CN101251578A - 电路检测的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明一种电路检测的方法包含了以下步骤:提供一具有一导线(conductive line)的基底;并形成一金属层于上述至少一导线上,进而加强导线以及邻接区域的对比,以利电路的检测,上述方法还包含了移除金属层,此金属层是通过硝酸、过氧化氢以及氟化硼酸(fluoride boric acid)的混合物而加以移除,上述金属包含了银、镍或锡,沉积金属(deposit metal)可通过内部扩散(inter diffusion)而移除,并于下方的导线中形成金属间化合物(intermetallic compounds),例如Cu6Sn5。
Description
技术领域
本发明涉及一种电路检测的方法,特别是涉及一种通过加强显影区域以及未显影区域间的对比而加以检测电路的方法。
背景技术
自动光学检测(automated optical inspection,AOI)系统是用来检测电路的缺陷;上述系统可用以检测合乎规格的元件的存在以及其方位、适当的锡球排列(solder joint formation)、导线以及不需要的残渣,例如光刻胶残余(photo resist residue)。
当电路的线宽变窄时,利用肉眼的检测方式将更加容易出错。照传统来说,欲找出一电路的缺陷将需要经验的积累并应用特性要因图(cause and effect diagram)来找出问题的所在。上述方式不只需耗费许多时间,而且也不易找到合格的人员来负责此项工作。因此,在过去数年来,自动光学检测成为了相当热门的电路检测技术。
主要的自动检测方法包含了通过白光以及激光光束所作的检测。利用白光的检测方法是通过投射白光于电路上,然后由光线感应器(lightsensor)加以检测反射的光线信号(reflecting light signal);最后再使用影像处理软体处理接收信号(receiving signal)并找出缺陷。另一方法是通过激光光束的投射而刺激非金属部份的有机萤光性材质(organic fluorescence material),并由光线感应器接收激光所引起的萤光。通过一预先决定的数值,接收灰阶影像(receiving grey-scaleimage)的金属部份以及非金属部份将可分解(resolved);因此上述影像可用以检测缺陷。
大部分与自动光学检测相关的发明皆力图于发展不同的照明方式(lighting modes)、信号检测方式(signal detecting modes)或其他相似的方法。举例来说,美国专利7,075,565号揭露了一种自动光学检测系统,其包含了多数个用以提供影像资料予印刷电路板的非同步摄影机(asynchronous cameras)。上述电路板是分割为由一个或数个摄影机于一个或数个照明方式下所映射(imaged)的视场(fields of view)。上述系统可应用摄影机的最大频宽(full bandwidth),并进而缩短检测电路板所需的时间。台湾专利I244359号揭露了一种通过预先建立标准元件模版并利用这些模版而加以检测印刷电路板的缺陷的方法。而台湾专利I258583号则揭露了一种可发出具有强烈及均匀冷光光线于一小区域的照明系统,其可用来加强上述小区域的影像解析度。
参照图1的已有技术,显影区域2及未显影区域4间的对比是相当的低。使用者无法辨识显影区域间的区别。因此,操作者将不太可能检测出结果。
发明内容
本发明的目的是提供一种电路检测的方法,特别而言是涉及一种通过加强显影区域以及未显影区域间的对比而加以检测电路的方法,该方法可通过提供加强对比的电路影像而弥补已有技术的不足处。
为达到上述目的,本发明的技术解决方案是:
一种集成电路(IC)检测的方法包含了以下步骤:提供一具有一导线的基底;并形成一金属层于至少上述导线上,进而加强导线以及邻接区域的对比,以利集成电路(IC)的检测。上述方法还包含了移除金属层。此金属层是通过硝酸、过氧化氢以及氟化硼酸(fluoride boric acid)的混合物而加以移除。上述金属包含了银、镍或锡。沉积金属(depos itmetal)可通过内部扩散(inter diffusion)而移除,并于下方的导线中形成金属间化合物(intermetallic compounds)。举例来说,当下方导线为铜时,所形成的金属间化合物则为Cu6Sn5。
另一方面,电路检测的方法包含了以下步骤:提供一具有一导线的基底;并形成一金属层于至少上述导线上,进而加强显影区域以及未显影区域的对比,以利电路的检测。上述方法还包含了移除金属层。此金属层是通过硝酸、过氧化氢以及氟化硼酸的混合物而加以移除。上述金属包含了银、镍或锡。沉积金属可通过内部扩散而移除,并于下方的导线中形成金属间化合物(例如Cu6Sn5)。
一种检测光刻胶残余的方法包含了已下步骤:提供一具有检测区域的基底;并形成一金属层于至少上述基底上,进而加强光刻胶残余以及邻接区域的对比,以利检测。
本发明的优点在于:
本发明的一种电路检测的方法,涉及一种加强显影区域及未显影区域间的对比的方法,利用一种化学沈积(chemical deposit)于导线之上而达成本发明的目的。除了加强对比之外,上述化学物也可当作导电媒介;因此,如果剥除步骤(stripping step)无法完整移除上述化学物,该残余也可成为导线的一部分而不会增加实行上的问题。
附图说明
图1是已有技术的示意图;
图2(a-c)是根据本发明所提的检测方法的示意图;
图3(a-b)是根据本发明所提的检测方法的结果的示意图;
图4(a-b)是根据本发明所提的检测方法的结果的示意图。
主要元件符号说明
2显影区域
4未显影区域
6光刻胶残余
具体实施方式
本发明将配合其较佳实施例与附图详述于下。应可理解者为本发明中所有的较佳实施例仅为例示之用,并非用以限制。因此除文中的较佳实施例外,本发明亦可广泛地应用在其他实施例中。且本发明并不受限于任何实施例,应以随附的权利要求的保护范围及其同等领域而定。此外,不同元件的部件并未依照比例显示。上述相关元件的尺寸是被扩大,次要的部份则未被显示,以提供本发明更清楚的叙述与理解。
本发明的一种电路检测的方法,涉及一种加强显影区域及未显影区域间的对比的方法。本发明包含了一种利用在导线上形成金属而加强导线与其他区域间的对比的步骤。上述金属可为浸镀锡(Immersion Tin)、浸镀银(Immersion Silver)或无电镀镍(Electroless Nickel)。以锡为例,参照图2(a-c),锡是沉积于一由铜(Cu)所制的导线上,用以加强其对比。由于材质固态扩散(solid state diffusion)的关系,故形成一金属间化合物层Cu6Sn5于铜(Cu)层及锡(Sn)层之间(图2a)。图2b显示出加热时间对金属间化合物层厚度的影响,由于锡(Sn)的最大沉积厚度(maximum deposition thickness)是控制为0.6μm,金属间化合物层的厚度是随着加热时间而增加,而此厚度则于加热四小时后稳定下来。于检测完毕后,可选择将所沉积的锡(Sn deposition)通过化学作用而剥除,举例来说,利用硝酸、过氧化氢以及氟化硼酸的混合物而剥除所沉积的锡(参照图2c)。相反地,上述沉积锡层也可继续存留于导线之上。
图3显示出锡沉积于检测区域之前(图3a)以及锡沉积于检测区域之后(图3b)的光学显微镜检测(optical microscopy inspection,OMinspection)图。图的上部为剖面图及俯视图,而图的下部则为检测区域的俯视图。图3清楚的显示出于检测区域浸镀锡之后,其对比是明显的加强了。
由于锡不会在光刻胶上沈积,因此也可利用浸镀锡来找出不需要的光刻胶残余。图4为锡沉积于检测区域之前(图4a)以及锡沉积于检测区域之后(图4b)的另一光学显微镜检测图。左边(图4a)是为已有的方法,其对比是相当的低,而右边(图4b)则为本发明所提及的方法。观察显示出在浸镀锡形成后,锡将不会沈积于光刻胶残余6之上,故可轻易的辨识出不需要的光刻胶残余。
虽然特定实施例已被描述与叙述,凡熟悉此领域的技术人员,在不脱离本发明的精神或范围内,所作的更动或润饰,均属于本发明所揭示精神下所完成的等效改变或设计,且应包含在权利要求的保护范围内。
本发明可通过说明书中的详细叙述以及附图得以了解。然而,此领域的技术人员应得以领会所有本发明的较佳实施例是用以说明而非用以限制本发明的保护范围。
Claims (10)
1、一种电路检测的方法,其特征在于,包含:
提供一具有导线的基底;以及
形成一金属层于至少一该导线上,进而加强该导线以及邻接区域的对比,以利该电路的检测。
2、如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包含移除该金属层。
3、如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述金属层是通过硝酸、过氧化氢以及氟化硼酸的混合物而移除。
4、如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属包含银、镍或锡。
5、如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属层是通过内部扩散而移除,并于该导线中形成金属间化合物。
6、一种电路检测的方法,其特征在于,包含:
提供一具有导线的基底;以及
形成一金属层于至少一该导线上,进而加强该显影区域以及该未显影区域间的对比,以利该电路的检测。
7、一种光刻胶残余检测的方法,其特征在于,包含:
提供一具有检测区域的基底;以及
形成一金属层于该基底上,进而加强该光刻胶残余以及相邻区域间的对比,以利检测。
8、如权利要求7所述的方法,其特征在于,还包含移除该金属层。
9、如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述金属层是通过硝酸、过氧化氢以及氟化硼酸的混合物而移除。
10、如权利要求7所述的方法,其特征在于,还包含例如Cu6Sn5的金属间化合物形成于该导线以及该基底上的一金属层。
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