CN101127361B - 像素结构与液晶显示面板 - Google Patents

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CN101127361B CN2007101612274A CN200710161227A CN101127361B CN 101127361 B CN101127361 B CN 101127361B CN 2007101612274 A CN2007101612274 A CN 2007101612274A CN 200710161227 A CN200710161227 A CN 200710161227A CN 101127361 B CN101127361 B CN 101127361B
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Abstract

本发明提供一种像素结构与液晶显示面板,该像素结构配置于一基板上,该像素结构与两条扫描线以及一条数据线电性连接,所述像素结构包括反射电极、第一透明电极、第二透明电极与半导体层。第一透明电极与反射电极电性连接,而与第二透明电极电性绝缘。半导体层具有两个第一导电区、一第二导电区以及两个第一沟道区,第一导电区分别与反射电极以及第二透明电极电性连接,第二导电区位于第一导电区之间并与数据线电性连接,而部分与扫描线重叠的半导体层定义为第一沟道区,且各第一沟道区分别连接于第二导电区与各第一导电区之间。

Description

像素结构与液晶显示面板
技术领域
本发明涉及一种液晶显示面板,且特别涉及一种有源元件阵列基板。
背景技术
目前市场对于薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystaldisplay,TFT-LCD)的性能要求是朝向高对比(high contrast ratio)、无灰阶反转(no gray scale inversion)、色偏小(little color shift)、亮度高(highluminance)、高色彩丰富度、高色饱和度、快速反应与广视角等方向发展。目前能够达成广视角要求的技术有扭转向列型液晶(TN)加上广视角膜(wideviewing film)、共平面切换式(in-plane switching,IPS)液晶显示器、边际场切换式(fringe field switching,FFS)液晶显示器与多域垂直配向式(multi-domain vertically alignment,MVA)薄膜晶体管液晶显示器等方式。以多域垂直配向式液晶显示器为例,由于形成于彩色滤光基板或薄膜晶体管阵列基板上的配向凸起物(alignment protrusion)或狭缝(slit)可以使得液晶分子呈多方向排列,而得到多个不同配向领域(domains),因此多域垂直配向式液晶显示器能够达成广视角的要求。
图1为所示公知多域垂直配向式液晶显示器的正规化穿透率(normalizedtransmittance)与灰阶(gray level)的关系图。请参考图1,横坐标为灰阶,而纵坐标为正规化穿透率。由图1可知,虽然公知多域垂直配向式液晶显示器能够达成广视角的要求,然而随着观察的视角改变,穿透率对灰阶的曲线(transmittance-level curve)具有不同的曲率。换而言之,当观察的视角改变时,公知多域垂直配向式液晶显示器所显示出的亮度会产生变化,进而导致色偏(color shift)或色饱和度不足(color washout)等问题。
为了解决色偏的问题,已有多种公知技术相继被提出,其中一种方法是在单一像素内多形成一个电容。利用电容耦合的方式使单一像素内的不同像素电极分别产生不同大小的电场,进而让不同像素电极上方的液晶分子有不同的排列。虽然此种方式可以改善色偏现象,但是为了稳定电容耦合所产生的数据电压,通常会增加一晶体管配置于电容所对应的像素电极上,但此增加的晶体管将造成开口率下降的缺点。
