CN101241837A - 排气单元,排气方法,和具有排气单元的半导体制造设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及排气单元，排气方法，和具有排气单元的半导体制造设备。提供了一种排气单元，该排气单元能够防止由于大气压力变化引起工艺室内的大的压力波动。该排气单元包括主排气管和作为部分旁路的辅排气管。翼片位于主排气管和辅排气管之间的下游开口处，并且控制从辅排气管流至主排气管的旁通气体的量。翼片的第一板和第二板枢轴地联接至在下游开口附近的主排气管，第一板与流过主排气管的气体相碰撞，第二板部分阻塞从辅排气管流回至主排气管的旁通气体。当气体通过主排气管路和辅排气管排出时，翼片被动地控制辅排气管由于大气压力波动而打开的量。

Description

排气单元，排气方法，和具有排气单元的半导体制造设备

相关申请的交叉引用

本美国非临时专利申请根据35U.S.C.§119要求2007年1月3日提交的韩国专利申请No.10-2007-00740的优先权，该韩国专利申请的整个内容因此作为参考并入。

技术领域

在此公开的本发明涉及一种半导体制造设备，并且特别涉及一种用于将气体从工艺室排出以降低工艺室内压力的排气单元和排气方法。

背景技术

通常，半导体制造设备具有在清洁室内的多个工艺室和对工艺室内的压力进行控制的排气单元。每个工艺室连接至支管，用于从工艺室中排出气体，相应的支管连接至主管。主管由安装有风扇的初级管和连接至支管的次级管构成。通常，控制该风扇以根据大气压力调节排出的气体量，并且工艺室内的压力受到风扇所排出的气体量的影响。

在工艺期间，工艺室内部的压力应当被维持为低压，并且压力的任何变化将出现在最小的范围内。然而，当在使用诸如上述的通常排气单元期间压力在较宽范围上变化时，工艺室内的压力也将在较宽范围上波动，从而导致制造缺陷。图1是表示在扩散过程期间根据大气压力的波动，形成在晶片上的氧化层厚度的变化。如图1所示，大气压力的波动范围直接影响在工艺室内形成在晶片上的氧化层厚度，由此使得当大气压力波动较大时，晶片上的氧化层厚度的均匀性变差。

此外，当工艺室添加至清洁室或者从清洁室移开时，通过主管排出的气体总量发生变化，从而必须手动地调节分别设置在次级管中的每个节气阀的打开比。这耗费很多的时间和劳力。

因此，需要能够更好地调节工艺室内的压力波动的排气单元和方法。

发明内容

本发明提供一种能够有效地控制工艺室内的压力的排气单元和排气方法，和具有该排气单元的半导体制造设备。

本发明还提供一种能够防止由于外界影响所引起的工艺室内的大的压力波动，和一种具有该排气单元的半导体制造设备。

本发明的设置不局限于此，并且可包括未描述的其他设置，这些其他设置将由于下面的描述而对本领域技术人员变得明显。

本发明的实施例提供一种用于调节工艺室中的压力的排气单元，该排气单元包括：主排气管，该主排气管连接至工艺室，并且包括限定在其侧壁中的第一开口和第二开口中的至少一个；至少一个辅排气管，该辅排气管的一端连接至第一开口，并且另一端连接至在第一开口下游的第二开口，以允许流过主排气管的一部分气体通过第一开口从主排气管分叉，并且通过第二开口再次进入主排气管。允许调节第二开口的打开比的调节构件设置在排气单元中。

在一些实施例中，该调节构件可包括翼片，该翼片通过与流过主排气管的气体量相碰撞而改变第二开口的打开比，并且当在主排气管中翼片所碰撞的气体量增加时该翼片可减小第二开口的打开比。

在其他的实施例中，该翼片的一端可安装在更接近第一开口的第二开口的末端附近，该翼片的另一端是自由端。

在又一个实施例中，该翼片可包括：第一板；和第二板，该第二板从第一板弯曲并延伸。该调节构件还可包括将相交轴线联接至主排气管或辅排气管的铰链，其中第二板在相交轴线处从第一板弯曲和延伸。

