CN101226312B - 像素结构、显示面板、光电装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种配置于一基板上的像素结构，此像素结构具有多个凸起图案。凸起图案所在区域定义出一第一显示区。凸起图案的排列大致构成多个弧形轨迹。弧形轨迹具有相同的一弧心，且弧心位于第一显示区的角落。上述凸起图案有助于提升像素结构的显示效果。因此，本发明通过配置多个凸起图案于像素结构上，且凸起图案的排列具有规则性，因而使得像素结构及其显示面板具有较良好的反射率并可呈现均匀的显示视角。此外，本发明利用半透光光掩模制作凸起图案，有助于减化工艺步骤，并利用仿真测试图案增进工艺的可靠度。简言之，本发明的像素结构、显示面板及其电子装置具有良好的显示效果以及较佳的工艺可靠度。

Description

像素结构、显示面板、光电装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种像素结构、显示面板、光电装置及其制造方法，且尤其涉及一种配置有凸起图案的像素结构、显示面板、光电装置及其制造方法。

背景技术

一般来说，半穿透半反射式液晶显示面板主要是由主动元件阵列基板、彩色滤光基板以及夹设于前述两基板之间的液晶层所构成。半穿透半反射式液晶显示面板可同时利用背光源以及外界光源进行显示，因此在不同光源强度的环境之中都可以呈现不错的显示效果。半穿透半反射式液晶显示面板中，主动元件阵列基板的像素结构可区分为穿透区与反射区，其分别提供穿透式以及反射式两种不同显示模式。

通常，若欲制作具有良好反射率的半穿透半反射液晶显示面板时，会在反射区中制作多个凸起图案。这些凸起图案也可用于反射式液晶显示面板上。在现有技术的工艺中，制作多个凸起图案时，通常需要先进行两道光掩模工艺以形成多个凸形物。接着，经由烘烤工艺使得凸形物具有平滑的表面，而形成凸起图案。

经由两道光掩模工艺并进行两次曝光步骤以形成凸起图案的工艺使得整体面板工艺所需耗费的时间被拉长。此外，现有技术的设计中，凸起图案不规则地排列于反射区中，其对于反射率的提升效果有限。另外，现有技术的像素结构在某些方向上所呈现的显示视角较广，其它方向上呈现的视角较窄。因此，现有技术配置有不规则排列的凸起图案的像素结构及其显示面板所提供的显示效果仍有待改善。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种像素结构，其提供良好的反射率。

本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种显示面板，其反射区具有较良好的反射率且呈现良好的显示视角均齐度。

本发明所要解决的再一技术问题在于提供一种显示面板的制造方法，以制作出反射率佳且显示效果良好的显示面板。

本发明所要解决的又一技术问题在于提供一种光电装置，其具有良好的反射显示效果。

本发明所要解决的又一技术问题在于提供一种光电装置的制造方法，以制作上述的光电装置。

为实现上述目的，本发明提出一种配置于一基板上的像素结构。此像素结构具有多个凸起图案，且凸起图案所在区域定义出一第一显示区。凸起图案的排列大致构成多个弧形轨迹，而弧形轨迹具有相同的一弧心(arc center)，且弧心位于第一显示区的角落。

而且，为实现上述目的，本发明另提出一种显示面板，此显示面板包括一第一基板、一第二基板、一显示介质层以及多个像素结构。第二基板与第一基板平行配置。显示介质层(display media layer)位于第一基板与第二基板之间。像素结构配置于第一基板上，且各像素结构具有多个凸起图案。凸起图案所在区域定义出一第一显示区，且凸起图案的排列大致构成多个弧形轨迹。此外，弧形轨迹具有相同的一弧心，且弧心位于第一显示区的角落。

在本发明的一实施例中，上述的各像素结构的弧心与相邻的其中一个像素结构的弧心位于第一显示区中不同的角落。

在本发明的一实施例中，上述的各像素结构的凸起图案的总面积实质上占第一显示区的面积的18％～25％。

在本发明的一实施例中，上述的各第一显示区实质上为矩形并具有一第一角落、一第二角落、一第三角落以及一第四角落。第一角落与第三角落相对，而第二角落与第四角落相对。两个相邻的像素结构中，弧心的位置例如是位于相对的角落。另外，紧密排列的四个像素结构中，弧心的位置也可以是各别位于第一角落、第二角落、第三角落以及第四角落。

在本发明的一实施例中，上述的各弧形轨迹的曲率半径为n*d，且n为大于零的自然数而d为弧心至相邻的弧形轨迹间的距离。

在本发明的一实施例中，上述的各弧形轨迹中排列有至少一个凸起图案，且各弧形轨迹上的凸起图案的间距为d。

在本发明的一实施例中，上述的各像素结构包括一扫描线、一数据线、一主动元件、一第一像素电极以及一第一介电层。数据线与扫描线相交。主动元件电性连接扫描线以及数据线。第一像素电极电性连接主动元件。第一像素电极共形地配置于第一介电层上。第一介电层具有凸起图案，且第一介电层具有一第一膜厚以及一实质上小于第一膜厚的第二膜厚，以使第一膜厚与第二膜厚之差实质上等于凸起图案的高度。第一像素电极可以为一反射式像素电极或一穿透式像素电极。各像素结构还包括一第二像素电极。第二像素电极电性连接主动元件，且第二像素电极定义出一第二显示区。另外，第一介电层更可配置于第二像素电极与第一基板之间。第一介电层被第二像素电极所覆盖的部份具有第一膜厚或第二膜厚。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构还包括一第二介电层。第二介电层配置于第一介电层与第一像素电极之间，且第二介电层与第一介电层共形。

在本发明的一实施例中，上述的各像素结构包括一扫描线、一数据线、一主动元件以及一第一像素电极。数据线与扫描线相交。主动元件电性连接扫描线以及数据线。第一像素电极电性连接主动元件，且部份第一像素电极构成凸起图案。

在本发明的一实施例中，上述的各像素结构包括一扫描线、一数据线、一主动元件、一第一像素电极以及一电容电极。数据线与扫描线相交。主动元件电性连接扫描线以及数据线。第一像素电极电性连接主动元件。电容电极配置于第一基板与第一像素电极之间，且部分电容电极构成凸起图案。

在本发明的一实施例中，上述的显示面板还包括一垫高层。垫高层配置于第二基板与显示介质层之间，且垫高层位于第一显示区中，以调整第一电极上方的显示介质层的厚度。

在本发明的一实施例中，上述的显示面板还包括至少一间隙物。间隙物配置于第一基板与第二基板之间。

本发明再提出一种显示面板的制造方法。首先，提供一第一基板。接着，于第一基板形成多个像素结构，各像素结构中具有多个凸起图案。凸起图案所在区域定义出一第一显示区，且凸起图案的排列大致构成多个弧形轨迹。弧形轨迹具有相同的一弧心，且弧心位于第一显示区的角落。然后，提供一第二基板。接着，形成一显示介质层于第一基板以及第二基板之间。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构的制造方法包括使各像素结构的弧心与相邻的其中一个像素结构的弧心位于第一显示区中不同的角落。

