CN101229980A - 一种提高顶角氧掺杂高温超导转变温度的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种新的提高超导转变温度Tc的方法——利用顶角氧有序化提高超导转变温度Tc。本发明采用前驱体方法、高温高压法合成单相的Sr2CuO3+δ(0<δ<1)高温超导体。该材料是结构简单的含单层CuO2平面的p-型高温超导体,并且其顶角氧部分占据,然后对高压合成的该高温超导体进行热处理,热处理温度为50℃-500℃,热处理时间为0.5-30h。通过顶角氧有序化,使高压合成的Sr2CuO3+δ的Tc从30-75K提高到低温热处理后的90-100K。将这种方法运用到其它体系,可以作为研制更高Tc超导材料的新途径。
Description
技术领域
本发明涉及一种Sr2CuO3+δ高温超导体的热处理方法。具体来说,涉及一种利用顶角氧有序化,即掺杂子有序化,对高温合成的Sr2CuO3+δ高温超导晶体进行后续热处理,以提高其高温超导转变温度Tc的方法。
背景技术
从晶格结构上来说,高温超导体由CuO2平面导电层和电荷库层两部分构成。通过异价金属阳离子替代或改变氧含量,电荷库层向CuO2平面提供电荷载流子(空穴或电子),产生超导电性。掺杂载流子浓度、单胞中CuO2平面的层数是调控超导转变温度Tc的可行参数。例如,对每一体系铜氧化物来说,当每个Cu位置上最佳掺杂浓度的变化范围是0.15~0.2时,Tc达到最大;单胞中CuO2平面数n=3时,Tc最高。提高超导转变温度Tc是高温超导体研究的重要问题之一。调节电荷库层的氧含量是高温超导体最基本的化学掺杂机制之一。例如通过氧的调节,YBCO能从90K的超导态变成非超导态;在这种情况下,氧掺杂和它的有序化是发生在次紧邻电荷库层,而最近邻电荷库层的顶角氧都是计量不变的,并且次紧邻电荷库层的有序或无序对CuO2平面电子态的影响最小。另一方面,在CuO5金字塔或CuO6八面体顶角位置的氧原子(即顶角氧)形成最紧邻电荷库层。由于他们与CuO2平面有直接的化学键合,根据电子交换相互作用,最近邻电荷库层的有序或无序可能对CuO2平面有直接的影响。但是绝大多数高温超导体的顶角位置都是完全占据的,并且顶角氧含量是不可调的。寻找一种顶角氧部分占据的化合物,实现顶角氧含量的调控,对理解顶角氧掺杂对Tc和电子结构的影响有着重要的物理意义。在高温高压下合成的Sr2CuO3+δ超导体,结晶为K2NiF4结构,它的顶角氧部分被占据并且扮演着掺杂子的作用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种利用电荷库有序化,即顶角氧有序化,对高压合成的Sr2CuO3+δ超导体进行后续的低温热处理,以提高其超导转变温度Tc的方法。
为了达到上述目的,本发明采用如下的技术方案:
本发明的一种提高顶角氧掺杂高温超导转变温度的方法,包括以下步骤:在N2气氛下将高压法制备的Sr2CuO3+δ超导样品进行热处理,其中0<δ<1,热处理的温度范围是50-500℃,优选150-350℃热处理时间为1h-20h。
上述提高顶角氧掺杂高温超导转变温度的方法中,所述高压法制备Sr2CuO3+δ高温超导样品步骤包括:
1)在常压下制备Sr2CuO3前驱体样品。
2)将前驱体Sr2CuO3、SrO2和CuO按(1-x)∶2x∶x的摩尔比,其中0<x<1,在惰性气体,例如氩气中称量、混合、并研磨,然后压片,用金箔或铂箔包裹,并封装在NaCl内,并将压好的样品放入置于高压组装件装置内的石墨炉中,进行高压合成,得到Sr2CuO3+δ高温超导体晶体,其中高压合成的压力为3-8GPa,温度为800-1200℃,保温时间20分钟以上。
其中,步骤1)中常压下制备Sr2CuO3前驱体样品包括以下具体步骤:
采用常压下固相反应方法,将99.9%或以上纯度的SrCO3和CuO粉末以2∶1的摩尔比混合、研磨,在950-1000℃的条件下烧结,保温24小时或者重复该烧结三次,得到单相的Sr2CuO3化合物。
其中,步骤2)高压下合成Sr2CuO3+δ高温超导体的具体步骤包括:
将前驱体Sr2CuO3、SrO2和CuO按(1-x)∶2x∶x的摩尔比,其中0<x<1,在充有惰性气体、例如氩气的手套箱中称量、混合、均匀研磨,然后压成直径5mm的小圆片,用金箔包裹,并封装在Ф8×15mm的NaCl圆柱内,将压好的样品放入置于高压组装件内的石墨炉中,进行高压合成,样品合成在六面顶大压机上进行,先在室温下缓慢升压至4-7GPa,再启动加热程序加热至900-1200℃,在此高温高压(6GPa,1000-1200℃)条件下保温20-120分钟,淬火至室温,然后卸压(1GPa=1万大气压)。
其中,在高压实验前,首先进行温度和压力的标定,并用控制加热功率的方法控制加热温度。
本发明采用前驱体方法、后经高温高压合成法来制备单相的顶角氧部分占据的Sr2CuO3+δ(0<δ<1)超导体,然后进行低温后处理。我们发现电荷库的有序化使超导转变温度Tc显著提高,从高压制备的Tc=75K到低温热处理后的95K。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明做进一步描述:
图1是本发明的高压制备Sr2CuO3+δ样品和在300℃条件下热处理后的Sr2CuO3+δ样品的XRD图谱。热处理前后样品的基本晶体结构保持不变。
图2是本发明的Sr2CuO3+δ样品的热重测量(TGA)图。在300℃以下样品的重量没有变化发生,说明超导转变温度Tc的提高与顶角氧的有序化有关。
图3是本发明的高压制备Sr2CuO3+δ样品和在不同温度下热处理后的Sr2CuO3+δ样品的磁化率随温度的变化关系。在退火温度为250℃时,顶角氧有序化使超导转变温度Tc提高到95K。
具体实施方式
实施例1:
Sr2CuO3前驱体的制备:
采用常压下固相反应方法,将99.9%纯度的SrCO3和CuO粉末以2∶1的摩尔比混合、研磨,在950-1000℃的条件下烧结,保温24小时或者重复该烧结三次,就可得到单相的Sr2CuO3化合物。
高压合成Sr2CuO3+δ超导体
利用SrO2作氧源,通过控制氧含量,高温高压制备Sr2CuO3+δ样品。将前驱体Sr2CuO3、SrO2和CuO按(1-x)∶2x∶x的摩尔比(x=0.1)在充有氩气的手套箱中称量、混合、均匀研磨。然后压成直径5mm的小圆片,用金箔包裹,并封装在Ф8×15mm的NaCl圆柱内。将压好的样品放入石墨炉,装入高压组装件装置内进行高压合成。样品合成在六面顶大压机上进行,高压实验前首先进行温度和压力的标定,用控制加热功率的方法控制加热温度。先在室温下缓慢升压至6GPa,再启动加热程序加热至1100℃,在高温高压条件下保温30分钟,淬火至室温,然后卸压。(1GPa=1万大气压)
高压合成的Sr2CuO3+δ超导体进行低温热处理
在管式炉中,在惰性气体气氛下(如N2)将高压合成的Sr2CuO3+δ超导样品在150℃下进行热处理,热处理时间为12h。
实施例2:
Sr2CuO3前驱体的制备和高压合成Sr2CuO3+δ超导体的步骤同实施例1;只是除了x=0.3,压力为7GPa,温度为900℃。
高压合成的Sr2CuO3+δ超导体进行低温热处理
在管式炉中,在惰性气体气氛下(如Ar气)将高压合成的Sr2CuO3+δ超导样品在250℃下进行热处理,热处理时间为10h。
实施例3:
Sr2CuO3前驱体的制备和高压合成Sr2CuO3+δ超导体的步骤同实施例1;只是除了x=0.7,压力为5GPa,温度为1000℃。
高压合成的Sr2CuO3+δ超导体进行低温热处理
在管式炉中,在惰性气体气氛下(如N2)将高压合成的Sr2CuO3+δ超导样品在300℃下进行热处理,热处理时间为8h。
实施例4:
Sr2CuO3前驱体的制备和高压合成Sr2CuO3+δ超导体的步骤同实施例1;只是除了x=0.9。
高压合成的Sr2CuO3+δ超导体进行低温热处理
在管式炉中,在惰性气体气氛下(如Ar气)将高压合成的Sr2CuO3+δ超导样品在350℃下进行热处理,热处理时间为5h。
实施例5
Sr2CuO3+δ超导体也可以采用其它高温高压法(见参考文献Z.Hiroi,M.Takano,M.Azuma,Y.Takeda,Nature 364,315(1993))进行制备;