在又一个实施例中，该调节构件还可包括：轴承，该轴承固定至主排气管或辅排气管；和旋转轴，该旋转轴旋转地插在轴承中以固定第一板和第二极。

在又一个实施例中，该调节构件还可包括橡胶材料的连接构件，用于将第二板在其处从第一板弯曲和延伸的相交轴线固定至主排气管或辅排气管。

在又一个实施例中，排气单元还可包括布置在第一开口和第二开口之间的节气阀，以调节主排气管的打开比。

在又一个实施例中，该主排气管可具有横向于其纵向剖开的矩形横截面。主排气管可具有相对的侧壁，辅排气管可分别设置在每个侧壁上。辅排气管可以以一侧打开的容器的形状形成，并且该打开侧可与第一开口和第二开口连通。

在又一个实施例中，该调节构件包括：翼片，该翼片旋转以调节第二开口的打开比；驱动器，该驱动器旋转翼片；气流测量器，该气流测量器测量流过主排气管或辅排气管的气体量；和控制器，该控制器根据从气流测量器接收的测量值控制驱动器。

在本发明的其他实施例中，半导体制造设备包括：清洁室；多个工艺室，该多个工艺室布置在清洁室内以执行半导体工艺；和排气单元，该排气单元调节工艺室的压力，其中，该排气单元包括：结合管，该结合管具有压力控制构件，该压力控制构件根据大气压力的波动调节排气压力；和分离管，该分离管从结合管分叉并且联接至工艺室。该结合管可以在上述排气单元中以多种构造实现。

在又一个实施例中，该结合管还可具有：初级管，该初级管具有安装在其中的压力控制构件；和次级管，该次级管从初级管分叉，并且具有连接至其上的分离管，同时具有主排气管、辅排气管、和调节构件。

在本发明的其他实施例中，提供用于从工艺室排气的方法。该方法包括：根据外部压力的波动，同时通过主排气管和辅排气管从工艺室内排气，该辅排气管为气体从主排气管分叉并且再次进入主排气管的腔室，其中，根据外部压力的波动改变辅排气管的打开比，以根据外部压力的波动减小工艺室的内部压力的压力波动范围。

在又一个实施例中，通过改变开口和翼片之间的角度改变辅排气管的打开比，其中该开口用于允许流过辅排气管的气体进入主排气管，该翼片旋转地安装在结合排气管中。

在又一个实施例中，该翼片可由在气体流过主排气管时与翼片相碰撞的气体量的变化所旋转。

在又一个实施例中，当外部压力增加时，辅排气管的打开比可增加。当外部压力减小时，辅排气管的打开比可减小。

在又一个实施例中，翼片可由驱动器旋转，可测量辅排气管或主排气管内的流量，并且可根据测量值改变翼片的旋转角度。

附图说明

该附图用于进一步了解本发明，并且并入本说明书且构成本说明书的一部分。附图表示本发明的示例性实施例，并且与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：

图1是表示在扩散过程期间根据大气压力波动的形成在晶片上的氧化层厚度变化的图表；

图2是根据本发明的一个实施例的半导体制造设备的平面图；

图3是图2中的次级管的透视图；

图4是图3中的次级管的分解透视图；

图5是图3中的次级管的剖视图；

图6是具有两个相同形状的辅排气管的图3中的次级管的分解透视图；

图7至9是安装在主排气管上的翼片的多个实施例的透视图；

图10和11是分别表示仅具有主排气管的通常构造的排气单元中的大气压力降低和升高以及当使用图3中的排气单元时的管内流量变化的图表；

图12(a)和(b)是比较当使用通常构造的排气单元时工艺室中的压力随时间的波动与当使用图3中的排气单元时工艺室中的压力随时间波动的图表；

图13是根据另一个实施例的具有安装在其中的调节构件的次级管的剖视图；

图14是表示图13中的调节构件的局部透视图；

图15和图16分别是根据另一个实施例的安装有调节构件的次级管的透视图和剖视图；和

图17是根据本发明的另一个实施例的半导体制造设备的示意性剖视图。

具体实施方式

将参考图2至17在下文中更详细地描述本发明的优选实施例。然而，本发明可以以不同的形式实现，并且将不会限于在此提出的实施例。相反地，提供这些实施例以便该公开将彻底和完全，并且将本发明的范围充分地传达至本领域技术人员。因此，为了清楚地进行表示，故放大附图中的元件。

