CN101178527A

CN101178527A - 半穿透式液晶显示面板及其像素结构

Info

Publication number: CN101178527A
Application number: CNA2007101996999A
Authority: CN
Inventors: 许时嘉; 陈映如; 林祥麟; 林敬桓
Original assignee: AU Optronics Corp
Current assignee: AU Optronics Corp
Priority date: 2007-12-17
Filing date: 2007-12-17
Publication date: 2008-05-14
Anticipated expiration: 2027-12-17
Also published as: CN100520550C

Abstract

本发明提供适用于半穿透式液晶显示面板的一种像素结构，其包括一基板、一数据线与一扫描线分别沿一第一方向与一第二方向而互相交错设置于基板上、一薄膜晶体管包括一延伸电极、一第一共通电极与一第二共通电极大体上沿着该第二方向设置、一穿透像素电极电性连接于薄膜晶体管、以及一反射像素电极。该反射像素电极与延伸电极耦合形成一第一耦合电容，并与第二共通电极耦合形成一第二耦合电容。第一共通电极和第二共通电极与数据线互相交错于一交错区域内而相重叠，且第一共通电极位于该第二共通电极与该数据线之间。

Description

半穿透式液晶显示面板及其像素结构

技术领域

本发明提供一种半穿透式液晶显示面板及其像素结构，尤指一种具有单间隙(single gap)的半穿透式液晶显示面板及其像素结构。

背景技术

依据照明光的来源不同，液晶显示面板可区分为穿透式、反射式以及半穿透半反射式(又称半穿透式)等三种液晶显示面板。穿透式液晶显示器通常具有一用来产生光线的背光源，且背光源所产生的光线会通过液晶显示面板而让使用者观看到液晶显示器的画面显示。反射式液晶显示器则设置有反射像素电极，当反射式液晶显示器显示画面时，环境光由使用者的观察面进入液晶显示器内，进入液晶显示面板后再通过反射像素电极将光线反射，而被反射的光线会再穿出液晶显示面板，最后使用者便可观看到液晶显示面板的画面显示。另一方面，半穿透式液晶显示面板则是同时具有穿透模式及反射模式的液晶显示面板，也即其各像素均包括一穿透区与一反射区。

一般而言，现有半穿透式液晶显示面板包括一像素基板、一彩色滤光片基板以及一液晶分子层设于此二基板之间。半穿透式液晶显示面板另包括复数个像素区，且各像素区均包括一反射区与一穿透区，而各反射区与各穿透区内分别包括一反射像素电极以及一穿透像素电极。由于半穿透式液晶面板的穿透区使用背光当作光源，因此光线仅需穿过液晶分子层一次，而反射区使用环境光作为光源，因此光线需穿过液晶分子二次。在此状况下，位于反射区的相位差为穿透区相位差的二倍，因此在驱动液晶分子时会造成反射率对电压的关系与穿透率对电压的关系(亦即珈玛曲线，gamma curve)不匹配的情形。

为解决此问题，业界研发出使同一半穿透式液晶面板具有双间隙(dualgap)的设计来解决电压不匹配的问题，其方法是在反射像素电极下方设置一介电层，以调整反射区的液晶分子层的间隙，让液晶分子层在反射区的间隙小于在穿透区的间隙，使得光线通过反射区与穿透区时皆具有相同的相位差。然而，上述介电层虽然可调整光线在液晶分子层中的相位差，但由于像素结构在反射区与穿透区的交界处具有明显的高度落差，会造成液晶分子排列不佳而导致漏光，且上述介电层的制作也会增加工艺成本和影响良率。

另一方面，为了解决半穿透式液晶显示面板的反射模式与穿透模式的珈玛曲线不匹配的问题，业界也发展出一种调整电容耦合(adjusted capacitancecoupling，ACC)技术，其主要是在半穿透式液晶显示面板中设置第一共通电极、第二共通电极、第一耦合电容(CC)与第二耦合电容(C2)，并通过第一耦合电容与一第二耦合电容的耦合来改变反射区的电压夹差，以调整反射模式的珈玛曲线而使之与穿透模式的珈玛曲线相匹配。然而，在现行ACC技术的元件配置设计下，外加的第二共通电极与数据线会交错设置于像素基板上，因此当信号通过数据线传输至面板的各像素时，会拉扯第二共通电极的电压，造成严重的跨越干扰问题(cross-talk)，无法满足目前产品要求跨越干扰小于2％的规格。所以，目前以ACC技术制作的单间隙半穿透式液晶显示面板仍然因为跨越干扰较严重等缺点，造成显示质量不佳而无法符合产品规格的要求。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种具有特殊第一共通电极与第二共通电极相对配置位置的单间隙半穿透式液晶显示面板，以解决上述现有半穿透式液晶显示面板因为第二共通电极和数据线互相影响而产生严重跨越干扰的问题。

