CN101162685B - 半导体等离子体工艺的装置与方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是关于一种等离子体工艺的装置，用于一半导体工艺，包含有一工艺室的一种装置，其中此种工艺室具有一等离子容纳区、固定于工艺室顶部之上的一介电板、藉由介电板与等离子容纳区相分隔的一电源，以及被支撑于工艺室中的一夹盘，其中此种夹盘被设定用以可操作性地移动电源。

Description

半导体等离子体工艺的装置与方法
技术领域
本发明涉及一种半导体制造程序，特别是涉及一种具有动态夹盘以及线圈结构的一种等离子工艺室，用以减缓工艺室的局部效应以及于工艺进行间提升整个晶圆的蚀刻均匀性。
背景技术
集成电路的制造程序包含了在半导体晶圆上形成多种组成元件，例如晶体管、电容及电阻等，而等离子蚀刻程序则是在半导体工艺中，被用来从晶圆表面上将材料移除的主要方法。一般来说，等离子会在工艺室当中被激发出来，以藉由强烈的电场产生出朝向晶圆表面加速且被高度激励的离子。这些离子会利用轰击蚀刻的动作来物理性地及化学性地移除晶圆表面上未受到保护的材料，其中会将如射频功率、射频偏压、温度、压力以及流动速率等种种作业参数最佳化以得到理想的蚀刻结果。
藉由测量蚀刻程序是否具有能够平均蚀刻整个晶圆表面的性能可以得知该蚀刻程序的蚀刻均匀性，维持整个晶圆表面上的均匀度对于达到一定的工艺效率来说是相当重要的工作，然而工艺室的局部效应，如工艺室的几何形状和尺寸以及线圈的设计和配置，有可能导致非均匀性现象的产生，因为工艺室中的等离子密度及在工艺室中所产生的电场有可能非均匀性地遍布在整个晶圆表面上。所以在此所需要的是一种简单、划算，并且能够用来补偿因为工艺室的局部效应所产生的非均匀性现象的装置及方法。
发明内容
本发明主要的目的是在等离子蚀刻程序进行的过程中，利用移动工艺室当中的晶圆或线圈来降低工艺室中的局部效应，进而提升晶圆整体的均匀度。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种半导体工艺的装置，用于一半导体工艺，包含：一工艺室，具有一等离子容纳区；一介电板被固定于该工艺室的顶部；一电源，其中该介电板分隔开该电源及该等离子容纳区；以及一夹盘，被支撑于该工艺室之中，并且被设定来可操作性地相对于该电源水平或倾斜移动。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的装置，其中所述的倾斜移动为将夹盘被初始设置于与一x轴及一y轴平行，并与一z轴垂直的一平面上，并且该夹盘被设定为可操作性地以该x轴为轴倾斜、以该y轴为轴倾斜或进行前述动作的任何组合。
前述的装置，其更包含多数个微致动器，其中该些微致动器被设定为可操作性地带动该夹盘。
前述的装置，其更包含多数个伸缩囊，其中该些伸缩囊被设定为可操作性地带动该夹盘。
前述的装置，其中所述的水平移动为将夹盘被初始设置于与一x轴及一y轴平行，并与一z轴垂直的一平面上，并且该夹盘被设定为可操作性地沿着该x轴移动、沿着该y轴移动或进行前述动作的任何组合。
前述的装置，其更包含：一弹簧，附加于该夹盘；以及一马达，具有一连杆连接至该弹簧，其中该马达能够透过该连杆压缩该弹簧，用以沿着一线性方向移动该夹盘。
前述的装置，其中所述的电源包含为一射频电源所激能的一平面螺旋线圈。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的半导体工艺的装置，用于一半导体工艺，包含：一工艺室，具有一等离子容纳区；一介电板被固定于该工艺室的顶部；一夹盘，被支撑于该工艺室之中并且被设置于该等离子容纳区之下；以及一线圈，被设定为能够可操作性地相对于该夹盘移动，其中该介电板分隔开该线圈及该等离子容纳区。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的装置，其中所述的线圈包含为一射频电源所激能的一平面螺旋线圈。
