CN101210315A - 用于化学气相沉积装置的保温器 - Google Patents

用于化学气相沉积装置的保温器 Download PDF

Info

Publication number
CN101210315A
CN101210315A CNA2006101488107A CN200610148810A CN101210315A CN 101210315 A CN101210315 A CN 101210315A CN A2006101488107 A CNA2006101488107 A CN A2006101488107A CN 200610148810 A CN200610148810 A CN 200610148810A CN 101210315 A CN101210315 A CN 101210315A
Authority
CN
China
Prior art keywords
insulation sheet
locator protrusions
warmer
vapor deposition
chemical vapor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006101488107A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101210315B (zh
Inventor
任瑞龙
何华忠
俞小丰
刘培芳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN2006101488107A priority Critical patent/CN101210315B/zh
Publication of CN101210315A publication Critical patent/CN101210315A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101210315B publication Critical patent/CN101210315B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一种用于化学气相沉积装置的保温器,所述保温器包括保温片和连接柱,所述保温片包括第一保温片、第二保温片......以及第n保温片,所述n为自然数,所述第一保温片、第二保温片......第n保温片呈相同的规则形状,依次沿垂直于保温片的中心轴向排列,相邻保温片之间具有一定间隔,并且相邻保温片通过连接柱相连接,围绕第一保温片边缘设置有定位突起。本发明还提供另一种保温器结构,在第一保温片上通过定位突起定位放置有碳化硅片。本发明通过把碳化硅片固定与第一保温片上,由于碳化硅片与薄膜的结合力较强,累积厚度达到12.5μm也不容易脱落,不会对晶圆造成污染,同时把累计沉积薄膜的厚度延长至12.5μm,简化了工艺。

