CN101159304A - 单束激光辅助led芯片与热沉直接钎焊的方法 - Google Patents
单束激光辅助led芯片与热沉直接钎焊的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101159304A CN101159304A CNA200710144640XA CN200710144640A CN101159304A CN 101159304 A CN101159304 A CN 101159304A CN A200710144640X A CNA200710144640X A CN A200710144640XA CN 200710144640 A CN200710144640 A CN 200710144640A CN 101159304 A CN101159304 A CN 101159304A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat sink
- led chip
- laser
- chip
- single beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法，它涉及LED芯片与热沉的钎焊方法。它解决了传统封装方法中对LED芯片造成热损害，以及键合质量低、定位困难、光学质量差的缺点。步骤为：在热沉上形成预设的焊盘；将激光器发射头固于多头贴片机的一个机头上，另一个机头为真空吸嘴；真空吸嘴吸取LED芯片处于等待状态；激光器发射头对准焊盘，并使之熔化；停止加热，真空吸嘴吸载着的LED芯片行进至该焊盘上并快速下降与热焊盘接触，直至钎料凝固；真空吸嘴卸压复位，吸取下一个LED芯片，重复上述程序。本方法进行键合质量好，成品率高，定位准确，光学质量较好，而且利用激光作为热源具有功率密度高、焊接速度快、热影响区小、控制精确、易于实现自动化的优点。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED芯片与热沉的钎焊方法。
背景技术
随着国民经济和科学技术的高速发展，LED芯片正向大功率集成化的方向发展，LED芯片的散热问题愈加突出。如何改进封装结构，采用全新的设计理念和低热阻封装结构和技术正成为LED业界内努力的方向。
传统封装方式，从芯片到热沉之间通常夹有多种如陶瓷基板或胶粘层的高热阻材料，正是这些夹在芯片和热沉之间的高热阻材料形成了芯片封装中散热问题的瓶颈。因此简化芯片到热沉之间的封装层次和工艺，必将成为功率型LED封装的一种发展趋势。申请号为200710144581.6、发明专利名称为“LED芯片与热沉直接封装的散热组件及其制造设备和方法”的中国发明专利提出了一种新的功率LED封装结构，在芯片到热沉之间只有高热传导率的钎料层，热阻可忽略不计，如图1，它虽然解决了芯片封装的散热问题，但是芯片与热沉之间的钎焊，采用的是传统的生产工艺，即芯片贴装热沉上后置于回流焊炉中进行钎焊。运用此种方法，存在着以下问题：1、铜、铝热沉由于其高导热率，在回流焊中需较长的加热保温时间以达到钎焊温度，而较长时间的高温极易对LED芯片造成热损害，尤其是对于多达由几十片、几百片的LED组成的阵列来说，其成品率和质量较难保证；2、整体加热引线键合焊盘受到氧化或污染，导致键合质量下降；3、定位困难，难以定位准确，影响封装的光学质量。
发明内容
本发明是为了解决现有传统的封装方法中较长时间的高温对LED芯片造成热损害，以及键合质量低、定位困难、定位不准影响封装的光学质量的缺点，而提出的单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法。
本发明由下列步骤完成：
步骤一：在矩形管状热沉1-5上表面的预设位置各焊点上先镀有多个热沉金属膜1-4，在热沉金属膜1-4的上表面再镀或印刷上钎料层1-3，形成预设的焊盘；
步骤二：将激光器发射头2-1固定在多头贴片机的一个机头上，另一个机头为真空吸嘴2-3；
步骤三：首先采用多头贴片机的真空吸嘴2-3吸取镀有芯片金属膜1-2的LED芯片1-1处于等待状态；
步骤四：令激光器发射头2-1对准待焊焊盘；
步骤五：启动激光器，激光束2-2加热钎料并使之熔化；
步骤六：激光器关闭停止加热，通过多头贴片机的程序设计，使激光器发射头2-1置于下一个焊接位置，将真空吸嘴2-3行进至该焊盘上；
步骤七：真空吸嘴2-3快速下降使LED芯片1-1的芯片金属膜1-2与热焊盘接触，直至钎料层1-3凝固；
步骤八：真空吸嘴2-3卸压复位；
步骤九：真空吸嘴2-3吸取下一个LED芯片1-1，重复上述程序，即可进行下一个LED芯片1-1的键合。
本发明具有如下优点：1、能量集中，对热沉只有局部点加热，不会造成矩形管状热沉1-5及钎料层1-3的氧化和污染；2、由于激光功率密度高，加热焊盘至钎料熔化一般不超过两秒时间，所以成品率高、生产效率高；3、激光钎焊易于实现自动化，与芯片贴装机配合使用，具有智能化和柔性化制造的特点，控制精确，键合质量好，定位准确，使产品达到较好的光学效果。激光器采用10.6μm波长的CO2激光器和1.06μm波长的YAG激光器。
附图说明
图1是LED芯片与热沉直接封装的散热组件结构示意图；图2是本发明方法流程示意图；图3是本发明方法的流程图。
具体实施方式
具体实施方式一：结合图2和图3说明本实施方式，本实施方式由下列步骤完成：
步骤一：在矩形管状热沉1-5上表面的预设位置各焊点上先镀有多个热沉金属膜1-4，在热沉金属膜1-4的上表面再镀或印刷上钎料层1-3，形成预设的焊盘；
步骤二：将激光器发射头2-1固定在多头贴片机的一个机头上，另一个机头为真空吸嘴2-3；
步骤三：首先采用多头贴片机的真空吸嘴2-3吸取镀有芯片金属膜1-2的LED芯片1-1处于等待状态；
步骤四：令激光器发射头2-1对准待焊焊盘；
步骤五：启动激光器，激光束2-2加热钎料并使之熔化；
步骤六：激光器关闭停止加热，通过多头贴片机的程序设计，使激光器发射头2-1置于下一个焊接位置，将真空吸嘴2-3行进至该焊盘上；