以下，将描述根据本发明的设置在半导体制造设备1上的排气单元20的结构的示例性实施例。然而，本发明的技术范围不局限于此，排气单元20可以用于排气量由于外界影响而波动的多种其他应用。

图2是根据本发明的一个实施例的半导体制造设备1的平面图。参考图2，半导体制造设备1包括清洁室10，排气单元20，和多个工艺室30。相比于外部环境，清洁室10提供了维持在高清洁度水平的空间。多个不同类型的过滤器(未示出)安装在清洁室10中以从进入清洁室10的空气中清除杂质。

多个工艺室30设置在清洁室10内。工艺室30构造成在半导体晶片，平板显示器等上执行预定的工艺。工艺室30可构造成执行沉积、光学工艺、刻蚀、抛光、和检查。工艺室30被成组地设置。相同组中的工艺室30可构造成执行相同的工艺，不同组中的工艺室可构造成执行其他的工艺。

每个工艺室30在工艺期间将工艺压力维持在预定范围。排气单元20维持工艺室30内的工艺压力，并且将工艺室30内部的残余材料排出至外部。排气单元20具有结合管22和分离管24。分离管24直接连接至每个工艺室30。结合管22包括初级管22a和次级管22b。次级管22b从初级管22a分支，分离管24从每个次级管22b单次或多次地分支。因此，通过多个单个管24排出的气体结合并排出至每个分离管24连接的次级管22b内，通过次级管22b排出的气体结合并排出至初级管22a内，并且排出至外部。连接至从相同的次级管22b分支的分离管24的工艺室30可以是执行相同工艺的工艺室30。

结合管22的剖面整体上为矩形(当垂直于其长度而剖开时)，分离管24的剖面整体上为圆形(当垂直于其长度而剖开时)。相对于分离管24的总横截面面积来说，结合并且排出从多个分离管24排出的气体的次级管22b的横截面面积足够大，以及相对于次级管22b的总横截面面积，结合并且排出从多个次级管22b排出的气体的初级管22a的横截面面积足够大。

节气阀122(例如，参见图5)设置在每个次级管22b中以对管的打开比进行调节。在一个实施例中，节气阀122具有线性地布置在次级管22b内的两个叶片122a和122b。每个叶片122a和122b都成形为矩形板，并且在其中部可旋转地安装。叶片绕其旋转的相应的中心轴可通过带128和滑轮124组件(例如参见图6)彼此连接。当叶片122a和122b沿直线布置时，次级管22b的打开比最小。当叶片122a和122b都旋转时，次级管22b的打开比逐渐增加，直到当叶片122a和122b变为垂直于次级管的长轴布置时该打开比达到其最大点，亦即，叶片最大地限制通过该管的气体流量。可由操作员手动地执行叶片122a和122b的旋转，次级管22b的打开比在旋转期间通过节气阀12固定。可选地，可自动地执行叶片122a和122b的旋转，次级管22b的打开比在旋转期间通过节气阀122固定。

风扇26(图2)或其他的调压构件300(图5)安装在初级管22a上。风扇26通过将分离管24内的压力和大气压力的压差维持在特定范围内，从而控制通过初级管22a排出的气体量。因此，当大气压力升高时，通过结合管22排出的气体量减少，且当大气压力降低时，通过结合管22排出的气体量增加。工艺室30内的压力根据大气压力的波动而变化，并且根据在工艺室30中执行的工艺类型，工艺室30内部的压力可由于大气压力的波动而偏离预定的压力范围。在这种情况下，流量调节阀(未示出)安装为调节分离管24的打开比，以便工艺室30内部的压力可维持在预定压力参数内。