本发明提供一种像素结构，其适用于一半穿透式液晶显示面板。本发明的像素结构包括一基板，具有一像素区，该像素区包括一反射区与一穿透区；一数据线，沿一第一方向设置于该基板上；一扫描线，沿一第二方向设置于该基板上，且该第二方向与该第一方向交错；一薄膜晶体管，与该扫描线与该数据线电性连接，该薄膜晶体管包括一延伸电极；以及一第一共通电极与一第二共通电极，设置于该基板上，该第一共通电极与该第二共通电极大体沿着该第二方向设置于该基板上，并与该数据线互相交错于一交错区域内，该第一共通电极、该第二共通电极以及该数据线于该交错区域内相重叠，且该第一共通电极位于该第二共通电极与该数据线之间；一穿透像素电极，电性连结该薄膜晶体管；以及一反射像素电极，与该延伸电极耦合形成一第一耦合电容，且与该第二共通电极耦合形成一第二耦合电容。

本发明又提供一种半穿透式液晶显示面板，其包括一第一基板，具有一像素区，该像素区包括一反射区与一穿透区；一数据线，沿一第一方向设置于该第一基板上；一扫描线，沿一第二方向设置于该第一基板上，且该第二方向与该第一方向交错；一第一共通电极与一第二共通电极，设置于该第一基板上，第一共通电极与第二共通电极大体沿着该第二方向设置于该第一基板上，并与数据线互相交错于一交错区域内，第一共通电极、第二共通电极以及数据线于该交错区域内相重叠，且第一共通电极位于第二共通电极与数据线之间；一穿透像素电极，电性连接该薄膜晶体管；一反射像素电极，与延伸电极耦合形成一第一耦合电容，并与第二共通电极耦合形成一第二耦合电容；一第二基板，与第一基板相对设置；以及一液晶层，设置于第一基板跟第二基板之间。

由于在本发明像素结构中的第一共通电极、第二共通电极与数据线于一交错区域内互相重叠，而在三者重叠的部分，第一共通电极设于数据线与第二共通电极之间，因此可以遮蔽数据线对第二共通电极的影响，避免在信号输入数据线时拉扯第二共通电极的电压，进而降低跨越干扰问题。

以下为有关本发明的详细说明与附图。然而所附图式仅供参考与辅助说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明半穿透式液晶显示面板的剖面示意图；

图2为本发明半穿透式液晶显示面板的一像素结构的等效电路图；

图3为本发明像素结构的第一实施例的元件配置上视图；

图4至图6分别为图3沿着切线4-4’、5-5’、6-6’的剖面示意图；

图7至图9为本发明制作薄膜晶体管的工艺示意图；

图10为本发明像素结构的第二实施例的上视示意图；

图11、12分别为图10所示像素结构沿着切线11-11’与12-12’的剖视示意图。

主要元件符号说明：

10 半穿透式液晶显示面板 12 第一基板

14 第二基板 16 液晶层

18 像素区 20 数据线

22 扫描线 24 薄膜晶体管

24G 栅极 24S 源极

24D 漏极 24C 信道区域

24L 轻掺杂漏极 26 C_C下电极板

28 第二共通电极 30 穿透区

32 反射区 34 延伸电极

36 栅极介电层 38 层间介电层

40 平坦层 42 第二图案化导电层

44 介层洞 46 调整层

48 反射层 50 第一共通电极

52 第三图案化导电层 54 第四图案化导电层

56 介电层 58 反射像素电极

60 第二共通电极分枝 62 第一图案化导电层

64 介层洞 66 穿透像素电极

68 储存电容区 70 第一耦合电容

72 第二耦合电容 74 交错区域

76 第一金属层 78 图案化光刻胶层

80、82 离子布植工艺 84 第三图案化导电层

86 像素结构

具体实施方式

请参考图1，图1为本发明半穿透式液晶显示面板10的剖面示意图。半穿透式液晶显示面板10包括互相平行且相对设置的第一基板12与第二基板14，以及设于第一基板12与第二基板14之间的液晶层16。一般而言，第一基板12又称为阵列基板或像素基板，定义为复数个像素区16(绘于图2)，在半穿透式液晶显示面板10的显示区域内排列成一阵列，而第二基板14可称为彩色滤光片基板，其表面设置彩色滤光片以及黑色矩阵层，以使各像素区能产生相对应色彩。此外，本发明半穿透式液晶显示面板10采用ACC技术以调整反射模式的珈玛曲线，因此较佳仅具有单一间隙G。

