CN101221357A - 用于制造薄膜图案的设备以及应用该设备制造薄膜的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于制造薄膜图案的设备以及应用这种设备制造薄膜图案的方法，由于工艺偏差是最小化的，因此可形成可靠的薄膜图案。用于制造薄膜图案的该设备包括：涂覆设备，用于在薄膜形成于其上的基板上涂上蚀刻抗蚀剂溶液；具有凹面和凸面的软模具，对蚀刻抗蚀剂加压以形成具有对应凹面形状的蚀刻抗蚀剂图案；以及硬化设备，用于硬化蚀刻抗蚀剂溶液，其中提供的软模具的凸面在其末端具有狭窄区域。

Description

用于制造薄膜图案的设备以及应用该设备制造薄膜的方法

本申请要求享有2006年11月29日提出的申请号为No.P2006-119041的韩国专利申请的优先权，在此结合其全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及一种平板显示器件，更具体地说，本发明涉及一种用于制造薄膜图案的设备以及应用这种设备制造薄膜图案的方法，其中执行构图工艺而不执行光刻工艺以简化制造工艺步骤，并同时改善对准精度，从而在正确的位置中形成薄膜图案。

背景技术

在现在的信息社会中，显示器件作为重要的视觉信息传播介质，正得到比任何时候更多的重视。现有的显示器件包括阴极射线管或布郎管，这使得显示器件不适宜的宽大和沉重。

平板显示器件的例子包括：液晶显示(LCD)器件、场发射显示(FED)器件，等离子显示板(PDP)器件以及电致发光(EL)显示器件。这些显示器件大多可在市场购买。

最近，在产品的研究与发展中的突破已经导致那些平板显示器件的总生产率得到改进，在很多应用领域平板显示器件已成为CRT的可行的替代品。

有源矩阵LCD器件提供优质的图像质量并消耗很少的能量，其中应用薄膜晶体管(″TFT″)驱动液晶单元。近来，平板显示器件的总生产率的提高已尤其促使大且高分辨率的有源矩阵型液晶显示器件的迅速发展。

如图1所示，有源矩阵型液晶显示器件包括滤色镜阵列基板22以及TFT阵列基板23，与它们之间的液晶层15相结合。图1中说明的液晶显示器件表示整个有效屏幕区域的一部分。

滤色镜阵列基板22具有形成于上部玻璃基板12的背表面的滤色镜13以及公共电极14。偏光镜11粘在上部玻璃基板12的前表面。滤色镜13包括红色(R)、绿色(G)以及蓝色(B)滤色镜以在特定波段传输可见光，从而实现彩色显示。黑矩阵(未示出)形成于相邻的滤色镜13之间。

在TFT阵列基板23中，数据线19以及栅线18在下部玻璃基板16的上表面上相互交叉，以及在其交叉点处形成多个TFT 20。在下部玻璃基板16的上表面上的数据线19和栅线18之间的单元区域形成像素电极21。TFT20响应来自栅线18的扫描信号来转换数据线19与像素电极21之间的数据传输路径，从而驱动像素电极21。将偏光镜17粘在TFT阵列基板23的背表面。

液晶层15通过施加给液晶层15的电场来控制通过TFT阵列基板23传输的光量。

粘在滤色镜基板22和TFT基板23上的偏光镜11和17在任意方向传输偏振光，而且当液晶15在90°TN(扭转向列)模式时，它们的偏振方向相互垂直交叉。

在液晶上滤色镜基板22以及TFT阵列基板23的对侧表面上形成取向膜(未示出)。

可将制造有源矩阵型液晶显示器件的现有技术工艺分成：基板清洗工序、基板构图工序、取向膜形成/摩擦工序、基板结合/液晶注入工序、封装工序、检查工序、修补工序以及其他适当的工序。基板清洗工序应用清洗溶液去除污染液晶显示器件基板表面的杂质。通过滤色镜基板的构图工序以及TFT阵列基板的构图工序来执行基板构图工序。取向膜形成/摩擦工序在每个滤色基板和TFT阵列基板上方涂覆取向膜，并应用摩擦布摩擦取向膜。基板结合/液晶注入工序通过应用密封剂将滤色镜基板和TFT阵列基板粘接，通过液晶注入孔注入液晶和间隔垫，并随后密封住液晶注入孔。封装工序将带载封装(下文中引用为“TCP”)与基板的焊盘部分相连接，其中TCP是与集成电路(IC)封装的，例如栅驱动IC和数据驱动IC。除应用上述的TCP的自动载带焊接(TAB)法外通过玻璃覆晶封装(下文中记为“COG”)法可将驱动IC直接安装在基板上。检查工序包括：电检查工序，其在像素电极和信号线，例如数据线和栅线，在TFT阵列基板中形成之后执行，以及电检查工序和肉眼检查工序，其在基板结合/液晶注入工序之后执行。当通过检查工序判定基板可修复时，修补工序执行对基板的修复。判定不可修复的基板将作废。