当没有足够快地执行工艺室30的压力调节(以抵销大气压力波动的影响)，从而使得工艺室30中的压力偏离预定参数时，将产生制造缺陷。此外，即使工艺室30内的压力在预定参数内，在执行工艺期间工艺室30内的较大的压力波动也将降低工艺效率。根据本实施例的排气单元20被构成为降低大气压力波动对工艺室30内的压力变化的影响。此外，根据本实施例的排气单元20被构造为，通过对大气压力变化的快速响应而防止工艺室30内的压力偏离预定参数。

图3至5是次级管22b的示例性实施例。图3是图2中的次级管22b的透视图，图4是图3中的次级管的分解透视图，图5是图3中的次级管的剖视图。参考图3至5，次级管22b具有主排气管100，辅排气管200，和调节构件300。主排气管100从初级管22a分支。辅排气管200被连接为在两端与主排气管100连通。辅排气管200的一端连接至主排气管100，使得通过主排气管100排出的一部分气体可进入辅排气管200，辅排气管200的另一端连接至主排气管100，以允许流过辅排气管200的气体流回至主排气管100内。亦即，辅排气管200设置为主排气管100的旁通管路，从而允许流过主排气管100的一部分气体流过辅排气管200，并且然后再次进入主排气管100。

如上所述，主排气管100具有矩形的横截面形状，并且在其整个长度上具有相同的面积，气体流过该主排气管100。参考图4，辅排气管200设置为一侧打开的六面体容器。辅排气管200联接至主排气管100，其中该打开侧对主排气管100的侧。第一开口142和第二开口144被限定在主排气管1 00中，辅排气管200具有如下长度，该长度在打开侧的相应端使得打开侧能够面对第一开口142和第二开口144的长度。第一开口142作为用于流过主排气管100的气体流入辅排气管200的进口，第二开口144作为用于流过辅排气管200的气体流回至主排气管100的出口。辅排气管200和主排气管100可通过诸如螺钉的紧固装置(未示出)连接，密封件(未示出)可用于防止紧固装置之间的间隙的出现，其中气体可能通过所述间隙而泄漏。

为了允许足量的气体从主排气管100进入辅排气管200，辅排气管200和主排气管100的高度可相同或相似。此外，限定在主排气管100中的第一开口142和第二开口144的高度可与主排气管100的高度相同，并且第一开口142和第二开口144的宽度相同。

辅排气管200在如下的位置处连接至主排气管100，该位置在主排气管100从初级管22a分支的点和分离管24从次级管22b初次分支的点之间。安装在次级管22b上的上述节气阀122在第一开口142和第二开口144之间的位置处联接至主排气管100。辅排气管200分别相对地设置在主排气管100的两侧处。可选地，辅排气管200可分别设置在主排气管100的三个侧上。

图6是具有两个相同形状的辅排气管200′的图3中的次级管22b′的分解透视图。参考图6，辅排气管200′设置为具有打开的前端和后端的大致呈C形形成的管。辅排气管200′联接至主排气管100，使得前端与第一开口142连通，而后端与第二开口144连通。

调节构件300安装在次级管22b上以调节第二开口144的打开比。此时，通过调节流过第二开口144的气体量来控制第二开口144的打开比。这不仅涉及在第二开口144的面积内设置板以直接改变第二开口144的面积，而且还涉及调节板和第二开口144之间的角度，从而可以改变板与气流的干扰程度。