图2显示半穿透式液晶显示面板10上一像素结构86的等效电路图，其对应于第一基板12上的像素区18。像素区18包括至少一数据线20与一扫描线22。像素区18还包括薄膜晶体管24，其栅极24G与源极24S分别电性连接于扫描线22与数据线20，薄膜晶体管24的漏极24D则电性连接于穿透液晶电容C_LCt、储存电容C_st以及第一耦合电容C_C的上电极板，而第一耦合电容C_C的下电极板26则电性连接于反射液晶电容C_LCr与第二耦合电容C₂，其中穿透液晶电容C_LCt与反射液晶电容C_LCr是以设于第二基板14表面的透明电极当作下电极板，而储存电容C_st是以设于第一基板12表面的第一共通电极COM1当作下电极板。此外，像素区18还包括第二共通电极(COM2)28外接于第一基板12上的外围电路，作为第二耦合电容C₂的下电极板。

请参考图3至图6，图3为本发明像素结构86的第一实施例的元件配置上视图，而图4至图6分别为图3沿着切线4-4’、5-5’、6-6’的剖面示意图。为了简化图式，图3至图6仅绘出第一基板12表面的元件。如图3所示，像素区18大体上可通过二数据线20与二扫描线22所定义，其中数据线20与扫描线22分别沿着一第一方向(亦即图中所示的Y方向)与一第二方向(X方向)设置于第一基板12上，且第一方向与第二方向互相交错。再者，像素区18另包括穿透区30以及反射区32。薄膜晶体管24设于相邻像素区18的反射区32内，且位于数据线20与扫描线22的交界处附近，其具有一延伸电极34电性连接于漏极24D(延伸电极34又可视为漏极24D的一部分)。请参考图4，图4显示出薄膜晶体管24沿着切线4-4’的剖面示意图。薄膜晶体管24为一上栅极型薄膜晶体管，其源极24S、漏极24D以及通道区24C形成于第一图案化导电层62，在本实施例中，第一图案化导电层62包括多晶硅材料层，分别通过离子布植工艺而在第一图案化导电层62的两侧形成源极24S与漏极24D，中间未掺杂离子的部分即作为薄膜晶体管24的通道区24C。在第一图案化导电层62之上，依序包括栅极介电层36、栅极24G、层间介电层38以及平坦层40，其中，栅极24G由第二图案化导电层42所构成。此外，数据线20通过设于栅极介电层36与层间介电层38内的介层洞44而电性连接于源极24S。

接着请再参阅图3，延伸电极34的材料包括第一图案化导电层62与第二图案化导电层42，从漏极24D向上延伸经过像素区18的穿透区30，再经过储存电容区68而进入反射区32。在穿透区30内，延伸电极34电性连接于穿透像素电极66，使得穿透像素电极66与液晶层16另一端的透明电极COM_CF(图未示，设于第二基板14的下表面)形成穿透液晶电容C_LCt，其中液晶层16构成穿透液晶电容C_LCt所需的介电层。

请参考图5，图5为图3所示储存电容区68沿着切线5-5’的剖面示意图。对照图5与图3可知，储存电容区68包括第一共通电极50，其由第三图案化导电层52所形成。设于储存电容区68内的延伸电极34作为储存电容C_st的上电极板，而第一共通电极50当作储存电容C_st的下电极板，而设于第二图案化导电层42与第三图案化导电层52之间的介电层56则作为储存电容C_st的上、下电极板之间的介电层。此外，数据线20的材料包括第四图案化导电层54，设于第二图案化导电层42与第三图案化导电层52之上。