另一种方法是在各个像素内增加一个晶体管。也就是说,单一像素中会有两个晶体管。通过不同的晶体管使得在单一像素中的两个像素电极产生不同的电场,进而让不同像素电极上方的液晶分子有不同的排列,以达到改善色偏的目的。然而,由于此种作法需要在单一像素内形成两个晶体管,因此也将造成开口率的损失。
将上述技术应用于中小尺寸液晶显示器上时,公知技术虽然可以改善中小尺寸液晶显示器的色偏问题,但由于公知技术的像素设计损失过多的开口率,导致中小尺寸液晶显示器的色偏问题虽然获得改善,但另一方面却又衍生出亮度不足的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种像素结构以及液晶显示面板,在维持一定程度的开口率前提下,改善色偏现象。
为具体描述本发明的内容,本发明提供一种像素结构,此像素结构配置于一基板上,像素结构与两条扫描线以及一条数据线电性连接。该像素结构包括反射电极、第一透明电极、第二透明电极与半导体层。第一透明电极与反射电极电性连接,而与第二透明电极电性绝缘。半导体层具有两个第一导电区、一第二导电区以及两个第一沟道区,第一导电区分别与反射电极以及第二透明电极电性连接,第二导电区位于第一导电区之间并与数据线电性连接,而部分与扫描线重叠的半导体层定义为第一沟道区,且各第一沟道区分别连接于第二导电区与各第一导电区之间。
本发明又提供一种液晶显示面板,此液晶显示面板包括一有源元件阵列基板、一对向基板以及一位于有源元件阵列基板与对向基板之间的液晶层,其中有源元件阵列基板包括多条扫描线、多条与扫描线交错配置的数据线以及多个像素,各像素分别与对应的两个扫描线以及对应的一数据线电性连接,且各像素包括反射电极、第一透明电极、第二透明电极与半导体层。第一透明电极与反射电极电性连接,而与第二透明电极电性绝缘。半导体层具有两个第一导电区、一第二导电区以及两个第一沟道区,第一导电区分别与反射电极以及第二透明电极电性连接,第二导电区位于第一导电区之间并与数据线电性连接,而部分与扫描线重叠的半导体层定义为第一沟道区,且各第一沟道区分别连接于第二导电区与各第一导电区之间。其中有源元件阵列基板与对向基板之间具有一对应于第一透明电极的第一显示区、一对应于第二透明电极的第二显示区以及一对应于反射电极的反射显示区,且被同一数据电压驱动的第一显示区与第二显示区呈现不同亮度。
在本发明的一实施例中,各扫描线还包括一延伸部,且部分与延伸部重叠的半导体层定义为两个第二沟道区。
在本发明的一实施例中,像素结构还包括一介电层配置于第二导电区与数据线之间,其中介电层具有一开口,且第二导电区通过开口与数据线电性连接。
在本发明的一实施例中,像素结构还包括一绝缘层,配置于半导体层与反射电极以及半导体层与第二透明电极之间,其中绝缘层具有两个开口,第一导电区通过两个开口分别与反射电极以及第二透明电极电性连接。
在本发明的一实施例中,半导体层的材料包括多晶硅或非晶硅。
在本发明的一实施例中,像素的第二导电区、第一沟道区以及与反射电极连接的第一导电区配置于反射电极的下方。
在本发明的一实施例中,像素结构还包括一共享配线配置于反射电极下方。
在本发明的一实施例中,像素结构还包括一透明电容电极与共享配线电性连接,且透明电容电极配置于反射电极、第一透明电极以及第二透明电极下方。在另一实施例中,像素结构还包括一透明电容电极,与共享配线电性连接,透明电容电极配置于反射电极、第一透明电极以及第二透明电极之间的间隙(main slit)下方,以在透明电容电极与反射电极之间、透明电容电极与第一透明电极之间以及透明电容电极与第二透明电极之间构成储存电容。
在本发明的一实施例中,第一透明电极与第二透明电极的面积比值介于3/7到7/3之间。在其它实施例中,第一透明电极的面积与第二透明电极的面积实质上相等。
在本发明的一实施例中,第一透明电极沿数据线方向位于反射电极与第二透明电极之间。在其它实施例中,反射电极沿数据线方向位于第一透明电极与第二透明电极之间。
在本发明的一实施例中,反射电极与第二透明电极分别接收一第一信号与一第二信号,其中第一信号与第二信号不相同。