当通过次级管22b的流量由于诸如大气压力波动的外部环境的变化而变化时，调节构件300调节可流过辅排气管200的气体量，以便减小压力波动范围。例如，当大气压力变高时，工艺室30内的压力升高，并且通过次级管22b的气流减少。在这种情况下，调节构件300增加次级管144的打开比，以使得更多的气体量可流过辅排气管200，从而降低通过次级管22b的流量减少的范围。因此，工艺室30内的压力在较小范围内增加。相反地，当大气压力变低时，工艺室30内的压力降低，通过次级管22b的流量增加。此时，调节构件300减小次级管144的打开比，以使得更少的气体量可流过辅排气管200，从而降低通过次级管22b的流量减少的范围。因此，防止工艺室内的压力范围变宽。

根据本发明的一个实施例，调节构件300被构造成，在没有单独的动力的情况下，能够根据大气压力的波动而调节次级管144的打开比。再次参考图4和5，调节构件300具有可旋转地安装在主排气管100内的翼片320。翼片320包括第一板320a和第二板320b。第一板320a和第二板320b分别形成为矩形板。第一板320a以某一角度从第二板320b的末端延伸。第一板320a和第二板320b可布置为彼此大致垂直。可选地，第一板320a和第二板320b可共同地形成锐角。第二板320b形成为在大小与形状上与第二开口144大致相同。然而，第二板320b的宽度可形成为略大于第二开口144的宽度。在更接近第一开口142的第二开口144的侧处，翼片320固定并安装至主排气管100。

第二板320b布置在第一板320a和第二开口144之间。第一板320a主要用于碰撞(collide with)流过主排气管100的气体，第二板320b与第一板320a一起旋转，并且调节第二开口144的打开比。当通过主排气管100的流量增加时，翼片320朝向第二开口144旋转，并且当通过主排气管100的流量减小时远离第二开口144旋转。翼片320的旋转可通过第一板320a碰撞流过主排气管100的气体和第二板320b碰撞流过辅排气管200的气体而自动实现。

翼片320在上文中描述为包括第一板320a和第二板320b。然而，翼片320可仅包括一个板。

图7至9是安装在主排气管100上的翼片320的多个实施例的透视图。参考图7，轴承364固定地安装在主排气管100的顶端和底端处，连接第一板320a和第二板320b的部分被固定至旋转轴，旋转轴362的两端都插入轴承364内，因此使得翼片320能够平顺地旋转。

参考图8，铰链370(或者这种铰链对270，如图所示)可安装在第一板320a和第二板320b的相交轴线处，翼片320可通过铰链370联接至主排气管100。

参考图9，翼片320可通过弹性的柔性(例如橡胶)连接构件380固定至主排气管100。此时，连接构件380联接至第一板320a和第二板320b的相交轴线。连接构件380可利用粘合剂固定至翼片320和主排气管100。

上述的翼片320固定地安装至主排气管100。然而，可选地，翼片320可以固定地安装在另一个位置处。此外，虽然翼片320的第一板320a和第二极320b在上文中分别描述为矩形，但是第一板320a和第二板320b可以以多种可选形状实现。第一板320a和第二板320b可以在大小、形状、材料等方面相同。通过沿打开比增加的方向偏置的弹性构件(未示出)，翼片320可联接至主排气管100。

次级管22b在上文中描述为包括主排气管100，辅排气管200，和翼片320。然而，上述构造可替代地应用于初级管22a。

翼片320可由多种材料制成。例如，可使用具有高耐酸蚀性的聚氯乙烯或具有耐有机腐蚀性的不锈钢作为用于翼片320的材料。此外，可使用具有高耐热性的镀锌钢作为用于翼片320的材料。可以根据从连接至每个次级管22b的工艺室30排出的气体所固有的成份、或者排出气体的温度来选择用于翼片320的材料。例如，设置在酸性气体主要通过其排出的次级管22b(从多个次级管22b)中的翼片320可由聚氯乙烯材料制成，设置在具有有机成分的气体主要通过其排出的次级管22b中的翼片320可由不锈钢材料制成，并且设置在高温气体主要通过其排出的次级管22b中的翼片320可由镀锌钢材料制成。

