CN101297211A - 用于进行mri的非圆柱形rf线圈 - Google Patents
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Abstract
射频线圈包括非圆柱形共形表面(62,76),该非圆柱形共形表面与磁共振对象基本一致。多个导线环(60,71,72,73,74)布置在该非圆柱形共形表面之中或之上。所述多个导线环用于对Bi频率的激励做出反应,而在磁共振对象中产生基本均匀的Bi场。此外可选地,将多个负载补偿导线环(90)布置在补偿式非圆柱形共形表面(62)之中或之上,该补偿式非圆柱形共形表面与磁共振对象基本一致。所述多个负载补偿导线环用于产生非均匀Bi场,以便对该磁共振对象造成的负载Bi非均匀性进行补偿。此外,该线圈还包括开关模块,用于将该线圈在第一工作模式(例如,筒式发射模式)和第二工作模式(例如,相控阵列接收模式)之间切换。
Description
技术领域
本发明涉及磁共振领域。本发明具体用在射频线圈中以进行磁共振成像,下面就将具体结合这一点来展开描述。概括地讲,本发明用于磁共振成像、磁共振光谱分析和其它磁共振应用。
背景技术
在孔形磁共振扫描仪中,发射线圈通常是鸟笼式线圈,包括多个排列为圆柱形的辐条(rung),并且以端环、端盖等等为终端。在磁共振频率射频激励下,这些线圈生成旋转B1磁场,该磁场在鸟笼式线圈内的成像筒中基本均匀。在全身式(whole-body)线圈中,该圆柱形的鸟笼式线圈通常排列为与磁共振扫描仪的孔是同轴的,并且激发很大容量。对于特定应用,可以设计并安排较小的鸟笼式线圈,以用于对解剖部位或其它相关部位进行成像。举个例子,头部线圈的尺寸可以定为适合患者的头部大小以便进行大脑成像或其它头部成像。较小的局部鸟笼式线圈可以使其与相关部位更好地进行电磁耦合,并且相比于全身线圈只需采用较低的射频功率。
激励的磁共振可以由发射阶段所用的同一线圈(也就是,发射/接收线圈)来收集,或者利用专用接收线圈来收集,比如布置在靠近成像部位的表面线圈。在并行成像技术(如SENSE)中,并行地使用一组接收线圈,通过对多个线圈所获取到的数据进行适当处理来生成合成图像。
空间约束会使得难以把接收线圈阵列从发射线圈分离出来。举个例子,鸟笼式头部线圈几乎没有给附加的表面接收线圈阵列留有空间。在一种用于解决此问题的方法中,该鸟笼式发射线圈可以有选择地配置为简并线圈,其中的网格环路是解耦的。鸟笼式线圈通常在发射阶段用作筒式振荡器,然后利用PIN二极管开关等重新配置为解耦的导线环阵列,以用做SENSE线圈阵列或其它并行成像接收阵列的线圈。这种方法在将导线环放置在成像对象相对的位置时不太灵活。
现有射频线圈的另一个难题是负载感应B1场的不均匀。由于静态B0磁场大于1特斯拉,所以,将患者或其它成像对象的部位包含在线圈内会大大扭曲B1场,从而导致B1场的不均匀。可以通过利用考虑了线圈负载的设计建模技术来设计射频线圈,以降低这种不均匀性。但是,鸟笼式线圈的设计参数数量有限,比如辐条数量、辐条和端环之间的耦合电抗等等,这就限制了鸟笼式线圈设计可以抵消不均匀线圈负载的程度。
下面设想的改进方法克服了前面所提到的局限性和其它问题。
发明内容
依照一个方面,公布了一种射频线圈。非圆柱形共形表面与磁共振对象基本一致。多个导线环布置在该非圆柱形共形表面之中或之上。多个导线环用于对B1频率的激励做出反应,而在磁共振对象中产生基本均匀的B1场。
依照另一个方面,公布了一种磁共振扫描仪。主磁体在相关部位中生成主要的B0磁场。磁场梯度线圈有选择性地在该主要的B0磁场上添加磁场梯度。前述段落中所提出的射频线圈一致地包围磁共振对象,并且有选择性地在该磁共振对象中产生基本均匀的B1场。
依照另一方面,公布了一种射频线圈。工作射频线圈在磁共振对象中产生B1场。负载补偿射频线圈包括多个布置在补偿式非圆柱形共形表面之中或之上的负载补偿式导线环,该非圆柱形共形表面与磁共振对象基本一致。多个负载补偿式导线环用于在磁共振对象中产生非均匀的B1场,以便补偿所述磁共振对象对所述工作射频线圈产生的B1场造成的非均匀性。
