CN101292520A - 使用抗反射膜以降低光串扰的固态成像器和形成方法 - Google Patents

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Abstract

用抗反射膜涂布成像装置中的传导线以降低由从所述传导线反射的光造成的串扰。界面在所述抗反射膜与所述传导线表面的表面之间产生。第二界面存在于所述抗反射膜与上覆绝缘层之间。所述抗反射膜是由具有复折射率的材料形成的，使得反射率在所述两个界面中的每一者处降低。所述抗反射膜还可具有光吸收性，以提供光反射和由此引起的串扰的进一步降低。

Description

使用抗反射膜以降低光串扰的固态成像器和形成方法
技术领域
本发明大体上涉及半导体成像装置，且明确地说，涉及一种基于半导体的成像装置，其具有用于降低像素间光串扰的结构。
背景技术
半导体成像装置包括电荷耦合装置(CCD)、光电二极管阵列、电荷注入装置和混合焦平面阵列。CCD通常用于图像获取且享有使得其成为依附技术的许多优点(尤其对于小尺寸成像应用来说)。CCD还能够实现具有小像素尺寸的大型号，且其采用低噪声电荷领域处理技术。
CCD技术中的固有限制已经促进关注可能用作低成本成像装置替代物的CMOS成像器。CMOS成像器优于CCD成像器的优点包括低电压操作和低功率消耗。而且，CMOS成像器可与集成的芯片上电子元件(控制逻辑和定时、图像处理和例如模拟-数字转换的信号调节)兼容。因为可使用标准CMOS处理技术，所以CMOS成像器与常规CCD成像器相比还享有较低的制造成本。
上文所论述的类型的CMOS成像器通常是已知的，如在以下文献中论述：举例来说，尼克松(Nixon)等人的“256×256CMOS有源像素传感器芯片上相机(256×256 CMOSActive Pixel Sensor Camera-on-a-Chip)”(IEEE固态电路杂志(IEEE Journal of Solid-StateCircuits)，第31(12)卷，第2046到2050页，1996年)；和曼迪斯(Mendis)等人的“CMOS有源像素图像传感器(CMOS Active Pixel Image Sensors)”(IEEE电子装置学报(IEEE Transactions on Electron Devices)，第41(3)卷，第452到453页，1994年)，所述文献的全文以引用的方式并入。在以下专利中描述了CMOS成像电路、其处理步骤和成像电路的各种CMOS元件的功能的详细描述：举例来说，罗得斯(Rhodes)的第6,140,630号美国专利、罗得斯(Rhodes)的第6,376,868号美国专利、罗得斯(Rhodes)的第6,333,205号美国专利、罗得斯(Rhodes)的第6,326,652号美国专利、罗得斯(Rhodes)等人的第6,310,366号美国专利和罗得斯(Rhodes)的第6,204,524号美国专利，所述专利的全部揭示内容以引用的方式并入。
包括上文论述的CCD、CMOS和其它装置在内的固态成像器采用遭受光串扰的光学光子传感器装置。当预期照射某一像素的光被误导而改为照射相邻像素时会发生光串扰。所述误导通常起因于像素结构内的反射。
固态成像器通常在成像器集成电路的上层处使用普通(例如，铝)金属线来传导电功率和信号。然而，从光学性能的观点来看，铝会不利地显示非常高的光反射。
图1是成像器内的光反射和伴随串扰问题的简化示意性说明。图1展示成像器的具有两个邻近成像器像素1、2的一部分的横截面。虽然所展示的成像器是CMOS成像器，但图1同样表示在其它固态成像器中所发生的光串扰。像素1、2代表所述成像器中的组成像素阵列的多个像素。图1中简化展示的像素1、2的基本特征包括各自光电二极管光传感器3、4，其收集光子并将其转换为光电荷。传导金属线5、6、7位于成像器集成电路的上部部分中。设置在金属线5、6、7上方的额外层8包括(例如)绝缘层(SiO2)和位于所述绝缘层上方的彩色滤光片阵列。各自微透镜9、10将传入光聚焦在光电二极管光传感器3、4上。
