CN101299592A - 电感电容压控振荡器及可调谐电容单元 - Google Patents

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Abstract

本发明是关于一种电感电容压控振荡器及可调谐电容单元，可调谐电容单元包括接收调谐电压的调谐输入、源极和漏极耦接调谐输入的第一对积累型MOS变容管与第二对积累型MOS变容管、一端耦接第一对积累型MOS变容管与第二对积累型MOS变容管其中之一的对应栅极，另一端耦接对应的电路节点的第一阻隔电容与第二对阻隔电容、一端耦接第一偏压端与第二偏压端中对应偏压端，另一端耦接第一对积累型MOS变容管与第二对积累型MOS变容管其中之一的对应栅极的第一对偏压电阻与第二对偏压电阻。第一偏压端与第二偏压端分别接收彼此对称于预定电压的第一参考电压与第二参考电压。上述可调谐电容单元可使电感电容压控振荡器在宽广的频带内具有固定增益。

Description

电感电容压控振荡器及可调谐电容单元
技术领域
本发明是有关于压控振荡器，且特别是有关于具有可调谐电容单元的电感电容压控振荡器及可调谐电容单元。
背景技术
图1A、图1B与图1C分别为电感电容谐振压控振荡器(即电感电容谐振压控振荡器)100的电路图。电感电容压控振荡器100一般包括电感电容谐振电路(LC tank circuit)110以及负电阻电路120。电感电容谐振电路110包括电感L以及可调谐电容单元130、140，可调谐电容单元130、140的电容通常由调谐电压Vtune所调谐。负电阻电路120包括一对半导体金属氧化物(Metallic Oxide Semiconductor，MOS)晶体管，各半导体金属氧化物晶体管具有栅极、源极与漏极，半导体金属氧化物晶体管的栅极交互耦接至其漏极且其源极耦接至固定电压(Vcc或接地)。此外，电感电容谐振电路110更包括切换电容阵列150，使得电感电容压控振荡器100可为具有宽广操作频段的宽带电感电容压控振荡器。假若切换电容阵列150固定在单一子带(sub-band)，则可调谐电容单元130、140便可用来调谐电感电容压控振荡器100的振荡频率。当调谐电压Vtune变大或变小，可调谐电容单元130、140的电容随之改变，并产生电感电容压控振荡器100的频率变化。
图2显示在电感电容压控振荡器的不同子带下，图1A、图1B与图1C所示的电感电容压控振荡器的增益对调谐电压的典型特性分布图。出于简洁与清楚的目的，图2中仅给出电感电容压控振荡器的子带在0、10、20、30、40、50、60下，电感电容压控振荡器的增益对调谐电压的典型特性分布图。电感电容压控振荡器的增益KVCO的定义为其振荡频率变化除以其调谐电压Vtune的变化，也就是其中，当其调谐电压Vtune为Vtune1(或Vtune2)时，电感电容压控振荡器的振荡频率为f1(或f2)。电感电容压控振荡器的振荡频率的公式为 1 2 π L · ( C parasitic + C SCA + C TCU ) , 其中，L为电感的电感值，CSCA为切换电容阵列150的电容值，CTCU为可调谐电容单元130、140的电容值。
图3为相关技术所揭露的现有技术的可调谐电容组件的电路图。各可调谐电容组件包括一对半导体金属氧化物晶体管，如Ma1/Mb1、Ma2/Mb2、……、MaN/MbN，其栅极分别透过对应的耦合电容10连接至一对电路节点6、7，可调谐的电容可从该对电路节点6、7之间接出(tap off)。半导体金属氧化物晶体管对Ma1/Mb1(Ma2/Mb2、……、MaN/MbN)的负载彼此相连。调谐输入5耦接至半导体金属氧化物晶体管对Ma1/Mb1(Ma2/Mb2、……、MaN/MbN)以提供调谐电压。此外，半导体金属氧化物晶体管对Ma1/Mb1(Ma2/Mb2、……、MaN/MbN)的栅极透过电阻R1(R2、……、RN)耦接至参考信号输入Vref1(Vref2、……、VrefN)。在此架构下，参考信号输入可透过设计以设定晶体管的操作点。可调谐电容有宽广的调谐范围以及低串联电阻，且可透过操作点的设定得到良好的线性度，然而，此架构无法依据电感电容压控振荡器的振荡频率提供可调谐的增益KVCO。