在本发明的一实施例中，上述的形成各像素结构的方法包括下列步骤。首先，于第一基板上形成一扫描线以及一数据线，且扫描线与数据线相交。接着，于第一基板上形成一主动元件，其中主动元件电性连接扫描线以及数据线。然后，于第一基板上形成一第一介电层。第一介电层具有凸起图案，且第一介电层具有一第一膜厚以及一实质上小于第一膜厚的第二膜厚，以使第一膜厚与第二膜厚之差实质上等于凸起图案的高度。然后，于第一基板上形成一第一像素电极。第一像素电极电性连接主动元件，且第一像素电极共形地配置于第一介电层上。

在本发明的一实施例中，上述的形成第一介电层的方法包括下列步骤。首先，于第一基板上形成一介电材料层。接着，使用一半透光光掩模进行一图案化工艺，以将介电材料层图案化。半透光光掩模具有一遮光区、一透光区以及一部分透光区。透光区位于主动元件的部分区域上方。遮光区与部分透光区位于第一显示区中。位于遮光区下方的介电材料层被图案化成凸起图案。在进行图案化工艺的同时，还包括于第一基板上形成一仿真测试图案。此外，部分透光区的透光率实质上可以是介于10％～30％。

在本发明的一实施例中，上述的形成各像素结构的方法还包括于第一介电层与第一像素电极之间形成一第二介电层，其中第二介电层与第一介电层共形。

在本发明的一实施例中，上述的形成各像素结构的方法还包括于第一基板上形成一第二像素电极。第二像素电极电性连接主动元件，且第二像素电极定义出一第二显示区。

在本发明的一实施例中，上述的半透光光掩模的透光区及遮光区其中一者更位于第二显示区上方。

在本发明的一实施例中，上述的半透光光掩模的部分透光区更位于第二显示区上方。

在本发明的一实施例中，上述的显示面板的制造方法还包括于第二基板上形成一垫高层。垫高层位于第一显示区中。

在本发明的一实施例中，上述的形成各像素结构的方法包括下列步骤。首先，于第一基板上形成一扫描线以及一数据线，其中扫描线与数据线相交。接着，于第一基板上形成一主动元件。主动元件电性连接扫描线以及数据线。然后，于第一基板上形成一第一像素电极。第一像素电极电性连接主动元件。接着，于第一基板上形成一电容电极。电容电极位于第一像素电极与第一基板之间，且部份电容电极构成凸起图案。

在本发明的一实施例中，上述的显示面板的制造方法还包括于第一基板与第二基板之间形成至少一间隙物。

本发明更提出一光电装置，包含上述实施例的显示面板。

本发明又提出一光电装置的制造方法，包含上述实施例的显示面板的制造方法。

综上所述，本发明通过配置多个凸起图案于像素结构上，且凸起图案的排列具有规则性，因而使得像素结构及其显示面板具有较良好的反射率并可呈现均匀的显示视角。此外，本发明利用半透光光掩模制作凸起图案，有助于减化工艺步骤，并利用仿真测试图案增进工艺的可靠度。简言之，本发明的像素结构、显示面板及其电子装置具有良好的显示效果以及较佳的工艺可靠度。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为一种规则性排列的凸起图案设计；

图2A～2C分别绘示三种像素结构的局部俯视示意图；

图3A为本发明的第一实施例的像素结构的局部俯视示意图；

图3B为沿图3A的剖线AA’所绘示的像素结构的剖面示意图；

图3C绘示为形成第一介电层于像素结构上的方法；

图3D为本发明的一实施例的仿真测试图案；

图4A为本发明的第二实施例的像素结构的局部剖面示意图；

图4B与图4C绘示为本发明的第二实施例的另外两种像素结构的局部剖面示意图；

图5为本发明的第三实施例的像素结构的俯视示意图；

图6A为本发明的一实施例的一种显示面板的局部剖面示意图；

图6B～6G分别绘示为本发明的数种显示面板的上视示意图；

图7所绘示为本发明的一实施例的光电装置的示意图。

其中，附图标记：

20、30、40、510、520：基板

100a～100c、200、300a～300c、400、540：像素结构

120、260、370、460、542：凸起图案

130、552：轨迹

132、554、554a～554d：弧心

210、410：扫描线

220、420：数据线

230、330、430、548：主动元件

240、340、440、544：第一像素电极

250、350：第一介电层

270：半透光光掩模

270a：遮光区

270b：透光区

270c：部分透光区

360、546：第二像素电极

450：电容电极

500、610：显示面板

530：显示介质层

550：介电层

560：间隙物

580：垫高层

590：仿真测试图案

590a、590b、590c、a、b、c：区域

C、C1、C2、C3、C4：角落

d：距离

h1、h2：膜厚

h：高度

P1、P2、P3：显示区

具体实施方式

由于不规则排列的凸起图案在像素结构中对于反射式显示模式的反射率提升的程度有限。因此，本发明在此提出一种规则性排列的凸起图案设计，其如图1所示。请参照图1，凸起图案120大致上沿着圆弧形的轨迹130排列，其中圆弧形轨迹130具有共享的弧心132，也是圆心。这些凸起图案120应用于具有反射或微反射显示设计的像素结构或显示面板时，有助于提高像素结构或显示面板的反射率。实际上，凸起图案120若以不同的密度排列可能使像素结构呈现出不同的显示效果。因此，本发明在此将不同区域a、b及c中的凸起图案120实际应用于像素结构中以进行比较说明。

图2A～2C分别绘示三种像素结构的局部俯视示意图。请先参考图2A，像素结构100a具有由一第一显示区P1(或称为第一像素区域)以及一第二显示区P2(或称为第二像素区域)所构成的影像显示区P3，且第一显示区P1与第二显示区P2有导电线路(未绘示)区隔为范例，但不限于此。在其它实施例，可以仅有第一显示区P1、第二显示区P2、或同时具有第一显示区P1及第二显示区P2，而第一显示区P1与第二显示区P2导电线路(未绘示)区隔。第一显示区P1及第二显示区P1其中至少一者可为反射式的显示模式、微反射式的显示模式、或穿透式的显示模式。本发明以第一显示区P1例如可以呈现反射式的显示模式，而第二显示区P2则可进行穿透式的显示模式为范例，但不限于此。此外，像素结构100a中配置有多个凸起图案120，而这些凸起图案120的排列方式如图1的区域a所示。也即，凸起图案120的排列所构成的弧形轨迹130的相同的弧心132在第一显示区P1之外。