图1说明光子11、12去往像素1、2可能采取的路径。光子11(例如)通过层8中的彩色滤光片阵列而进入微透镜9(其被指定为红色像素)。然而，代替聚焦在光传感器3上，光子11由微透镜9折射并在上部金属化层(此处为金属层三)中从传导金属线5反射，使得光子11照射(例如)像素2(其已经被指定为绿色像素)的光传感器4。由于光子11照射光传感器4而并非光传感器3(即，串扰)，因此应当在光传感器3处聚积的电荷改为聚积在光传感器4处。因此，代替针对图像的那部分产生红色信号，所产生的信号为绿色，且所得光图像含有不准确性。
目前技术水平将通过在成像器中降低从用以传导电功率和信号的金属化层中的金属线反射的光的量来得以改进。普通抗反射解决方案由于若干因素而难以在当前制造工艺中实施，所述因素包括：(1)固态成像器在宽广的可见光谱上操作，而基于干扰的抗反射涂层仅在狭窄的波长范围内有效；(2)暗色或黑色非传导涂层材料具有不良的光子吸收性，因此通常需要涂覆非常厚的涂层材料：成像器内的紧凑空间和紧密公差将不允许添加若干微米厚的层；(3)反射可通过可散射并吸收光的表面粗糙度来降低，然而，粗糙度的尺度应至少与入射波长的阶数相同(对于可见光来说通常为半微米)：具有此尺寸的表面特征对于成像器来说太大而不能被包含；和(4)较高传导性材料(例如Al、Ag)具有相对较高的电子密度，所以这些材料是更为有效的光子吸收剂；然而，较高的电子密度还对应于较高的不良反射。
因此，需要且期望向固态成像器中的传导线提供抗反射特性以减轻光串扰。
发明内容
在本发明的示范性实施例中，用抗反射膜来涂布具有传导线的像素阵列，所述传导线具有可潜在地在像素电路中产生光串扰的反射表面。所述抗反射膜设置在反射表面与上覆绝缘层之间，以在抗反射膜与绝缘层之间产生第一界面且在抗反射膜与反射表面之间产生第二界面。总反射率在所述两个界面的每一者处降低。此外，抗反射膜吸收光。反射率降低与光吸收组合以减轻光串扰。一种示范性抗反射膜材料是耐热金属钽。抗反射钽膜减少了反射离开铝导线并到达相邻像素的光传感器上的光子。
附图说明
从以下详细描述中将更容易了解本发明的上述和其它优点及特征，以下详细描述是结合附图提供的。
图1是对CMOS成像器中的由从金属线反射的光造成的串扰的说明；
图2是根据本发明示范性实施例的以抗反射膜为特征的CMOS成像器像素阵列的一部分的横截面；
图3说明根据本发明示范性实施例的通用化金属堆叠结构的光反射特性；
图4是基于图3的通用化结构的各种特定金属堆叠结构的光学特性(反射和透射)的图解说明；
图5是说明根据本发明示范性实施例的制造抗反射传导线结构中的步骤的横截面；
图6是说明根据本发明示范性实施例的制造抗反射传导线结构中的另外步骤的横截面；
图7是说明根据本发明示范性实施例的制造抗反射传导线结构中的额外步骤的横截面；
图8是说明根据本发明示范性实施例的制造抗反射传导线结构中的额外步骤的横截面；
图9是说明根据本发明示范性实施例的用以制造抗反射传导线结构的替代方法的横截面；
图10是说明根据本发明示范性实施例的用以制造抗反射传导线结构的替代方法中的另外步骤的横截面；
图11是说明根据本发明示范性实施例的用以制造抗反射传导线结构的替代方法中的额外步骤的横截面；
图12是说明根据本发明示范性实施例的用以制造抗反射传导线结构的替代方法中的额外步骤的横截面；
图13说明根据本发明示范性实施例构造的CMOS成像器像素阵列；和
图14说明包括具备图13的成像器阵列的成像装置的系统。
具体实施方式
在以下详细描述中，参考附图，所述附图形成本发明的一部分并说明可借以实践本发明的具体示范性实施例。应了解，在附图中相同参考数字始终表示相同元件。充分详细地描述这些实施例以使所属领域的技术人员能够实践本发明。应了解，可利用其它实施例，且可在不脱离本发明的精神和范围的情况下做出结构、逻辑和电学变化。