Description

用于化学气相沉积装置的保温器
技术领域
本发明涉及沉积装置,尤其涉及一种用于化学气相沉积装置的保温器。
背景技术
化学气相沉积(CVD)装置以其可制造薄膜均匀,覆盖性好特点成为半导体器件制造工艺中的常用制膜技术之一。申请号为01141183的中国专利申请给出了采用CVD装置的制膜技术,但是未公开CVD装置的真空腔内部结构。在化学气相沉积装置的真空腔是化学气相沉积装置的最为重要的部分,晶圆放置于真空腔中进行沉积薄膜,在真空腔中还设置有保温器,用于对真空腔进行保温。
参照附图1A给出现有技术的化学气相沉积装置的真空腔的结构示意图,真空腔由包括外部真空腔101及内部真空腔102组成。内部真空腔102下部设置有保温器103和设置于真空腔上部的晶舟104,所述晶舟104中放置有晶圆105。图1B给出保温器103的具体结构,由图1B可知,保温器103包括保温片和连接柱100,所述保温片包括第一保温片1、第二保温片2......以及第n保温片n,所述n为自然数,所述第一保温片1为顶端保温片,所述第一保温片1、第二保温片2......第n保温片n沿垂直于保温片表面方向堆叠排列,相邻保温片之间具有间隔,并且相邻保温片通过连接柱100相连接。
在现有技术中,由于石英的传热系数较小,不容易散热,因此所述保温片、连接柱100均为石英。所述保温器103与放置晶圆105的晶舟104相通,在沉积薄膜比如多晶硅的时候,薄膜在沉积到晶圆105上的同时也沉积至保温器的保温片上,尤其是距离晶舟104距离最近的第一保温片1上,当第一保温片1上薄膜厚度累积至一定厚度比如3微米以上时,由于保温片为石英,石英与薄膜的结合力较差,容易脱落,在对真空腔进行抽气或者放气的时候,由于气流会使得第一保温片1上的薄膜落在晶圆105表面造成污染。因此,需要经常把保温器由真空腔取出,进行清洗,增加了工艺复杂度。
发明内容
本发明解决的问题是现有技术的化学气相沉积装置中的保温器放置于真空腔中,与放置晶圆的晶舟相通,在晶圆上沉积薄膜时候在保温器的保温片上尤其是位于最上端的第一保温片上也沉积有薄膜,当第一保温片上薄膜厚度累积至一定厚度比如3微米以上时容易脱落,在对真空腔进行抽气或者放气的时候,由于气流使得第一保温片上的薄膜落在晶圆表面造成污染。
为解决上述问题,本发明提供一种用于化学气相沉积装置的保温器,所述保温器包括保温片和连接柱,所述保温片包括第一保温片、第二保温片......以及第n保温片,所述n为自然数,所述第一保温片为顶端保温片,所述第一保温片、第二保温片......第n保温片沿垂直于保温片表面方向堆叠排列,相邻保温片之间具有间隔,并且相邻保温片通过连接柱相连接,围绕第一保温片边缘设置有定位突起。
所述围绕第一保温片边缘的定位突起呈连续的环状,所述定位突起沿第一保温片径向宽度范围为1至4mm,所述定位突起的高度为2至10mm。
所述围绕第一保温片边缘的定位突起呈分立的均匀分布的环状,所述分立的定位突起呈四方体形或者山脊形,所述定位突起沿第一保温片径向宽度为1至4mm,所述定位突起的高度为2至10mm。
所述保温片、连接柱及定位突起均为石英。
所述相邻保温片之间的间隔为10至50mm。
本发明还提供一种用于化学气相沉积装置的保温器,所述保温器包括保温片和连接柱,所述保温片包括第一保温片、第二保温片......以及第n保温片,所述n为自然数,所述第一保温片为顶端保温片,所述第一保温片、第二保温片......第n保温片沿垂直于保温片表面方向堆叠排列,相邻保温片之间具有间隔,并且相邻保温片通过连接柱相连接,围绕第一保温片边缘设置有定位突起,所述第一保温片上放置有碳化硅片且通过定位突起定位。
所述围绕第一保温片边缘的定位突起呈连续的环状,所述定位突起沿第一保温片径向宽度为1至4mm,所述定位突起的高度为2至10mm。
所述围绕第一保温片边缘的定位突起呈分立的均匀分布的环状,所述分立的定位突起呈四方体形或者山脊形,所述定位突起沿第一保温片径向厚度为1至4mm,所述定位突起的高度为2至10mm。
所述保温片、连接柱及定位突起均为石英。
所述相邻保温片之间的间隔为10至50mm。
所述碳化硅片厚度与定位突起相同,所述定位突起以及碳化硅片沿第一保温片径向宽度之和与第一保温片直径相同。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:本发明在保温器的围绕第一保温片的边缘设置定位突起,使得第一保温片上能够放置定位与沉积的薄膜具有较好附着力的材料,沉积薄膜的时候薄膜沉积在具有较好附着力的材料表面,薄膜不容易脱落,当薄膜累积至一定厚度比如大于4μm时候,把具有较好附着力材料进行清洗再放置在第一保温片上,操作简单,同时防止了污染晶圆。
本发明在保温器的围绕第一保温片的边缘设置定位突起,使得第一保温片上能够放置定位与碳化硅片,沉积薄膜的时候薄膜沉积在碳化硅片表面,薄膜不容易脱落,当薄膜累积至一定厚度比如大于12.5μm时候,把碳化硅片进行清洗再放置在第一保温片上,操作简单,同时防止了污染晶圆。
附图说明
图1A是现有技术的化学气相沉积装置真空腔示意图;
图1B是现有技术的用于化学气相沉积装置的保温器的结构示意图;
图2A是本发明的用于化学气相沉积装置的保温器的结构示意图;
图2B至2C是本发明的用于化学气相沉积装置的保温器的保温片的俯视图;
图3是本发明的用于化学气相沉积装置的另一保温器的结构示意图;
图4A是本发明的第一保温片上设置定位突起和石英片之前后晶圆表面的大于0.2μm颗粒数随沉积日期的分布以及可以累积沉积薄膜的厚度随日期的分布;
图4B是本发明的第一保温片上设置定位突起和石英片之前后晶圆表面的大于1μm的大颗粒数随沉积日期的分布以及可以累积沉积薄膜的厚度随日期的分布。
具体实施方式
本发明的实质是在化学气相沉积装置中的保温器的第一保温片边缘设置定位突起,用于固定放置于第一保温片上的与待沉积的薄膜具有较好附着力的材料片,在沉积薄膜的时候,薄膜沉积在晶圆表面的同时也沉积在与待沉积的薄膜具有较好附着力的材料片的表面,当累积至12.5μm时,由于材料片与薄膜的附着力较好,不会脱落对晶圆造成污染。
本发明首先给出一种用于化学气相沉积装置的保温器,所述保温器包括保温片和连接柱,所述保温片包括第一保温片、第二保温片......以及第n保温片,所述n为自然数,所述第一保温片为顶端保温片,所述第一保温片、第二保温片......第n保温片沿垂直于保温片表面方向堆叠排列,相邻保温片之间具有间隔,并且相邻保温片通过连接柱相连接,围绕第一保温片边缘设置有定位突起。