依照另一个方面,公布了一种配置射频线圈的方法。选择与磁共振对象基本一致的非圆柱形共形表面。将多个导线环布置在该非圆柱形共形表面之中或之上,它们对B1频率的激励做出反应,而在磁共振对象中产生基本均匀的B1场。
依照另一个方面,公布了一种射频线圈,该线圈是通过前述段落中所提出的方法制造出来的。
提供与成像对象外形相一致的发射/接收线圈有一个优点。
提供与成像对象外形相一致的组合筒式发射线圈和接收线圈阵列有另外的优点。
提供共形辅助线圈对线圈负载效应进行补偿有另外的优点。
对于本领域普通技术人员来说,读完对优选实施例的具体描述之后,本发明的各种其它优点和好处会显而易见。
附图说明
本发明可通过各种组件和组件的排列以及各种操作过程和操作过程的组合形式来实现。附图仅用于举例说明优选实施例,并不具有限制意蕴。
图1示出了磁共振系统,包括射频肩部线圈和负载补偿射频线圈。
图2示出了图1的肩部线圈作为筒式振荡器工作的情况。
图3示出了图1的肩部线圈作为线圈阵列工作的情况。
图4示出了另一个共形(conformal)射频线圈。
图5A示出了图4的线圈作为筒式振荡器工作的情况。
图5B示出了图4的线圈作为线圈阵列工作的情况。
图6示出了在一个实施例中的图1的射频肩部线圈和负载补偿射频线圈,其中所述肩部线圈的导线环和负载补偿线圈布置在共形表面的相对应的两个侧面上。
具体实施方式
参照图1,磁共振扫描仪10包括扫描仪外壳12,外壳12包括空腔14或者其它接纳区用于接纳患者或者其它对象。位于扫描仪外壳12中的主磁体20由主磁体控制器22加以控制,从而至少在空腔14的目标区域内生成主B0磁场。通常情况下,主磁体20是由低温覆盖物24所包围的永久超导磁体,但也可以采用阻性主磁体。
磁场梯度线圈28布置在外壳12之中或之上,以便至少在相关区域的主磁场上叠加所选择的磁场梯度。通常情况下,该磁场梯度线圈包括用于产生三个正交磁场梯度(如x-梯度、y-梯度和z-梯度)的线圈。射频线圈30布置在该扫描仪10的空腔14内,以便发射B1射频激励脉冲。将射频线圈30的形状制成与成像对象相匹配。所示的举例说明性射频线圈30的形状与人类成像部位的肩部相匹配。在所示的举例说明性实施例中,还提供了附加的负载补偿线圈32,对该射频线圈30上成像对象的负载效应进行补偿。
在磁共振数据获取过程中,射频发射机36通过射频开关电路40与该射频线圈30耦合,以便在相关部位(比如,位于空腔14中的对象的肩部)生成磁共振信号。磁场梯度控制器42控制磁场梯度线圈28,以对所生成的磁共振进行空间局部化、空间编码或者进行其它处理。在磁共振读出阶段,射频接收机44通过射频电路开关电路40与该射频线圈30耦合,以便接收磁共振。数据缓冲器46存储所接收到的磁共振信号的抽样。获取后处理器50对所获取到的磁共振数据进行处理。举个例子,该获取后处理器50可以包括图像重构处理器,它利用快速傅立叶变换(FFT)或其它重构算法对空间编码的磁共振数据进行处理,以便生成该成像对象的空间图或图像。也可以实现其它类型的获取后处理。已处理数据存储器52存储该重构后的图像或其它处理后的数据。用户接口54向用户显示重构后的图像或其它处理后的数据。在图1所示的举例说明性实施例中,用户接口54还通过扫描仪控制器56与用户交互,以便控制磁共振扫描仪10。在其它实施例中,可以提供单独的扫描仪控制接口。在一些实施例中,该获取后处理器50、存储器46、52或其它组件以各种方式整合在一起,比如是用户接口54(在该举例说明性实施例中是一台计算机)的软件或内置硬件组件。
