CN101202298A - 有机发光显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种减少外界的潮气和氧渗透的有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括：基底，包括多个TFT装置；显示区，形成在基底上。其中，显示区包括：基体层，包括电连接到TFT装置的第一电极并限定像素区；有机层，形成在基体层上；第二电极层，以完全覆盖基体层和有机层的结构形成。

Description

有机发光显示设备
本申请要求于2006年12月13日提交到韩国知识产权局的第10-2006-0127305号韩国专利申请的优先权，该申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开总地涉及一种有机发光显示设备，更具体地讲，涉及一种抵抗有机发射层因与杂质(例如，氧和潮气)的接触而劣化的有机发光显示设备。
背景技术
有机发光显示设备具有置于像素电极和相对电极之间的由有机物质形成的发射层。在有机发光显示设备的实施例中，当向电极施加正电压和负电压时，从像素电极注入的空穴经过空穴传输层移动到发射层中，从相对电极注入的电子经过电子传输层移动到发射层。电子和空穴结合，在发射层中形成激子。随着激子从激发态弛豫(relax)到基态，激子将能量传递给发射层中的磷光体分子，使得磷光体分子发光，从而形成图像。
由于有机发光显示设备的实施例响应时间快、视角宽且对比度极好，所以它们被认为是下一代的显示装置。然而，包括有机发射层的有机层会受潮气和氧的影响，因此，当潮气和/或氧渗透到发光单元的显示区中时，装置的寿命严重受损。
在普通的有机发光显示设备中，用金属盖(metal cap)或包封基底包封显示区的外围，并且用密封剂密封显示区的外围。此外，一些实施例在密封的空间内包括吸潮剂。然而，在许多情况下，这些方法没有充分地阻挡外界的氧或潮气。
发明内容
在此提供一种抵抗外界的潮气和氧渗透的有机发光显示设备。
一些实施例提供了一种有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括：基底，包括多个薄膜晶体管(TFT)装置；显示区，形成在基底上。其中，显示区包括：基体层，包括电连接到TFT装置的第一电极并限定像素区；有机层，形成在基体层上；第二电极层，以完全覆盖基体层和有机层的结构形成。
有机层可至少包括含有小分子有机物质的发射层。
有机层可以是空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一种。
基体层还可包括像素限定层，该像素限定层以预定的厚度形成在第一电极之间。
基体层还可包括哑像素区。
有机发光显示设备还可包括电极布线部分，所述电极布线部分在显示区的一侧电连接到第二电极层，可这样形成电极布线部分，使得第二电极层可覆盖电极布线部分。
有机发光显示设备还可包括在TFT装置和第一电极之间的平坦化膜。
第二电极层可由光可渗透材料形成。
有机发光显示设备还可包括向显示区发送各种信号的装置单元和向显示区供应电功率的电源单元，其中，装置单元和电源单元形成在基底上。
有机发光显示设备还可包括密封显示区的包封结构，包封结构形成在基底上。
可通过在显示区上交替地沉积有机层和无机层来形成包封结构。
其它实施例提供了一种有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括：基底，包括多个TFT装置；显示区，形成在基底上。其中，显示区包括：基体层，包括电连接到TFT装置的第一电极并限定像素区；有机层，形成在基体层上；第二电极层，延伸超过有机层的外围大于100μm。
有机层包括含有至少一种小分子有机物质的发射层。
有机层是空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一种。
基体层还可包括像素限定层，该像素限定层具有预定的厚度并形成在第一电极之间。
基体层还包括哑像素区。
有机发光显示设备还可包括电极布线部分，所述电极布线部分在显示区的一侧电连接到第二电极层，可这样形成电极布线部分，使得第二电极层可覆盖电极布线部分。
有机发光显示设备还可包括在TFT装置和第一电极之间的平坦化膜。
第二电极层可由光可渗透材料形成。
有机发光显示设备还可包括向显示区发送各种信号的装置单元和/或向显示区供应电功率的电源单元。
有机发光显示设备还可包括形成在基底上并密封显示区的包封结构。
可通过交替地沉积有机层和无机层来形成包封结构。