然后采用如实施例1-4表述的低温热处理,也能达到相同的技术效果。
分别对高压下合成的样品和300℃下进行热处理后的样品进行X射线衍射测量,结果示于图1中,结果表明低温热处理后并没有改变样品的基本晶体结构;分别对它们进行了热重测试,结果示于图2中,结果表明在300℃以下样品的重量没有变化发生,说明超导转变温度Tc的提高与顶角氧的有序化有关。分别对未进行热处理以及不同热处理温度下,例如150℃、250℃和350℃下的磁化率随温度的变化关系进行测量,结果表明在退火温度为250℃时,顶角氧有序化使超导转变温度Tc提高到95K。
值得注意的是,上文结合实施例对本发明的技术方案进行了详细说明,但是本领域的技术人员容易想到,在本发明技术方案基础上,可以对本发明的技术方案进行各种变化和修改,但都不脱离本发明所要求保护的权利要求书概括的范围。
Claims (10)
1.一种提高顶角氧掺杂高温超导转变温度的方法,包括以下步骤:在惰性气体气氛下将高压法制备的Sr2CuO3+δ超导样品进行热处理,其中0<δ<1,该热处理的温度范围是50-500℃,热处理时间为0.5h-30h。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述热处理温度为100-400℃;所述热处理时间为1h-20h。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述惰性气体为氩气或氮气。
4.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述高压法制备Sr2CuO3+δ高温超导样品步骤包括:
1)在常压下制备Sr2CuO3前驱体样品。
2)将前驱体Sr2CuO3、SrO2和CuO按(1-x)∶2x∶x的摩尔比,其中0<x<1,在惰性气体中称量、混合、并研磨,然后压片,用金箔或铂箔包裹,并封装在NaCl内,并将压好的样品放入置于高压组装件内的石墨炉中,进行高压合成,得到Sr2CuO3+δ高温超导体晶体,其中高压合成的压力为3-8GPa,温度为800-1200℃,保温时间20分钟以上。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤1)中常压下制备Sr2CuO3前驱体样品包括以下具体步骤:
采用常压下固相反应方法,将99.9%或以上纯度的SrCO3和CuO粉末以2∶1的摩尔比混合、研磨,在900-1100℃的条件下烧结,保温24小时或者重复该烧结三次,得到单相的Sr2CuO3化合物。
6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤2)高压下合成Sr2CuO3+δ高温超导体的具体步骤包括:
将前驱体Sr2CuO3、SrO2和CuO按所述摩尔比在充有惰性气体的手套箱中称量、混合、均匀研磨,然后压成直径5mm的小圆片,用金箔包裹,并封装在Ф8×15mm的NaCl圆柱内,将压好的样品放入置于高压组装件内的石墨炉中,进行高压合成,样品合成在六面顶大压机上进行,先在室温下缓慢升压至4-7GPa,再启动加热程序加热至900-1200℃,在此高温高压条件下保温10-120分钟,淬火至室温,然后卸压。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,在高压实验前,首先进行温度和压力的标定,并用控制加热功率的方法控制加热温度。
8.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述惰性气体为氩气。
9.如权利要求1-8任一项所述的方法制备的Sr2CuO3+δ高温超导体,其中0<δ<1,其特征在于,所述高温超导体的超导转变温度为30-100K。
10.如权利要求9所述的高温超导体,其特征在于,所述超导转变温度为90-100K。
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