前述的装置，其中所述的平面螺旋线圈被初始设置于与一x轴及一y轴平行，并与一z轴垂直的一平面上，并且该平面螺旋线圈被设定为可操作性地沿着该z轴移动、以该x轴为轴倾斜、以该y轴为轴倾斜或进行前述动作的任何组合。
前述的装置，其更包含多数个微致动器，其中该些微致动器被设定为可操作性地带动该线圈。
前述的装置，其中该些微致动器的种类是从由下列元素所组成的组合中选出：静电式、磁力式、液压式、形状记忆合金式、压电式以及热能式。
本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种半导体工艺的方法，用于一半导体工艺，包含：固定一半导体晶圆于一工艺室中的一夹盘上；激能一线圈，用以于该工艺室中产生一等离子；执行该半导体晶圆的一等离子程序；测量该半导体晶圆整个于该等离子程序执行中的一均匀度；以及相对于该线圈水平或倾斜调整该夹盘的一位置，其中是以所测量出的该均匀度为基准调整之。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的方法，其中所述的固定步骤包含初始设置该夹盘于与一x轴及一y轴平行，并与一z轴垂直的一平面上，该夹盘可沿着该z轴移动，而该倾斜调整步骤包含设定该夹盘以该x轴为轴倾斜、以该y轴为轴倾斜或进行前述动作的任何组合。
前述的方法，其更包含相对于该夹盘调整该线圈的一位置，其中是以所测量出的该均匀度为基准调整之。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，为达到移动晶圆的目的，在符合本发明的一实施例的装置中包含了具有一等离子容纳区的一工艺室、一介电板、一电源以及用来固定晶圆的一夹盘。其中，介电板被固定于工艺室顶部，并且分隔了电源及等离子容纳区，而夹盘在工艺室能够被操作来相对于电源进行移动。
为达到移动线圈的目的，在符合本发明的一实施例的装置中包含了具有一等离子容纳区的一工艺室、一介电板、用来固定晶圆的一夹盘以及一线圈。其中，介电板被固定于工艺室顶部，并且分隔了电源及等离子容纳区，夹盘被设置于该等离子容纳区之下，而线圈能够被操作来相对于夹盘进行移动。
综上所述，本发明具有上述诸多优点及实用价值，其不论在装置结构或功能上皆有较大的改进，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的半导体制造程序具有增进的突出功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1为变压器耦合式等离子反应器的一实施例的剖面图。
图2A及图2B为图1所示的变压器耦合式反应器中的微致动器的爆炸剖面图。
图3为图1所示的夹盘的移动透视图。
图4A至图4C为可与图1所示的夹盘一同使用的一组伸缩囊的部分剖面图。
图5A及图5B为可与图1所示的夹盘一同使用的伺服马达的透视图。
图6为变压器耦合式等离子反应器的另一实施例的剖面图。
图7A至图7C为图6所示的线圈的移动透视图。
100、600：反应器            120：等离子容纳区
140：晶圆              150、620：微致动器
165、610：螺旋线圈     191、691：x轴
193、693：z轴          220：可动部分
230：第一电极          250：电源供应器
260、310、710：距离    400：伸缩囊组
420、430：伸缩囊       530：连杆
550：颈座              110：工艺室
130：夹盘              145、170：射频电源
160：电源              180：介电板
192、692：y轴          210、640：固定部分
225、520：弹簧         240：第二电极
251、252：侧边
320、330、440、450、720、730：角度