在本发明的一实施例中,位于同一行像素中的第一透明电极在行方向上彼此对齐。在其它实施例中,位于同一行的像素中,与偶数条数据线连接的部分第一透明电极在行方向上彼此对齐,且与奇数条数据线连接的部分第一透明电极在行方向上彼此对齐。
在本发明的一实施例中,像素以多种亮暗分布模式呈现,像素所呈现的亮暗分布模式在行方向与列方向都以周期性亮暗分布模式呈现。
综上所述,本发明利用半导体层的单一第二导电区与数据线电性连接,并通过不同的沟道区将数据线传输的同一信号分别输入第一透明电极以及第二透明电极,使得各像素中的不同的透明电极产生不同大小的电场,以改善色偏问题。同时,在本发明的一实施例中,采用透明电容电极构成储存电容,一方面使显示质量更为稳定,一方面可以大幅减少开口率的损失。再者,本发明的半导体层仅具有单一第二导电区,且半导体层的大部分区域是位于反射电极下方,因此相比于公知技术,本发明可以维持较高的开口率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
附图说明
图1为公知多域垂直配向式液晶显示器的正规化穿透率与灰阶的关系图。
图2为本发明的一种有源元件阵列基板的示意图。
图3为图2中沿剖面线A-A’的剖面图。
图4A为本发明的一种有源元件阵列基板中的像素示意图。
图4B为本发明的一种有源元件阵列基板中的像素示意图。
图4C为本发明的一种有源元件阵列基板中的像素示意图。
图5A为本发明的一种有源元件阵列基板的像素排列示意图。
图5B为本发明另一种有源元件阵列基板的像素排列示意图。
图6A为本发明的一种液晶显示面板示意图。
图6B为本发明另一种液晶显示面板的显示状态示意图。
图6C为本发明又一种液晶显示面板的显示状态示意图。
其中,附图标记说明如下:
200:有源元件阵列基板
210:扫描线
210E:延伸部
220:数据线
230:像素
250:半导体层
260:共享配线
280:绝缘层
R:反射电极
T1:第一透明电极
T2:第二透明电极
E1:第一导电区
E2:第二导电区
C1:第一沟道区
H、H1、H2、H3、H4:开口
C2:第二沟道区
V:信号
V1:第一信号
V2:第二信号
300、400、500:液晶显示面板
A1:第一显示区
A2:第二显示区
AR:反射显示区
M1:第一种亮暗分布模式
M2:第二种亮暗分布模式
具体实施方式
图2为本发明的一种有源元件阵列基板的示意图。请参照图2,有源元件阵列基板200包括多条扫描线210、多条数据线220以及多个像素230。在图2中仅示出有源元件阵列基板200中数个像素230作说明。各像素230分别与对应的两条扫描线210以及对应的一条数据线220电性连接,且各像素230包括反射电极R、第一透明电极T1、第二透明电极T2与半导体层250。第一透明电极T1与反射电极R电性连接,而与第二透明电极T2电性绝缘。
请继续参考图2,半导体层250具有两个第一导电区E1、一第二导电区E2以及两个第一沟道区C1,第一导电区E1分别与反射电极R以及第二透明电极T2电性连接,第二导电区E2位于第一导电区E1之间并与数据线220电性连接,而部分与扫描线210重叠的半导体层250定义为第一沟道区C1,且各第一沟道区C1分别连接于第二导电区E2与各第一导电区E1之间。
综上所述,有源元件阵列基板200还包括一介电层(未示出)配置于各第二导电区E2与各数据线220之间,其中介电层(未示出)具有多个开口H,如图2所示,第二导电区E2通过单一个开口H1与数据线220电性连接。此外,半导体层250的材料例如是多晶硅或非晶硅,在本实施例中以多晶硅为实施范围。然而,为了进一步抑制像素230未被驱动时漏电流的产生,如图2所示,各扫描线210还包括多个延伸部210E,且部分与延伸部210E重叠的半导体层250定义为多个第二沟道区C2。