应将术语“衬底”理解为包括硅、绝缘体上硅(SOI)或蓝宝石上硅(SOS)技术、经掺杂和未经掺杂的半导体、由基础半导体底座支撑的硅外延层和其它半导体结构。此外，当在以下描述中参考“衬底”时，可能已经利用先前工艺步骤来在基础半导体结构或底座中或者其上方形成区或结。此外，半导体无需是基于硅的，而是可基于(例如)硅锗、锗或砷化镓。
术语“光”是指可产生视觉(可见光)的电磁辐射以及在可见光谱外部的电磁辐射。一般来说，如本文所使用的光并不限于可见辐射，而是更广泛地指代整个电磁波谱，尤其是可通过固态光传感器转换为有用电信号的电磁辐射。
术语“像素”或“像素单元”是指含有电路的图像元素单元，所述电路包括光传感器和用以在图像传感器的情况下将入射电磁辐射转换为电信号的晶体管。出于说明目的，在本文的图式和描述中说明代表性像素。通常，成像器中的所有像素的制造将以类似方式同时进行。因此，不应在限制性意义上看待以下详细描述，且本发明的范围由所附权利要求书界定。
参看图2，以横截面展示CMOS成像器阵列的一部分来展现根据本发明示范性实施例的像素构造。虽然参考CMOS成像器阵列来描述本发明，但其还可应用于其它固态成像器阵列以及显示装置。因此，以下描述仅示范性说明可使用本发明的环境。
图2展示示范性说明本发明实施例的CMOS像素13的一部分和位于像素13的任一侧上的邻近像素的若干部分。所展示的像素部分是四晶体管(4T)像素的一部分，然而所述像素可具有若干种电路配置中的任一种。示范性CMOS成像器阵列的代表性像素13包括形成在外延(EPI)p型层16中的光电二极管光传感器14，所述p型层16形成在p型衬底17上方。n型聚积区18提供在EPI层16中且聚积从照射光电二极管光传感器14的光子产生的光生电荷。最上部p型表面区20提供在n型聚积区18上方。像素13进一步包括界定在EPI层16中的经掺杂p阱22。还在EPI层16中提供相同的p阱23作为邻近像素的一部分。转移栅极24形成在p阱22的一部分上方且邻近于光电二极管光传感器14。转移栅极24充当转移晶体管的一部分以用于将由光电二极管光传感器14聚积的电荷电门控到植入在p阱22的一部分中的浮动扩散区26。
复位栅极28形成作为紧接转移栅极24的复位晶体管的一部分。所述复位晶体管通过源极/漏极区而连接到电压源(例如，Vdd)并起作用以向浮动扩散区26提供复位电压。位于像素13的任一侧上的邻近像素之间的横向隔离由浅沟道隔离(STI)区42、44提供。
栅极氧化物层46和多晶硅层48形成在EPI层16的上表面上或其附近。在示范性实施例中，栅极氧化物层46沉积在EPI层16的整个上表面上方，接着沉积多晶硅层48。举例来说，多晶硅层48可以是未经掺杂的、现场掺杂的或随后用掺杂剂进行植入的。绝缘性覆盖层50(例如，由原硅酸四乙酯(TEOS)、Si(OC2H5)4、氧化物或氮化物制成)制造在多晶硅层48上方。在另一示范性实施例中，可视情况在形成绝缘性覆盖层50之前形成硅化物层52。接着用经图案化的光阻来遮蔽这些层46、48、50(可选的52)并对其加以蚀刻以形成图2所示的结构。
导体36与浮动扩散区26以及源极跟随器晶体管的栅极(未图示)形成电连通。导体36路由穿过互连层40(例如，M1金属层)中的传导路径，且向上穿过互连层94(例如，M2金属层)、半导体层96且最终穿过互连层98(例如，M3金属层)中的导体97而连接到其它导体。
抗反射膜99展示为位于导体97的相对垂直侧面的表面上。抗反射膜99防止通过微透镜108和彩色滤光片阵列106而进入像素13且意欲照射光电二极管光传感器14的光子错误地反射到邻近像素并照射相邻像素的光传感器。大多数此类光串扰是光子从导体的垂直侧表面反射的结果。因此，抗反射膜99在被涂布在导体97的垂直侧表面上时防止串扰最为有效。