410：夹盘罩            500：伺服马达
540：马达              650：静电夹盘
具体实施方式
为了达到帮助了解本发明的原理的目的，对于本发明的参考说明将会以绘示在图式中的实施例或范例的形式为之，并且其中会配合描述着相同内容的专门术语，但依然如一般所理解的是，这些并非用以限制本发明的范围。对于所述的实施例中的任何变化及再进一步的修改，以及对于在此所述有关本发明的原理的任何更深层的应用，本发明相关领域的技艺者当可在一般情况下推想得知。另外，关于一或多个互相非常接近的元件的叙述，并非用来排除其他介于中间的元件的存在。同样的，可能会在整个实施例中被一再使用的一些参考数标，并非用来表示一实施例中的某些特征必须被加入及使用于另一实施例之中，即使这些特征共用了相同的参考数标。
请参阅图1所绘示的变压器耦合式等离子(transformer-coupled plasma，TCP)反应器100的一种实施例，其中此种变压器耦合式等离子反应器100包含有配置于等离子容纳区120下的一夹盘130，而夹盘130又包含有用以固定半导体晶圆140的一静电夹盘。夹盘130会与一射频电源145相耦接以对晶圆140提供偏压，在工艺中对晶圆140提供偏压能够协助被直接充电的等离子基(plasma radix)或离子往晶圆140行进，或者是可在夹盘130及射频电源145之间选择性地耦接一匹配网路(未绘示于图式中)。多个微致动器(micro-actuator)150会被耦接于夹盘130之下，并且会被配置在夹盘130的周围。
反应器100更包含位于工艺室110顶部的一电源160，其中电源160包含与一射频电源170相耦接的一螺旋线圈165，或者是可在线圈165及射频电源170之间耦接一匹配网路(未绘示于图式中)以达到阻抗匹配及提高效率的目的。一介电板180会被用来分隔平面螺旋线圈165及等离子容纳区120，其中的介电板180包含了石英材料或其他适用的材料。反应器100亦包含了能够于工艺室110及一真空系统(未绘示于图式中)之中提供气体的一气体供应器(未绘示于图式中)，用以于工艺室110之中维持一定的作业压力。
在作业的过程中，半导体晶圆140会被固定在静电夹盘130上，其中的晶圆140一般会包含有经图刻的一光阻层，此光阻层会在如高密度等离子蚀刻程序之类的等离子工艺当中产生作用。在作业的初始时，会将夹盘130设置在与一x轴191及一y轴192相平行，以及与一z轴193相垂直的一平面(如xy平面)上，其中的y轴192是直接自图1的一点延伸而出。可以理解的是，x轴191、y轴192及z轴193都是参考用的轴线而已，并且仅是被用来帮助了解以下的说明。反应器100包含了用来控制多种参数的控制器，这些参数例如为气体流速、压力、室内温度、功率以及射频，以能够于等离子容纳区120内产生等离子，其中可依据适用于所需应用的蚀刻程序的种类来改变这些参数。
平板螺旋线圈165会被射频电源170所激能并产生一电场(未绘示于图式中)，该电场会将气体解离成为离子、中性自由基及电子，以及加速经激能后的电子以撞击气体分子，造成离子化气体分子(如自由电子)的结果。这样的作业程序会不断持续地进行，并且最后会使等离子能够在工艺室110中呈现自我持续(self-sustaining)的状态。与射频电源145相耦接的夹盘130一般来说会成为对晶圆140提供电压偏压的管道，因此，等离子中的离子会以实质上直角的方向直接朝向晶圆140而去，以使非等向性蚀刻现象能够高度地产生于晶圆140未受保护的部分。