当像素230被驱动时,通过数据线220传输的信号V通过单一个开口H1输入半导体层250的第二导电区E2,并往两侧被开启的第一沟道区C1与第二沟道区C2传递,信号V分别通过不同途径的第一沟道区C1与第二沟道区C2而产生不同的第一信号V1与第二信号V2,令往反射电极R方向传递的信号为第一信号V1,往第二透明电极T2方向传递的信号为第二信号V2。因此,当像素230被驱动时,反射电极R与第二透明电极T2通过不同的第一导电区E1分别接收第一信号V1与第二信号V2,使得像素230的反射电极R以及一与反射电极R电性连接的第一透明电极T1具有第一信号V1,而第二透明电极T2具有第二信号V2。
值得注意的是,不同于公知技术在单一像素230中使用两个晶体管,本发明利用单一开口H1,使数据线220传输的信号V分别通过不同途径的半导体层250,进而让第一透明电极T1以及第二透明电极T2分别接收不同的第一信号V1与第二信号V2,以达到改善色偏的目的。换句话说,本发明在各像素230中,相比于公知的两个晶体管的结构能维持较高的开口率。此外,在本实施例中,各像素230中的半导体层250的大部分区域是位于反射电极R的下方,如图2所示,各像素230的第二导电区E2、第一沟道区C1、第二沟道区C2以及与反射电极R连接的第一导电区E1都配置于反射电极R的下方,因此更能大幅提升开口率。
此外,有源元件阵列基板200还包括一绝缘层280(所示于图3),配置于半导体层250与反射电极R以及半导体层250与第二透明电极T2之间,其中绝缘层280具有至少一开口H,在图2中,第一导电区E1通过开口H2与反射电极R电性连接,另一第一导电区E1通过开口H3与第二透明电极T2电性连接。
图3为图2中沿剖面线A-A’的剖面图。请同时参照图2与图3,有源元件阵列基板200还包括一共享配线260配置于反射电极R下方。具体地是,有源元件阵列基板200还包括一透明电容电极270与共享配线260电性连接,且在各像素230中,透明电容电极270配置于反射电极R、第一透明电极T1以及第二透明电极T2下方。在本实施例中,绝缘层280还包括另一开口H4,透明电容电极270是通过开口H4与共享配线260电性连接。如此,透明电容电极270与反射电极R之间、透明电容电极270与第一透明电极T1之间以及透明电容电极270与第二透明电极T2之间即构成储存电容,此设计能够使得像素230在保有一定程度开口率的情况下,同时提升显示质量的稳定性。当然,设计者可依像素230的设计空间或其它需求调整透明电容电极270的形状、数量以及配置位置,还或者变动透明电容电极270与反射电极R的连接方式,举例而言,透明电容电极270也可以只配置于反射电极R与第二透明电极T2下方,或者只配置于第一透明电极T1与第二透明电极T2下方。
为了使显示质量进一步获得提升,设计者可依色偏调整需求调整第一透明电极T1与第二透明电极T2的形状、配置位置以及二者的面积比值。举例而言,在本实施例中,各像素230的反射电极R位于第一透明电极T1与第二透明电极T2之间。在其它实施例中,各像素230的第一透明电极T1位于反射电极R与第二透明电极T2之间,如图4A所示。此外,各像素230的第一透明电极T1的面积与第二透明电极T2的面积也可以视设计需求调整。例如,在图4A中,第一透明电极T1的面积与第二透明电极T2的面积可以实质上相等。在图4B中,第一透明电极T1与第二透明电极T2的面积比值大体为3/7,而在图4C中,第一透明电极T1与第二透明电极T2的面积比值大体为7/3。当然,二者的面积比值也可以是介于3/7到7/3之间。
图5A为本发明的一种有源元件阵列基板的像素排列示意图。请参照图5A,位于同一行像素230中的第一透明电极T1在行方向上彼此对齐。图5B为本发明另一种有源元件阵列基板的像素排列示意图。请参照图5B,位于同一行的像素230中,与偶数条数据线220连接的部分第一透明电极T1在行方向上彼此对齐,且与奇数条数据线220连接的部分第一透明电极T1在行方向上彼此对齐。
图6A为本发明的一种液晶显示面板示意图。请参照图6A,此液晶显示面板300包括一上述的有源元件阵列基板200、一对向基板(未示出)以及一位于有源元件阵列基板200与对向基板之间的液晶层(未示出),其中液晶显示面板300具有一对应于第一透明电极T1的第一显示区A1、一对应于第二透明电极T2的第二显示区A2以及一对应于反射电极R的反射显示区AR,且各像素230被同一数据电压驱动时,第一显示区A1与第二显示区A2呈现不同亮度。