参照图2A,是本发明的用于化学气相沉积装置的保温器200的结构示意图。所述保温器200包括保温片和连接柱100。所述保温片包括第一保温片1、第二保温片2......以及第n保温片n,所述n为自然数,所述第一保温片1为顶端保温片,在本实施例中,所述n为12。所述第一保温片1、第二保温片2......第12保温片12呈相同的规则形状,比如所有的保温片呈圆形或者规则的多边形,本实施例以圆形图示。所述第一保温片1、第二保温片2......第12保温片12沿垂直于保温片表面方向堆叠排列,相邻保温片之间具有间隔,所述相邻保温片之间的间隔为10至50mm,并且相邻保温片通过连接柱100相连接。围绕第一保温片1边缘设置有定位突起1a,所述定位突起1a用于定位放置于第一保温片上的具有较好附着力的材料。
所述围绕第一保温片1边缘的定位突起1a呈连续的环状,如图2B所示,所述定位突起1a沿第一保温片1径向宽度范围为1至4mm,所述定位突起1a的高度为2至10mm。
所述围绕第一保温片边缘的定位突起也可以呈分立均匀分布的环状,如图2C所示,所述每个分立的定位突起1a呈四方体形或者山脊形,本实施例中为四方体形,所述分立的定位突起1a围绕第一保温片1边缘至少为两个,且这两个分立的定位突起1a在第一保温片的同一直径的两端。本发明以三个图示。所述定位突起1a沿第一保温片1径向宽度为1至4mm,所述定位突起1a的高度为2至10mm。
所有保温片的直径与放置于晶舟中的晶圆直径相应。由于石英的传热系数较小,不容易散热,因此所述保温片、连接柱100以及定位突起1a均为石英。
作为本发明的一个实施方式,所述用于化学气相沉积装置的保温器200的保温片的直径为200mm,所述第一保温片1上的定位突起1a为连续的环状,所述定位突起1a沿第一保温片1的径向宽度为2mm,所述定位突起1a的高度为5mm。
作为本发明的另一个实施方式,所述用于化学气相沉积装置的保温器200的保温片的直径为300mm,所述第一保温片1上的定位突起1a为分立的均匀分布的环状,所述每个分立的定位突起1a呈四方体形,所述分立的定位突起1a围绕第一保温片1边缘为3个。所述定位突起1a沿第一保温片1径向宽度为4mm,所述定位突起1a的高度为4mm。
本发明还提供一种用于化学气相沉积装置的保温器,所述保温器包括保温片和连接柱,所述保温片包括第一保温片、第二保温片......以及第n保温片,所述n为自然数,所述第一保温片为顶端保温片,所述第一保温片、第二保温片......第n保温片沿垂直于保温片表面方向堆叠排列,相邻保温片之间具有间隔,并且相邻保温片通过连接柱相连接,围绕第一保温片边缘设置有定位突起,所述第一保温片上放置有碳化硅片且通过定位突起定位。
参照图3,是本发明的用于化学气相沉积装置的另一种保温器300的结构示意图。所述保温器300包括保温片和连接柱100。所述保温片包括第一保温片1、第二保温片2......以及第n保温片n,所述n为自然数,所述第一保温片为顶端保温片,在本实施例中,所述n为12。所述第一保温片1、第二保温片2......第12保温片12呈相同的规则形状,比如所有的保温片呈圆形或者规则的多边形,本实施例以圆形图示。所述第一保温片1、第二保温片2......第12保温片12沿垂直于保温片表面方向堆叠排列,相邻保温片之间具有间隔,所述相邻保温片之间的间隔为10至50mm,并且相邻保温片通过连接柱100相连接。围绕第一保温片1边缘设置有定位突起1a,所述定位突起1a用于定位放置于第一保温片上的碳化硅片301。所述碳化硅片301高度与定位突起相同,所述定位突起1a以及碳化硅片301沿第一保温片1径向宽度之和与第一保温片1直径相同。
所述围绕第一保温片1边缘的定位突起1a可以呈连续的环状,如图2B所示,所述定位突起1a沿第一保温片1径向宽度范围为1至4mm,所述定位突起1a的高度为2至10mm。
所述围绕第一保温片边缘的定位突起也可以呈分立的均匀分布的环状,如图2C所示,所述每个分立的定位突起1a呈四方体形或者山脊形,本实施例中为四方体形,所述分立的定位突起1a围绕第一保温片1边缘至少为两个,本发明以三个图示。所述定位突起1a沿第一保温片1径向宽度为1至4mm,所述定位突起1a的高度为2至10mm。
所有保温片的直径与放置于晶舟中的晶圆直径相应。由于石英的传热系数较小,不容易散热,因此所述保温片、连接柱100以及定位突起1a均为石英。
作为本发明的一个实施方式,所述用于化学气相沉积装置的保温器200的保温片的直径为200mm,所述第一保温片1上的定位突起1a为连续的环状,所述定位突起1a沿第一保温片1的径向宽度为2mm,所述定位突起1a的高度为5mm,所述放置于第一保温片1上的采用定位突起1a定位的碳化硅片301的高度与定位突起1a的高度相同,均为5mm,所述碳化硅片301沿第一保温片1的径向宽度为196mm。
作为本发明的另一个实施方式,所述用于化学气相沉积装置的保温器200的保温片的直径为300mm,所述第一保温片1上的定位突起1a为分立的环状,所述每个分立的定位突起1a呈四方体形,所述分立的定位突起1a围绕第一保温片1边缘为3个。所述定位突起1a沿第一保温片1径向宽度为3mm,所述定位突起1a的高度为7mm,所述放置于第一保温片1上的采用定位突起1a定位的碳化硅片301的高度与定位突起1a的高度相同,均为7mm,所述碳化硅片301沿第一保温片1的径向宽度为294mm。
图4A给出在保温器的第一保温片上设置定位突起和石英片之前后晶圆表面的大于0.2μm颗粒数随沉积日期的分布以及可以累积沉积薄膜的厚度随日期的分布。图4A中的曲线A表示直径大于0.2μm的颗粒数(日期-颗粒数坐标),图4A中的曲线B表示薄膜的厚度(日期-厚度坐标)。图4A中的位于10-18日期处的虚线为采用本发明的技术即在保温器的第一保温片上设置定位突起和石英片之前后的分隔线。由图4A中可以看出,在10-18日期后,即在第一保温片上设置定位突起和石英片后晶圆表面的大于0.2μm的颗粒明显减少。同时可以看出,在第一保温片上设置定位突起和石英片之前第一保温片上累积的薄膜厚度为小于4μm,采用本发明在第一保温片上设置定位突起和石英片之后,第一保温片上的石英片上的薄膜的累积厚度可达12.5μm也不会开裂对晶圆表面造成污染。
图4B给出在保温器的第一保温片上设置定位突起和石英片之前后晶圆表面的大于1μm的大颗粒数随沉积日期的分布以及可以累积沉积薄膜的厚度随日期的分布。图4B中的曲线A表示直径大于1μm的颗粒数(日期-颗粒数坐标),图4B中的曲线B表示累积沉积的薄膜的厚度(日期-厚度坐标)。图4B中的位于10-18日期处的虚线为采用本发明的技术即在保温器的第一保温片上设置定位突起和石英片之前后的分隔线。由图4B中可以看出,在10-18日期后,即在第一保温片上设置定位突起和石英片后晶圆表面的大于1μm的颗粒明显减少。同时可以看出,在第一保温片上设置定位突起和石英片之前第一保温片上累积的薄膜厚度为小于4μm,采用本发明在第一保温片上设置定位突起和石英片之后,第一保温片上的石英片上的薄膜的累积厚度可达12.5μm也不会开裂对晶圆表面造成污染。
虽然本发明己以较佳实施例披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (11)