发明内容
为解决上述无法提供可调谐的增益的问题，本发明提出一种可调谐电容单元与电感电容压控振荡器，可提供能够调谐的增益。
依据本发明的一实施方式，其提供一种耦接于一对电路节点之间的可调谐电容单元，包括：用来接收调谐电压的调谐输入；第一对积累型半导体金属氧化物变容管，其源极和漏极耦接至调谐输入；第一对阻隔电容，其中每一阻隔电容的一端耦接至第一对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一阻隔电容的另一端耦接至一个对应的电路节点；第一对偏压电阻，其中每一偏压电阻的一端耦接至第一对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一偏压电阻的另一端耦接至接收第一参考电压的第一偏压端；第二对积累型半导体金属氧化物变容管，其源极和漏极耦接至调谐输入；第二对阻隔电容，其中每一阻隔电容的一端耦接至第二对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一阻隔电容的另一端耦接至一个对应的电路节点；以及第二对偏压电阻，其中每一偏压电阻的一端耦接至第二对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一偏压电阻的另一端耦接至接收第二参考电压的第二偏压端，其中，第一参考电压与第二参考电压彼此对称于预定电压。
依据本发明的一实施方式，其提供一种电感电容压控振荡器，包括电感电容谐振电路以及耦接至电感电容谐振电路的负电阻电路。电感电容谐振电路包括电感以及可调谐电容单元。可调谐电容单元包括：用来接收调谐电压的调谐输入；第一对积累型半导体金属氧化物变容管，其源极和漏极耦接至调谐输入；第一对阻隔电容，其中每一阻隔电容的一端耦接至第一对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一阻隔电容的另一端耦接至一个对应的电路节点；第一对偏压电阻，其中每一偏压电阻的一端耦接至第一对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一偏压电阻的另一端耦接至接收第一参考电压的第一偏压端；第二对积累型半导体金属氧化物变容管，其源极和漏极耦接至调谐输入；第二对阻隔电容，其中每一阻隔电容的一端耦接至第二对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一阻隔电容的另一端耦接至一个对应的电路节点；以及第二对偏压电阻，其中每一偏压电阻的一端耦接至第二对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一偏压电阻的另一端耦接至接收第二参考电压的第二偏压端，其中，第一参考电压与第二参考电压彼此对称于预定电压。
本发明提供的可调谐电容单元与电感电容压控振荡器，通过积累型半导体金属氧化物变容管对、阻隔电容对、偏压电阻对，根据参考电压，调谐增益，从而使电感电容压控振荡器在宽广的频带内具有固定增益。
附图说明
图1A、图1B与图1C分别为电感电容谐振压控振荡器(即电感电容谐振压控振荡器)100的电路图。
图2显示在电感电容压控振荡器的不同子带下，图1A、图1B与图1C所示的电感电容压控振荡器的增益对调谐电压的典型特性分布图。
图3为相关技术所揭露的现有技术的可调谐电容组件。
图4为依据本发明一种实施方式的可调谐电容单元的电路图。
图5A、图5B与图5C分别为图4所示的积累型半导体金属氧化物变容管CV1/CV2与CV3/CV4的标示符号(symbol)、示意图(schematic)与剖面图。
图6显示图4的可调谐电容单元的等效电容值对调谐电压的特性图。
图7A为显示图4的可调谐电容单元的扩展变形的电路图。
图7B为可调谐电容单元的等效电容值对调谐电压的特性图。