经过实际量测后得到像素结构100a所呈现的反射率为32.11％。由于，像素结构100a中第一显示区P1的面积占影像显示区P3的面积的比率实质上为60.32％，若将实测所得的反射率(32.11％)除以第一显示区P1面积在所对应影像显示区P3面积所占的比率(60.32％)后，可得到数值I实质上为53.23％，其代表凸起图案120在每单位显示面积所提供的反射率。

接着，请参考图2B，像素结构100b的第一显示区P1的凸起图案120设计如图1的区域b时，且其它描述也如参考图2A所述。值得一提的是，在像素结构100b的设计中，凸起图案120的弧形轨迹130的相同的弧心132在像素结构100b的第一显示区P1的中心为范例，但不限于此，也可将弧心132于像素结构100b的第一显示区P1的其它非角落处。经过实际量测后得到像素结构100b所呈现的反射率实质上为18.38％。像素结构100b中，第一显示区P1的面积占影像显示区P3的面积的比率实质上为27.74％。因此，将反射率(18.38％)除以第一显示区P1面积在所对应影像显示区P3面积中所占的比率(27.74％)后，可得到数值II实质上为66.26％。也就是说，凸起图案120排列成如图2b绘示的分布时，可在每单位面积提供的反射率实质上为66.26％。

请接着参考图2C，像素结构100c的第一显示区P1的凸起图案120设计如图1的区域c时，且其它描述也如参考图2A所述。值得一提的是，凸起图案120的排列所构成的弧形轨迹130的相同的弧心132位于像素结构100c的第一显示区P1的其中一个角落C为范例，但不限于此。此外，也可将弧心132于第一显示区P1的至少二个角落处，并可依第一显示区P1的形状而定其角落，例如：矩形、四边形、五边形、菱形、六边形、或其它合适的形状。经过实际量测后得到像素结构100c的反射率实质上为25.87％，其中第一显示区P1的面积占影像显示区P3的面积的比率实质上为34％。因此，将反射率(25.87％)除以第一显示区P1面积所对应影像显示区P3面积的比率(34％)后，可得到数值III实质上为76.09％，其中数值III代表凸起图案120在每单位显示面积所提供的反射率。

为了清楚地比较上述的凸起图案120的不同排列设计所产生反射率的优劣，在此以数值III作为标准，将三者的数值I、II、III进行归一化(normalized)。数值I归一化后的值实质上为69.69％、数值II归一化后的值实质上为87.08％以及数值III归一化后的值实质上为100％。显而易见地，凸起图案120的弧形轨迹130的相同的弧心132在第一显示区P1的角落C时可以提供较佳的反射率，也即如图2C所绘示的像素结构100c呈现较佳的反射式显示效果。

因此，本发明提出一种如图2C所绘示的像素结构100c以提供较佳的反射式显示效果。本发明的像素结构100c中，凸起图案120所在区域大致定义出第一显示区P1，但不限于此，也可与第二显示区P2互换或同时都有。在此，第一显示区P1是以一反射显示区为例，但不限于此。在本实施例中凸起图案120的总面积实质上占第一显示P1区的面积的18％～25％，但不限于此。较佳地，凸起图案120的总面积实质上占第一显示区P1的面积的20％～22％。此外，各弧形轨迹130的曲率半径约为n*d，且n为实质上大于零的自然数，而d为弧心132至相邻的弧形轨迹130间的距离d，如图2C所绘示。换言之，各弧形轨迹130的曲率半径为距离d的倍数。在图2C中，n是以正整数为例，但不限于此。另外，各弧形轨迹130中排列有至少一个凸起图案120，且各弧形轨迹130上的凸起图案120的间距实质上为d。

值得一提的是，本发明的像素结构100c除了可以应用在半穿透半反射式显示设计外，其也可以应用在反射式显示设计上。或是，凸起图案120也可以配置于穿透式显示设计的像素结构中以提供微反射的作用。换言之，像素结构100c上的凸起图案120的配置方式并不特别限定应用在何种显示设计上。举凡应用反射原理而显像的显示设计都适用如图2C所绘示的凸起图案120的排列方式。

以下将举例说明不同显示模式设计(例如是半穿透反射式显示设计、反射式显示设计或是微反射式显示设计)或不同膜层(例如是介电层或是金属层)所形成的凸起图案120及像素结构100c。其中，凸起图案120及其排列方式如同图2C所示，但凸起图案120所排列的弧形轨迹130的弧心132也可以是位于另外三个角落(未标示)，本发明并不限定。

第一实施例

图3A为本发明的第一实施例的像素结构的局部俯视示意图，而图3B为沿图3A的剖线AA’所绘示的像素结构的剖面示意图。请同时参考图3A与图3B，配置于一基板20上的像素结构200包括一扫描线210、一数据线220、至少一主动元件230、一第一像素电极240以及一第一介电层250。

如图3A所绘示，数据线220与扫描线210相交，主动元件230电性连接扫描线210以及数据线220，而第一像素电极240电性连接主动元件230。数据线220与扫描线210可以为单层或多层结构，且二者材质例如是金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物、或上述的组合。此外，第一像素电极240可以为单层或多层结构，且其材质可视像素结构200的显示模式设计而有所不同。举例而言，第一像素电极240例如是反射式电极，而其材质例如是金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物、或上述的组合之类的反射性导电材质。另外，第一像素电极240也可以是由透明导电材质制成例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化铪、氧化锌、氧化铝、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉锡氧化物、镉锌氧化物或上述的组合。或是，第一像素电极240也可以是同时具有反射性导电材质及透明导电材质。因此，本发明并不限定第一像素电极240的材质。

此外，凸起图案260形成于第一介电层250上为范例，且凸起图案260的排列方式如图3A所绘示，但不以此为限。此外，从图3B的剖面图来看，第一介电层250具有一第一膜厚h1以及一实质上小于第一膜厚h1的第二膜厚h2，以使第一膜厚h1与第二膜厚h2的差实质上等于凸起图案260的高度h。换言之，这些凸起图案260在此是由第一介电层250所构成。另外，第一像素电极240共形地配置于第一介电层250上，如图3B所绘示。在本实施例中，第一介电层250可为单层或多层结构，且其材质为有机材质、无机材质、或上述的组合。有机材质例如：光刻胶、苯并环丁烯、环烯类、聚酰亚胺类、聚酰胺类、聚酯类、聚醇类、聚环氧乙烷类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类、或其它材料、或上述的组合，且以有机材质的光刻胶为范例，但不限于此。无机材质例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它适合的材质或上述的组合。

在另一实施形态中，像素结构200还包括有一第二介电层(未绘示)，其配置于第一介电层250与第一像素电极240之间，且第二介电层与第一介电层250共形。第二介电质可为单层或多层结构，且其材质例如是无机材质(如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化铝、或其它材质、或上述的组合)为范例，但不以此为限，也可采用第一介电层250所述的其它材质。另外，第一介电层250与基板20之间还可以配置有其它介电层(未绘示)，其可选择性地具有或是不具有凹凸的表面，且其结构与材质也可选用第一介电层250所述之。也就是说，第一像素电极240与基板20之间可以配置有一层或是多层介电层，其中这一层或是多层介电层中至少一层(例如是第一介电层240)具有这些凸起图案260。此时，第一像素电极240共形地形成于这些凸起图案260上则有助于提升像素结构200的反射率。此外，在又一实施形态中，凸起图案260也可以不由第一介电层250或是其它介电层所构成。举例而言，像素结构200的部份第一像素电极240可以构成上述凸起图案260。也就是说，第一像素电极240可以具有不平坦的表面以构成这些凸起图案260。

必须说明的是，以上所述的像素结构200仅为一实施范例。像素结构200除了可应用于反射式显示设计，其也可以应用于半穿透半反射式显示设计，或是其它相同或相似概念的显示设计的显示面板中。

此外，请同时参考图3A与图3B，上述的像素结构200的制造方法举例如下。首先，于一基板20上形成一扫描线210以及一数据线220，且扫描线210与数据线220相交。其中形成扫描线210与数据线220的方式例如是利用微影蚀刻工艺，但不限于此，其也可使用其它适合的工艺的方式，例如：网版印刷、喷墨、激光剥除、其它适合的方式或上述的组合。。此外，扫描线210与数据线220可为单层或多层结构，且其材质例如是选自金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物、或上述的组合。

接着，于基板20上形成一主动元件230，其中主动元件230电性连接扫描线210以及数据线220。然后，于基板20上形成一第一介电层250。第一介电层250具有凸起图案260为例，且第一介电层250具有一第一膜厚h1以及一实质上小于第一膜厚h1的第二膜厚h2，以使第一膜厚h1与第二膜厚h2之差实质上等于凸起图案260的高度h。

详细来说，图3C绘示为形成第一介电层于像素结构上的方法。请参考图3C，于一基板20上形成一介电材料层(未绘示)。接着，较佳地，使用一半透光光掩模270进行一图案化工艺，以将介电材料层图案化成第一介电层250。半透光光掩模270具有一遮光区270a、一透光区270b以及一部分透光区270c。透光区270b位于主动元件230的部分区域上方，而遮光区270a与部分透光区270c位于第一显示区P1上方。实际上，主动元件230为薄膜晶体管时，透光区270b例如是位于主动元件230的漏极(未标示)上方。进行曝光显影工艺后，位于遮光区270a下方的介电材料层被图案化而具有不同的膜厚(h1、h2)。

较佳地，上述的部分透光区270c的透光率实质上介于10％～30％为例，但不限于此。由于，部份透光区270c仅容许部份的光线穿透，位于此区域下方的介电材料层(未绘示)所接收的光线能量较低而仅受到部分曝光。因此，第一介电层250位于部分透光区270c下方的部份区域具有第二膜厚h2，而位于遮光区270a 下方的部份区域则具有第一膜厚h1。另外，位于透光区270b下方的介电材料层(未绘示)会被完全地曝光而暴露出主动元件230的漏极(未标示)。本实施例的主动元件230结构以底栅极为范例，但不限于此，也可使用顶栅极、或其它适用的结构、或上述的组合。

在此，介电材料层(未绘示)的材质是以正型光刻胶材料为例，当介电材料层(未绘示)的材质是采用负型光刻胶材料时，半透光光掩模270上的不同透光区270a～270c的分布则应随之调整。实际上，形成第一介电层250时所采用的光掩模也可以是其它种类的光掩模，并不限于半透光光掩模270。具体来说，相较于现有技术的工艺中利用两道光掩模工艺以及烘烤工艺制作凸起图案260的步骤，本实施例采用半透光光掩模270进行图案化工艺有助于简化凸起图案260的制作过程并缩短工艺所需时间。当然，其它工艺也可使用，如传统工艺中仅具遮光区270a、一透光区270b的一般光掩模经过多次曝光、网版印刷、喷墨、激光剥除、或其它合适工艺、或上述的组合。

然后，请再参照图3B，于基板20上形成一第一像素电极240。第一像素电极240电性连接主动元件230，且第一像素电极240共形地配置于第一介电层250上，至此，大致完成本实施例的像素结构200的制作。

由于，像素结构200的凸起图案260可由不同膜层堆栈以构成，因此制作像素结构200的方法还包括于第一介电层250与第一像素电极240之间形成一与第一介电层250共形的第二介电层(未绘示)。当然，本发明并不排除于基板20与第一像素电极240之间形成其它具有不平坦表面或是具有平坦表面的介电层。此外，第二介电层及其它介电层，也可采用上述形成第一介电层250的工艺其中之一。

值得一提的是，在进行图案化工艺以在第一介电层250上形成不平坦表面的同时，较佳地，还包括于基板20上形成一仿真测试图案590，如图3D所示。请参照图3D，仿真测试图案590中，区域590a、590b及590c分别是对应半透光光掩模270的遮光区270a、透光区270b以及部分透光区270c下方而图案化所得的结果。本实施例例如是通过扫描仪器(如α-step scanner)扫描仿真测试图案590以得知第一介电层250被图案化后的深度变化。由于，在对介电材料层进行图案化工艺时，无法确切得知各个凸起图案260的高度与宽度的变化趋势。因此，本发明提出在制造过程中在基板20的边缘处以相同的工艺条件同时形成一仿真测试图案590，以作为工艺条件的调整依据。当然，也可不同时形成或不形成仿真测试图案590，而以其它方式来得知第一介电层250被图案化后的深度变化，例如剖片、光学轮廓扫描仪器、二次电子显微镜(secondary electron microscopy；SEM)、或其它合适的方式、或上述的组合。

第二实施例

图4A为本发明的第二实施例的像素结构的局部剖面示意图。请同时参考图4A，配置于一基板30上的像素结构300a包括一主动元件330、一第一像素电极340、一第一介电层350以及一第二像素电极360。此外，像素结构300a具有多个凸起图案370以定义出一第一显示区P1。第二像素电极360则定义出一第二显示区P2。第一显示区P1及第二显示区P2其中至少一者为穿透显示区、反射显示区、微反射显示区、或上述的组合。本实施例以第一显示区P1可以是反射显示区及第二显示区P2可以是穿透显示区，但不以此为限。

在本实施例中，第一介电层350具有凸起图案370，其中凸起图案370的排列方式与第一实施例的图3A大致相同，但不以此为限。另外，第一介电层350是以仅配置于第一显示区P1中为例。在其它实施例中，第一介电层350可以更配置于第二像素电极360与基板30之间，也就是第二显示区P2中。

举例而言，图4B与图4C绘示为本发明的第二实施例的另外两种像素结构的局部剖面示意图。请参照图4B与图4C，像素结构300b及300c与像素结构300a大致相同，其差异仅在于：第一介电层350的部份区域更配置于第二显示区P2中。在图4B与图4C中，第一介电层350被第二像素电极360所覆盖的部份分别具有大致相同的第一膜厚h1及第二膜厚h2。实际上，第一介电层350被第二像素电极360所覆盖的部份例如具有平坦的表面。

详细来说，在工艺实务上，像素结构300a～300c的制造方法与像素结构200大致相同，其中像素结构300a～300c的制造方法还包括在基板30上形成第二像素电极360的制作步骤。此外，若制作第一介电层350时，使第二显示区P2对应于半透光光掩模的不同透光区，则可以分别形成如图4A～图4C所绘示的三种像素结构300a～300c。当然，不限于此，也可采用上述的制造方法，来形成分别形成如图4A～图4C所绘示的三种像素结构300a～300c

举例而言，本实施例是以正型光刻胶材料作为第一介电层350的材质，并以半透光光掩模进行图案化工艺以形成第一介电层350为范例，但不限于此。半透光光掩模的透光区放置于第二显示区P2上方，会使正型光刻胶材料完全曝光而于显影时被移除。因此，第一介电层350仅位于第一显示区P1中，也就是形成如像素结构300a的剖面结构。半透光光掩模的遮光区以及半透光区对应放置于第二显示区P2上方，则此区域中的正型光刻胶材料可以部份或是完全被保留下来。所以，第一介电层350的部份区域可更配置于第二像素电极360以及基板30之间。此时，若是遮光区位于第二显示区P2时，第二显示区P2中的第一介电层350便会具有第一膜厚h1，即如图4B所绘示。另外，请参照图4C，若是部份透光区位于第二显示区P2时，则经过曝光显影工艺后会使第一介电层350在第二显示区P2中具有第二膜厚h2。简言之，选择光掩模的不同透光区放置于第二显示区P2上方以进行曝光显影工艺时，会在第二显示区P2上产生不同膜厚的第一介电层350。

第三实施例

图5为本发明的第三实施例的像素结构的俯视示意图。请参考图5，配置于一基板40上的像素结构400包括一扫描线410、一数据线420、一主动元件430、一第一像素电极440以及一电容电极450。数据线420与扫描线410相交。主动元件430电性连接扫描线410以及数据线420。第一像素电极440电性连接主动元件430。电容电极450配置于基板40与第一像素电极440之间，且部分电容电极450构成凸起图案460。必需说明的是，凸起图案460的排列方式如图1的区域c所示。本实施例的主动元件430结构以底栅极为范例，但不限于此，也可使用顶栅极、或其它适用的结构、或上述的组合。

在本实施例中，第一像素电极440的材质是采用透明导电材质为范例。另外，像素结构400例如是由扫描线410与数据线420共同包围，如图5所绘示。在其它实施例中，扫描线410与电容电极450的配置位置也可以互相对调，而以电容电极450与数据线420定义出像素结构400的范围。一般来说，像素结构400具有至少一介电层(未绘示)，其位于电容电极450与第一像素电极440之间，且电容电极450与第一像素电极440之间构成一储存电容。

像素结构400的制造方法举例而言是与前述实施例的像素结构100c、200、300a～300c的制造方法相似，其中凸起图案460是位于部分的电容电极450上。具体来说，凸起图案460也可以是直接形成于电容电极450的表面上或是由电容电极450之下或之上的介电层(未绘示)所形成。举例而言，当储存电容的设计为金属-介电层-金属(MIM)的设计时，且电容电极450当做上电极，则电容电极450下方的介电层(未绘示)例如具有不平坦的表面，且使得电容电极450例如是共形地形成于介电层(未绘示)上，以构成这些凸起图案460。或者是，电容电极450当做下电极，则电容电极450上方的介电层(未绘示)或电容电极450的表面例如具有不平坦的表面，则使得第一像素电极440例如是共形地形成于介电层(未绘示)上，以构成这些凸起图案460。当然，在另一实施例中，若储存电容的设计为金属-介电层-透明电极层(MII)的设计时，凸起图案460也可以是直接形成于电容电极450的表面上或是由电容电极450之下或之下的介电层(未绘示)构成。

这些位于电容电极450上的凸起图案460例如定义出第一显示区P1。当像素结构400进行显示时，这些凸起图案460可以提供适当的反射作用以增进像素结构400的显示质量。像素结构400也可以称为具有微反射结构的像素结构400。此外，电容电极450，也可为扫描线410的一部份或其它线段，且其凸起图案形成方式也如上述所述之。

图6A为本发明一实施例的一种显示面板的局部剖面示意图。请参考图6A，显示面板500包括一第一基板510、一第二基板520、一显示介质层530以及多个像素结构540。第二基板520与第一基板510平行配置。显示介质层530位于第一基板510与第二基板520之间，其中，显示介质层530的材质例如是液晶分子或是有机电激发光材料等。因此，本发明并不限定显示介质层530的材质，端视显示面板500的类型而作选择。本实施例是以液晶分子作为显示介质层530的材质作为说明，也就是说显示面板500为液晶显示面板。

在本实施例中，像素结构540配置于第一基板510上，且各像素结构540具有多个凸起图案542。具体而言，像素结构540包括第一像素电极544、第二像素电极546、主动元件548以及至少一介电层550。第一像素电极544共性地覆盖于凸起图案542上。凸起图案542所在区域定义出一第一显示P1，而第二像素电极546则定义出一第二显示区P2。第一显示区P1及第二显示区P2其中至少一者为穿透显示区、反射显示区、微反射显示区、或上述的组合。本实施例以第一显示区P1可以是反射显示区及第二显示区P2可以是穿透显示区，但不以此为限。也即第一显示区P1上的第一像素电极544例如是反射式电极，其共形覆盖于介电层550上可提供良好的反射率。因此，像素结构540的设计有助于使显示面板500呈现较佳的反射显示效果。在此，像素结构540是与图4C的像素结构300c相似为例以进行说明。在其它实施例中，像素结构540可以是上述多种实施例的像素结构100a～100c、200、300a～300c及400至少其中的一种。也就是说，像素结构540也可以应用于反射式设计、穿透式设计、半穿反式、或是微反射设计中。