在制造包括液晶显示器件的大多数平板显示器件的方法中，沉积在基板上的薄膜材料是通过光刻工艺构图的。该光刻工艺包括一系列光刻工序，包括：涂胶、掩模对准、曝光、显影以及清洗。然而，光刻工艺具有一些问题在于完成光刻工艺所需的时间较长，光抗蚀剂材料和反萃取溶液被极大的浪费，并要求例如曝光设备的一些贵重设备。

发明内容

因此，本发明涉及一种用于制造薄膜图案的设备以及应用这种设备制造薄膜图案的方法，其基本上避免了现有技术的局限和缺点引起的一个或更多问题。

本发明的一个目的是提供一种用于制造薄膜图案的设备以及应用这种设备制造薄膜图案的方法，其中由于工艺偏差是最小化的，所以形成了可靠的薄膜图案。

本发明的其它优点、目的和特征一部分将在下述说明书中得到阐明，并且一部分对于本领域的普通技术人员在研究下文时将变得显而易见或通过实施本发明而了解。本发明的目的及其它优点可由在书面的说明书和权利要求书以及附图中特别指出的结构实现和获得。

为了达到这些目的和其他优点并依照本发明的目的，如这里的具体表达和广泛描述，一种用于制造薄膜图案的设备包括：涂覆设备，用于在其上形成有薄膜的基板上涂覆蚀刻抗蚀剂溶液；具有凹面和凸面的软模具，对蚀刻抗蚀剂加压以形成具有对应凹面的形状的蚀刻抗蚀剂图案；以及用于硬化蚀刻抗蚀剂溶液的硬化设备，其中提供的软模具的凸面其末端具有狭窄的区域。

狭窄区域包括第一平面，其为凸面的末端；第二平面，其为与第一平面相平行并比第一表面宽；以及倾斜平面，其将第一平面与第二平面连接。

蚀刻抗蚀剂图案具有下部线宽度，其取决于由倾斜平面和第一平面以及狭窄区域的高度限定的倾斜角。

倾斜角和狭窄区域的高度取决于软模具对蚀刻抗蚀剂溶液施加的压力。

如果软模具对蚀刻抗蚀剂溶液施加的压力增加，则狭窄区域将缩小，而且如果移除压力，则狭窄区域将会恢复它的初始形状。

如果软模具对蚀刻抗蚀剂溶液施加的压力变大，则倾斜角和狭窄区域的高度将变小。

形成软模具，从而形成凹面和凸面的平面和它的相对的平面环绕滚动型印花滚筒。

软模具包括聚二甲基硅氧烷。

本发明的另一方面，是一种用于制造薄膜图案的方法，包括：在其上形成有薄膜的基板上涂覆蚀刻抗蚀剂溶液；以及应用具有凹面和凸面的软模具对蚀刻抗蚀剂溶液加压以形成具有与凹面相对应的形状的蚀刻抗蚀剂图案，其中蚀刻抗蚀剂图案的形成包括依据在凸面的末端处准备的狭窄区域的收缩程度来控制蚀刻抗蚀剂图案的下部线宽度。