1.一种用于化学气相沉积装置的保温器,所述保温器包括保温片和连接柱,所述保温片包括第一保温片、第二保温片......以及第n保温片,所述n为自然数,所述第一保温片为顶端保温片,所述第一保温片、第二保温片......第n保温片沿垂直于保温片表面方向堆叠排列,相邻保温片之间具有间隔,并且相邻保温片通过连接柱相连接,其特征在于,围绕第一保温片边缘设置有定位突起。
2.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积装置的保温器,其特征在于:所述围绕第一保温片边缘的定位突起呈连续的环状,所述定位突起沿第一保温片径向宽度范围为1至4mm,所述定位突起的高度为2至10mm。
3.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积装置的保温器,其特征在于:所述围绕第一保温片边缘的定位突起呈分立的均匀分布的环状,所述分立的定位突起呈四方体形或者山脊形,所述定位突起沿第一保温片径向宽度为1至4mm,所述定位突起的高度为2至10mm。
4.根据权利要求1至3任一项所述的用于化学气相沉积装置的保温器,其特征在于:所述保温片、连接柱及定位突起均为石英。
5.根据权利要求4所述的用于化学气相沉积装置的保温器,其特征在于:所述相邻保温片之间的间隔为10至50mm。
6.一种用于化学气相沉积装置的保温器,所述保温器包括保温片和连接柱,所述保温片包括第一保温片、第二保温片......以及第n保温片,所述n为自然数,所述第一保温片为顶端保温片,所述第一保温片、第二保温片......第n保温片沿垂直于保温片表面方向堆叠排列,相邻保温片之间具有间隔,并且相邻保温片通过连接柱相连接,其特征在于,围绕第一保温片边缘设置有定位突起,所述第一保温片上放置有碳化硅片且通过定位突起定位。
7.根据权利要求6所述的用于化学气相沉积装置的保温器,其特征在于:所述围绕第一保温片边缘的定位突起呈连续的环状,所述定位突起沿第一保温片径向宽度为1至4mm,所述定位突起的高度为2至10mm。
8.根据权利要求6所述的用于化学气相沉积装置的保温器,其特征在于:所述围绕第一保温片边缘的定位突起呈分立的均匀分布的环状,所述分立的定位突起呈四方体形或者山脊形,所述定位突起沿第一保温片径向厚度为1至4mm,所述定位突起的高度为2至10mm。
9.根据权利要求6至8任一项所述的用于化学气相沉积装置的保温器,其特征在于:所述保温片、连接柱及定位突起均为石英。
10.根据权利要求9所述的用于化学气相沉积装置的保温器,其特征在于:所述相邻保温片之间的间隔为10至50mm。
11.根据权利要求10所述的用于化学气相沉积装置的保温器,其特征在于:所述碳化硅片厚度与定位突起相同,所述定位突起以及碳化硅片沿第一保温片径向宽度之和与第一保温片直径相同。
CN2006101488107A 2006-12-28 2006-12-28 用于化学气相沉积装置的保温器 Active CN101210315B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2006101488107A CN101210315B (zh) 2006-12-28 2006-12-28 用于化学气相沉积装置的保温器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2006101488107A CN101210315B (zh) 2006-12-28 2006-12-28 用于化学气相沉积装置的保温器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101210315A true CN101210315A (zh) 2008-07-02
CN101210315B CN101210315B (zh) 2010-06-23