参照图2,描述了磁共振序列中发射阶段期间的射频线圈30的运转过程。该线圈30包括布置在共形(conformal)表面62之中或之上的多个导线环60,该共形表面与磁共振对象(举个例子,用于示例射频线圈30的肩部)基本一致。所示的刚性共形表面62是非圆柱形的且非平面的。多个导线环30作为筒式振荡器,以便对射频激励输入端64的B1频率激励做出反应,从而在磁共振对象中产生基本均匀的B1场。导线环30可以通过相互之间的互感进行电磁耦合,或者是电互连(图2和3中没有示出电连接)。在磁共振序列的激励阶段,射频发射机36通过射频开关电路40与该射频线圈30的激励输入端64相连接,以便激励磁共振。受激励的导线环30产生B1磁场B1,该磁场与图2中虚线边界描绘出的视野FOV基本一致。
参照图3,描述了磁共振序列中的接收阶段期间射频线圈30的运转过程。在该接收阶段,导线环60作为接收线圈阵列中的线圈单元而工作。在接收阶段期间,每个导线环60与一个相应的读出端66相连接。这些导线环60,比如利用适当的前置放大器,进行解耦合,并且在B1磁共振频率产生共振。此外,如果在发射阶段使用导线环60之间的电连接,则在接收阶段,比如利用PIN二极管开关,将这些电连接断开。PIN二极管开关也可以用于连接或断开电容器,以便将该解耦线圈调整到接收阶段的B1磁共振频率。
射频线圈30的设计集中在用于磁共振序列的发射阶段的筒式振荡器模式的特性上。该线圈30的设计可以保证,应用于射频激励输入端64上的射频电力以磁共振频率驱动导线环60感应式地互连或电互连,从而能够在磁共振对象中产生基本均匀的B1场。选择非圆柱形共形表面62,以便与磁共振对象的肩部或其它相关部位的外形轮廓基本一致。然后,将多个导线环60限定在非圆柱形共形表面62之上或之中并进行配置,以便对输入端64的B1频率激励做出反应而在磁共振对象中产生基本均匀的B1场。
对导线环60进行限定和配置的合适方法是:首先,根据电流和磁场之间的Biot-Savart关系,定义横穿该非圆柱形共形表面的电流密度,该电流密度与磁共振对象中基本均匀的B1场相对应,这里假设电流产生的向量电位处处垂直于该非圆柱形共形表面62(也就是说,形成无穷薄的表面近似值);然后,对所确定的电流密度进行离散化,以便定义多个导线环60。在一种方法中,比较适当的执行离散化的方法是:选择导线环60的拓扑结构;选择导线环60中的电流,该电流提供所期望的分布在准静态域或低频域中的磁场;然后,沿着导线环60添加电容(离散的或分布的),以便在较高的B1频率维持所定义的电流密度。所添加的电容器以较高的B1频率对导线环60之间的互感耦合进行补偿,并且,适当地确定所添加的电容器(举个例子,通过矩量法)。
射频线圈30因为与相关部位的轮廓的精密一致性,所以可与磁共振对象高度耦合。此外,该精密的一致性通常能得到比相应局部圆柱形鸟笼式线圈(举个例子)更紧密的线圈。此外,由于该设计方法制造的导线环60通常在线圈尺寸、形状和方向上有很多不同,导线环60在线圈敏感度方面通常都有明显不同,这对于并行成像技术(比如SENSE,该技术受益于采用了敏感度参数不同的线圈单元组成的线圈阵列)非常有利。
参照图4,描述了一种用于开合导线环的电连接以便在发射筒式振荡器模式和接收线圈阵列模式之间进行切换的方法。在图4所示的实例中,射频线圈70包括布置在刚性共形表面76之上或之中的四个导线环71、72、73、74。该举例说明性的刚性共形表面76是非圆柱形的且非平面的。导线环71是外层导线环,其围绕着内层导线环72。导线环73是外层导线环,其围绕着内层导线环74。
在发射模式下,关闭第一组PIN二极管开关80(如图4中实心正方形所示),同时打开第二组PIN二极管开关82(如图4中空心正方形所示)。这样,就得到了如图5A中所示工作的筒式振荡器模式的线圈配置,其中,两个外层导线环71、73连接在一起构成一个大的外层工作导线环,而两个内层导线环72、74则连接在一起构成一个大的内层工作导线环。
另一方面,在接收模式下,打开第一组PIN二极管开关80,同时关闭第二组PIN二极管开关82。这样,就得到了如图5B中所示的工作线圈阵列模式的线圈结构,其中,四个导线环71、72、73、74中的每一个都是解耦的,从而构成了一个四线圈阵列。