图8为图4的可调谐电容单元的扩展变形的电路图。
图9为斜率KTCU对图3中可调谐电容单元的调谐电压变化ΔV的仿真结果图。
图10为在不同调谐电压变化ΔV值时，斜率KTCU对图3中可调谐电容单元的调谐电压Vtune的仿真结果图。
图11显示当调谐电压Vtune为0.7伏特时，在不同工艺角下，图4中可调谐电容单元的等效电容对调谐电压变化ΔV的仿真结果图。
图12A显示在不同温度(-20℃与85℃)下，图4中可调谐电容单元的斜率对调谐电压的仿真结果图。
图12B显示图4中在不同温度(-20℃、室温与85℃)下，可调谐电容单元的斜率对调谐电压的另一仿真结果图。
具体实施方式
为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施方式，并配合所附图式，作详细说明如下：
图4为依据本发明一实施方式的可调谐电容单元的电路图。可调谐电容单元300包括调谐输入301、第一调谐电容单元330与第二调谐电容单元340。第一调谐电容单元330包括第一对积累型半导体金属氧化物变容管(accumulation-mode MOS varactors)CV1/CV2、第一对阻隔电容C1/C2以及第一对偏压电阻R1/R2。第二调谐电容单元340包括第二对积累型半导体金属氧化物变容管(accumulation-mode MOS varactors)CV3/CV4、第二对阻隔电容C3/C4以及第二对偏压电阻R3/R4。图5A、图5B与图5C分别为图4所示的积累型半导体金属氧化物变容管CV1/CV2与CV3/CV4的标示符号(symbol)、示意图(schematic)与剖面图。如图5C所示，每一积累型半导体金属氧化物变容管CV1/CV2与CV3/CV4都有N阱401、源极和漏极区403、栅极电介质(未示于图中)以及位于栅极电介质上的栅极405。在图4中，调谐输入301接收调谐电压Vtune，第一对积累型半导体金属氧化物变容管CV1/CV2耦接于调谐输入301与第一对阻隔电容C1/C2、第一对偏压电阻R1/R2之间。更明确地说，第一对积累型半导体金属氧化物变容管CV1/CV2的源/漏极耦接至调谐输入301。第一对阻隔电容C1/C2中，每一阻隔电容的一端耦接至第一对积累型半导体金属氧化物变容管CV1/CV2其中之一的对应栅极，每一阻隔电容的另一端耦接至电路节点310/320中的对应电路节点。第一对偏压电阻R1/R2中，每一偏压电阻的一端耦接至第一对积累型半导体金属氧化物变容管CV1/CV2其中之一的对应栅极，每一偏压电阻的另一端耦接至接收第一参考电压Vref1的第一偏压端303。相同地，第二对积累型半导体金属氧化物变容管CV3/CV4耦接于调谐输入301与第二对阻隔电容C3/C4、第二对偏压电阻R3/R4之间。更明确地说，第二对积累型半导体金属氧化物变容管CV3/CV4的源/漏极耦接至调谐输入301。第二对阻隔电容C3/C4中，每一阻隔电容的一端耦接至第二对积累型半导体金属氧化物变容管CV3/CV4其中之一的对应栅极，每一阻隔电容的另一端耦接至电路节点310/320中的对应电路节点。第二对偏压电阻R3/R4中，每一偏压电阻的一端耦接至第二对积累型半导体金属氧化物变容管CV3/CV4其中之一的对应栅极，每一偏压电阻的另一端耦接至接收第二参考电压Vref2的第二偏压端305。第一参考电压Vref1与第二参考电压Vref2彼此对称于预定电压Vnom，换句话说，第一参考电压Vref1与第二参考电压Vref2可分别表示为Vnom+ΔV与Vnom-ΔV。