图10和11是分别表示仅具有主排气管100的通常构造的排气单元中的大气压力降低和升高，以及当使用图3中的排气单元20时的管内流量变化的图表。参考图10和11，箭头的长度表示通过该管排出的气体的体积(或速度)。虚线表示在大气压力变化之前通过该管排出的气体的体积(或速度)，实线表示在大气压力分别变化至高压或低压之后通过该管排出的气体的体积(或速度)。

参考图10，在使用通常构造的排气单元时，当大气压力下降至低压时，风扇26的转速增加。由于没有改变气体所流过的管700的截面积，故气体的流量极大地增加。另一方面，在使用根据本发明实施例的排气单元20时，当大气压力下降至低压时，翼片320沿朝向第二开口144的方向旋转，因此减小了第二开口144的打开比。因此，即使当风扇26的转速增加时，由于气体所流过的次级管22b的截面积减小，故通过次级管22b的气体流量的增加也相对较小。

相反地，参考图11，在使用通常构造的排气单元时，当大气压力上升至高压时，风扇26的转速减小。由于没有改变气体所流过的管700的截面积，故气体通过管700的量减小。另一方面，在使用根据本发明实施例的排气单元20时，当大气压力上升至高压时，翼片320沿远离第二开口144的方向旋转，因此增加第二开口144的打开比。因此，即使当风扇26的转速减小时，由于气体流过的次级管22b的截面积增大，故通过次级管22b的气体流量的减小也较小。

因此，当使用根据本发明实施例的排气单元20时，根据大气压力变化的气体流量的波动范围小于使用通常的排气单元时的波动范围，从而使得工艺室30内的压力波动范围较小，导致在工艺室30内获得更有效的工艺。

图12(a)和(b)是分别比较当使用通常构造的排气单元时工艺室30中的压力随时间波动与当使用根据本实施例的排气单元20时工艺室30中的压力随时间波动的图表。参考图12，当使用本实施例的排气单元20时，压力变化(ΔP)的范围大约为5至8mmH2O。当使用普通的排气而不具有调节辅助旁路时，压力变化(ΔP)的范围大约为10至14mmH2O。因此，本发明基本上提供了改善的压力波动的减小。

图13是根据另一实施例的具有安装在其中的调节构件300的次级管22b的剖视图，图14是表示图13中的调节构件的局部透视图。参考图13和14，调节构件300包括翼片320，驱动器394，气流测量器396，和控制器398。虽然作为调节构件300的翼片320的旋转在上述实施例中描述为非驱动的，但是根据本实施例的翼片320的旋转可通过驱动器394的驱动而实现。所使用的翼片320可具有与上述翼片320相同的结构，因此，不对其进行重复描述。翼片320被固定至旋转轴392，旋转轴392可旋转地联接至主排气管100。旋转轴392联接至诸如马达的驱动器394。气流测量器396测量辅排气管200内的气体流量。所使用的气流测量器396可以是压力传感器。控制器398从气流测量器396接收测量值，并且根据该测量值控制驱动器394。当通过辅排气管200的气体流量增加时，控制器398通过沿减小方向旋转翼片320而减小辅排气管200的打开比，当通过辅排气管200的气体流量减小时，控制器398通过沿增大方向旋转翼片320而增大辅排气管200的打开比。此外，气流测量器396可以测量主排气管100内的气流，而不是测量辅排气管200内的气流。

图15和图16分别是根据另一个实施例的具有安装的调节构件的次级管22b″的透视图和剖视图。参考图15和16，调节构件300′通过滑动来调节第二开口144的打开比。缝隙240形成在接近第二开口144的辅排气管200的侧壁的末端处。板320′设置为可通过滑动插入在缝隙240内。凹部(未示出)形成在辅排气管200的内壁中以允许板320′的边缘插入该凹部中以及允许板320′通过滑动平顺地移动。驱动器340′线性地移动板320′，并且由控制器398根据来自气流测量器396的测量气流的接收信号对其进行控制。