藉由测量蚀刻程序是否具有能够平均蚀刻整个晶圆140的表面的性能可以得知该蚀刻程序的蚀刻均匀性，而此种性能由线圈165的电场所产生的等离子的均匀度(即等离子密度)以及离子到达晶圆140的角度所决定。然而反应器100的局部效应，如反应器100的几何形状、工艺室110被限定的尺寸以及线圈165的设计和配置，都有可能于某些等离子区域导致非均匀性现象的产生以及影响离子到达晶圆140的角度，如此，反应器100的局部效应常会在晶圆140的中央跟周围导致非均匀现象的发生。显而易见的，藉由夹盘130来调整晶圆140的位置能够补偿反应器100的局部效应，进而提升工艺中的均匀度，其中会利用在等离子蚀刻程序中所测量到的均匀度做为夹盘130在相对于被固定的线圈165调整位置时的基准，而等离子蚀刻程序的均匀度则可以利用一般的光学显微镜及/或扫描式电子显微镜来测量之。
请参阅图2A至图2B，当中绘示了使用于图1所示的变压器耦合式等离子反应器100之中的微致动器150的爆炸剖面图。在本实施例中，微致动器150是静电型式的，而其他可能的型式则包含了磁力式、液压式、形状记忆式(shape memory)、压电式以及热能式。微致动器150包含了一固定部分210、一可动部分220以及一弹簧225，亦包含由固定部分210所支持的多个第一电极230以及由可动部分220所支持的多个第二电极240。弹簧225支援了可动部分220朝向固定部分210的运动，并且隔离了电极230避免电极230与等离子产生反应。多个第一电极230及第二电极240被设定为具有互相交错的指针外形，多个第一电极230会耦接至电源供应器250的一侧边251(负极或接地端)，而多个第二电极240则会耦接至电源供应器250的另一侧边252(正极)。
在作业过程当中，当电源供应器250提供在电压电位时，在具有相反电荷(极性)的电极之间会产生出静电力，因此，在多个第一电极230及多个第二电极240之间所产生的吸引力会使可动部分220如图2B所示一般，朝向固定部分210位移一距离260，其中确切的位移量是由电压电位的强度所决定。再进一步而言，吸引力的大小是由电极的数量所决定，因此，可利用更多的电极来产生更大的吸引力。多个微致动器150是通过未绘示出的弹簧及效应物结构(effecter configuration)连接于夹盘130的周围(如图1所示)，以致于当可动部分220被吸引往固定部分230移动时，弹簧会被效应物挤压移动距离260的距离。
另外，微致动器150的种类可选择性地从下列所形成的组合之中选出：磁力式微致动器、液压式微致动器、形状记忆合金式微致动器、压电式微致动器以及热能式微致动器，其中这些种类的微致动器皆习知于相关技术领域之中，故不再于此详作说明。
现在请参阅图3，其中绘示了图1所示的夹盘130的运动轨迹透视图。如前所述，在一开始的时候会将夹盘130躺置于与x轴191及y轴192平行，以及与z轴193垂直的一平面(如xy平面)上。在夹盘130的周围会配置有多个微致动器150(如图1及图2A所示)，使得每个微致动器150都能够沿着z轴193垂直位移至多到达一距离(Δz)310，举例而言，在夹盘130的周边平均间隔配置三个微致动器150。因此，若全部的微致动器150都位移了相同的移动量的话，夹盘130也会沿着z轴193垂直移动相同的移动量。进一步而言，依据三角函数，可将夹盘130以x轴191为轴倾斜一β°的角度320或将夹盘130以y轴192为轴倾斜一α°的角度330，如此，配置在夹盘130周边的微致动器150每个都会位移一特定的距离以完成此种倾斜动作。另外，依据三角方程式，亦可以上述运动方式任何形式的组合(如距离310+角度320+角度330)来移动夹盘130。虽然在本实施例中利用了三个微致动器150，但是可以理解的是，可以依据夹盘130在移动时的需求来改变微致动器150的数量。
现请参阅图4A至图4C，当中绘示了与图1所示的夹盘130一同使用的一组伸缩囊400的部分剖面图。如前所述，一开始会将夹盘130躺置于与x轴191及y轴192平行，以及与z轴193垂直的平面(xy平面)上，其中会利用一夹盘罩410来支撑夹盘130，并且会有两组伸缩囊420及430连接至此夹盘罩410，然而可以理解的是，伸缩囊的数量可以为三组或是更多，在本实施例中则是绘示出两组(或总共四个)伸缩囊作为例子。一组伸缩囊420会被沿着x轴191摆设，而另一组伸缩囊430则会被沿着y轴192摆设。每一组伸缩囊420及430都包含了两个可压缩的弹簧，其中可藉由流体，如空气，的流动来压缩及伸展这些弹簧。这些弹簧的压缩及伸展动作会沿着z轴193进行，所以当两组伸缩囊420及430所包含的所有弹簧都被压缩及伸展至同一距离时，通过夹盘罩410可带动夹盘130沿着z轴193垂直移动至相同的距离。此外，如图4B所示，当在沿着y轴192配置的一组伸缩囊430中伸展一弹簧并压缩另一弹簧(反之亦可)时，通过夹盘罩410可带动夹盘130以x轴191为轴倾斜β°的角度440。而如图4C所示，当在沿着x轴191配置的一组伸缩囊420中伸展一弹簧并压缩另一弹簧(反之亦可)时，通过夹盘罩410可带动夹盘130以y轴192为轴倾斜α°的角度450。另外，透过夹盘罩410亦可带动夹盘130进行上述动作的任何组合。
现请参阅图5A至图5B，当中绘示了可与图1所示的夹盘130或前述的微致动器一同使用的伺服马达500的透视图。一开始会将夹盘130躺置于与x轴191及y轴192平行，以及与z轴193垂直的平面(xy平面)上，并且如图5A所示，夹盘130是可以沿着x轴191移动的。夹盘130会与一夹盘罩(未绘示于图式中)连接，而此夹盘罩会再与具有可压缩性的弹簧520连接。通过与马达520连接的连杆530可沿着x轴191压缩及伸展压缩性弹簧520，其中的弹簧520及连杆530为一颈座(neck base)550所支撑。马达540为一种伺服马达，当中包含了用以控制连杆530的位移量的一控制电路(未绘示于图式中)。虽然于图式当中所示的运动方向是沿着x轴191所进行的，但可以理解的是，于上述实施例中所例举的运动方向亦可被选择性地设定为沿着y轴192进行。
现请参阅图6，当中绘示了一变压器耦合式等离子反应器600。除了部分于下说明的相异处之外，图6中的反应器600与图1中的反应器100非常相似，为了达到简要及清楚的目的，会为图1及图6中相同的元件标上相同的参考数标。反应器600包含了与多个微致动器620耦接的一平面螺旋线圈610，这些微致动器620会被配置于线圈610的周边及中央。虽然在图式中绘示出了四个微致动器，但可以理解的是，微致动器620的数量及排列方式是可以随着线圈610在设计及移动上需求而做改变的。微致动器620亦会连接至一固定部分640。在此所述的微致动器620与图1的微致动器150相同。一介电板180会被用来分隔线圈610及工艺室110中的等离子容纳区120。
反应器600包含用以固定一半导体晶圆140的一静电夹盘650，其中夹盘650是被固定于工艺室110之中。除了线圈610可相对于固定夹盘650进行移动之外，反应器600的作业方式与图1的反应器100的作业方式是相同的，其中的线圈610是由微致动器620所驱动。一开始会将线圈610躺置于与x轴691及y轴692平行，以及与z轴693垂直的平面(xy平面)上，其中的y轴692直接自第6图的一点延伸而出。可以理解的是，x轴691、y轴692及z轴693都是参考用的轴线而已，并且仅是被用来帮助了解以下的说明。
如上所述，反应器600的局部效应常会在晶圆140的中央及周围导致非均匀蚀刻的现象产生。显而易见的，利用相对着被固定于固定夹盘650上的晶圆140调整线圈610的位置，可以补偿反应器600的局部效应进而达到提升蚀刻均匀度的目的，其中以从等离子蚀刻程序当中测量到的均匀度，做为相对着固定夹盘650调整线圈610位置的基准，而等离子蚀刻程序中的均匀度可以利用习知的光学显微镜及/或扫描式电子显微镜来观测之。