图1A、图1B与图1C中的可调谐电容单元130、140可被图4所示的可调谐电容单元取代，取代后的电感电容谐振压控振荡器其它部分可与图1A、图1B与图1C所示相似。由此，便可调整第一参考电压Vref1与第二参考电压Vref2的偏压以得到不同的增益KVCO。表I为范例偏压表。图6为图4的可调谐电容单元的等效电容值CTCU对调谐电压Vtune的特性图。当第一参考电压Vref1与第二参考电压Vref2分别偏压于偏压条件1、2、3的状况下，可调谐电容单元有不同的斜率KTCU值m1、m2、m3，其中斜率 K TCU = Δ C TCU Δ V tune . 如图6所示，在本实施方式中，偏压条件1、2、3的状况下，可调谐电容单元300的等效变容值分别为varactor1、varactor2、varactor3，相应的，斜率KTCU值m1、m2、m3分别为Kvaractor1、Kvaractor2、Kvaractor3。已知在细微调谐电压范围内，斜率KTCU正比于增益KVCO，于是，可调谐电容单元的不同斜率KTCU便使相同的电感电容压控振荡器产生不同的增益KVCO。此外，由于对称性的偏压条件，也使得在调整斜率KTCU时，得以保持可调谐电容单元的等效电容值CTCU固定不变。因此，不论斜率KTCU值为何，在校正切换电容阵列以后，电感电容压控振荡器的中央操作频率皆固定不变。
表I
  偏压条件   Vref1(V)   Vref2(V)   KTCU
  1   Vnom   Vnom   m1
  2   Vnom+ΔV1   Vnom-ΔV1   m2
  3   Vnom+ΔV2   Vnom-ΔV2   m3
图7A为图4的可调谐电容单元300的扩展变形的电路图。除了第一调谐电容单元与第二调谐电容单元，可调谐电容单元300更包括第三可调谐电容单元630以及第四可调谐电容单元640。如同图4中的调谐电容单元一般，第三可调谐电容单元630包括第三对积累型半导体金属氧化物变容管，其源/漏极耦接至调谐输入；第三对阻隔电容，每一阻隔电容的一端耦接至第三对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一阻隔电容的另一端耦接至电路节点中的对应电路节点；以及第三对偏压电阻，每一偏压电阻的一端耦接至第三对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一偏压电阻的另一端耦接至接收第三参考电压Vref3的第三偏压端。第四调谐电容单元640包括第四对积累型半导体金属氧化物变容管，其源/漏极耦接至调谐输入；第四对阻隔电容，每一阻隔电容的一端耦接至第四对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一阻隔电容的另一端耦接至电路节点中对应的电路节点；以及第四对偏压电阻，每一偏压电阻的一端耦接至第四对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一偏压电阻的另一端耦接至接收第四参考电压Vref4的第四偏压端。其中，第三参考电压Vref3与第四参考电压Vref4彼此对称于预定电压Vnom。此外，可调谐电容单元300还可包括更多的调谐电容单元，如图7A所示的第M调谐电容单元，其接收第M参考电压Vrefm。为了在调谐斜率KTCU时，可以保持可调谐电容单元的等效电容值CTCU固定不变，可调谐电容单元300所接收的参考电压有下列的关系： Vcenter = Vrefn + Vref ( m - n + 1 ) 2 , 其中，Vcenter为当可调谐电容单元300的等效电容值CTCU对调谐电压Vtune有线性变化时的调谐电压，如图7B所示。图7B为可调谐电容单元的等效电容值CTCU对调谐电压Vtune的特性图。
图8为图4的可调谐电容单元的扩展变形的电路图。图8中的可调谐电容单元700包括如图4所示的组件。此外，可调谐电容单元700更包括分压器710以及第一多工器720与第二多工器730。分压器710包括多个串联在一对固定电压之间的电阻R，并提供多个参考电压V1、V2、……、Vm-1与Vm。第一多工器720与第二多工器730皆耦接于对应的第一偏压端303(或第二偏压端305)与分压器710之间。预定电压Vnom在此为分压器710的中心电压Vcenter，且第一参考电压Vref1与第二参考电压Vref2从多个参考电压V1、V2、……、Vm-1与Vm中挑选。此外，可调谐电容单元700更包括温度补偿电路740。温度补偿电路740提供至少一个固定电压，使得可调谐电容单元因温度变化所产生的特性变化得以补偿。
图9为斜率KTCU对图3中可调谐电容单元的调谐电压变化ΔV的仿真结果图。在图9中，方形数据点为具有高速的N型半导体金属氧化物(Negativechannel Metal Oxide Semiconductor，NMOS)与P型半导体金属氧化物(Positive channel Metal Oxide Semiconductor，PMOS)组件工艺角(processcorner)的数据点，菱形数据点为代表具有典型N型半导体金属氧化物与P型半导体金属氧化物组件工艺角的数据点，而三角数据点为具有慢速的N型半导体金属氧化物与P型半导体金属氧化物组件工艺角的数据点。由图9可得知，斜率KTCU在调谐电压变化ΔV从0.26V至0.47V的电压区间内对调谐电压变化ΔV有线性的变化(见图中方框所示)，因此较容易被控制。此外，在此线性区域内，电感电容压控振荡器的中心操作频率不会随不同参考电压的偏压产生明显的变化，这也是电路设计者所乐见的。由于不同的工艺角并不会使斜率KTCU产生明显的变化，电感电容压控振荡器的特性也就不会明显受到工艺变化的影响。
图10为在不同调谐电压变化ΔV值时，斜率KTCU对图3中可调谐电容单元的调谐电压Vtune的仿真结果图。图10还显示在调谐电压变化ΔV从0.265V至0.465V的电压区间内，斜率KTCU对调谐电压变化ΔV有线性的变化，因此较容易被控制。此外，在调谐电压变化ΔV范围内，斜率KTCU不会随调谐电压Vtune产生明显的变化，这也是电路设计者所乐见的。于是，假如希望有较宽的可调谐斜率KTCU的范围，则斜率KTCU只能在狭小的调谐电压范围内保持为近似于常数，相反地，若电路设计者希望在较宽的调谐电压范围内使KTCU保持为近似于常数，则仅能得到狭小的可调斜率KTCU的范围。
图11显示当调谐电压Vtune为0.7伏特时，在不同工艺角下，图4中可调谐电容单元的等效电容对调谐电压变化ΔV的仿真结果图。在图11中，方形数据点为具有高速的N型半导体金属氧化物与P型半导体金属氧化物组件工艺角的数据点，菱形数据点为代表具有典型N型半导体金属氧化物与P型半导体金属氧化物组件工艺角的数据点，而三角数据点为具有慢速的N型半导体金属氧化物与P型半导体金属氧化物组件工艺角的数据点。可调谐电容单元的等效电容在非常宽广的调谐电压变化ΔV范围内保持为近似于常数。此外，不同的工艺角并不会使可调谐电容单元的等效电容值产生明显的变化，于是，电感电容压控振荡器的特性也就不会明显受到工艺变化的影响。
图12A显示在不同温度(如-20℃与85℃)下，图4中可调谐电容单元的斜率KTCU对调谐电压Vtune的仿真结果图。由图12A可知，温度变化可能使斜率KTCU产生明显的变化，此非电路设计者所乐见的。为了克服此温度效应，在可调谐电容单元增加温度补偿机制。图12B显示图4中在不同温度(-20℃、室温与85℃)下，可调谐电容单元的斜率KTCU对调谐电压Vtune的另一仿真结果图。由于温度变化可能使斜率KTCU产生明显的变化，温度补偿机制正符合所需，使电感电容压控振荡器的特性不会随着温度变化产生明显变化的。假若如图8所示，可调谐电容单元包括温度补偿电路740，则中心电压便可透过固定电压中至少一个固定电压的温度补偿得到补偿效果。举例而言，在高温条件下，Vref1＝0.49V+ΔV且Vref2＝0.49V-ΔV，而在低温条件下，Vref1＝0.54V+ΔV且Vref2＝0.54V-ΔV，于是，温度变化就不会使KTCU产生明显的变化，换句话说，可调谐电容单元的温度效应可以被加以补偿。
本发明提供一种具可调谐电容单元的电感电容压控振荡器，该电感电容压控振荡器在宽广的频带内具有固定增益KVCO，且锁相回路电路的频宽也可通过调整电感电容压控振荡器的增益KVCO而得以调谐。此外，锁相回路电路的电荷泵电路的补偿电流的需求也得以放宽，且也可避免由于高增益KVCO所造成的带外相位噪声(out-of-band phase noise)的劣化。