在上述实施例中，主排气管100，辅排气管200，和调节构件300安装在结合管22上，分离管24汇合至该结合管22。然而，如图17所示，上述排气单元20可设置在连接至相应的工艺室30的每个分离管24上。在这种情况下，辅排气管200可具有圆形的横截面，辅排气管200的打开侧可面对主排气管100的外表面。此外，在限定在主排气管100中的第二开口144和第一开口142之间，流量控制阀(未示出)可安装在主排气管100上。

根据本实施例，可防止由于大气压力的变化而引起工艺室内部的较大的压力波动。

此外，根据本发明的用于被动地调节排出气体的体积的结构简单，并且降低了能量消耗。

上述公开的主题应被认为是示例性的，而不是限制性的，并且权利要求意图覆盖属于本发明的真实的精神和范围的所有这些改进，改善及其他实施例。因此，对于法律允许的最大程度，本发明的范围由以下权利要求及其等效物的最宽的许可解释所确定，并且将不受上述详细说明约束或限制。

Claims (25)

1.一种用于调节工艺室中的压力的排气单元，该排气单元包括：

主排气管，该主排气管连接至所述工艺室，并且包括限定在其侧壁中的第二开口和第一开口中的至少其中之一；

至少一个辅排气管，该辅排气管的一端连接至所述第一开口，并且另一端连接至所述第一开口下游的第二开口，以允许流过所述主排气管的一部分气体通过所述第一开口从所述主排气管分叉，并且通过所述第二开口再次进入所述主排气管；和

调节构件，该调节构件构造成调节所述第二开口的打开比。

2.如权利要求1所述的排气单元，其中，所述调节构件包括翼片，其突出至所述主排气管内并且能够通过碰撞流过所述主排气管的气体量而改变所述第二开口的打开比。

3.如权利要求2所述的排气单元，其中，所述翼片构造为，当在所述主排气管中所述翼片碰撞的气体量增加时，减小所述第二开口的打开比。

4.如权利要求2所述的排气单元，其中，所述翼片的一端枢轴地安装在接近所述第一开口的所述第二开口的上游端附近，所述翼片的另一端是自由端。

5.如权利要求2所述的排气单元，其中，所述翼片包括：

第一板；和

第二板，该第二板与所述第一板成一角度延伸，其中所述翼片在所述第一板和第二板之间的相交处枢轴地连接至所述排气单元。

6.如权利要求5所述的排气单元，其中，所述调节构件还包括联接所述第一板和所述第二板之间的相交轴线的铰链。

7.如权利要求5所述的排气单元，其中，所述调节构件还包括：

轴承，该轴承固定地安装在所述主排气管的顶端和底端处；

旋转轴，该旋转轴联接至所述第一板和第二板之间的相交轴线；并且

所述旋转轴被枢轴地容纳在所述轴承内，因此使得所述翼片能够平顺地旋转。

8.如权利要求5所述的排气单元，其中，所述调节构件还包括弹性的柔性连接构件，该弹性的柔性连接构件联接在所述第一板和所述第二板之间的相交轴线之间，并且联接至所述主排气管。

9.如权利要求2所述的排气单元，还包括布置在所述第一开口和所述第二开口之间的所述主排气管内的节气阀，以调节所述主排气管的打开比。

10.如权利要求4所述的排气单元，其中，所述辅排气管被设置为一侧打开的容器，并且联接至所述主排气管，其中所述打开侧对所述主排气管的侧，所述辅排气管具有如下长度，所述长度使所述打开侧能够在所述打开侧的相应端处面对所述第一开口和所述第二开口。