然而，还可将抗反射膜99涂布在导体97的其它侧面上，包括顶部、底部或其两者(即，包围导体97)。未必需要涂布导体97的顶部和/或底部侧表面以便降低光串扰，而是需要更为经济的制造工艺。举例来说，提供底部涂层或将顶部涂层留置在适当位置可意味着并不需要额外的图案化或蚀刻步骤。因此，产生了更为经济的制造工艺。
现参看图3来更详细地描述抗反射膜99的特征，图3说明涂布在具有抗反射膜99的垂直侧表面上的铝(Al)导体(例如，导体97)的通用化构造。绝缘(SiO2)层98(例如，M3介电层)沉积在抗反射膜99上。应了解，虽然所述描述涉及将抗反射膜99涂覆到M3介电层中的导体，但本发明并非受到如此限制。可用抗反射膜99来涂布其它反射表面，其中包括M2和M1层(更靠近光传感器层)中的导体97。然而，随着导体97的尺寸减小且像素内的深度增大，提供抗反射的成本可超过光串扰的改进。
图3中的箭头表示由导体97的涂布有抗反射膜99的垂直侧表面所透射和反射的光子所采取的路径。SiO2绝缘层98沉积在抗反射膜99上。应注意，虽然将铝论述为常用导体材料，但可使用传导金属97与抗反射膜99的各种组合。
层97、98、99的组合的反射和透射特性可通过考虑光子将采取的各种光路来加以量化。路径R1表示传入光在M/SiO2界面(即，层99/98界面)处被反射的部分，其中M表示抗反射膜。T1是传入光的未经反射并透射到M层中的部分。R2表示光T1在M/Al界面(即，层99/97界面)处的反射。T2表示反射光R2超出M/SiO2界面的透射。
等式1表示层97、98、99的总反射，其基于上述光路且考虑到抗反射膜99的厚度d和抗反射膜99的吸收系数α：
R＝R1+(1-R1)2*exp(-2αd)*R2                                    (1)
在没有抗反射处理的情况下，铝呈现非常高的反射率值R(即，从电介质的反射光与入射光的能量的比率)。对于铝来说，R为0.89 @ 516nm。添加薄层抗反射膜99会降低总反射率R。考虑材料的复折射率来选择抗反射膜99。抗反射膜99的材料经选择以使得所提供的反射率降低在亚微米尺寸下有效。
在铝层与SiO2层之间添加抗反射膜99用于两个目的。抗反射膜99降低导体表面的反射率R，如上文论述和下文更具体论述。较低的反射率R导致利用铝导体的成像器中具有较少的光串扰，这是由于将从一个像素反射离开铝导体而到达相邻像素的光传感器上的光子数目减少。此外，抗反射膜99用以吸收可见光子，因此进一步降低M/Al界面(图3)处的光强度。
为了确定由层97、98、99提供的总反射，有必要评估每个界面(即，M/SiO2界面和M/Al界面)处的反射以及抗反射膜99中的光吸收(或透射)。在两种不同材料的界面处的光反射可通过如下等式2来表示：
R = ( n 1 - n 2 ) 2 + ( k 1 - k 2 ) 2 ( n 1 + n 2 ) 2 + ( k 1 + k 2 ) 2 - - - ( 2 )
其中n1+ik1和n2+ik2是两种材料(例如，铝和抗反射膜99)的复折射率。
参看图4，针对铝(Al)和具有在沉积于铝上时用作示范性抗反射膜的八种元素来编纂光学特性数据。所述光学特性是在516nm(蓝带)的波长下确定的。抗反射膜以10nm的厚度形成在铝上。图4中展示九组数据：除铝之外，所述八种抗反射膜材料包括金属铬(Cr)、钴(Co)、镍(Ni)、钽(Ta)、钛(Ti)、钨(W)、钒(V)和硅(Si)。
图4含有四个重叠图形，每个图形针对四种光学特性中的一者。在图形的前部处开始，第一行含有设置在铝与SiO2之间的每个各自抗反射膜的总反射数据和在没有插入抗反射膜的情况下铝/SiO2的总反射率数据。第二行和第三行列表说明分别在铝上和在SiO2下方作为10nm膜提供的每种抗反射材料的信息。更具体地说，第二行(金属/Al反射)含有在铝上作为10nm膜沉积的八个抗反射膜中的每一者的反射率数据。第三行(金属/SiO2反射)含有上面沉积有SiO2的作为抗反射膜的八种金属中的每一者的反射率数据。第四行单独表示所述金属中的每一者的透射率数据。