虽然本发明已以实施方式揭露如上，但是对于本领域的技术人员，依据本发明实施方式的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (11)

1.一种可调谐电容单元，耦接于一对电路节点之间，其特征在于，所述的可调谐电容单元包括：
调谐输入，用来接收调谐电压；
第一对积累型半导体金属氧化物变容管，其源极和漏极耦接至所述的调谐输入；
第一对阻隔电容，其中每一阻隔电容的一端耦接至所述的第一对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一阻隔电容的另一端耦接至一个对应的电路节点；
第一对偏压电阻，其中每一偏压电阻的一端耦接至所述的第一对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一偏压电阻的另一端耦接至第一偏压端，所述的第一偏压端接收第一参考电压；
第二对积累型半导体金属氧化物变容管，其源极和漏极耦接至所述的调谐输入；
第二对阻隔电容，其中每一阻隔电容的一端耦接至所述的第二对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一阻隔电容的另一端耦接至一个对应的电路节点；以及
第二对偏压电阻，其中每一偏压电阻的一端耦接至所述的第二对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一偏压电阻的另一端耦接至第二偏压端，所述的第二偏压端接收第二参考电压，
其中，所述的第一参考电压与所述的第二参考电压彼此对称于预定电压。
2.如权利要求1所述的可调谐电容单元，其特征在于，所述的可调谐电容单元更包括分压器、第一多工器与第二多工器；所述的分压器包括串联于一对固定电压之间的多个电阻，并提供多个参考电压；所述的第一多工器与所述的第二多工器的一端皆耦接于所述的分压器，所述的第一多工器与所述的第二多工器的另一端分别耦接于所述的第一偏压端与所述的第二偏压端中对应的偏压端，其中，所述的预定电压为所述的分压器的中心电压，且所述的第一参考电压与所述的第二参考电压从所述的多个参考电压中挑选。
3.如权利要求2所述的可调谐电容单元，其特征在于，所述的可调谐电容单元更包括温度补偿电路，耦接至所述的分压器，并提供所述的多个固定电压中的至少一个固定电压。
4.如权利要求1所述的可调谐电容单元，其特征在于，所述的可调谐电容单元更包括：
第三对积累型半导体金属氧化物变容管，其源极和漏极耦接至所述的调谐输入；
第三对阻隔电容，其中每一阻隔电容的一端耦接至所述的第三对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一阻隔电容的另一端耦接至一个对应的电路节点；以及
第三对偏压电阻，其中每一偏压电阻的一端耦接至所述的第三对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一偏压电阻的另一端耦接至第三偏压端，所述的第三偏压端接收第三参考电压；
第四对积累型半导体金属氧化物变容管，其源极和漏极耦接至所述的调谐输入；
第四对阻隔电容，其中每一阻隔电容的一端耦接至所述的第四对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一阻隔电容的另一端耦接至一个对应的电路节点；以及
第四对偏压电阻，其中每一偏压电阻的一端耦接至所述的第四对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一偏压电阻的另一端耦接至第四偏压端，所述的第四偏压端接收第四参考电压，
其中，所述的第三参考电压与所述的第四参考电压彼此对称于所述的预定电压。
5.一种电感电容压控振荡器，其特征在于，所述的电感电容压控振荡器包括：
电感电容谐振电路，包括电感以及可调谐电容单元；以及
负电阻电路，耦接至所述的电感电容谐振电路，
其中所述的可调谐电容单元包括：
调谐输入，用来接收调谐电压；
第一对积累型半导体金属氧化物变容管，其源极和漏极耦接至所述的调谐输入；