其它实施例提供了一种有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括：基底，包括多个薄膜晶体管(TFT)装置；显示区，形成在基底上，其中，显示区包括：基体层，包括多个像素限定层和电连接到TFT装置的多个第一电极；有机层，覆盖多个像素限定层和多个第一电极，其中，有机层包括有机发射层，有机发射层设置在第一电极上并在像素限定层之间；第二电极层，完全覆盖基体层和有机层的外围。
在一些实施例中，有机发射层包括至少一种小分子有机物质。在一些实施例中，有机层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一种。
在一些实施例中，基体层还包括哑像素区。
一些实施例还包括电极布线部分，所述电极布线部分设置在显示区的一侧并电连接到第二电极层，其中，第二电极层覆盖电极布线部分。
一些实施例还包括在TFT装置和第一电极之间的平坦化膜。
在一些实施例中，第二电极层包含透明材料。
一些实施例还包括被构造为向显示区发送信号的装置单元和向显示区供应电功率的电源单元，其中，装置单元和电源单元形成在基底上。
一些实施例还包括包封结构，包封结构设置在基底上并密封显示区。在一些实施例中，包封结构包括在显示区设置的交替的有机层和无机层。
其它实施例提供了一种有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括：基底，包括多个TFT装置；显示区，形成在基底上。其中，显示区包括：基体层，包括多个像素限定层和电连接到TFT装置的多个第一电极；有机层，覆盖多个像素限定层和多个第一电极，其中，有机层包括有机发射层，有机发射层设置在第一电极上并在像素限定层之间；第二电极层，覆盖有机层，并在有机层的外围的周围形成具有大于大约100μm的宽度的容限。
在一些实施例中，有机发射层包括至少一种小分子有机物质。在一些实施例中，有机层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一种。
在一些实施例中，基体层还包括哑像素区。
一些实施例还包括电极布线部分，所述电极布线部分设置在显示区的一侧并电连接到第二电极层，其中，第二电极层覆盖电极布线部分。
一些实施例还包括设置在TFT装置和第一电极之间的平坦化膜。
在一些实施例中，第二电极层包含透明材料。
一些实施例还包括被构造为向显示区发送信号的装置单元和向显示区供应电功率的电源单元中的至少一个。
一些实施例还包括包封结构，包封结构设置在基底上并密封显示区。在一些实施例中，包封结构包括在显示区设置的交替的有机层和无机层。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它特征及优点将变得更加清楚，在附图中：
图1是根据一个实施例的有机发光显示设备的示意性平面图；
图2是沿着剖面线II-II截取的图1中的设备的剖视图；
图3是图2中的局部(detail)III的放大图；
图4是根据另一实施例的有机发光显示设备的平面图；
图5是沿着剖面线V-V截取的图4中的设备的剖视图；
图6是根据对比例的有机发光显示设备的平面图；
图7是沿着剖面线VII-VII截取的图6中的设备的剖视图；
图8是根据又一实施例的有机发光显示设备的示意性平面图；
图9是根据又一实施例的有机发光显示设备的示意性平面图；
图10是根据又一实施例的有机发光显示设备的示意性平面图；
图11是沿着图10中的剖面线XI-XI截取的剖视图；
图12和图13是根据其它实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图来更充分地描述特定实施例，示例性实施例示出在附图中。
图1至图3示出了根据一个实施例的有机发光显示设备。图1是当前实施例的有机发光显示设备的示意性平面图。图2是沿着剖面线II-II截取的图1中的设备的剖视图，图3是图2中的局部III的放大剖视图。参照图1至图3，有机发光显示设备包括在基底100上的显示区200，显示区200包括基体层210、有机层220和第二电极层230，基底100包括多个薄膜晶体管(TFT)装置110(图2)，其中，第二电极层230完全覆盖基体层210和有机层220。
根据当前实施例的基底100可由包括玻璃、塑料(例如丙烯酸类塑料(acrylic))、金属等的各种材料形成。从图2清晰地看出，由SiO2等形成的缓冲层111形成在基底100上。缓冲层111防止来自基底100的潮气或杂质穿过缓冲层111扩散，和/或通过控制在结晶过程中的传热速度来促进半导体层121的结晶。
半导体层121可在缓冲层111上由非晶硅薄膜或多晶硅薄膜形成。半导体层121也可由有机半导体材料形成。虽然在图1至图3中未示出，但是按照需要，半导体层121可包括用N型或P型掺杂剂掺杂的源区和漏区及沟道区。
栅电极122设置在半导体层121的上方。源电极和漏电极根据施加到栅电极122的信号相互电连通。考虑到栅电极122与相邻层的紧密度、将要沉积的层的表面平坦度和可加工性，栅电极122由诸如MoW、Al/Cu等的材料形成。
栅极绝缘膜112作为半导体层121和栅电极122之间的绝缘体形成在半导体层121和栅电极122之间，例如通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)由SiO2等形成栅极绝缘膜112。利用SiO2、SiNx等在栅电极122上方形成单层或多层中间绝缘层113，使得源电极和漏电极123中的每个通过穿过栅极绝缘膜112和中间绝缘层113形成的接触孔124与半导体层121的源区和漏区接触。
平坦化膜114设置在源电极和漏电极123上，用于保护薄膜晶体管装置110并使薄膜晶体管装置110平坦化。此外，以各种形式存在的钝化层(在图1至图3中未示出)可设置在平坦化膜114和中间绝缘层113之间。
虽然在图2中只示出了连接到第一电极(像素电极)211的薄膜晶体管装置110，但是当前实施例的有机发光显示设备还可包括开关装置。此外，可按照所期望的包括诸如电容器等的各种装置，并且装置的数量不受限制。除此之外，图2中示出的薄膜晶体管装置110为顶部栅极型装置。然而，薄膜晶体管装置不限于此，在一些实施例中也可包括在半导体层121下方形成栅电极122的底部栅极型装置。
包括第一电极211并限定像素区的基体层210形成在平坦化膜114上。这里，“像素区”不但指包括发射层的像素本身，而且指使每个像素分开并限定每个像素的发射区的结构(例如，像素限定层212)。在当前实施例中，像素限定层212以预定的厚度形成在第一电极211之间。
第一电极211通过通孔125电连接到下方的源电极或漏电极123。第一电极211可以是透明型或反射型。透明型电极可由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、ZnO、In2O3等形成。在当前实施例中，使用反射阳极。在利用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及它们的合金和/或混合物形成反射膜之后，可在反射膜上利用ITO、IZO、ZnO、In2O3等形成反射阳极。
像素限定层(PDL)212以预定的厚度形成在第一电极211之间。除了限定发射区之外，PDL 212通过增大第二电极层230和第一电极211的边缘之间的距离来减小在第一电极211的边缘部分处的电场强度，而防止第一电极211和第二电极层230之间的短路。根据当前实施例的基体层210包括PDL212；然而，在其它实施例中，任何使每个像素分开并限定每个像素的发射区的结构可形成基体层210。
从图3清晰地看出，至少包括有机发射层223的有机层220形成在基体层210上。因为有机层220包括多个层，所以该有机层220也被称作“多层有机层220”。有机发射层223可包含小分子有机物质或聚合的有机物质。当有机发射层223包含聚合的有机物质时，有机层220包括空穴传输层和发射层。在一些实施例中，聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)用于空穴传输层，诸如聚苯撑乙烯撑(PPV，polyphenylenevinylene)和聚芴的聚合的有机物质用于发射层。
在包括小分子有机物质的实施例中，如图3中所示，可以通过沉积作为单层的或具有更复杂结构的空穴注入层(HIL)221、空穴传输层(HTL)222、有机发射层(EML)223、电子传输层(ETL)224、电子注入层(EIL)225等来形成有机层220。可用于沉积有机发射层的有机物质的示例包括铜酞菁(CuPc)、N，N′-二(1-萘基)-N，N′-二苯基-联苯胺(NPB，N，N′-di(naphthalene-1-y1)-N，N′-diphenyl-benzidine)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3，tris-8-hydroxyquinoline aluminum)等。
在一些实施例中，有机层220中的一些没有完全覆盖像素区，即，按期望选择性地只形成有机层220中的一些的特定部分。虽然未在图3中示出，但是还可在有机发射层223和电子传输层224之间设置空穴阻挡层(HBL)。同样，有机层220的一些实施例包括各种其它的有机层。另外，当第一电极211用作阴极且第二电极层230用作阳极时，有机层220的顺序按本领域技术人员应该理解的进行改变。
小分子有机层220通过利用掩模的真空沉积形成在基体层210上。在当前实施例中，通过利用精细掩模(fine mask)对用于每个像素的每个第一电极进行图案化来形成有机发射层223，没有对每个像素进行图案化而是通过开口掩模在基体层210上顺序沉积其它有机层221、222、224和225。
参照图1和图2，包括发射层的有机层220沉积在区域B上，该区域B与基体层210的区域A具有相同的面积或比区域A的面积稍微大些。通常这样设计用于沉积有机层221、222、224和225的开口掩模，使得沉积有有机层220的区域B覆盖沉积有基体层210的区域A。
图1和图2示出了有机层221、222、224和225理想地排列在基体层210上方的实施例；即，沉积有有机层220的区域B完全覆盖沉积有基体层210的区域A。此外，当第二电极层230沉积在完全覆盖区域B的区域C时，因为第二电极层230也完全覆盖有机层220，所以没有暴露有机层220的边缘。因此，外界的潮气和/或氧不能渗入有机层220中的有机层221、222、224和225的边缘处的空隙(interstice)之间。
然而，当沉积有机层220时，如上所述，存在有机层220没有理想地排列在基体层210上方的情形。图4和图5示出了有机层220没有理想地排列在基体层的上方但在第二电极层230的任一侧上也未暴露于外部的实施例。
用于沉积有机层221、222、224和225的开口掩模被设计为至少覆盖形成有基体层210的区域A。然而，由于在制造掩模的工艺中的制造公差或者在基底100上对齐掩模的过程中的对齐误差，导致有机层220没有理想地沉积在基体层210上。
图4和图5示出了存在用于沉积有机层221、222、224和225的掩模的左侧和右侧的制造公差或者用由于对齐误差造成误对齐到右侧的掩模沉积有机层220时的实施例。参照图4和图5，有机层220在基体层210上形成在右侧；然而，因为第二电极层230被形成在除了完全覆盖形成有有机层220的区域B之外，还完全覆盖形成有基体层210的区域A的区域C，所以有机层220在左侧没有暴露于外界环境。
在图6和图7示出的实施例中，与图4和图5一样，有机层220在基体层210上形成在右侧。即，形成有有机层220的区域B位于右侧，稍微延伸超过形成有基体层210的区域A。如果当沉积第二电极层230时，不用考虑用于沉积有机层220的掩模的制造公差或者在基体层210上对齐掩模时的对齐误差，则第二电极层230通常覆盖形成有基体层210的区域。在这种情况下，与图4和图5中示出的实施例不同的是，有机层220的右边缘没有被第二电极层230完全覆盖。因此，潮气和氧会经过有机层220的暴露的边缘之间的空隙到达有机发射层223，从而导致有机发射层223的劣化。
然而，在根据图1至图5中示出的实施例的有机发光显示设备中，第二电极层230既覆盖基体层210又覆盖有机层220。因此，可以在很大程度上防止由于有机层220暴露于外界环境造成的有机发射层223的劣化，因此，可延长有机发光显示设备的寿命。
第二电极层230可包括透明电极或反射电极。当第二电极层230包括透明电极时，具有低逸出功的金属例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及它们的合金和混合物薄薄地沉积在有机发射层的上方，利用适于透明电极的材料(例如ITO、IZO、ZnO、In2O3等)可在第二电极层230上形成辅助电极层或汇流电极线。当利用反射电极时，通过在整个表面上沉积例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的合金和/或混合物来形成第二电极层230。根据当前实施例的由光可渗透电极形成的第二电极层230用作有机发射层223的阴极并用作共电极。
上文描述了利用开口掩模形成除了有机发射层223之外的有机层的实施例。然而，本领域的技术人员应该理解，也能够利用精细掩模沉积用于每个像素的其它有机层中的一些或全部。有机发射层223通常形成在每个像素的中心部分上，换言之，有机发射层223形成在像素限定层212之间的第一电极211上，由于精细掩模的制造公差或掩模的对齐误差，导致形成有机发射层223的材料会稍微沉积在基体层210的每个像素的位置之外。即使在这种情况下，如果第二电极层230既覆盖基体层210又覆盖包括有机发射层223的有机层220，则可防止由于有机发射层223的暴露造成的劣化。
图8是根据另一实施例的有机发光显示设备的示意性平面图。参照图8，在区域A中形成的基体层210除了包括第一电极和像素区之外，还包括哑像素区214。有机层220在包括哑像素区214的基体层210上形成在区域B中，第二电极层230在有机层220上形成在区域C中。
当制造有机发光显示设备时，期望检查是否正确地形成了像素，或者期望测试每个像素的TFT的特征。对于这种测试，一些实施例利用哑像素的一个部分或多个部分。哑像素的部分可包括显示装置的用于发光的部分，或者包括控制显示装置的装置(例如TFT)。
根据当前实施例，有机层220形成在显示装置的包括哑像素区214的基体层210上，第二电极层230完全覆盖基体层210和有机层220。因此，在显示区的外围处形成用于测试显示装置的哑像素区214上形成的有机层220，因此，有机层220暴露于外部的危险性高。然而，根据当前实施例，用第二电极层230完全地覆盖有机层220，因此可防止外界潮气和氧渗透到有机层220。
在图8中，哑像素区214形成在显示区的一侧。然而，本领域的技术人员应该理解，在其它实施例中，哑像素区也可沿着显示区的外围形成在其它的一侧或多侧。
图9是根据又一实施例的有机发光显示设备的示意性平面图。参照图9，显示区包括全都形成在基底100上的基体层210、有机层220和第二电极层230。电极布线部分300电连接到第二电极层230，并形成在显示区的一侧。
电极布线部分300向作为共电极工作的第二电极层230提供电功率。根据当前实施例的第二电极层230覆盖电极布线部分300。绝缘层设置在第二电极层230和电极布线部分300之间，第二电极层230和电极布线部分300通过多个接触孔互连。
在包括电极布线部分300的有机发光显示设备中，在基体层210上形成的有机层220没有形成在电极布线部分300上；然而，第二电极层230形成在电极布线部分300上。因此，在有机层220沉积在显示区的左-右区域和/或顶部区域/底部区域的实施例中，非典型的情形是：第二电极层230没有覆盖有机层220的与电极布线部分300相邻的部分。然而，当有机层220沉积在显示区的没有形成电极布线部分300的那(些)侧时，有机层220不会完全覆盖基体层210。尽管如此，即使在这些情况下，根据当前实施例的第二电极层230也覆盖基体层210和有机层220，因此防止有机层220暴露于外界环境。
此外，根据当前实施例的有机发光显示设备可包括密封显示区的包封结构。在根据当前实施例的有机发光显示设备中，第二电极层完全包围有机层，因此在很大程度上防止了外界的氧和潮气渗入到有机层。然而，可通过进一步包括包封显示区的结构，更有效地阻挡外界的氧和潮气。包封结构的示例包括任何适合的包封结构，例如，具有密封剂的金属盖、具有密封剂的包封基底或者通过交替地沉积绝缘有机层和绝缘无机层形成的薄型包封结构。因此，可进一步包括利用各种物质和方法密封显示区的各种包封结构。
图10至图11示出了根据又一实施例的有机发光显示设备。图10是该有机发光显示设备的示意性平面图，图11是沿着图10中的剖面线XI-XI截取的示意性剖视图。图12至图13是根据其它实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图。
参照图10至图13，根据当前实施例的有机发光显示设备在包括多个TFT装置的基底400上包括显示区500，显示区500包括基体层510、有机层520和第二电极层530，其中，第二电极层530覆盖有机层520，并延伸超过有机层520的外围大于大约100μm的宽度D。在下文，描述根据当前实施例的有机发光显示设备和根据前面实施例的有机发光显示设备之间的一些不同之处。
首先，当前实施例的第二电极层530完全覆盖有机层520，但是会覆盖基体层510或不会覆盖基体层510。图10和图11示出了第二电极层530延伸超过有机层的外围宽度D既覆盖基体层510又覆盖有机层520的情形。另一方面，图12示出了第二电极层530覆盖有机层520并延伸超过有机层的外围宽度D，但是没有覆盖基体层510的左侧边缘的情形。在根据前面实施例的一些实施例的有机发光显示设备中，有机层220被设计为至少覆盖基体层210，因此，覆盖有机层220的第二电极层230还覆盖基体层210。相反，当前实施例包括有机层520没有完全覆盖基体层510的情形，并且包括形成在显示区外围上的像素限定层没有被有机层520覆盖的情形。
此外，在当前实施例中，在利用掩模沉积有机层520的过程中会出现大约100μm的误差，掩模的制造公差为大约50μm，在基底上对齐掩模的对齐误差为大约50μm。即，将在基底400上沉积有机层520的过程中在位置方面存在大约100μm的最大误差考虑在内。因此，由于第二电极层530的尺寸沿着有机层520的外围比有机层520的尺寸大大约100μm，所以第二电极层530完全覆盖有机层520。即，即使当有机层520沉积在位置之外时，第二电极层530也覆盖有机层520的各侧，延伸超过有机层520的外围大于大约100μm。