Family

ID=39610566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006101488107A Active CN101210315B (zh) 2006-12-28 2006-12-28 用于化学气相沉积装置的保温器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101210315B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102828169A (zh) * 2011-06-13 2012-12-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种载片托盘、托盘装置和结晶膜生长设备

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2289162Y (zh) * 1996-09-23 1998-08-26 陶水泉 窗式空调自动吸风换气保温器
CN1410589A (zh) * 2001-09-28 2003-04-16 田中贵金属工业株式会社 化学汽相淀积法制膜技术及制膜设备
CN2661702Y (zh) * 2003-11-24 2004-12-08 西安航天复合材料研究所 制造飞机炭刹车盘的外热梯度气相沉积炉

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102828169A (zh) * 2011-06-13 2012-12-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种载片托盘、托盘装置和结晶膜生长设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN101210315B (zh) 2010-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9984912B2 (en) Locally heated multi-zone substrate support
US7791190B2 (en) Substrate with crystal silicon array
CN101546724B (zh) 静电卡盘及其制造方法
TWI621200B (zh) 用以處理基板之方法
CN102067302B (zh) 静电夹头
EP0794566A1 (en) Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
US5825607A (en) Insulated wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
CN1682360B (zh) 热处理装置、半导体装置的制造方法及衬底的制造方法
JP6656153B2 (ja) より小さいウエハおよびウエハ片向けのウエハキャリア
CN102782827A (zh) 用于薄晶片的可移动静电载具
EP1959488A1 (en) Electrode sheet for electrostatic chuck, and electrostatic chuck
WO1998056102A1 (en) Electrostatic support assembly having an integral ion focus ring
KR20150053775A (ko) 얇은 기판들을 위한 포터블 정전 척 캐리어
CN1890783A (zh) 具有流体间隙的衬底保持器和制造衬底保持器的方法
TW403990B (en) Stand-off pad for supporting a wafer on a substrate support chuck and method of fabricating same
WO2015013142A1 (en) An electrostatic chuck for high temperature process applications
TWI552205B (zh) 用以形成薄層體之方法與裝置
WO2018038889A1 (en) Bipolar electrostatic chuck and method for using the same
CN101210315B (zh) 用于化学气相沉积装置的保温器
CN113490762A (zh) 沉积掩模、及制造和使用沉积掩模的方法
US11676849B2 (en) Substrate carrier
JP2019533309A (ja) 熱接触が制御された加熱装置
EP3772089B1 (en) Substrate handling device for a wafer
CN118696406A (zh) 具有电荷消散结构的静电卡盘
JP2005286091A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (BEIJING

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20111117

Address after: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18

Co-patentee after: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation

Patentee after: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation

Address before: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18

Patentee before: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation