CN101211800A - 防止水汽和可动离子进入内部电路的方法及相应压焊窗口 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种于集成电路制造工艺中防止水汽和可动离子进入内部电路的方法和相应压焊窗口。该方法包括：在打开压焊窗口以后，淀积一钝化层；保留该压焊窗口侧壁上的钝化层，去除其余钝化层，而于压焊窗口侧壁形成钝化边墙。在此钝化边墙的保护下，水汽和可动离子很难进入内部电路而对其产生侵蚀，从而减少了外部环境对内部电路的侵蚀以及对器件参数漂移的影响。

Description

防止水汽和可动离子进入内部电路的方法及相应压焊窗口
技术领域
本发明涉及一种集成电路工艺方法以及压焊窗口，特别是涉及一种于集成电路制造工艺中防止水汽和可动离子进入内部电路的方法及相应压焊窗口。
背景技术
在实际的使用中，集成电路比较容易受到外部环境的影响，而产生破坏的主要模式有水汽和可动离子对内部电路的渗透。单独的水汽并不能腐蚀铝线，但一旦有离子在水中，就可能形成具腐蚀性的溶液，特别是含磷硅玻璃的介质层中的磷与水汽反应形成磷酸，而磷酸会对金属连线造成严重的侵蚀。而可动离子的渗透主要导致器件参数的变化，特别是对场效应晶体管的阈值电压的影响最大。
请参考图1，其为传统的集成电路的压焊窗口的示意图。在传统的集成电路制造工艺中，常常利用最后的钝化层10来保护内部电路，钝化层10一般使用氮化硅或氮氧化硅，因为它们对水汽和可动离子有较好的阻挡作用。但后续需要通过刻蚀打开压焊窗口14，因此压焊窗口14的侧壁容易受到水汽和可动离子的渗透，特别是为了减小氮化硅或氮氧化硅对下层金属的应力，常常利用二氧化硅作为氮化硅或氮氧化硅层之下的衬垫层12，而水汽和可动离子更容易通过二氧化硅进入内部电路(如图中箭头所示)，而对内部电路产生侵蚀。
为此如何保护压焊窗口，减少水汽和可动离子的渗透量，已成为业界的一大问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种于集成电路制造工艺中防止水汽和可动离子通过压焊窗口进入内部电路的方法，以解决传统工艺中水汽和可动离子的渗透对内部电路侵蚀的问题。
本发明的另一目的在于提供一种压焊窗口，其在集成电路制造工艺中可防止水汽和可动离子进入而侵蚀内部电路。
为此，本发明提供一种于集成电路制造工艺中防止水汽和可动离子通过压焊窗口进入内部电路的方法，包括以下步骤：在打开一压焊窗口以后，淀积一钝化层；保留压焊窗口侧壁上的钝化层，去除其余钝化层，而于压焊窗口侧壁形成一钝化边墙。
进一步的，上述钝化层为一氮化硅层。
进一步的，上述淀积的钝化层的厚度为100埃到10000埃。
进一步的，在形成上述钝化边墙的过程中，是通过各向异性的干法刻蚀对钝化层进行反刻，而去除上述其余钝化层。
进一步的，淀积上述钝化层是采用全片淀积的方式。
本发明另提供一种压焊窗口，可以防止水汽和可动离子在集成电路制造工艺中进入内部电路，该压焊窗口包括：一钝化边墙，形成于该压焊窗口的侧壁。
进一步的，上述钝化边墙的厚度为100埃到10000埃。
进一步的，上述钝化边墙是通过各向异性的干法刻蚀对一钝化层进行反刻而形成的。
进一步的，上述钝化层是在打开压焊窗口之后以全片淀积的方式淀积于压焊窗口。
综上所述，本发明利用钝化层反刻而于压焊窗口的侧壁上形成边墙，从而防止水汽和可动离子通过压焊窗口进入内部电路而对其产生侵蚀。
附图说明
图1为传统的集成电路的压焊窗口；
图2为本发明一实施例中淀积有一钝化层的压焊窗口示意图；
图3为本发明一实施例中形成的带有钝化边墙的压焊窗口的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。
请参考图2，其为本发明一实施例中淀积有一钝化层的压焊窗口示意图。为防止水汽和可动离子在传统集成电路的压焊窗口14侧壁进入内部电路，本发明一实施例于传统压焊窗口14上淀积一钝化层16。继续参考图3，其为本发明一实施例中形成的带有钝化边墙的压焊窗口的示意图。而后，保留压焊窗口14侧壁上的钝化层16，去除其余钝化层16，而于压焊窗口侧壁上形成钝化边墙18，从而在钝化边墙18的保护下，水汽和可动离子很难进入内部电路而对其产生侵蚀，从而减少了外部环境对内部电路的侵蚀和对器件参数漂移的影响。
以上钝化层16可以是对水汽和可动离子有较好的阻挡作用的氮化硅层，其厚度一般为100埃到10000埃。另外钝化层16可以通过化学汽相淀积而成，如图2所示，其为全片淀积的方式。淀积以后，可以通过各向异性的干法刻蚀对钝化层16进行反刻，而去除除压焊窗口14侧壁上以外的钝化层16，而形成带有钝化边墙18的压焊窗口14’。
从而本发明一实施例还提供一种压焊窗口14’，可以防止水汽和可动离子在集成电路制造工艺中进入内部电路，其包括钝化边墙18，形成于压焊窗口14’的侧壁上。如上所述，上述钝化边墙18是通过各向异性的干法刻蚀对一钝化层进行反刻而形成的，而此钝化层是以全片淀积的方式淀积而成。此钝化边墙18，也就是说钝化层的材质可以是氮化硅，厚度一般为100埃到10000埃。
以上仅为举例，并非用以限定本发明，本发明的保护范围应当以权利要求书所涵盖的范围为准。