步骤七：真空吸嘴2-3快速下降使LED芯片1-1的芯片金属膜1-2与热焊盘接触，直至钎料层1-3凝固；
步骤八：真空吸嘴2-3卸压复位；
步骤九：真空吸嘴2-3吸取下一个LED芯片1-1，重复上述程序，即可进行下一个LED芯片1-1的键合。
具体实施方式二：结合图2说明本实施方式，本实施方式与具体实施方式一不同点在于在矩形管状热沉1-5下增加一个预热装置2-5，使矩形管状热沉1-5的温度恒温在0℃～100℃，其它步骤和连接方式与具体实施方式一相同。
具体实施方式三：结合图2说明本实施方式，本实施方式与具体实施方式一不同点在于在真空吸嘴2-3下增加一个微型加热器2-4，以预热LED芯片1-1，使LED芯片1-1的温度恒温在100℃～300℃，其它步骤和连接方式与具体实施方式一相同。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式二和三不同点在于激光束采用脉冲激光或连续激光。其它步骤和连接方式与具体实施方式二和三相同。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式四不同点在于脉冲激光的频率为50Hz，功率为3000W，占空比0.10，脉冲激光的持续时间1s。其它步骤和连接方式与具体实施方式四相同。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式四不同点在于脉冲激光的频率为50Hz，功率为2500W，占空比0.15，脉冲激光的持续时间1s。其它步骤和连接方式与具体实施方式四相同。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式四不同点在于连续激光在未预热的情况下，功率大于1000W时实现键合。其它步骤和连接方式与具体实施方式四相同。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式四不同点在于连续激光在预热到100℃时，功率大于600W时实现键合。其它步骤和连接方式与具体实施方式四相同。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式一不同点在于矩形管状热沉1-5采用铜或铝金属材料。其它步骤和连接方式与具体实施方式一相同。
具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式一不同点在于芯片金属膜1-2和热沉金属膜1-4采用金Au或银Ag材料。其它步骤和连接方式与具体实施方式一相同。
具体实施方式十一：本实施方式与具体实施方式一不同点在于钎料层1-3采用锡银SnAg、锡银铜SnAgCu或锡铅SnPb合金钎料。其它步骤和连接方式与具体实施方式一相同。
Claims (7)
1.单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法，其特征在于它由下列步骤完成：
步骤一：在矩形管状热沉(1-5)上表面的预设位置各焊点上先镀有多个热沉金属膜(1-4)，在热沉金属膜(1-4)的上表面再镀或印刷上钎料层(1-3)，形成预设的焊盘；
步骤二：将激光器发射头(2-1)固定在多头贴片机的一个机头上，另一个机头为真空吸嘴(2-3)；
步骤三：首先采用多头贴片机的真空吸嘴(2-3)吸取镀有芯片金属膜(1-2)的LED芯片(1-1)处于等待状态；
步骤四：令激光器发射头(2-1)对准待焊焊盘；
步骤五：启动激光器，激光束(2-2)加热钎料并使之熔化；
步骤六：激光器关闭停止加热，通过多头贴片机的程序设计，使激光器发射头(2-1)置于下一个焊接位置，将真空吸嘴(2-3)行进至该焊盘上；
步骤七：真空吸嘴(2-3)快速下降使LED芯片(1-1)的芯片金属膜(1-2)与热焊盘接触，直至钎料层(1-3)凝固；
步骤八：真空吸嘴(2-3)卸压复位；
步骤九：真空吸嘴(2-3)吸取下一个LED芯片(1-1)，重复上述程序，即可进行下一个LED芯片(1-1)的键合。
2.根据权利要求1所述的单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法，其特征在于在矩形管状热沉(1-5)下增加一个预热装置(2-5)，使矩形管状热沉(1-5)的温度恒温在0℃～100℃。
3.根据权利要求1所述的单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法，其特征在于在真空吸嘴(2-3)下增加一个微型加热器(2-4)，以预热LED芯片(1-1)，使LED芯片(1-1)的温度恒温在100℃～300℃。
4.根据权利要求2或3所述的单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法，其特征在于激光束采用脉冲激光或连续激光。
5.根据权利要求1所述的单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法，其特征在于矩形管状热沉(1-5)采用铜或铝金属材料。
6.根据权利要求1所述的单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法，其特征在于芯片金属膜(1-2)和热沉金属膜(1-4)采用金Au或银Ag材料。
7.根据权利要求1所述的单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法，其特征在于钎料层(1-3)采用锡银SnAg、锡银铜SnAgCu或锡铅SnPb合金钎料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200710144640XA CN101159304B (zh) | 2007-11-20 | 2007-11-20 | 单束激光辅助led芯片与散热器直接钎焊的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200710144640XA CN101159304B (zh) | 2007-11-20 | 2007-11-20 | 单束激光辅助led芯片与散热器直接钎焊的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101159304A true CN101159304A (zh) | 2008-04-09 |
| CN101159304B CN101159304B (zh) | 2010-06-16 |
Family
ID=39307294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200710144640XA Expired - Fee Related CN101159304B (zh) | 2007-11-20 | 2007-11-20 | 单束激光辅助led芯片与散热器直接钎焊的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101159304B (zh) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102728964A (zh) * | 2012-07-04 | 2012-10-17 | 深圳市亿铖达工业有限公司 | 具有高延展性的耐腐蚀led焊料合金 |
| CN104465937A (zh) * | 2013-09-13 | 2015-03-25 | 惠州市大亚湾永昶电子工业有限公司 | 一种倒装共晶led封装方法 |
| CN104925740A (zh) * | 2014-03-19 | 2015-09-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种利用激光退火改善热键合质量的方法 |
| CN104923914A (zh) * | 2014-03-20 | 2015-09-23 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种元器件引脚的焊接方法及其装置 |
| CN108962835A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-12-07 | 平高集团有限公司 | Igbt封装组件的封装方法及igbt封装组件、直流断路器 |
| CN109121318A (zh) * | 2017-06-23 | 2019-01-01 | 三星电子株式会社 | 芯片安装设备和使用该设备的方法 |
| CN110842367A (zh) * | 2019-10-09 | 2020-02-28 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种激光修复微型led的装置和方法 |
| CN111613699A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-09-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 微型发光二极管及其制作方法 |
| CN112002650A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-11-27 | 上海应用技术大学 | 一种真空回流共晶焊接的工艺方法 |
| CN114682872A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-07-01 | 南京航空航天大学 | 一种激光热源辅助金属-陶瓷回流焊的精准控温装置和方法 |
| CN115609102A (zh) * | 2022-09-26 | 2023-01-17 | 西安空间无线电技术研究所 | 一种芯片热沉组件低空洞率焊接方法 |
| WO2024114165A1 (zh) * | 2022-11-28 | 2024-06-06 | 成都辰显光电有限公司 | 驱动背板、显示面板及驱动背板的制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100231152B1 (ko) * | 1996-11-26 | 1999-11-15 | 윤종용 | 인쇄회로기판 상에 집적회로를 실장하기 위한실장방법 |
| US6326646B1 (en) * | 1999-11-24 | 2001-12-04 | Lucent Technologies, Inc. | Mounting technology for intersubband light emitters |
-
2007
- 2007-11-20 CN CN200710144640XA patent/CN101159304B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102728964B (zh) * | 2012-07-04 | 2015-04-22 | 深圳市亿铖达工业有限公司 | 具有高延展性的耐腐蚀led焊料合金 |
| CN102728964A (zh) * | 2012-07-04 | 2012-10-17 | 深圳市亿铖达工业有限公司 | 具有高延展性的耐腐蚀led焊料合金 |
| CN104465937A (zh) * | 2013-09-13 | 2015-03-25 | 惠州市大亚湾永昶电子工业有限公司 | 一种倒装共晶led封装方法 |
| CN104925740A (zh) * | 2014-03-19 | 2015-09-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种利用激光退火改善热键合质量的方法 |
| CN104925740B (zh) * | 2014-03-19 | 2017-06-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种利用激光退火改善热键合质量的方法 |
| CN104923914A (zh) * | 2014-03-20 | 2015-09-23 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种元器件引脚的焊接方法及其装置 |
| CN109121318B (zh) * | 2017-06-23 | 2023-09-12 | 三星电子株式会社 | 芯片安装设备和使用该设备的方法 |
| CN109121318A (zh) * | 2017-06-23 | 2019-01-01 | 三星电子株式会社 | 芯片安装设备和使用该设备的方法 |
| CN108962835A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-12-07 | 平高集团有限公司 | Igbt封装组件的封装方法及igbt封装组件、直流断路器 |
| CN110842367A (zh) * | 2019-10-09 | 2020-02-28 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种激光修复微型led的装置和方法 |
| CN111613699B (zh) * | 2020-05-25 | 2021-06-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 微型发光二极管及其制作方法 |
| CN111613699A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-09-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 微型发光二极管及其制作方法 |
| CN112002650A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-11-27 | 上海应用技术大学 | 一种真空回流共晶焊接的工艺方法 |
| CN114682872A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-07-01 | 南京航空航天大学 | 一种激光热源辅助金属-陶瓷回流焊的精准控温装置和方法 |
| CN115609102A (zh) * | 2022-09-26 | 2023-01-17 | 西安空间无线电技术研究所 | 一种芯片热沉组件低空洞率焊接方法 |
| WO2024114165A1 (zh) * | 2022-11-28 | 2024-06-06 | 成都辰显光电有限公司 | 驱动背板、显示面板及驱动背板的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101159304B (zh) | 2010-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101159304B (zh) | 单束激光辅助led芯片与散热器直接钎焊的方法 | |
| CN101159303B (zh) | 双束激光辅助led芯片与散热器直接键合的方法 | |
| US20090078957A1 (en) | Light emitting device | |
| US8058668B2 (en) | Semiconductor light-emitting apparatus | |
| TWI385817B (zh) | 用於半導體發光裝置封裝的組合方法 | |
| US20070278511A1 (en) | Light-Emitting Device Manufacturing Method and Light-Emitting Device | |
| US20060097276A1 (en) | Flip chip type LED lighting device manufacturing method | |
| US8012866B2 (en) | Method of bonding semiconductor devices utilizing solder balls | |
| CN109530838B (zh) | 一种激光焊接功率半导体芯片的方法 | |
| WO2008056813A1 (fr) | Dispositif électroluminescent et son procédé de fabrication | |
| CN101304064A (zh) | 采用激光在热沉背部加热的led芯片与热沉键合方法 | |
| CN1229857C (zh) | 用红外线加热的焊锡凸块和引线接合 | |
| CN103021992A (zh) | 引线框架、半导体制造装置以及半导体装置 | |
| CN101789484A (zh) | 一种led共晶焊接的方法 | |
| CN103474551A (zh) | 一种大功率led的基板及其封装方法 | |
| CN103111698A (zh) | 在接合工艺中实施回流的方法 | |
| CN106531703A (zh) | 高性能倒装cob封装结构及其制作方法 | |
| CN206349351U (zh) | 高性能倒装cob封装结构 | |
| US10847702B2 (en) | Semiconductor module | |
| CN203787456U (zh) | 一种倒装芯片封装结构 | |
| CN208028085U (zh) | 一种自动化倒装led cob产品制造设备 | |
| CN110085543A (zh) | 一种功率半导体用自动固晶机及其固晶工艺 | |
| CN206789561U (zh) | 高散热led光源基板 | |
| CN204088362U (zh) | 一种倒装芯片式led灯丝 | |
| CN204042774U (zh) | 一种可焊接型led基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100616 Termination date: 20131120 |