可从总反射数据(第一行)看到，由钽或钛制成的抗反射膜与铝导体的未处理表面相比将降低光反射。多次模拟展示在Al与SiO2之间引入大约10nm的钽(Ta)层会将总反射从0.89(即，89％反射率)的值降低到0.31(即，31％反射率)，减少了约三分之二。
钽和钛两者均可与成像器制造工艺兼容，但在较高温度后段工艺(BEOL)处理期间，钛快速地与铝形成合金。一旦形成合金，总反射将由于Al主导TiAlx(x_3.0)的产生而急剧增大。钽(Ta)为高熔点耐热金属，且与Ti相比反应性差很多。还已知Ta是将减缓其它金属扩散的良好阻挡材料，且人们已经针对其在铜(Cu)、银(Ag)金属化和硅化物方面的阻挡应用对其进行了广泛研究。
总反射降低到至少约0.50(50％反射率)将被认为足以证明添加抗反射膜99是正确的。可根据本发明来实现将总反射进一步降低到约0.40(40％反射率)和以下。反射率的实际降低将取决于特定传导和抗反射材料，且抗反射膜的厚度将影响发生的吸收量。依据材料而定，抗反射膜在以约5nm的厚度沉积在反射表面上时可有效地降低反射，且其可以高达约20nm的厚度来沉积而不会影响其它成像器组件。
在本文所论述的示范性实施例中论述了钽，这是因为其整体低反射率和其与铝形成合金的低能力。然而，应注意，其它抗反射膜材料也显示所需特性并降低总反射率。这些材料中的某些材料可包括上文结合图4论述的元素或其合金。将使用当与组成像素电路的特定导体(例如，铜和银)和绝缘体组合时最有效的抗反射膜材料和厚度。
下文中描述用于在导体上形成示范性抗反射膜的制造步骤。虽然所描述的方法利用铝导体和钽抗反射膜，但可改为使用其它导体和抗反射膜，例如上文结合图4所描述的那些。
参看图5到图8，展示用于用抗反射膜涂布铝导体的示范性方法。所述方法可用作形成图2说明的像素的层97、98、99的工艺的一部分。所述方法利用已知CMOS工艺，且通过在半导体层96上方沉积绝缘层98(例如，SiO2)来开始，如图5所示。对绝缘层98进行遮蔽和蚀刻以形成开口197，如图6所示。参看图7，在开口197的垂直侧壁上形成钽层99。随后填充开口197以形成在每一侧面上具有抗反射膜99的铝导体97。
除侧面之外，还可在开口197的底部上形成钽层99，这将在铝导体97的底部上提供抗反射膜99。如果需要的话，可接着通过在沉积绝缘(SiO2)层98和平坦化之后对薄层抗反射膜99进行图案化并将其涂覆到铝导体97的顶部来将铝导体97嵌入抗反射膜99中。
参看图9到图12，展示另一种用于涂布铝导体的示范性方法。所述方法以在半导体层96上方沉积牺牲层298来开始，如图9所示。对牺牲层298进行图案化和蚀刻(例如)以形成开口297，如图10所示。填充开口297并移除牺牲层298以形成铝导体97，如图11所示。在图12中，抗反射膜99经展示为沉积在导体300的相对侧面上。后续制造步骤(未图示)包括提供绝缘(SiO2)层98。
上文的示范性方法在铝导体的相对垂直侧面上提供钽抗反射膜。如上文提到的，可利用其它传导和抗反射膜。另外，导体无需仅涂布在垂直侧面上。导体还可涂布在底部上(即，面向光传感器)或顶部上(即，背离光传感器)。此外，导体可完全嵌入在抗反射膜中。
图13说明示范性成像装置110，其可利用根据本发明构造的像素单元13的阵列112。像素阵列112以成列与行排列的多个像素为特征。通过行驱动器114响应于行地址解码器116来选择性激活行线。成像装置110中还包括列驱动器120和列地址解码器122。成像装置110由定时和控制电路124操作，所述定时和控制电路124控制地址解码器116、122。控制电路124还控制行和列驱动器电路114、120。
与列驱动器120相关联的取样与保持(S/H)电路128读取用于选定像素的像素复位信号Vrst和像素图像信号Vsig。通过差动放大器130针对每个像素产生差动信号(Vrst-Vsig)且通过模拟-数字转换器(ADC)132对其进行数字化。模拟-数字转换器132将所述经数字化的像素信号供应到形成并输出数字图像的图像处理器134。