现在请参阅图7A至图7B，其中绘示了图6所示的线圈610的运动轨迹透视图。如前所述，在一开始的时候会将线圈610躺置于与x轴691及y轴692平行，以及与z轴693垂直的一平面(如xy平面)上，并且线圈610会与介电板180及夹盘650(如图6所示)平行。在线圈610的周围及中央会配置有多个微致动器620(如图6所示)，使得每个微致动器620都能够沿着z轴693垂直位移至多到达一距离(Δz)710。因此，若全部的微致动器620都位移了相同的移动量的话，线圈610也会如图7A所示沿着z轴693垂直移动相同的移动量。进一步而言，依据三角函数，可将线圈610如图7C所示一般以x轴691为轴倾斜一β°的角度720或将线圈610如图7B所示一般以y轴692为轴倾斜一α°的角度730，如此，微致动器620每个都会沿着z轴693位移一特定的距离以完成此种倾斜动作。另外，依据三角方程式，亦可以上述运动方式任何形式的组合(如距离710+角度720+角度730)来移动线圈610。
据此，在本发明揭露中提供了包含有一工艺室的一种装置，此种装置的工艺室具有一等离子容纳区、固定于工艺室顶部的一介电板、利用介电板与等离子容纳区互相区隔的一电源以及被支撑于工艺室之中的一夹盘。夹盘被设定用来可操作性地相对着电源进行移动，并且夹盘起初会被躺置于与x轴及y轴平行，并与z轴垂直的一平面上。在某些实施例中，夹盘会被设定沿着z轴移动、以x轴为轴倾斜、以y轴为轴倾斜或进行这些动作的组合。
本装置更包含多个微致动器，其中每个微致动器被设定用以可操作性地带动夹盘。在其他的实施例中，这些微致动器的种类可以自下列的组合之中选出：静电式、磁力式、液压式、形状记忆合金式、压电式以及热能式。在其他的实施例中，本装置更包含多个伸缩囊，每个伸缩囊被设定用以可操作性地带动夹盘。在其他的实施例中，夹盘被设定用以可操作性地沿着x轴移动、沿着y轴移动或进行这些运动的组合。本装置更包含附属于夹盘的弹簧以及一马达，其中此马达具有与弹簧相连接的连杆，使马达能够透过连杆压缩弹簧以沿着一线性方向移动夹盘。在某些实施例中，本装置的电源中包含了为一射频电源所激能的一平面螺旋线圈，夹盘包含了一静电夹盘，以及介电板包含了一石英材料或其他适合的材料。
在本发明揭露中亦提供了另一种包含有一工艺室的装置，此种装置的工艺室具有一等离子容纳区、固定于工艺室顶部的一介电板、被支撑于工艺室之中并被配置于等离子容纳区之下的一夹盘，以及利用介电板与等离子容纳区互相区隔的一线圈，其中的线圈被设定用来可操作性地相对着夹盘进行移动。在某些实施例中，线圈包含了为一射频电源所激能的一平面螺旋线圈，并且平面螺旋线圈起初会被躺置于与x轴及y轴平行，并与z轴垂直的一平面上。此平面螺旋线圈会被设定沿着z轴移动、以x轴为轴倾斜、以y轴为轴倾斜或进行这些动作的组合。
在其他实施例中，本装置更包含多个微致动器，其中每个微致动器被设定用以可操作性地带动线圈。这些微致动器的种类可以自下列的组合之中选出：静电式、磁力式、液压式、形状记忆合金式、压电式以及热能式。
在本发明揭露中亦提供了一种方法，步骤包含了在工艺室中的夹盘上固定一半导体基材，激能一线圈以于工艺室之中产生等离子，对半导体基材进行等离子程序，测量进行等离子程序中的整个半导体基材的均匀度，以及以测量出的均匀度为基准来相对着线圈调整夹盘的位置。在固定的步骤中，包含将夹盘初始设置于与x轴及y轴平行，并与z轴垂直的一平面上。在调整的步骤中，包含设定使夹盘沿着z轴移动、以x轴为轴倾斜、以y轴为轴倾斜或进行这些动作的组合。
在其他的实施例中，在调整的步骤中包含设定使夹盘沿着x轴移动、沿着y轴移动或进行这些动作的组合。在又一其他的实施例中，激能的步骤包含将线圈初始设置于与x轴及y轴平行，并与z轴垂直的一平面上。本方法更包含以测量出的均匀度做为基准来相对着夹盘调整线圈的位置，而调整的步骤又包含设定使线圈沿着z轴移动、以x轴为轴倾斜、以y轴为轴倾斜或进行这些动作的组合。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (15)

1.一种等离子体工艺的装置，用于一半导体工艺，其特征在于包含：
一工艺室，具有一等离子容纳区；
一介电板被固定于该工艺室的顶部；
一电源，其中该介电板分隔开该电源及该等离子容纳区；以及