请同时参阅图6与图3，延伸电极34的走线在经过储存电容区68之后，会继续向上延伸而进入反射区32内。反射区32包括由第三图案化导电层52所形成的反射像素电极58。在反射区32内，延伸电极34与反射像素电极58耦合形成第一耦合电容70，其中设于第三图案化导电层52与第二图案化导电层42之间的介电层56即为构成第一耦合电容70所需的介电层。此外，反射区32的平坦层40表面设有表面粗糙的调整层46，其形成复数个凸起物(bump)，而在调整层46上则设有一反射层48覆盖于调整层46上，其具有凹凸的表面，用来将光线反射出液晶显示面板10，其中反射层48较佳由具有导电性的金属材料所构成，例如金属铝。反射层48通过接触插塞(图未示)电性连接至反射像素电极58，也可当作反射像素电极58的一部分，因此在反射区32内，反射层48(即具有相同电位的反射像素电极58)与液晶层16另一侧的透明电极形成反射液晶电容C_LCr。再者，反射区32第二共通电极28，其大体上沿着第二方向设置，由第二图案化导电层42所构成，同样地，第二共通电极28与第一共通电极50通过介电层56而电性隔绝。第四图案化导电层54另形成第二共通电极分枝60，当作第二共通电极28的一部分，并通过介层洞64而电性连接于第二图案化导电层42所形成的第二共通电极28。由图6可知，第二共通电极28与反射像素电极58耦合形成第二耦合电容(C₂)72。

对照图3与图6可知，第一共通电极50类似于第二共通电极28，大体上沿着第二方向设置，也即以平行于扫描线22的方向设置于第一基板12上。然而，值得注意的是，为了避免现有结构中因为第二共通电极28与数据线20相交错而造成跨越干扰的问题，所以本发明像素结构86特别设计使部分第一共通电极50的走线由储存电容区68上移，以经过第二共通电极28与数据线20的交错处，且设置于第二共通电极28与数据线20之间，以遮蔽数据线20对第二共通电极28的影响。换言之，沿着第二方向设置的第一与第二共通电极50、28与沿着第一方向设置的数据线20互相交错于一交错区域74内，三者于交错区域74内相重叠，且第一共通电极50位于第二共通电极28与数据线20之间。如图6所示，在交错区域74内，数据线20设于第一与第二共通电极50、28之上，因此第一共通电极50能够有效遮蔽数据线20对第二共通电极28的影响，降低跨越干扰效应。

在本实施例中，由于第二图案化导电层42形成了第二共通电极28、扫描线22与部分延伸电极34，第三图案化导电层52形成了第一共通电极50与反射像素电极58，而第四图案化导电层54则形成数据线20与第二共通电极分枝54，因此第二、第三及第四图案化导电层42、52、54的材料较佳为导电性良好的金属材料，例如包括铜(copper，Cu)、铬(chromium，Cr)及钼(molybdenum，Mo)等材料，可另分别定义为一第一金属层、一第二金属层与一第三金属层。在此情况下，为了减少光掩膜与光刻工艺以降低工艺成本，本发明在制作薄膜晶体管24时，将两道离子布植工艺与定义第二图案化导电层42图案所需的光刻工艺整合在一起。

图7至图9显示本实施例制作薄膜晶体管24的工艺示意图。首先如图7所示，提供第一基板12，然后在第一基板12上形成第一图案化导电层62，其包括预定的源极、漏极与通道区。第一图案化导电层62的形成方法可先于第一基板12上依序形成一低温多晶硅材料层与光刻胶层，然后使用包括源极、漏极、通道区与部分延伸电极34图案的一光掩膜，进行一光刻工艺以图案化该光刻胶层，再利用该图案化光刻胶层当作屏蔽而蚀刻低温多晶硅材料以形成第一图案化导电层62。接着，依序于第一基板12上形成栅极介电层36与第一金属层76覆盖第一图案化导电层62。

然后如图8所示，在第一基板12上形成一光刻胶层，其较佳包括负型光刻胶材料，随后进行一光刻工艺以形成图案化光刻胶层78，其具有稍大于预定栅极形状的图案。然后以图案化光刻胶层78当作蚀刻屏蔽，对第一金属层76依序进行一干式刻蚀工艺与一湿式刻蚀工艺，造成图案化光刻胶层78的底部与第一金属层76发生底切现象(under-cut)，使得图案化光刻胶层78具有底面小于顶面的结构，而第一金属层76形成包括栅极24G的第二图案化导电层42，其中栅极24G的图案约略小于图案化光刻胶层78。接着，进行一高剂量的正向离子布植工艺80，例如P+型离子布植，以分别在栅极24G两侧的第一图案化导电层62上形成源极24S与漏极24D。由图8可知，由于图案化光刻胶层78的顶面大于栅极24G，因此源极24S与漏极24D之间的距离会大于栅极24G的宽度。