狭窄区域包括：第一平面，其为凸面的末端；第二平面，其为与第一平面相平行并比第一表面宽；以及倾斜平面，其将第一平面与第二平面连接。

蚀刻抗蚀剂图案具有下部线宽度，其取决于由倾斜平面和第一平面以及狭窄区域的高度限定的倾斜角。

倾斜角和狭窄区域的高度取决于软模具对蚀刻抗蚀剂溶液的压力。

如果软模具至对蚀刻抗蚀剂溶液的压力增加，则狭窄区域将缩小，而且如果移除压力，狭窄区域将会恢复它的初始形状。

如果软模具对蚀刻抗蚀剂溶液的压力变大，则倾斜角和狭窄区域的高度将变小。

应该理解，本发明的上面的综合描述和以下的详细描述为示例性的并从而在权利要求中进一步提供本发明的解释。

附图说明

附图提供对本发明的进一步理解，其包含在说明书中并构成说明书的一部分，其示出了本发明的实施方式并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1为说明依照现有技术的有源矩阵型液晶显示器件的透视图；

图2说明了用于制造为不曝光工艺的平面内印花工艺的薄膜图案的设备以及应用这种设备制造薄膜图案的方法；

图3说明了当图2中所示的软模具与基板接触时的蚀刻抗蚀剂溶液的示例性运动；

图4为示出了根据本发明的用于制造薄膜图案的设备的软模具的剖视图；

图5A至图5C为说明通过不用压力只应用软模具自身的重量形成薄膜图案的工艺步骤的剖视图；

图6A至图6C为说明通过应用软模具自身的重量和压力形成薄膜图案的工艺步骤的剖视图；以及

图7A和图7B说明用于制造薄膜图案的设备以及依据本发明的另一实施方式制造薄膜图案的方法；

图8A、图8B以及图8C为说明具有各种形状的软模具的凸面的剖视图。

具体实施方式

下面将参照附图对本发明的示例性实施方式进行详细说明。在所有附图中将尽可能地使用相同的附图标记表示相同或类似的部件。

在下文中，将参照图2至图7B描述本发明的优选实施方式。

图2说明了一种用于制造为不曝光工艺的平面内印花工艺的薄膜图案的设备以及应用这种设备制造薄膜图案的方法。

用于制造薄膜图案的方法包括：在其上形成有薄膜132a的基板131(TFT阵列基板)上的蚀刻抗蚀剂溶液133a的涂覆工序，应用软模具134的蚀刻抗蚀剂的构图工序，用于构图薄膜132a的蚀刻工序，保留蚀刻抗蚀剂图案的去除工序，以及检查工序。

薄膜132a是通过众所周知的涂覆工艺或沉积工艺，由在平板显示器件阵列中存在的，用作金属图案、有机图案以及无机图案的基本材料在基板131上形成的。

蚀刻抗蚀剂溶液133a包括：主树脂，其或是液态高聚合体前驱物或是液态单体，催化剂、引发剂、热流衍生物，并具有预定的极性。蚀刻抗蚀剂溶液133a具有范围为3-13cp的粘性。通过例如喷射和旋涂的涂覆工艺将包括上述材料的蚀刻抗蚀剂溶液133a涂覆在薄膜132a上。

软模具134是由具有高弹性的橡胶材料，例如聚二甲基硅氧烷(PDMS)，形成的并设置有对应于图案的凹面134a以保持在基板131上。在这种情况下，具有凹面134a和凸面134b的软模具134表面处理为疏水性的或亲水性的。例如，如果蚀刻抗蚀剂溶液133a具有亲水性，则软模具134具有疏水性，而且如果蚀刻抗蚀剂溶液133a具有疏水性，则软模具134具有亲水性。在下文中，将描述疏水软模具和亲水蚀刻抗蚀剂溶液的实施例。通过应用SAM(自组装膜)执行疏水工艺的表面处理使软模具134具有疏水性。

软模具134排列在蚀刻抗蚀剂溶液133a上。随后，软模具134以软模具自身的重量压住蚀刻抗蚀剂溶液133a以提供充足的压力以使软模具134与薄膜132a相接触。

同时，如图3所示，由于由软模具134与基板131之间的压力以及软模具134和蚀刻抗蚀剂溶液132a之间的排斥力产生的毛细管力使蚀刻抗蚀剂溶液133a移入软模具134的凹面134a中。结果，将蚀刻抗蚀剂图案133b形成于薄膜132a上的从软模具134的凹面134a的图案反转移的图案中。在应用紫外线执行烘培工艺或硬化工艺之后，将软模具134和基板131分离开，并执行湿法蚀刻工艺或干法蚀刻工艺。这时，由于蚀刻抗蚀剂图案133b起到掩模的作用，因此位于蚀刻抗蚀剂图案134b下面的薄膜132a保留在基板131上，而其他薄膜132a被去除。随后，通过剥离工艺去除蚀刻抗蚀剂图案133b。然后，应用电学和光学测试，检查薄膜图案132b是否存在较短和破坏的金属线，等等。