显示面板500还包括至少一间隙物560。间隙物560配置于第一基板510与第二基板520之间，用以维持第一基板510与第二基板520的间距。此外，间隙物560例如是一球型间隙物或是一光间隙物。本实施例以光间隙物为范例，但不限于此。此外，本实施例的光间隙物560，较佳地，配置于第二基板520为范例，但不限于此，光间隙物560配置于第一基板510或同时配置于第一基板510及第二基板520。本实施例的光间隙物560接触于第一基板510的位置上位于二相邻凸起图案之间的凹部(未标示)内。然而，较佳地，光间隙物560接触于第一基板510的位置上具有一位于二相邻凸起图案之间的平坦部(未标示)，但不限于此。而平坦部的高度由平坦部下方的介电层厚度来决定之。例如：当介电层550存在于第一显示区P1及第二显示区P2时，则平坦部的高度，较佳地，实质上大于或等于存在于第二显示区P2及第一显示区P1其中至少一者内的介电层550平均厚度，以使得光间隙物较为稳固，但不限于此。平坦部的高度也可实质上小于存在于第二显示区P2及第一显示区P1其中至少一者内的介电层550平均厚度。当介电层550，如图4A所示仅存在于第一显示区P1，且介电层550同时具有第一厚度h1及第二厚度h2，则平坦部的高度，较佳地，实质上大于或等于存在于第一显示区P1的介电层550平均厚度，即(h1+h2)/2，以使得光间隙物较为稳固，但不限于此。平坦部的高度也可实质上小于存在于于第一显示区P1的介电层550平均厚度，即(h1+h2)/2。

另外，像素结构540具有半穿透半反射式设计为例。因此，为了使反射式显示模式与穿透式显示模式所呈现的显示效果一致，显示面板500还包括一垫高层580。较佳地，垫高层580配置于第二基板520与显示介质层530之间，且垫高层580位于第一显示区P1中，以调整第一像素电极544上方的显示介质层530的厚度，也就是晶穴间隙(cell gap)。在其它实施例中，垫高层580也可设置于第一基板510上，且其位于第一显示区P1中或是同时设置于第一基板510上及第二基板520上，且其位于第一显示区P1中。

具体来说，上述的显示面板500的制造方法例如是先提供第一基板510。接着，于第一基板510上形成多个像素结构540，其中形成像素结构540的制造方法可以是上述所提及的各种方式，在此不再赘述。此外，提供一第二基板520。第二基板520上具有彩色滤光膜，则称为彩色滤光基板，仅为一举例，不限于此。在其它实施例中，彩色滤光膜也可形成第一基板上510，并且依其在主动元件548上或下，分别称为彩色滤光膜于矩阵上(color filter on array)或矩阵于彩色滤光膜(array on color filter)。然后，形成一显示介质层530于第一基板510以及第二基板520之间。显示介质层530为液晶层时，形成显示介质层530的方式，可以是滴下式注入法或真空注入法等。当然，不同的显示介质层530有不同的形成方式，上述为一举例，本发明并不特别限定于此。

显示面板500的制造方法还包括于第一基板510与第二基板520之间形成至少一间隙物560，其中，间隙物560的形成方式例如是采用微影工艺或是散布工艺。当间隙物560为光间隙物时，则采用微影工艺以制作间隙物560。间隙物560为球状间隙物时，则可以采用散布工艺。此外，显示面板500为半穿透半反射式设计时，本发明较佳地还可以于第二基板520上形成垫高层580，但不限于此。在其它实施例中，垫高层580也可设置于第一基板510上，且其位于第一显示区P1中或是同时设置于第一基板510上及第二基板520上，且其位于第一显示区P1中。

从上视图来看，显示面板500中凸起图案542的排列方式可以有多种不同的设计。图6B～6G分别绘示为本发明的数种显示面板的上视示意图。请先参考图6B，显示面板500的各像素结构540可以两两为一组以进行说明。各像素结构540中，凸起图案542沿着多个弧形轨迹552排列，且这些弧型轨迹552具有相同的弧心554a、554b。在两个相邻的像素结构540中，凸起图案542所排列轨迹552的两弧心554a与554b的位置位于相对的角落，如图6B所绘示。也就是说，例如其中一个像素结构540中，凸起图案542排列的弧型轨迹552的弧心554a是位于第一显示区P1的右上角，而另一像素结构540中弧心554b是位于第一显示区P1的左下角。在其它实施例中，相邻两像素结构540中弧心554a与554b分别位于各个第一显示区P1的左上角及右下角。

当两相邻像素结构540的第一显示区P1中，凸起图案542的弧形轨迹552位于相对的角落时，凸起图案542的排列分布呈现相反的方向变化。因此，显示面板500进行反射式显示模式时，不同视角上所呈现的显示效果可以获得补偿。换言之，本发明的凸起图案542的设计非但有助于提升显示面板500进行反射式显示模式时的反射率。更进一步来说，本发明可适当地调整不同像素结构540中凸起图案542的排列方式而使显示面板500在各方向上的显示视角呈现均匀的分布。也就是说，显示面板500的显示效果呈现良好的视角均齐度。

接着，请参考图6C与图6D，显示面板500中可以由紧密排列的四个各像素结构540为一组以进行凸起图案542的排列设计为例。在紧密排列的四个像素结构540中，各弧心554a～554d分别位于第一显示区P1的第一角落C1、第二角落C2、第三角落C3以及第四角落C4，如图6C与6D所绘示。举例而言，第一显示区P1大致为矩形，而各弧心554a～554d分别位于矩形的其中一个角落上。此时，成组的四个像素结构540中，凸起图案542排列轨迹552所呈现的方向变化恰可互相抵消。所以，显示面板500的显示视角在各方向上呈现均匀的分布。再参考图6C，其凸起图案542排列轨迹552更组合成一个半圆弧形，且其排列轨迹552类于镜面型态。而图6D，其凸起图案542排列轨迹552类于跟随型态，即一个像素结构的凸起图案542排列轨迹552所呈现的方向变化的终点为另一个像素结构的凸起图案542排列轨迹552所呈现的方向变化的起点。

更近一步而言，请参考图6E至图6G，显示面板500的各像素结构540还可以八个为一组为例。也就是说，在紧密排列的八个像素结构540中，凸起图案542排列而成的弧形轨迹552的弧心554位置可再以其它方式排列组合，即可以形成如图6E至图6G所绘示的显示面板500。当然，上述各种显示面板500的设计仅为举例说明之用，本发明并不限定紧密排列的像素结构540以多少个为一组以进行凸起图案542的排列设计且也不限定像素结构540以多少个角落来当作凸起图案542的弧心。值得一提的是，上述各组多个像素结构540中，凸起图案542的排列所呈现的方向变化恰好互补，因此显示面板500在各个方向上可以呈现大致相同的显示视角。也就是说，显示面板500具有良好的显示效果。

值得一提的是，上述的凸起图案542的总面积实质上占第一显示P1区的面积的18％～25％，但不限于此。凸起图案542的总面积实质上占第一显示区P1的面积的20％～22％。