Claims (10)

1.一种于集成电路制造工艺中防止水汽和可动离子通过压焊窗口进入内部电路的方法，其特征是，包括：
在打开一压焊窗口以后，淀积一钝化层；
保留压焊窗口侧壁上的钝化层，去除其余钝化层，而于压焊窗口侧壁形成一钝化边墙。
2.根据权利要求1所述的于集成电路制造工艺中防止水汽和可动离子通过压焊窗口进入内部电路的方法，其特征是，其中上述钝化层为一氮化硅层。
3.根据权利要求1所述的于集成电路制造工艺中防止水汽和可动离子通过压焊窗口进入内部电路的方法，其特征是，其中上述淀积的钝化层的厚度为100埃到10000埃。
4.根据权利要求1所述的于集成电路制造工艺中防止水汽和可动离子通过压焊窗口进入内部电路的方法，其特征是，其中在形成上述钝化边墙的过程中，是通过各向异性的干法刻蚀对钝化层进行反刻，而去除上述其余钝化层。
5.根据权利要求1所述的于集成电路制造工艺中防止水汽和可动离子通过压焊窗口进入内部电路的方法，其特征是，其中淀积上述钝化层是采用全片淀积的方式。
6.一种压焊窗口，可以防止水汽和可动离子在集成电路制造工艺中进入内部电路，其特征是，包括：
一钝化边墙，形成于该压焊窗口的侧壁。
7.根据权利要求6所述的压焊窗口，其特征是，其中上述钝化边墙为一氮化硅边墙。
8.根据权利要求6所述的压焊窗口，其特征是，其中上述钝化边墙的厚度为100埃到10000埃。
9.根据权利要求6所述的压焊窗口，其特征是，其中上述钝化边墙是通过各向异性的干法刻蚀对一钝化层进行反刻而形成的。
10.根据权利要求9所述的压焊窗口，其特征是，其中上述钝化层是在打开压焊窗口之后以全片淀积的方式淀积于压焊窗口。
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