在将软模具从基板131分离之后，应用紫外线(UV)和臭氧(O3)清洗软模具134。随后，再次应用已清洗的软模具134构图另一个薄膜132a。

如上说述，由于未经光刻工艺形成薄膜图案，所以制造工艺得到简化。

然而，应用上述的软模具134形成蚀刻抗蚀剂图案133b存在一个问题，其工艺偏差比由光刻工艺形成的光刻胶图案的工艺偏差大。

在下文中，将描述一种能够解决上述问题的用于制造薄膜图案的设备和应用这种设备制造薄膜图案的方法。

根据本发明的实施方式的制造薄膜图案的设备包括：涂覆设备，用于在其上形成薄膜的基板上涂覆蚀刻抗蚀剂溶液；具有凹面和凸面的软模具；对蚀刻抗蚀剂加压以形成具有相应于凹面的蚀刻抗蚀剂图案；以及硬化设备，用于硬化蚀刻抗蚀剂溶液。特别地，软模具具有如图4所示的结构。

图4所示的软模具234包括凹面232和凸面233。

将凸面233的末端形成狭窄的形状。也就是说，狭窄区域P即是凸面233的末端包括：第一平面233a，其为凸面233的末端；第二平面233b，其与第一平面233a相平行，并具有大于第一表面233a的区域和线宽度，以及倾斜平面233c，该倾斜平面连接第一平面233a和第二平面233b。

由第一平面233a和倾斜平面233c以及狭窄区域P的高度A限定的倾斜角θ有助于控制蚀刻抗蚀剂图案的线宽度，并取决于软模具234提供的压力。也即是说，因为软模具234为有弹性的PDM，软模具234位于蚀刻抗蚀剂溶液上方并对蚀刻抗蚀剂溶液加压，从而狭窄的区域P缩小了。另一方面，如果去除压力，狭窄的区域P就恢复到自身原有的形状。

更具体地说，由于第一平面233a的线宽度和第二平面233b的线宽度之间的差别可通过压力的程度来控制，从而蚀刻抗蚀剂的线宽度可以得到控制。

图5A至图6C说明应用图4的软模具形成蚀刻抗蚀剂图案和薄膜图案的工艺步骤。

首先，图5A至图5C说明不用压力只应用软模具自身的重量形成蚀刻抗蚀剂图案和薄膜图案的工艺步骤。

薄膜104a通过例如溅射和PECVD的沉积方法形成于基板102上，并随后在其上涂覆蚀刻抗蚀剂溶液106a。

蚀刻抗蚀剂溶液106a包括：主树脂，其或是液态高聚合体前驱物或是液态单体、催化剂、引发剂、热流衍生物，并具有预定的极性。

包括上述材料的蚀刻抗蚀剂溶液106a通过例如喷射和旋涂的涂层工艺涂在薄膜132a上。

图4中的软模具234提供有凹面232和凸面233，凹面232将接受蚀刻抗蚀剂溶液106a，凸面基于凹面232的底部凸起。

如果将软模具234设置在蚀刻抗蚀剂溶液106a上，则只通过软模具自身的重量为蚀刻抗蚀剂溶液106a加压。

这时，由于由软模具234与基板102之间的压力以及软模具234和蚀刻抗蚀剂溶液106a之间的排斥力而产生的毛细管力使蚀刻抗蚀剂溶液106a移入软模具234的凹面232中。

在应用紫外线执行烘焙工艺或硬化工艺之后，将软模具234从基板102分离开，如图5B所示，将蚀刻抗蚀剂图案106形成于薄膜104a上在从软模具234的凹面232的图案反转移的图案中。

这时，由于软模具234的凸面233的末端形成狭窄形，蚀刻抗蚀剂图案106的下部宽度D1将大于蚀刻抗蚀剂图案106的上部宽度D2。

然后，由于应用蚀刻抗蚀剂图案106作为掩模执行湿法蚀刻工艺或干法蚀刻工艺，如图5C所示，将形成薄膜104具有与蚀刻抗蚀剂图案下部宽度D1相同宽度D1的薄膜图案104。

图6A至图6C说明通过应用软模具自身的重量和压力形成蚀刻抗蚀剂图案的工艺步骤。

薄膜104a通过例如溅射和PECVD的沉积方法形成于基板102上，并随后在该薄膜上沉积蚀刻耐蚀剂溶液106a。

图4中所示的软模具234包括凹面232和凸面233，凹面232将接受蚀刻抗蚀剂溶液106a，凸面基于凹面232的底部凸起。

如果将软模具234设置在蚀刻抗蚀剂溶液106a上，则它对蚀刻抗蚀剂溶液106a加压。在这种情况下，软模具234由诸如聚二甲基硅氧烷(PDMS)的具有高弹性的橡胶材料形成，并因而位于凸面233的末端的狭窄区域P受到压力。

同时，由于由软模具234与基板102之间的压力以及软模具234和蚀刻抗蚀剂溶液106a之间的排斥力而产生的毛细管力使蚀刻抗蚀剂溶液106a移入软模具234的凹面232中。

在应用紫外线执行烘培工艺或硬化工艺之后，由于软模具234从基板102分离开，如图6B所示，因此将蚀刻抗蚀剂图案108形成于薄膜104a上在从软模具234的凹面232的图案反转移的图案中。

在这种情况下，由于在软模具234的凸面233的末端的狭窄区域P受压力所压，因此蚀刻抗蚀剂图案108的下部宽度D2变得与蚀刻抗蚀剂图案106b的上部宽度D2相同。

然后，由于应用蚀刻抗蚀剂108作为掩模执行湿法蚀刻工艺或干法蚀刻工艺，如图6C所示，可形成具有与蚀刻抗蚀剂图案106的上部宽度D2相同宽度D2的薄膜图案104。

如上所述，如图5A至图6C所示，蚀刻抗蚀剂图案106和108的线宽度可由在软模具234的凸面233的末端形成的狭窄区域P来精确控制。也就是说，因为控制了软模具234的压力，因此蚀刻抗蚀剂图案106的线宽度可设置在图5B中的蚀刻抗蚀剂图案106的线宽度D1与图6B中的蚀刻抗蚀剂图案106的线宽度D1的范围之内。

例如，在薄膜图案未受压力形成的情况下，如果线宽度比用户设计的大，则将提高下一工艺中的压力大小。在这种情况下，在凸面233的狭窄区域P中第一平面233a和倾斜平面233c之间的倾斜角θ以及狭窄区域P的高度A变小，同时狭窄区域P和第二平面233b之间的不同变小。在这种情况下，如果蚀刻抗蚀剂溶液硬化，则蚀刻抗蚀剂图案106的下部宽度将比未加压力形成的薄膜图案的情况更窄。

确定了满足用户需求的线宽度的压力，而且软模具234由确定的压力加压以最小化蚀刻抗蚀剂溶液106和108的工艺偏差。结果，可最小化薄膜图案的工艺偏差以提高应用软模具形成的薄膜图案的可靠性。

图7A和图7B说明应用图4的软模具的滚印花设备以及应用该设备形成薄膜图案的工艺步骤。

首先，参照图7A，将滚印花设备300排列在其上涂了薄膜104a和蚀刻抗蚀剂溶液106a的基板102上。

滚印花设备300包括：辊式印花滚筒250，图4中所示的软模具234，其围绕印花滚筒250，以及紫外线辐射器(未示出)。如图4所示，软模具234包括凹面232和凸面233，其中凹面232将接受蚀刻抗蚀剂溶液106a，凸面233基于凹面232的底部凸起，而且，凸面233的末端包括狭窄区域P。

旋转滚印花设备300并同时将压力提供给蚀刻抗蚀剂溶液106a而且紫外线辐射器辐射紫外线，从而形成蚀刻抗蚀剂图案106。图7A中所示的蚀刻抗蚀剂图案106具有与图5B所示的蚀刻抗蚀剂图案106一样的形状。

也即是说，由于将软模具234的凸面233的末端形成狭窄形状，因此可形成蚀刻抗蚀剂图案106的下部宽度D1大于蚀刻抗蚀剂图案106的上部宽度D2。

然后，由于应用蚀刻抗蚀剂图案106作为掩模执行湿法蚀刻工艺或干法蚀刻工艺，如图5C所示，可形成具有与蚀刻抗蚀剂图案106的下部宽度D1相同宽度D1的薄膜图案104。

在图7B中，旋转图7A中的滚印花设备300并同时将压力提供给蚀刻抗蚀剂溶液108a而且紫外线辐射器辐射紫外线，从而形成蚀刻抗蚀剂图案108。在这种情况下，如图6A对在凸面233的末端的狭窄区域P1加压。

从而，图7B中所示的蚀刻抗蚀剂图案108具有与图6B中所示的蚀刻抗蚀剂图案108相同的形状。

也即是说，由于用压力对软模具234的凸面233的末端区域加压，随后蚀刻抗蚀剂图案106的下部宽度D2变得与蚀刻抗蚀剂图案106b的上部宽度D2相同。

然后，由于应用蚀刻抗蚀剂图案106作为掩模执行湿法蚀刻工艺或干法蚀刻工艺，如图6C所示，可形成具有与蚀刻抗蚀剂图案108的上部宽度D2相同宽度D2的薄膜图案104。

另一方面，依据施加给软模具234的压力而控制的预期线宽度的软模具234的凸面233，可以具有各种形状。如图8A中所示，凸面233a的两侧边都以预定角度倾斜。如图8B所示，凸面233b的两侧边都以预定的角度倾斜，下部角都为圆角并与两侧边连接，以及，将圆底部表面平稳地与两下部角相连接。如图8C中所示，凸面233C的两侧边为阶梯型，每个侧边都以预定角度倾斜。

根据本发明的用于制造薄膜图案的设备以及应用这种设备制造薄膜图案的方法可用于构图例如LCD，FED，PDP和EL的平板显示器件的电极层、有机层和无机层。

如上所述，根据本发明的用于制造薄膜图案的设备以及应用这种设备制造薄膜图案的方法具有以下优点。

由于薄膜图案是应用软模具和蚀刻抗蚀剂而不是光刻工艺形成的，所以制造工艺得到了简化。

另外，蚀刻抗蚀剂图案的线宽度可通过形成于软模具的凸面的末端的狭窄区域精确控制。从而，由于可以形成蚀刻抗蚀剂图案以最小化工艺偏差，薄膜图案的可靠性可得到改善。

将应用图2中的薄膜图案132b在TFT阵列基板上形成TFT阵列图案。这些图案包括：数据线、栅线、TFT，或像素电极。在TFT阵列基板中，数据线和栅线在下部玻璃基板的上部表面上相互交叉，并且TFT形成于他们的交叉点处。将像素电极形成于下部玻璃基板的上部表面上的数据线和栅线之间的单元区域中。TFT响应于来自栅线的扫描信号来转换栅线和像素电极之间的数据传输路径，从而驱动像素电极。

显然，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，本领域的普通技术人员可以对本发明做出各种改进和变型。因此，本发明意图覆盖所有落入所附权利要求及其等效物的范围之内的改进和变型。

Claims (20)

1.一种用于制造薄膜图案的设备，所述设备包括：

涂覆设备，用于在薄膜形成于其上的基板上涂上蚀刻抗蚀剂溶液；

具有至少一个凹面和至少一个凸面的软模具，对蚀刻抗蚀剂溶液加压以形成具有对应于所述凹面的形状的蚀刻抗蚀剂图案；以及

硬化设备，用于硬化所述蚀刻抗蚀剂溶液；

其中提供的所述软模具的所述凸面在所述凸面的末端具有狭窄区域。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述狭窄的区域包括：第一平面，其为所述凸面的末端；第二平面，其与所述第一平面平行并宽于所述第一平面；以及至少一个倾斜平面，其连接所述第一平面和所述第二平面。

3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述狭窄区域包括：第一平面，其为所述凸面的末端；第二平面，其与所述第一平面平行并宽于所述第一平面；以及至少一个弯曲平面，其连接所述第一平面和所述第二平面。

4.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述蚀刻抗蚀剂图案具有下部线宽度，其取决于由所述倾斜平面和所述狭窄区域的所述第一平面中的一个限定的倾斜角。

5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述狭窄区域的所述倾斜角取决于从所述软模具向所述蚀刻抗蚀剂溶液施加的压力。

