007-05-16 | 南茂科技股份有限公司 | 发光二极管封装结构 |
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