回顾图1,在示例性的实施例中,还提供了附加的负载补偿线圈32以便对成像对象给射频线圈30造成的负载效应进行补偿。负载补偿线圈32对线圈30在磁共振对象的实际负载下产生的B1场的非均匀性进行补偿。负载补偿线圈32的设计与射频线圈30的设计类似,不同之处在于,需要确定横穿非圆柱形共形表面的电流密度,以便在磁共振对象中产生空间上非均匀的B1场,从而对射频线圈30的负载效应进行补偿。该示例的负载补偿线圈32是无源线圈,它与射频线圈30产生的电磁场电感耦合,从而对负载效应进行补偿。在其它实施例中,负载补偿线圈也可以是有源线圈。在图1的实施例中,射频线圈30和负载补偿式线圈32是分开的。为了简化图1中的举例说明,突出了射频线圈30和负载补偿式线圈32的分离情况。
参照图6,射频线圈和负载补偿式射频线圈都紧凑并与磁共振对象紧紧耦合是比较有利的。因此,在一些实施例中,同一共形表面62相对的两侧支撑射频线圈的导线环60和负载补偿线圈的附加导线环80。举个例子,所示的射频线圈30’包括射频线圈位于共形表面62内侧上的导线环60,而在共形表面62的外侧包括负载补偿式线圈的导线环80。因为从图6的角度看不到该共形表面62的外侧,因此该共形表面62外侧上的负载补偿式线圈的导线环80是用虚线画出的。在可设想出的其它实施例中,射频线圈和负载补偿线圈可以是在共形表面的同一侧上的(而不是在相对的两侧上)共用线圈。由电流驱动该共用线圈来产生在负载下均匀的总磁场。
在选择导线环的拓扑结构时,最好利用更少的环路来减少耦合。但是,导线环的数量应该足够多到足以充分接近计算出的横穿该非圆柱形共形表面的电流密度。导线环的数量还应该足够多到足以在接收线圈阵列中提供所需数量的线圈。可以采用各种拓扑结构,包括:举个例子,图2和3的线圈30的非重叠导线环排列方式,和/或图4的线圈70的嵌套式导线环,或者其各种组合。此外,在筒式振荡器模式中,导线环可以是电互连的、电感互连的,或者,一些导线环是电互连的而其它的是电感互连的。在示例性的实施例中,射频线圈在发射阶段作为筒式振荡器使用,而在接收阶段作为线圈阵列使用;但是,也可以设想到,将筒式振荡器模式用于磁共振序列中的发射和接收两个阶段,或者将线圈阵列模式同时用于发射和接收阶段,或者将线圈阵列模式用于发射阶段而将筒式振荡器模式用于接收阶段。线圈30、70所对应的示例共形表面62、76是非圆柱形且非平面的;但是,也可以设想出,这里所公开的射频线圈也是为与圆柱形或平面形轮廓基本一致的圆柱形共形表面或平面而构造的。
上面结合优选实施例描述了本发明。很明显,在阅读并理解了说明书之后,可以做出多种修改和变动。本发明应当解释为涵盖落入权利要求书或其等同物保护范围内的所有修改和变动。
Claims (21)
1、一种射频线圈,包括:
非圆柱形共形表面(62、76),所述非圆柱形共形表面与磁共振对象基本一致;
多个导线环(60、71、72、73、74),布置在所述刚性的非圆柱形共形表面之中或之上,所述多个导线环用于对B1频率的激励做出反应而在所述磁共振对象中产生基本均匀的B1场。
2、权利要求1所述的射频线圈,其中,当所述多个导线环(60、71、72、73、74)在受到B1频率的激励时,就定义出横穿所述非圆柱形共形表面的离散电流密度,所述离散电流密度与所述磁共振对象中基本均匀的B1场对应。
3、权利要求2中所述的射频线圈,其中,当所述多个导线环(60、71、72、73、74)在准静态域中受到激励时就定义出所述离散电流密度,沿着所述导线环的电容维持着以所述B1频率定义的电流密度。
4、权利要求2中所述的射频线圈,其中,至少一些导线环(60)通过彼此之间的互感进行电磁耦合。
5、权利要求1所述的射频线圈,还包括:
一个或多个开关(80、82),与所述导线环(71、72、73、74)相连接,所述一个或多个开关有选择性地切换,从而:(i)将所述多个导线环以串行互连结构的形式互连起来,或者,(ii)对所述导线环解耦,以便定义出解耦导线环的线圈阵列,第一种和第二种结构(i)和(ii)是可选择的,它们都共振于B1频率。
6、权利要求1所述的射频线圈,其中,所述射频线圈还包括:
一个或多个开关(80、82),与所述导线环(71、72、73、74)相连接,所述一个或多个开关有选择性地切换,从而将所述多个导线环在(i)筒式发射振荡器和(ii)接收线圈阵列之间进行配置。
7、权利要求6所述的射频线圈,其中,所述一个或多个开关(80、82)在筒式发射振荡器结构(i)中将所述多个导线环(71、72、73、74)进行电连接,在所述接收线圈阵列结构(ii)中将所述多个导线环断开连接。
8、权利要求1中所述的射频线圈,其中,所述非圆柱形共形表面(62、76)是刚性的且非平面的。
9、权利要求1中所述的射频线圈,还包括:
多个负载补偿导线环(90),布置在补偿式非圆柱形共形表面(62)之中或之上,所述补偿式非圆柱形共形表面与磁共振对象基本一致,所述多个负载补偿导线环用于产生非均匀B1场,其对所述磁共振对象造成的负载B1非均匀性进行补偿。
10、权利要求9所述的射频线圈,其中,所述非圆柱形共形表面和所述补偿式非圆柱形共形表面是同一表面(62)。
11、一种磁共振扫描仪,包括:
主磁体(20),在相关区域生成主B0磁场;
磁场梯度线圈(28),有选择性地在主B0磁场上叠加磁场梯度;
权利要求1所述的射频线圈(30、70),一致地包围磁共振对象,并且有选择性地在所述磁共振对象中产生基本均匀的B1域。
12、权利要求11所述的磁共振扫描仪,还包括:
负载补偿射频线圈(32),包括多个布置在补偿式非圆柱形共形表面(62)之中或之上的负载补偿导线环(90),所述补偿式非圆柱形共形表面与磁共振对象基本一致,所述多个负载补偿导线环用于在所述磁共振对象中产生非均匀B1场,其对所述磁共振对象造成的所述磁共振对象中B1场非均匀性进行补偿。
13、权利要求11所述的磁共振扫描仪,还包括:
开关(80、82),用于将所述多个导线环(60、71、72、73、74)在发射筒式振荡器和接收线圈阵列之间进行切换。
14、一种射频线圈,包括:
工作射频线圈(30),用于在磁共振对象中产生B1场;
负载补偿射频线圈(32),包括布置在补偿式非圆柱形共形表面(62)之中或之上的多个负载补偿导线环(90),所述补偿式非圆柱形共形表面与所述磁共振对象基本一致,所述多个负载补偿导线环用于在所述磁共振对象中产生非均匀B1场,其补偿所述磁共振对象对所述工作射频线圈产生的B1场造成的非均匀性。
15、权利要求14所述的射频线圈,其中,所述负载补偿线圈(90)是有源线圈或无源线圈。
16、一种用于配置射频线圈的方法,所述方法包括:
选择与磁共振对象基本一致的非圆柱形共形表面(62、76);
在所述非圆柱形共形表面之中或之上布置多个导线环(60、71、72、73、74),以便对B1频率的激励做出反应而在所述磁共振对象中产生基本均匀的B1场。
17、权利要求16所述的方法,还包括:
确定横穿所述非圆柱形共形表面(62、76)的电流密度,所述电流密度与所述磁共振对象中基本均匀的B1场对应;
将所确定的电流密度进行离散化,以定义所述多个导线环(60、71、72、73、74)。
18、权利要求16所述的方法,还包括:
确定横穿负载补偿式共形表面(62)的负载补偿电流密度,其对所述多个导线环(60、71、72、73、74)所产生的所述B1场的非均匀性进行补偿;
对所述确定的负载补偿电流密度进行离散化,以定义分布在所述负载补偿式共形表面(62)之上或之中的多个负载补偿导线环(90)。
19、权利要求16所述的方法,还包括:
提供一个或多个开关(80、82),用于将所述多个导线环(60、71、72、73、74)在发射筒式振荡器和接收线圈阵列之间进行切换。
20、权利要求16所述的方法,其中,所述配置方法包括:
在所述非圆柱形共形表面之中或之上布置多个导线环(60、71、72、73、74),以便在所述磁共振对象载入和所述线圈以所述B1频率被激励的情况下产生基本均匀的B1场。
21、用权利要求16所述的方法制成的射频线圈。
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