图10至图12示出了沉积有有机层520的区域小于沉积有基体层510的区域的情形。然而，本领域的技术人员应该理解，在一些实施例中，有机层520的区域比基体层510的区域大，或者与基体层510的区域一样大。参照图13，即使当由于制造公差或对齐误差导致有机层520形成在基体层510的右边缘时，通过形成第二电极层530来覆盖有机层520并且在有机层520的外围具有宽度D的余量(margin)，仍然可防止外界的氧或潮气到达有机层520。
虽然在上述实施例和附图中没有描述，但是根据一些实施例的有机发光显示设备除了包括显示区之外，还可包括形成在基底上的例如用于发送信号的装置单元、用于供应电功率的电源单元等。另外，本领域的普通技术人员应该理解，在有机发光显示设备中还可包括以各种形成存在的各种功能装置。
根据本发明实施例的有机发光显示设备提供的优点包括以下一点或多点。首先，不管用于沉积有机层的掩模的制造公差为何，通过用第二电极层覆盖有机层，可减少或防止由于外部的潮气和氧造成的发射层的劣化。其次，不管在对齐基底和用于沉积有机层的掩模时会出现的对齐误差为何，通过用第二电极层覆盖有机层，可防止由于外界的潮气和/或氧渗透造成的发射层的劣化。
尽管已经在此具体示出和描述了特定实施例，但是本领域的普通技术人员应该理解，在不脱离由权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，在此可进行各种形式和细节方面的改变。

Claims (20)

1.一种有机发光显示设备，包括：
基底，包括多个薄膜晶体管装置；
显示区，形成在基底上，
其中，显示区包括：
基体层，包括多个像素限定层和电连接到薄膜晶体管装置的多个第一电极；
有机层，覆盖多个像素限定层和多个第一电极，其中，有机层包括设置在第一电极上并设置在像素限定层之间的有机发射层；
第二电极层，完全覆盖基体层和有机层的外围。
2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，有机发射层包括至少一种小分子有机物质。
3.如权利要求2所述的有机发光显示设备，其中，有机层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一种。
4.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，基体层还包括哑像素区。
5.如权利要求1所述的有机发光显示设备，还包括电极布线部分，所述电极布线部分设置在显示区的一侧并电连接到第二电极层，其中，第二电极层覆盖电极布线部分。
6.如权利要求1所述的有机发光显示设备，还包括在薄膜晶体管装置和第一电极之间的平坦化膜。
7.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，第二电极层包含透明材料。
8.如权利要求1所述的有机发光显示设备，还包括被构造为向显示区发送信号的装置单元和向显示区供应电功率的电源单元，其中，装置单元和电源单元形成在基底上。
9.如权利要求1所述的有机发光显示设备，还包括设置在基底上并密封显示区的包封结构。
10.如权利要求9所述的有机发光显示设备，其中，包封结构包括在显示区设置的交替的有机层和无机层。
11.一种有机发光显示设备，包括：
基底，包括多个薄膜晶体管装置；
显示区，形成在基底上，
其中，显示区包括：
基体层，包括多个像素限定层和电连接到薄膜晶体管装置的多个第一电极；
有机层，覆盖多个像素限定层和多个第一电极，其中，有机层包括设置在第一电极上并设置在像素限定层之间的有机发射层；
第二电极层，覆盖有机层，并在有机层的外围的周围形成具有大于大约100μm的宽度的容限。
12.如权利要求11所述的有机发光显示设备，其中，有机发射层包含至少一种小分子有机物质。
13.如权利要求12所述的有机发光显示设备，其中，有机层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一种。
14.如权利要求11所述的有机发光显示设备，其中，基体层还包括哑像素区。
15.如权利要求11所述的有机发光显示设备，还包括电极布线部分，所述电极布线部分设置在显示区的一侧并电连接到第二电极层，其中，第二电极层覆盖电极布线部分。
16.如权利要求11所述的有机发光显示设备，还包括设置在薄膜晶体管装置和第一电极之间的平坦化膜。
17.如权利要求11所述的有机发光显示设备，其中，第二电极层包含透明材料。
18.如权利要求11所述的有机发光显示设备，还包括被构造为向显示区发送信号的装置单元和向显示区供应电功率的电源单元中的至少一个。
19.如权利要求11所述的有机发光显示设备，还包括设置在基底上并密封显示区的包封结构。
20.如权利要求19所述的有机发光显示设备，其中，包封结构包括在显示区设置的交替的有机层和无机层。
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