接着，请参考图9，移除图案化光刻胶层78，然后以栅极24G当作屏蔽，进行一低剂量的正向离子布植工艺82，例如P-型离子布植，以在栅极24G两侧下方的第一图案化导电层62至源极24S与漏极24D之间分别形成一轻掺杂漏极24L，而栅极24G下方未掺杂离子的第一图案化导电层62则作为薄膜晶体管24的通道区24C。由上述可知，本发明在制作薄膜晶体管24时，可利用一次光刻工艺以及一层图案化光刻胶层78便可定义制作出栅极24G、源极24S、漏极24D与轻掺杂漏极24L的图案，因此仅需两道光掩膜即可制作完薄膜晶体管24，可以有效节省光掩膜数量与工艺成本。通过此种制作薄膜晶体管24的方法，虽然本发明需要使用三层金属层来制作像素结构86的元件，但仍然仅需相同于传统工艺的光掩膜数量与光刻工艺次数，因此可以符合或甚至简化目前产品的工艺与成本规格。

图10至图12显示本发明像素结构的第二实施例的示意图，其中图10为像素区的上视图，而图11、12分别为图10所示像素结构沿着切线11-11’与12-12’的剖视图，与第一实施例相同的元件沿用同样的元件符号。在本实施例中，第一与第二共通电极50、28使用不同于第一实施例的图案化导电层所制作，即本实施例的第一与第二共通电极50、28分别由第二图案化导电层42与第一图案化导电层62所形成，以省略第一实施例中的第三图案化导电层52的制作，更可进一步减少光掩膜数量与工艺成本。

关于本发明像素结构86的第二实施例的详细结构设计，说明如下。首先请参考图10，像素区18由两条数据线20与扫描线22定义而成，其包括穿透区30与反射区32，其中数据线20与扫描线22分别由第三图案化导电层84(对应于第一实施例中的第四图案化导电层54)与第二图案化导电层42所形成。像素区18的薄膜晶体管24设于相邻像素区18的反射区32内，通过延伸电极34电性连接穿透区30内的穿透像素电极66，以与第一基板12表面的透明电极耦合形成穿透像素电极C_LCt。请参考图11所示，在储存电容区68内，延伸电极34由第三图案化导电层84与第一图案化导电层62所形成，与第一共通电极50形成储存电容C_st。此外，延伸电极34另与反射像素电极58在反射区32内耦合形成第一耦合电容70，如图10所示。请再参考图12，反射像素电极58电性连接于平坦层40表面上的反射层48，以与第二基板14表面的透明电极(图未示)耦合形成反射液晶电容C_LCr，串联于第一耦合电容70。此外，反射像素电极58另与第二共通电极28耦合形成第二耦合电容72，与反射液晶电容C_LCr相并联。

因此，类似于本发明的第一实施例，本实施例中的第一共通电极50虽然由第二图案化导电层42所形成，其大体上仍然平行于由第一图案化导电层62所形成的第二共通电极28，且与数据线20交错于交错区域74。在交错区域74内，第一共通电极50在垂直方向上设于第二共通电极28与数据线20之间，以遮蔽数据线20对第二共通电极28的影响而降低跨越干扰的情形。此外，第一共通电极50的走线仅在第二耦合电容72的两侧向下弯折至储存电容区68，以与延伸电极34形成储存电容C_st。

此外，在本实施例中，由于第一图案化导电层62用来形成薄膜晶体管24的源极24S、漏极24D、部分延伸电极34以及第二共通电极28，因此其较佳包括多晶硅材料，并以高剂量离子布植方法形成重掺杂多晶硅层。另一方面，第一共通电极50、反射像素电极58及扫描线22由第二图案化导电层42所形成，而数据线20、部分延伸电极34及第二共通电极分枝60由第三图案化导电层84所形成，因此第二图案化导电层42与第三图案化导电层84较佳包括金属材料，可另分别定义为一第一金属层与一第二金属层。值得注意的是，本实施例所教导的像素结构86的优点在于像素区18内的各电子元件仅需使用第一、第二及第三图案化导电层62、42、84来制作，特别是将第二共通电极28与源极24S、漏极24D整合于同一掺杂多晶硅材料层上，因此可以节省光掩膜数量、工艺材料和工艺成本。

相较于现有技术，由于本发明的像素结构的第一共通电极设于第二共通电极与数据线之间，因此虽然第二共通电极与数据线会互相交错，却仍然能避免两者间的信号或电压互相拉扯而造成明显的影响，可以有效降低现有技术中跨越干扰的问题。因此，根据本发明的像素结构，可以通过ACC技术，提供穿透珈玛曲线与反射珈玛曲线约略相匹配的单间隙半穿透式液晶显示面板，同时能改善半穿透式液晶显示面板跨越干扰的问题。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims

1.一种像素结构，适用于一半穿透式液晶显示面板，其包括：

一基板，具有一像素区，所述像素区包括一反射区与一穿透区；

一数据线，沿一第一方向设置于所述基板上；

一扫描线，沿一第二方向设置于所述基板上，且所述第二方向与所述第一方向相交错；

一薄膜晶体管，与所述扫描线和所述数据线电性连接，所述薄膜晶体管包括一延伸电极；

一第一共通电极与一第二共通电极，设置于所述基板上，所述第一共通电极与所述第二共通电极大体沿着所述第二方向设置于所述基板上，并与所述数据线互相交错于一交错区域内，在所述交错区域内，所述第一共通电极、所述第二共通电极以及所述数据线相重叠，且所述第一共通电极设于所述第二共通电极与所述数据线之间；

一穿透像素电极，电性连接所述薄膜晶体管；以及

一反射像素电极，跟所述延伸电极耦合形成一第一耦合电容，且与所述第二共通电极耦合形成一第二耦合电容。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述延伸电极为所述薄膜晶体管的一漏极。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其中，在所述交错区域内，所述数据线设于所述第一共通电极以及所述第二共通电极之上。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述像素结构还包括一第一图案化导电层与一第二图案化导电层设于所述基板上，且所述源极与所述漏极包括所述第一图案化导电层，而所述第二共通电极以及所述扫描线包括所述第二图案化导电层。

5.根据权利要求4所述的像素结构，其中，所述第二图案化导电层包括一第一金属层。

6.根据权利要求4所述的像素结构，其中，所述像素结构还包括一第三图案化导电层以及一第四图案化导电层依序设于所述基板上，而所述第一共通电极以及所述数据线分别包括所述第三图案化导电层以及所述第四图案化导电层。

7.根据权利要求6所述的像素结构，其中，所述第三图案化导电层与所述第四图案化导电层分别为一第二金属层与一第三金属层。

8.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述像素结构包括一第一图案化导电层设于所述基板上，而所述第二共通电极以及所述源极与所述漏极皆包括所述第一图案化导电层。

9.根据权利要求8所述的像素结构，其中，所述第一图案化导电层包括一掺杂多晶硅层。

10.根据权利要求9所述的像素结构，其中，所述像素结构还包括一第二图案化导电层以及一第三图案化导电层，而所述第一共通电极与所述扫描线都包括所述第二图案化导电层，而所述信号线包括所述第三图案化导电层。

11.根据权利要求10所述的像素结构，其中，所述第二图案化导电层与所述第三图案化导电层分别为一第一金属层与一第二金属层。

12.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述第一耦合电容与所述第二耦合电容包括设于所述反射区内。

13.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述薄膜晶体管还包括至少一轻掺杂漏极。

14.根据权利要求13所述的像素结构，其中，所述薄膜晶体管利用二道光掩膜形成。

15.根据权利要求13所述的像素结构，其中，所述轻掺杂漏极、所述漏极以及所述栅极通过一层图案化光刻胶层所形成。

16.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述第二共通电极包括设置于所述反射区内。

17.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述像素结构还包括一反射层设于所述反射区内，所述反射层电性连接于所述反射像素电极，且具有一凹凸表面。

18.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述第一共通电极与所述延伸电极形成一储存电容。

19.一种半穿透式液晶显示面板，包括：

一第一基板，具有一像素区，所述像素区包括一反射区与一穿透区；

一数据线，沿一第一方向设置于所述第一基板上；

一扫描线，沿一第二方向设置于所述第一基板上，且所述第二方向与所述第一方向交错；

一第一共通电极与一第二共通电极，设置于所述第一基板上，所述第一共通电极与所述第二共通电极大体沿着所述第二方向设置于所述第一基板上，并与所述数据线互相交错于一交错区域内，所述第一共通电极、所述第二共通电极以及所述数据线于所述交错区域内相重叠，且所述第一共通电极位于所述第二共通电极与所述数据线之间；

一穿透像素电极，电性连结接所述薄膜晶体管；

一反射像素电极，跟所述延伸电极耦合形成一第一耦合电容，且跟所述第二共通电极耦合形成一第二耦合电容；

一第二基板，跟所述第一基板相对设置；以及

一液晶层，设置于所述第一基板与所述第二基板之间。

20.根据权利要求19所述的半穿透式液晶显示面板，其中，所述第一基板与所述第二基板之间具有一单间隙结构。