此外，本发明上述实施例的凸起图案，较佳地，都以实质上为圆形的上视图形为例，但不限于此，凸起图案的上视图形，也可实质上呈惰圆形、菱形、四边形、三角形、水滴形、五边形、六边形、或其它多边形。

图7所绘示为本发明的一实施例的光电装置的示意图。请参照图7，光电装置600包括显示面板610及与其电性连接的电子元件620。显示面板610包含如上述实施例中所述的显示面板500，其具有像素结构100c、200、300a～300c以及400至少其中一者。由于，显示面板610具有良好的反射率、均匀的显示视角且凸起图案的工艺步骤较为简单，所以光电装置600也具有上述的各种优点。

更进一来说，依照不同的显示模式、膜层设计以及显示介质作为区分，显示面板610包括多种不同的类型。显示介质为液晶分子时，显示面板610可以液晶显示面板。常见的液晶显示面板包括如穿透型显示面板、半穿透型显示面板、反射型显示面板、彩色滤光片于主动层上(color filter on array)的显示面板、主动层于彩色滤光片上(array on color filter)的显示面板、垂直配向型(vertical alignment，VA)显示面板、水平切换型(in planeswitch，IPS)显示面板、多域垂直配向型(multi-domain vertical alignment，MVA)显示面板、扭曲向列型(twist nematic，TN)  显示面板、超扭曲向列型(super twist nematic，STN)显示面板、图案垂直配向型(patterned-siltvertical alignment，PVA)显示面板、超级图案垂直配向型(superpatterned-silt vertical alignment，S-PVA)显示面板、先进大视角型(advance super view，ASV)显示面板、边缘电场切换型(fringe fieldswitching，FFS)显示面板、连续焰火状排列型(continuous pinwheelalignment，CPA)显示面板、轴对称排列微胞型(axially symmetric alignedmicro-cell mode，ASM)显示面板、光学补偿弯曲排列型(opticalcompensation banded，OCB)显示面板、超级水平切换型(super in planeswitching，S-IPS)显示面板、先进超级水平切换型(advanced super in planeswitching，AS-IPS)显示面板、极端边缘电场切换型(ultra-fringe fieldswitching，UFFS)显示面板、高分子稳定配向型显示面板、双视角型(dual-view)显示面板、三视角型(triple-view)显示面板、三维显示面板(three-dimensional)或其它型面板、或上述的组合，也称为非自发光显示面板。若显示介质为电激发光材料，则称为电激发光显示面板(如：磷光电激发光显示面板、荧光电激发光显示面板、或上述的组合)，也称为自发光显示面板，且其电激发光材料可为有机材料、无机材料、或上述的组合，另外，上述材料的分子大小包含小分子、高分子、或上述的组合。若，显示介质同时包含液晶材料及电激发光材料，则此显示面板称的为混合式(hybrid)显示面板或半自发光显示面板。

另外，电子元件620包括如控制元件、操作元件、处理元件、输入元件、存储元件、驱动元件、发光元件、保护元件、感测元件、检测元件、或其它功能元件、或前述的组合。整体而言，光电装置600的类型包括可携式产品(如手机、摄影机、照相机、笔记型计算机、游戏机、手表、音乐播放器、电子信件收发器、地图导航器、数字相片、或类似的产品)、影音产品(如影音放映器或类似的产品)、屏幕、电视、广告牌、投影机内的面板等。此外，本发明提出一光电装置的制造方法，其包含上述实施例的显示面板的制造方法。

综上所述，本发明的像素结构、显示面板以及光电装置至少具有下列优点。首先，像素结构上配置有排列成弧形轨迹的凸起图案，且弧形轨迹的共同弧心位于像素结构的一角落。因此，像素结构可以呈现良好的反射率。此外，本发明的像素结构的制造方法通过使用半透光光掩模有助于缩减凸起图案的制作步骤，进而缩短工艺时间。进一步来说，本发明的显示面板中，各像素结构的凸起图案呈现一定方向变化的排列且紧密邻接的多个像素结构的凸起图案的排列方式不同。因此，本发明的显示面板可以呈现均匀的显示视角，特别是进行反射式显示模式时。另外，具有上述像素结构的显示面板及光电装置也相同地具良好的显示效果以及较简单的工艺步骤。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (41)

1.一种像素结构，配置于一基板上，该像素结构具有多个凸起图案，该些凸起图案所在区域定义出一第一显示区，该些凸起图案规则的排列构成多个弧形轨迹，该些弧形轨迹具有相同的一弧心，且该弧心位于该第一显示区的角落，并且，各该弧形轨迹的曲率半径为n*d，且n为大于零的自然数而d为该弧心至相邻的该弧形轨迹间的距离，各该弧形轨迹中排列有至少一个凸起图案。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该些凸起图案的总面积占该第一显示区的面积的18％～25％。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，各该弧形轨迹上的该些凸起图案的间距为d。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：

一扫描线；

一数据线，与该扫描线相交；

一主动元件，电性连接该扫描线以及该数据线；

一第一像素电极，电性连接该主动元件；以及

一第一介电层，配置于该基板上，该第一像素电极共形地配置于该第一介电层上，该第一介电层具有该些凸起图案且该第一介电层具有一第一膜厚以及一小于该第一膜厚的第二膜厚，以使该第一膜厚与该第二膜厚之差等于该些凸起图案的高度。

5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，该第一像素电极为一反射式像素电极或一穿透式像素电极。

6.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，还包括一第二像素电极，电性连接该主动元件，该第二像素电极定义出一第二显示区。

7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，该第一介电层更配置于该第二像素电极与该基板之间，且该第一介电层被该第二像素电极所覆盖的部份具有相同的该第一膜厚或该第二膜厚。

8.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，还包括一第二介电层，配置于该第一介电层与该第一像素电极之间，且该第二介电层与该第一介电层共形。

9.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：

一扫描线；

一数据线，与该扫描线相交；

一主动元件，电性连接该扫描线以及该数据线；以及

一第一像素电极，电性连接该主动元件，且部份该第一像素电极构成该些凸起图案。

10.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：

一扫描线；

一数据线，与该扫描线相交；

一主动元件，电性连接该扫描线以及该数据线；

一第一像素电极，电性连接该主动元件；以及

一电容电极，配置于该基板与该第一像素电极之间，且部分该电容电极构成该些凸起图案。

11.一种显示面板，其特征在于，包括：

一第一基板；

一第二基板，与该第一基板平行配置；

一显示介质层，位于该第一基板与该第二基板之间；以及

多个像素结构，配置于该第一基板上，各该像素结构具有多个凸起图案，该些凸起图案所在区域定义出一第一显示区，该些凸起图案规则的排列构成多个弧形轨迹，该些弧形轨迹具有相同的一弧心，且该弧心位于该第一显示区的角落，并且，各该弧形轨迹的曲率半径为n*d，且n为大于零的自然数而d为该弧心至相邻的该弧形轨迹间的距离，各该弧形轨迹中排列有至少一个凸起图案。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，各该像素结构的该弧心与相邻的其中一个像素结构的该弧心位于该些第一显示区中不同的角落。