图14展示系统500，其是经修改以包括本发明的成像装置110(图13)的典型处理器系统。处理器系统500示范性说明具有可包括成像器装置的数字电路的系统。在没有限制性的情况下，此系统可包括计算机系统、相机系统、扫描仪、机器视觉、车辆导航、视频电话、监视系统、自动聚焦系统、星体追踪仪系统、运动检测系统、图像稳定化系统和需要图像输入的其它系统。
系统500(例如，相机系统)通常包含经由总线520与输入/输出(I/O)装置506通信的中央处理单元(CPU)502，例如微处理器。成像系统100也经由总线520与CPU502通信。基于处理器的系统500还包括随机存取存储器(RAM)504，且可包括也经由总线520与CPU 502通信的可移除存储器514，例如快闪存储器。成像装置110可与例如CPU、数字信号处理器或微处理器等处理器组合，其中在单个集成电路上或在不同于处理器的芯片上具有或不具有存储器存储装置。
上文描述的工艺和装置说明可加以使用和制造的许多优选方法和典型装置。以上描述和图式说明实现本发明的目的、特征和优点的实施例。然而，不希望将本发明严格地限于上文描述并说明的实施例。应将本发明的属于所附权利要求书的精神和范围内的任何修改(尽管目前不可预见)视为本发明的一部分。

Claims (52)

1.一种装置，其包含：
像素阵列，其含有多个像素，每个像素具有像素电路；
传导线，其用于与所述像素电路进行电连接；和
抗反射膜，其提供在所述传导线的至少若干部分上。
2.根据权利要求1所述的装置，其进一步包含绝缘层，所述绝缘层提供在所述抗反射膜的与所述传导线相对的侧面上。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述绝缘层包含SiO2。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述抗反射膜是耐热金属或耐热金属的合金。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述耐热金属是钽和钛中的一者。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述传导线包含反射金属。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述反射金属包括铝。
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述像素电路是CMOS像素电路。
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述传导线在至少两个相对侧面上具备所述抗反射膜。
10.根据权利要求9所述的装置，其中所述传导线在所述两个相对侧面上且在顶部与底部的至少一者上具备所述抗反射膜。
11.根据权利要求9所述的装置，其中只有所述传导线的两个相对侧面具备所述抗反射膜。
12.根据权利要求1所述的装置，其中所述抗反射膜具有亚微米厚度。
13.根据权利要求12所述的装置，其中所述厚度小于或为约20nm。
14.根据权利要求12所述的装置，其中所述厚度小于或为约10nm。
15.根据权利要求1所述的装置，其中所述抗反射膜降低所述传导线的所述部分的总反射率。
16.根据权利要求15所述的装置，其中所述抗反射膜将总反射率降低到低于约0.5的值。
17.根据权利要求15所述的装置，其中所述抗反射膜将总反射率降低到低于约0.4的值。
18.根据权利要求1所述的装置，其中所述传导线包含铝。
19.根据权利要求1所述的装置，其中每个像素电路包含至少M1、M2和M3金属化层，且所述传导线设置在所述M1、M2和M3金属化层的至少一选定层中。
20.一种CMOS成像器，其包含：
衬底；和
成像器像素阵列，其以行与列排列在所述衬底上，每个成像器像素包含：