11.如权利要求2所述的排气单元，其中，所述主排气管具有沿其长度方向剖开的矩形横截面，以及所述辅排气管包括分别设置在所述主排气管的相对侧壁上的一对辅排气管。

12.如权利要求2所述的排气单元，其中，所述辅排气管在一侧打开，所述打开侧与所述第一开口和第二开口连通。

13.如权利要求1所述的排气单元，其中，所述调节构件包括：

翼片，该翼片移动以调节所述第二开口的打开比；

驱动器，该驱动器移动所述翼片；

气流测量器，其测量流过所述主排气管或所述辅排气管的气体量；以及

控制器，该控制器根据从所述气流测量器接收的测量值来控制所述驱动器。

14.一种半导体制造设备，包括：

清洁室；

多个工艺室，该多个工艺室布置在所述清洁室内以执行半导体工艺；和

排气单元，该排气单元调节所述工艺室的压力，其中，所述排气单元包括：

结合管，该结合管具有压力控制构件，该压力控制构件根据大气压力的波动来调节排气压力；和

分离管，该分离管从所述结合管分叉并且联接至所述工艺室，其中，所述结合管具有：

主排气管，该主排气管具有限定在其侧壁中的第一开口和相对于该第一开口处于下游的第二开口中的至少其中一个；

至少一个辅排气管，该辅排气管的一端连接至所述第一开口，且其另一端连接至所述第二开口，以允许流过所述主排气管的一部分气体通过所述第一开口从所述主排气管分叉，并且通过所述第二开口再次进入所述主排气管；和

调节构件，该调节构件构造成调节所述第二开口的打开比。

15.如权利要求14所述的半导体制造设备，其中，所述结合管还具有：

初级管，该初级管具有安装在其中的所述压力控制构件；和

次级管，该次级管从所述初级管分叉，并且具有与其连接的所述分离管，同时具有所述主排气管、所述辅排气管、和所述调节构件。

16.如权利要求14所述的半导体制造设备，其中，所述排气单元还包括布置在所述第一开口和所述第二开口之间的所述主排气管内的节气阀，以调节所述主排气管的打开比。

17.如权利要求16所述的半导体制造设备，其中，所述调节构件具有翼片，其突出至所述主排气管内并且能够通过碰撞流过所述主排气管的气体量而改变所述第二开口的打开比。

18.如权利要求17所述的半导体制造设备，其中，所述翼片的一端枢轴地安装在更接近于所述第一开口的所述第二开口的上游端附近，所述翼片的另一端是自由端。

19.如权利要求17所述的半导体制造设备，其中，所述翼片包括：

第一板；和

第二板，该第二板与所述第一板成一角度延伸，其中所述翼片在所述第一板和第二板之间的相交处枢轴地连接至所述排气单元。

20.如权利要求15所述的半导体制造设备，其中，所述辅排气管在如下的位置处联接至所述主排气管，该位置位于所述主排气管从所述初级管分叉的点和所述分离管从所述次级管最初分叉的点之间。

21.一种用于从工艺室排气的方法，该方法包括：

同时通过主排气管和辅排气管从所述工艺室内排气，以便从所述工艺室排出的至少一部分气体通过所述主排气管的上游部分处的第一开口从所述主排气管分叉至所述辅排气管内，并且随后通过所述主排气管的第二下游部分处的第二开口再次进入所述主排气管；

根据所述外部压力的波动改变所述辅排气管的打开比，以根据所述外部压力的波动减小所述工艺室的内部压力的压力波动范围。

22.如权利要求21所述的排气方法，其中，通过改变所述第二开口和翼片之间的角度改变所述辅排气管的打开比，所述翼片可旋转地安装在所述第二开口的上游端附近。

23.如权利要求22所述的排气方法，其中，所述翼片延伸至所述主排气管内，并且在气体流过所述主排气管时，所述翼片通过所述翼片碰撞的气体量的变化而旋转。

24.如权利要求23所述的排气方法，其中，所述翼片包括：

第一板，该第一板用于碰撞流过所述主排气管的气体；和

第二板，该第二板从所述第一板的末端成一角度延伸，用于控制流过所述辅排气管的气体量，

其中，所述第二板布置在所述第二开口和所述第一板之间。

25.如权利要求21所述的排气方法，其中，当所述外部压力增加时，所述辅排气管的打开比增加，以及当所述外部压力减小时，所述辅排气管的打开比减小。

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