第一对阻隔电容，其中每一阻隔电容的一端耦接至所述的第一对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一阻隔电容的另一端耦接至一个对应的电路节点；
第一对偏压电阻，其中每一偏压电阻的一端耦接至所述的第一对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一偏压电阻的另一端耦接至第一偏压端，所述的第一偏压端接收第一参考电压；
第二对积累型半导体金属氧化物变容管，其源极和漏极耦接至所述的调谐输入；
第二对阻隔电容，其中每一阻隔电容的一端耦接至所述的第二对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一阻隔电容的另一端耦接至一个对应的电路节点；以及
第二对偏压电阻，其中每一偏压电阻的一端耦接至所述的第二对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一偏压电阻的另一端耦接至第二偏压端，所述的第二偏压端接收第二参考电压，
其中，所述的第一参考电压与所述的第二参考电压彼此对称于预定电压。
6.如权利要求5所述的电感电容压控振荡器，其特征在于，所述的负电阻电路包括一对具有第一、第二与第三端的晶体管，其中，所述的多个第一端交互耦接至其所述的多个第二端，且所述的多个第三端耦接至固定电压。
7.如权利要求5所述的电感电容压控振荡器，其特征在于，所述的可调谐电容单元更包括分压器、第一多工器与第二多工器；所述的分压器包括串联在一对固定电压之间的多个电阻，并可提供多个参考电压；所述的第一多工器与所述的第二多工器的一端皆耦接于所述的分压器，所述的第一多工器与所述的第二多工器的另一端分别耦接所述的第一偏压端与所述的第二偏压端中对应的偏压端；其中，所述的预定电压为所述的分压器的中心电压，且所述的第一参考电压与所述的第二参考电压从所述的多个参考电压中挑选。
8.如权利要求7所述的电感电容压控振荡器，其特征在于，所述的第一多工器与所述的第二多工器依据所述的电感电容压控振荡器的输出频率而被控制。
9.如权利要求7所述的电感电容压控振荡器，其特征在于，所述的可调谐电容单元更包括温度补偿电路，耦接至所述的分压器，并提供所述的多个固定电压的至少一者。
10.如权利要求5所述的电感电容压控振荡器，其特征在于，所述的可调谐电容单元更包括：
第三对积累型半导体金属氧化物变容管，其源极和漏极耦接至所述的调谐输入；
第三对阻隔电容，其中每一阻隔电容的一端耦接至所述的第三对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一阻隔电容的另一端耦接至一个对应的电路节点；以及
第三对偏压电阻，其中每一偏压电阻的一端耦接至所述的第三对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一偏压电阻的另一端耦接至第三偏压端，所述的第三偏压端接收第三参考电压；
第四对积累型半导体金属氧化物变容管，其源极和漏极耦接至所述的调谐输入；
第四对阻隔电容，其中每一阻隔电容的一端耦接至所述的第四对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一阻隔电容的另一端耦接至一个对应的电路节点；以及
第四对偏压电阻，其中每一偏压电阻的一端耦接至所述的第四对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极，每一偏压电阻的另一端耦接至第四偏压端，所述的第四偏压端接收第四参考电压；
其中，所述的第三参考电压与所述的第四参考电压彼此对称于所述的预定电压。
11.如权利要求5所述的电感电容压控振荡器，其特征在于，所述的电感电容谐振电路更包括切换电容阵列，其耦接至所述的电感与所述的可调谐电容单元。
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