电路元件，其包括经排列和配置以接收传入光的光传感器；
传导线，其电连接所述电路元件；和
抗反射膜，其提供在所述传导线的至少若干部分上。
21.根据权利要求20所述的CMOS成像器，其进一步包含绝缘层，所述绝缘层提供在所述抗反射膜的与所述传导线相对的侧面上。
22.根据权利要求21所述的CMOS成像器，其中所述绝缘层包含SiO2。
23.根据权利要求20所述的CMOS成像器，其中所述抗反射膜是耐热金属或耐热金属的合金。
24.根据权利要求23所述的CMOS成像器，其中所述耐热金属是钽和钛中的一者。
25.根据权利要求20所述的CMOS成像器，其中所述传导线包含反射金属。
26.根据权利要求25所述的CMOS成像器，其中所述反射金属包括铝。
27.根据权利要求20所述的CMOS成像器，其中所述传导线在至少两个相对侧面上具备所述抗反射膜。
28.根据权利要求27所述的CMOS成像器，其中只有所述传导线的两个相对侧面具备所述抗反射膜。
29.根据权利要求20所述的CMOS成像器，其中所述抗反射膜具有亚微米厚度。
30.根据权利要求29所述的CMOS成像器，其中所述厚度小于或为约10nm。
31.根据权利要求20所述的CMOS成像器，其中所述抗反射膜将所述传导线的所述部分的总反射率降低到为约0.5或更小的值。
32.一种成像器系统，其包含：
处理器；和
成像装置，其电耦合到所述处理器，所述成像装置包含CMOS像素阵列，所述阵列的至少一个像素包含：
电路元件，其包括经排列和配置以接收传入光的光传感器；
传导线，其电连接所述电路元件；和
抗反射膜，其提供在所述传导线的至少若干部分上。
33.根据权利要求32所述的成像器，其进一步包含绝缘层，所述绝缘层提供在所述抗反射膜的与所述传导线相对的侧面上。
34.根据权利要求33所述的成像器，其中所述绝缘层包含SiO2。
35.根据权利要求32所述的成像器系统，其中所述抗反射膜是耐热金属或所述耐热金属的合金。
36.根据权利要求35所述的成像器系统，其中所述耐热金属是钽和钛中的一者。
37.根据权利要求32所述的成像器系统，其中所述传导线包含反射金属。
38.根据权利要求37所述的成像器系统，其中所述反射金属包括铝。
39.根据权利要求32所述的成像器系统，其中所述传导线在至少两个相对侧面上具备所述抗反射膜。
40.根据权利要求39所述的成像器系统，其中只有所述传导线的两个相对侧面具备所述抗反射膜。
41.根据权利要求32所述的成像器系统，其中所述抗反射膜具有亚微米厚度。
42.根据权利要求41所述的成像器系统，其中所述厚度小于或为约10nm。
43.根据权利要求32所述的成像器系统，其中所述抗反射膜将所述传导线的所述部分的总反射率降低到小于或为约0.50的值。
44.一种降低成像装置中的串扰的方法，其包含：
用抗反射膜至少涂布导电金属线的侧面；和
在所述抗反射膜上方沉积绝缘层。
45.根据权利要求44所述的方法，其进一步包含用所述抗反射膜涂布所述传导金属线的顶部或底部中的至少一者。
46.根据权利要求45所述的方法，其进一步包含用所述抗反射膜涂布所述传导金属线的所有侧面。
47.根据权利要求46所述的方法，其中所述涂布步骤包括用钽覆盖铝导体的相对侧面。
48.根据权利要求47所述的方法，其中所述涂布步骤包括将所述钽沉积到小于或为约10nm的厚度。
49.一种传导线构造，其包含电绝缘材料层、传导金属层和在所述电绝缘层与所述传导金属层之间的抗反射层，所述传导线构造由于包括所述抗反射层而具有较低的反射率和较高的吸收率。
50.根据权利要求49所述的传导线构造，其中所述抗反射层包含耐热金属或所述耐热金属的合金。
51.根据权利要求50所述的传导线构造，其中所述抗反射层包含钽和钛中的一者。
52.根据权利要求49所述的传导线构造，其中所述额外金属层是沉积到小于或为约10nm的厚度的钽。
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