6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，当所述软模具向所述蚀刻抗蚀剂溶液施加的压力增加时，所述狭窄区域将缩小，而且，当去除所述压力时，所述狭窄区域将恢复所述狭窄区域的原始形状。

7.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，形成所述软模具围绕辊式印花滚筒。

8.一种制造薄膜图案的方法，所述方法包括：

在其上形成有薄膜层的基板上涂上蚀刻抗蚀剂溶液；以及

应用具有至少一个凹面和至少一个凸面的软模具对所述蚀刻抗蚀剂溶液加压以形成具有对应于所述凹面和所述凸面的形状的蚀刻抗蚀剂图案，其中形成所述蚀刻抗蚀剂图案包括：在所述蚀刻抗蚀剂溶液上施加压力以根据在所述凸面末端的狭窄区域的收缩程度来控制所述蚀刻抗蚀剂图案的下部线宽度；

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述狭窄区域包括：第一平面，其为所述凸面的末端；第二平面，其与所述第一平面平行并宽于所述第一平面；以及倾斜平面，其连接所述第一平面和所述第二平面。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述狭窄区域包括：第一平面，其为所述凸面的末端；第二平面，其与所述第一平面平行并宽于所述第一平面；以及至少一个弯曲平面，其连接所述第一平面和所述第二平面。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述蚀刻抗蚀剂图案具有下部线宽度，其取决于由所述倾斜平面和所述狭窄区域的第一平面限定的倾斜角。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述狭窄区域的所述倾斜角取决于所述软模具对所述蚀刻抗蚀剂溶液施加的压力。

13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，当所述软模具向所述蚀刻抗蚀剂溶液施加的压力增加时，所述狭窄区域将缩小，并且当去除所述压力时，所述狭窄区域将恢复它的原始形状。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述软模具围绕辊式印花滚筒。

15.通过一种方法制作LCD器件，所述方法包括：

形成具有薄膜图案的TFT阵列基板，所述薄膜图案包括：TFT、栅线或数据线，其中所述薄膜图案的所述制造方法包括：

在所述TFT阵列基板上形成薄膜层；

在所述薄膜层上涂上蚀刻抗蚀剂溶液；

应用具有至少一个凹面和至少一个凸面的软模具对所述蚀刻抗蚀剂溶液加压以形成具有对应所述凹面和所述凸面的形状的蚀刻抗蚀剂图案，其中所述蚀刻抗蚀剂图案的形成包括：在所述蚀刻抗蚀剂溶液上施加压力以根据在所述凸面的末端的狭窄区域的收缩程度来控制所述蚀刻抗蚀剂图案的下部线宽度；

蚀刻在对应所述凸面的位置的所述薄膜层；以及

去除所述蚀刻抗蚀剂图案。

16.根据权利要求15所述的LCD器件，其特征在于，所述狭窄区域包括第一平面，其为所述凸面的末端；第二平面，其与所述第一平面平行并宽于所述第一平面；以及至少一个倾斜平面，其连接所述第一平面和所述第二平面。

17.根据权利要求15所述的LCD器件，其特征在于，所述狭窄区域包括第一平面，其为所述凸面的末端；第二平面，其与所述第一平面平行并宽于所述第一平面；以及至少一个弯曲平面，其连接所述第一平面和所述第二平面。

18.由一种设备制造具有薄膜图案的LCD器件，其特征在于，所述设备包括：

涂覆设备，用于在薄膜形成于其上的基板上涂上蚀刻抗蚀剂溶液；

具有至少一个凹面和至少一个凸面的软模具，对蚀刻抗蚀剂溶液加压以形成具有对应于所述凹面的形状的蚀刻抗蚀剂图案；以及

硬化设备，用于硬化所述蚀刻抗蚀剂溶液；

其中提供的所述软模具的所述凸面在所述凸面的末端具有狭窄区域。

19.根据权利要求18所述的LCD器件，其特征在于，所述狭窄区域包括：第一平面，其为所述凸面的末端；第二平面，其与所述第一平面平行并宽于所述第一平面；以及至少一个倾斜平面，其连接所述第一平面和所述第二平面。

20.根据权利要求18所述的LCD器件，其特征在于，所述狭窄区域包括：第一平面，其为所述凸面的末端；第二平面，其与所述第一平面平行并宽于所述第一平面；以及至少一个弯曲平面，其连接所述第一平面和所述第二平面。

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