CN101107777A - 声表面波滤波器件 - Google Patents
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Abstract
一种具有足够通频带宽的纵向结合谐振器型声表面波器件，其中在通频带低频侧附近的阻止带域内可以得到大的衰减量，并且可以实现通频带内的低插入损耗。一种5－IDT纵向结合谐振器型声表面波器件1包括：第一IDT11、沿表面波传播方向设在第一IDT11两侧的第二和第三IDT12和13，以及沿表面波传播方向的最外IDT14和15。其中，当第一IDT11具有电极指数目N1和电极指间距P1，第二和第三IDT12和13具有电极指数目N2和电极指间距P2，第四和第五IDT14和15具有电极指数目N3和电极指间距P3时，满足关系N1＜N2，N1＜N3，P1＜P2和P1＜P3。
Description
技术领域
本发明涉及声表面波滤波器件，在比如移动通信装置中用作为带通滤波器。具体地说，本发明涉及一种5-IDT纵向结合谐振器型的声表面波器件。
背景技术
近年来，纵向结合谐振器型的声表面波器件被广泛用作比如移动电话类移动通信装置中的射频段带通滤波器。下面的专利文献1描述作为这种类型的纵向结合谐振器型声表面波器件，即如图16中所表示的5-IDT纵向结合谐振器型的声表面波器件501。
所述5-IDT纵向结合谐振器型的声表面波器件501具有5个沿表面波传播方向配置的IDT 511-515。沿配置有5个IDT的表面波传播方向任何一侧的那部分，配置有反射器516和517。位置在5个IDT 511-515中心处的IDT被称作第一IDT511。位于该第一IDT511两侧的一对IDT被称为第二和第三IDT512和513，而沿表面波传播方向为最外面的IDT称为第四和第五IDT514和515。在这样的情况下，分别用N1和P1表示第一IDT的电极指数目和电极指间距；分别用N2和P2表示第二和第三IDT512和513的电极指数目和电极指间距；以及分别用N3和P3表示第四和第五IDT514和515的电极指数目和电极指间距。按照专利文献1，满足关系N1＞N2＞N3和P1＞P2＞P3。采用这样的结构，多个IDT511-515辐射特性的峰值频率实际上是彼此相等的，并可得到宽带滤波特性。
专利文献1：日本未审专利申请公开JP-2003-92527。
发明内容
然而，按照专利文献1中所揭示的5-IDT纵向结合谐振器型的声表面波器件501，虽然通频带的带宽可以增大，但带域外衰减量不能充分地增大。特别是在通频带低频侧附近的阻止带域内，不能得到足够大的衰减量，也不能得到陡峭(sharp)的滤波特性。
本发明克服了相关技术的上述缺点，提供一种5-IDT纵向结合谐振器型声表面波器件，它在通频带的阻止带域内具有大的衰减量和陡峭的滤波特性。
本发明提供一种纵向结合谐振器型声表面波器件，它包括压电基板；设在压电基板上的第一IDT、沿表面波传播方向设在第一IDT两侧的第二和第三IDT、沿表面波传播方向设置有第一至第三IDT的两侧配置第四和第五IDT；以及沿表面波传播方向设置有第一至第五IDT的两侧配置的第一和第二反射器。其中，当分别用N1和P1表示第一IDT的电极指数目和电极指间距；分别用N2和P2表示第二和第三IDT512和513的电极指数目和电极指间距；以及分别用N3和P3表示第四和第五IDT514和515的电极指数目和电极指间距时，确定第一至第五电极指数目和电极指间距满足关系N1＜N2，N1＜N3，P1＜P2和P1＜P3。
按照本发明的一种具体方案，所述滤波器件还包括不平衡信号接线端和第一、第二平衡信号接线端，其中，第二IDT与第三IDT的相位差180°，第二和第三IDT各自的一端与所述不平衡信号接线端相连，第一IDT沿表面波传播方向被分成第一分割的IDT部分和第二分割的IDT部分，所述第一分割的IDT部分及第四IDT与第一平衡信号接线端相连，而所述第二分割的IDT部分及第五IDT与第二平衡信号接线端相连。在这种情况下，本发明给出一种声表面波滤波器件，在通频带低频侧附近的阻止带域中具有增大的衰减量，并具有平衡-不平衡转换特性。
按照本发明的另一种具体方案，所述滤波器件还包括不平衡信号接线端和第一、第二平衡信号接线端，其中，第二IDT与第三IDT的相位差180°，第一、第四和第五IDT各自的一端与所述不平衡信号接线端相连，第二IDT与第一平衡信号接线端相连，第三IDT与第二平衡信号接线端相连。在这种情况下，本发明给出一种声表面波滤波器件，在通频带低频侧附近的阻止带域中具有增大的衰减量，并具有平衡-不平衡转换特性。