13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，各该像素结构的该些凸起图案的总面积占该第一显示区的面积的18％～25％。

14.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，各该第一显示区为矩形并具有一第一角落、一第二角落、一第三角落以及一第四角落，且该第一角落与该第三角落相对，而该第二角落与该第四角落相对。

15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，两个相邻的像素结构中，该些弧心的位置位于相对的该些角落。

16.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，紧密排列的四个像素结构中，该弧心的位置各别位于该第一角落、该第二角落、该第三角落以及该第四角落。

17.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，各该弧形轨迹上的该些凸起图案的间距为d。

18.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，各该像素结构包括：

一扫描线；

一数据线，与该扫描线相交；

一主动元件，电性连接该扫描线以及该数据线；

一第一像素电极，电性连接该主动元件；以及

一第一介电层，配置于该第一基板上，该第一像素电极共形地配置于该第一介电层上，该第一介电层具有该些凸起图案且该第一介电层具有一第一膜厚以及一小于该第一膜厚的第二膜厚，以使该第一膜厚与该第二膜厚之差等于该些凸起图案的高度。

19.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，该第一像素电极为一反射式像素电极或一穿透式像素电极。

20.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，各该像素结构还包括一第二像素电极，电性连接该主动元件，该第二像素电极定义出一第二显示区。

21.根据权利要求20所述的显示面板，其特征在于，该第一介电层更配置于该第二像素电极与该第一基板之间，且该第一介电层被该第二像素电极所覆盖的部份具有该第一膜厚或该第二膜厚。

22.根据权利要求20所述的显示面板，其特征在于，还包括一垫高层，配置于该第二基板与该显示介质层之间，位于该些第一显示区中，以调整该些第一电极上方的该显示介质层的厚度。

23.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，各该像素结构还包括一第二介电层，配置于该第一介电层与该第一像素电极之间，且该第二介电层与该第一介电层共形。

24.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，各该像素结构包括：

一扫描线；

一数据线，与该扫描线相交；

一主动元件，电性连接该扫描线以及该数据线；以及

一第一像素电极，电性连接该主动元件，且部份该第一像素电极构成该些凸起图案。

25.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，各该像素结构包括：

一扫描线；

一数据线，与该扫描线相交；

一主动元件，电性连接该扫描线以及该数据线；

一第一像素电极，电性连接该主动元件；以及

一电容电极，配置于该第一基板与该第一像素电极之间，且部分该电容电极构成该些凸起图案。

26.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，还包括至少一间隙物，配置于该些第一基板与该第二基板之间。

27.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一第一基板；

于该第一基板形成多个像素结构，各该像素结构中具有多个凸起图案，该些凸起图案所在区域定义出一第一显示区，该些凸起图案规则的排列构成多个弧形轨迹，该些弧形轨迹具有相同的一弧心，且该弧心位于该第一显示区的角落，并且，各该弧形轨迹的曲率半径为n*d，且n为大于零的自然数而d为该弧心至相邻的该弧形轨迹间的距离，各该弧形轨迹中排列有至少一个凸起图案；

提供一第二基板；以及

形成一显示介质层于该第一基板以及该第二基板之间。

28.根据权利要求27所述的显示面板的制造方法，其特征在于，形成该些凸起图案的方法包括使各该像素结构的该弧心与相邻的其中一个像素结构的该弧心位于该些第一显示区中不同的角落。

29.根据权利要求27所述的显示面板的制造方法，其特征在于，形成各该像素结构的方法包括：

于该第一基板上形成一扫描线以及一数据线，该扫描线与该数据线相交；

于该第一基板上形成一主动元件，该主动元件电性连接该扫描线以及该数据线；

于该第一基板上形成一第一介电层，该第一介电层具有该些凸起图案且该第一介电层具有一第一膜厚以及一小于该第一膜厚的第二膜厚，以使该第一膜厚与该第二膜厚之差等于该些凸起图案的高度；以及

于该第一基板上形成一第一像素电极，该第一像素电极电性连接该主动元件，且该第一像素电极共形地配置于该第一介电层上。

30.根据权利要求29所述的显示面板的制造方法，其特征在于，形成该第一介电层的方法包括：

于该第一基板上形成一介电材料层；以及

使用一半透光光掩模进行一图案化工艺，以将该介电材料层图案化，其中该半透光光掩模具有一遮光区、一透光区以及一部分透光区，该透光区位于该主动元件的部分区域上方，该遮光区与该部分透光区位于该第一显示区中，且位于该遮光区下方的该介电材料层被图案化成该些凸起图案。

31.根据权利要求30所述的显示面板的制造方法，其特征在于，进行该图案化工艺的同时，还包括于该第一基板上形成一仿真测试图案。

32.根据权利要求30所述的显示面板的制造方法，其特征在于，该部分透光区的透光率介于10％～30％。

33.根据权利要求30所述的显示面板的制造方法，其特征在于，形成各该像素结构的方法还包括于该第一介电层与该第一像素电极之间形成一第二介电层，该第二介电层与该第一介电层共形。

34.根据权利要求30所述的显示面板的制造方法，其特征在于，形成各该像素结构的方法还包括于该第一基板上形成一第二像素电极，电性连接该主动元件，且该第二像素电极定义出一第二显示区。

35.根据权利要求34所述的显示面板的制造方法，其特征在于，该半透光光掩模的该透光区及该遮光区其中一者更位于该第二显示区上方。

36.根据权利要求34所述的显示面板的制造方法，其特征在于，该半透光光掩模的该部分透光区更位于该第二显示区上方。

37.根据权利要求34所述的显示面板的制造方法，其特征在于，还包括于该第二基板上形成一垫高层，位于该第一显示区中。

38.根据权利要求27所述的显示面板的制造方法，其特征在于，形成各该像素结构的方法包括：

于该第一基板上形成一扫描线以及一数据线，该扫描线与该数据线相交；

于该第一基板上形成一主动元件，该主动元件电性连接该扫描线以及该数据线

于该第一基板上形成一第一像素电极，该第一像素电极电性连接该主动元件；以及

于该第一基板上形成一电容电极，位于该第一像素电极与该第一基板之间，且部份该电容电极构成该些凸起图案。

39.根据权利要求27所述的显示面板的制造方法，其特征在于，还包括于该第一基板与该第二基板之间形成至少一间隙物。

40.一种光电装置，包含权利要求11所述的显示面板。

41.一种光电装置的制造方法，包含权利要求27所述的显示面板的制造方法。

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