一夹盘，被支撑于该工艺室之中，并且被设定来可操作性地相对于该电源水平或倾斜移动。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于所述的倾斜移动为将夹盘被初始设置于与一x轴及一y轴平行，并与一z轴垂直的一平面上，并且该夹盘被设定为可操作性地以该x轴为轴倾斜、以该y轴为轴倾斜或进行前述动作的任何组合。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于其更包含多数个微致动器，其中该些微致动器被设定为可操作性地带动该夹盘。
4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于更包含多数个伸缩囊，其中该些伸缩囊被设定为可操作性地带动该夹盘。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于所述的水平移动为将夹盘被初始设置于与一x轴及一y轴平行，并与一z轴垂直的一平面上，并且该夹盘被设定为可操作性地沿着该x轴移动、沿着该y轴移动或进行前述动作的任何组合。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于更包含：
一弹簧，附加于该夹盘；以及
一马达，具有一连杆连接至该弹簧，其中该马达能够透过该连杆压缩该弹簧，用以沿着一线性方向移动该夹盘。
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于所述的电源包含为一射频电源所激能的一平面螺旋线圈。
8.一种等离子体工艺的装置，用于一半导体工艺，其特征在于包含：
一工艺室，具有一等离子容纳区；
一介电板被固定于该工艺室的顶部；
一夹盘，被支撑于该工艺室之中并且被设置于该等离子容纳区之下；以及
一线圈，被设定为能够可操作性地相对于该夹盘移动，其中该介电板分隔开该线圈及该等离子容纳区。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于所述的线圈包含为一射频电源所激能的一平面螺旋线圈。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于所述的平面螺旋线圈被初始设置于与一x轴及一y轴平行，并与一z轴垂直的一平面上，并且该平面螺旋线圈被设定为可操作性地沿着该z轴移动、以该x轴为轴倾斜、以该y轴为轴倾斜或进行前述动作的任何组合。
11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于更包含多数个微致动器，其中该些微致动器被设定为可操作性地带动该线圈。
12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于所述的微致动器的种类是从由下列元素所组成的组合中选出：静电式、磁力式、液压式、形状记忆合金式、压电式以及热能式。
13.一种等离子体工艺的方法，用于一半导体工艺，其特征在于包含：
固定一半导体晶圆于一工艺室中的一夹盘上；
激能一线圈，用以于该工艺室中产生一等离子；
执行该半导体晶圆的一等离子程序；
测量该半导体晶圆整个于该等离子程序执行中的一均匀度；以及
相对于该线圈水平或倾斜调整该夹盘的一位置，其中是以所测量出的该均匀度为基准调整之。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于所述的固定步骤包含初始设置该夹盘于与一x轴及一y轴平行，并与一z轴垂直的一平面上，该夹盘可沿着该z轴移动，而该倾斜调整步骤包含设定该夹盘以该x轴为轴倾斜、以该y轴为轴倾斜或进行前述动作的任何组合。
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于更包含相对于该夹盘调整该线圈的一位置，其中是以所测量出的该均匀度为基准调整之。
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