值得注意的是,本发明的液晶显示面板300中的像素230适于呈现多种亮暗分布模式,且像素230所呈现的亮暗分布模式在行方向上呈现周期性的变化。在此特别说明的是,亮暗分布模式是指像素230中的第一显示区A1与第二显示区A2所呈现的亮暗分布情况,而第一显示区A1与第二显示区A2的面积比例并不影响亮暗分布模式的判断。举例而言,令第一种亮暗分布模式M1为像素230中的第一显示区A1所呈现的亮度低于第二显示区A2所呈现的亮度,而第二种亮暗分布模式M2为像素230中的第一显示区A1所呈现的亮度高于第二显示区A2所呈现的亮度,但并不限定反射显示区AR的配置位置。在本实施例中,第一显示区A1位于第二显示区A2与反射显示区AR之间。如图6A所示,在各像素230中,暗显示区D位于亮显示区B与反射显示区AR之间,因此,液晶显示面板300以一种亮暗分布模式M1为单位U在行方向上呈现周期性的变化。当然,液晶显示面板300也可以是以相同的亮暗分布模式为单位U,在列方向呈现周期性的变化。
图6B为本发明另一种液晶显示面板的显示状态示意图。请参照图6B,像素230的第二种亮暗分布模式M2中,第一显示区A1位于第二显示区A2与反射显示区AR之间。换而言之,本实施例的第二种亮暗分布模式M2为亮显示区B位于暗显示区D与反射显示区AR的间。因此,在液晶显示面板400中的第一行的像素230中,由左至右依序是以第二种亮暗分布模式M2、第一种亮暗分布模式M1作周期性排列。换句话说,在本实施例中,液晶显示面板400是以两个像素230的第二种亮暗分布模式M2与第一种亮暗分布模式M1为一单位U,在行方向呈现周期性的变化。另外,本发明并不限定像素230中第一显示区A1与第二显示区A2的面积比例与形状以及反射显示区AR的配置位置。当然,液晶显示面板400也可以是以相同的亮暗分布模式为单位U,在列方向呈现周期性的变化。
图6C为本发明再一种液晶显示面板的显示状态示意图。请参照图6C,像素230中的第二种亮暗分布模式M2’为反射显示区AR位于第二显示区A2与第一显示区A1之间。换而言之,本实施例的第二种亮暗分布模式M2’为反射显示区AR位于暗显示区D与亮显示区B之间。因此,在液晶显示面板500中的第一行的像素230中,由左至右依序是以第一种亮暗分布模式M1、第二种亮暗分布模式M2’作周期性排列。换而言之,在本实施例中,液晶显示面板500是以两个像素230的第一种亮暗分布模式M1与第二种亮暗分布模式M2’为一单位U,在行方向呈现周期性的变化。另外,本发明并不限定像素230中第一显示区A1与第二显示区A2的面积比例与形状以及反射显示区的配置位置。当然,液晶显示面板500也可以是以相同的亮暗分布模式为单位U,在列方向呈现周期性的变化。这里要说明的是,本发明的液晶显示面板中的像素适于呈现多种亮暗分布模式,本文仅以上述三种液晶显示面板的亮暗分布模式为例作说明,但并不以此为限。
综上所述,本发明通过半导体层的单一第二导电区的设计,使得各像素中的不同的透明电极分别产生不同的电场,以改善色偏问题。再者,本发明中的半导体层大体布局于反射电极下方,因此相比于公知技术,本发明可以维持较高的开口率。同时,本发明可以利用透明电容电极来提升显示质量。
虽然本发明已以优选实施例揭示如上,然而其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中具有普通技术知识的人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的变动与润饰,因此本发明的保护范围当视后附的权利要求书为准。

Claims (18)

1.一种像素结构,配置于一基板上,该像素结构与两条扫描线以及一条数据线电性连接,该像素结构包括:
一反射电极;
一第一透明电极,其与该反射电极电性连接;
一第二透明电极,与该第一透明电极电性绝缘;
一半导体层,具有两个第一导电区、一第二导电区以及两个第一沟道区,其中所述第一导电区分别与该反射电极以及该第二透明电极电性连接,该第二导电区位于所述第一导电区之间并与该数据线电性连接,而部分与所述扫描线重叠的该半导体层定义为所述第一沟道区,且所述第一沟道区分别连接于该第二导电区与所述第一导电区之间。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征是各所述扫描线还包括一延伸部,且部分与所述延伸部重叠的该半导体层定义为两个第二沟道区。
3.如权利要求1所述的像素结构,还包括一介电层,配置于该第二导电区与该数据线之间,其中该介电层具有一开口,该第二导电区通过该开口与该数据线电性连接。
4.如权利要求1所述的像素结构,还包括一绝缘层,配置于该半导体层与该反射电极以及该半导体层与该第二透明电极之间,其中该绝缘层具有两个开口,所述第一导电区通过该两个开口分别与该反射电极以及该第二透明电极电性连接。
5.如权利要求1所述的像素结构,其特征是该半导体层的材料包括多晶硅或非晶硅。
6.如权利要求1所述的像素结构,其特征是该第二导电区、所述第一沟道区以及与该反射电极连接的该第一导电区配置于该反射电极的下方。
7.如权利要求1所述的像素结构,还包括一共享配线,配置于该反射电极下方。
8.如权利要求7所述的像素结构,还包括一透明电容电极,与该共享配线电性连接,且该透明电容电极配置于该反射电极、该第一透明电极以及该第二透明电极下方。
9.如权利要求7所述的像素结构,还包括一透明电容电极,与该共享配线电性连接,该透明电容电极配置于该反射电极、该第一透明电极以及该第二透明电极之间的间隙下方,由此在该透明电容电极与该反射电极之间、该透明电容电极与该第一透明电极之间以及该透明电容电极与该第二透明电极之间构成储存电容。
10.如权利要求1所述的像素结构,其特征是该第一透明电极与该第二透明电极的面积比值介于3/7到7/3之间。
11.如权利要求1所述的像素结构,其特征是该第一透明电极的面积与该第二透明电极的面积实质上相等。
12.如权利要求1所述的像素结构,其特征是该第一透明电极沿该数据线方向位于该反射电极与该第二透明电极之间。
13.如权利要求1所述的像素结构,其特征是该反射电极沿该数据线方向位于该第一透明电极与该第二透明电极之间。
14.如权利要求1所述的像素结构,其特征是该反射电极与该第二透明电极分别接收一第一信号与一第二信号,其中该第一信号与该第二信号不相同。
15.一种液晶显示面板,具有一第一显示区、一第二显示区与一反射显示区,包括:
一有源元件阵列基板,包括:
多条扫描线;
多条数据线,与所述扫描线交错配置;以及
多个像素,其中各所述像素分别与所述扫描线中两条对应的扫描线以及所述数据线中一条对应的数据线电性连接,且各所述像素包括:
一反射电极;
一第一透明电极,其与该反射电极电性连接;
一第二透明电极,其与该第一透明电极电性绝缘;以及
一半导体层,具有两个第一导电区、一第二导电区以及两个第一沟道区,其中所述第一导电区分别与该反射电极以及该第二透明电极电性连接,该第二导电区位于所述第一导电区之间并与该数据线电性连接,而部分与该两条对应的扫描线重叠的该半导体层定义为所述第一沟道区,且所述第一沟道区分别连接于该第二导电区与所述第一导电区之间;
一对向基板;以及
一液晶层,位于该有源元件阵列基板与该对向基板之间,其中
该第一显示区对应于该第一透明电极、该第二显示区对应于该第二透明电极,以及该反射显示区对应于该反射电极,且被同一数据电压驱动的该第一显示区与该第二显示区呈现不同亮度。
16.如权利要求15所述的液晶显示面板,其特征是所述像素以多种亮暗分布模式呈现,所述像素所呈现的亮暗分布模式在行方向与列方向都以周期性亮暗分布模式呈现。
17.如权利要求15所述的液晶显示面板,其特征是在同一行的所述像素,所述第一透明电极在行方向上彼此对齐。
18.如权利要求15所述的液晶显示面板,其特征是在同一行的所述像素中,与偶数条所述数据线电性连接的部分所述第一透明电极在行方向上彼此对齐,且与奇数条所述数据线电性连接的部分所述第一透明电极在行方向上彼此对齐。
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