按照本发明声表面波滤波器件的又一种具体方案，至少一个单接线端对(one-terminal-pair)的声表面波谐振器与第一和第二平衡信号接线端和/或不平衡信号接线端相连。由于至少一个单接线端对的声表面波谐振器按上述方式相连，所以，可以在通频带高频侧得到大的衰减量。
按照本发明声表面波滤波器件的再一种具体方案，在第一和第二IDT彼此相邻的以及第二和第四IDT彼此相邻的的两个部分，或者在第一和第三IDT彼此相邻的以及第三和第五IDT彼此相邻的的两个部分当中的任意两个相邻的IDT中的一个和/或另一个中，把对多个电极指实行串联加权(series weighting)，其中包括与其它IDT最邻近的最外面的电极指。在这种情况下，使设置在实行串联加权的部分、且在下面有述的浮置电极两侧的激励被弱化，从而可使平衡度得到提高。
按照本发明的声表面波滤波器件，它是具有第一至第五IDT的5-IDT纵向结合谐振器型声表面波器件，其中，当分别用N1和P1表示第一IDT的电极指数目和电极指间距；分别用N2和P2表示第二和第三IDT的电极指数目和电极指间距；以及分别用N3和P3表示第四和第五IDT的电极指数目和电极指间距时，确定所述各电极指数目和电极指间距满足关系N1＜N2，N1＜N3，P1＜P2和P1＜P3。从而，在通频带低频侧附近的阻止带域中得到增大的衰减量，还得到陡峭的滤波特性。进而，可以降低通频带内的插入损耗。
因此，按照本发明，可以给出一种具有大的带域外衰减量和低损耗的5-IDT纵向结合谐振器型声表面波器件。
附图说明
图1是本发明第一优选实施例纵向结合谐振器型声表面波器件的平面示意图；
图2是表示相关技术纵向结合谐振器型声表面波器件在N1＝N2＝N3且P1＝P2＝P3时的传输特性，以及具有1Ω终端时传输特性的示意图；
图3是表示相关技术纵向结合谐振器型声表面波器件在N1＞N2，N3，以及P1＞P2，P3时的传输特性，以及具有1Ω终端时传输特性的示意图；
图4是表示本发明第一优选实施例纵向结合谐振器型声表面波器件的传输特性，以及具有1Ω终端时传输特性的示意图；
图5是表示在电极指间距P1按0.005μm阶式变化时，在通频带低频侧出现的”阱”和谐振峰变化的示意图；
图6是表示第一IDT的电极指数目按4阶式减少时，”阱”和谐振峰位置改变的示意图；
图7(a)和(b)是表示当电极指间距P1变化时，第一IDT的电极指间距P1的改变量，以及”阱”D和峰值E的频率位置变化的示意图；
图8(a)和(b)是表示当电极指间距P1变化时，第一IDT的电极指间距P1的改变量，以及”阱”D和峰值E的衰减量变化的示意图；
图9是表示当第一IDT的电极指间距P1变化时的改变量与通频带低频侧出现的”阱”D和峰值E的衰减量间的差之间关系的示意图；
图10是表示沿表面波传播方向配置的第一至第五IDT中电流的能量分布方式的示意图；
图11是表示第二优选实施例纵向结合谐振器型声表面波器件的传输特性，以及具有1Ω终端时传输特性的示意图；
图12是表示本发明一种改型的纵向结合谐振器型声表面波器件电极结构的平面示意图；
图13是表示本发明另一种改型的纵向结合谐振器型声表面波器件电极结构的平面示意图；
图14是表示本发明又一种改型的纵向结合谐振器型声表面波器件电极结构的平面示意图；
图15是表示本发明再一种改型的纵向结合谐振器型声表面波器件电极结构的平面示意图；
图16是表示相关技术的5-IDT纵向结合谐振器型声表面波器件电极结构的平面示意图。
参考标记
1 纵向结合谐振器型声表面波器件
2 压电基板
3 不平衡接线端
4和5 第一和第二平衡接线端
11-15 第一至第五IDT
11A和11B第一和第二分割的IDT部分
16和17 反射器
101 纵向结合谐振器型声表面波器件
102 声表面波谐振器
111 纵向结合谐振器型声表面波器件
112和113声表面波谐振器
121 纵向结合谐振器型声表面波器件
131-135 IDT
141 纵向结合谐振器型声表面波器件
142 IDT
143和144浮置电极指
具体实施方式
以下在描述专利文献1所述相关技术中的问题之后，将以更详细的资料参照附图描述本发明实施例。
图2中的实线指的是图16中所示5-IDT纵向结合谐振器型声表面波器件501，在声表面波滤波器件的电极指数目N1，N2和N3以及电极指间距P1，P2和P3满足关系N1＝N2＝N3和P1＝P2＝P3时的传输特性，虚线指的是具有1Ω终端时的传输特性。所述具有1Ω终端时的传输特性是一种为研究通过声表面波滤波器件的结合模式所得峰值频率的有效模式分析技术。
图2表示在N1＝N2＝N3＝41和P1＝P2＝P3＝1.024μm时所得的特性。其它特性如下：
纵向结合谐振器型声表面波器件501的描述：在40±5°Y-切割X传播的LiTaO3基板上，利用多个A1电极限定的5-IDT纵向结合谐振器型声表面波器件。
IDT的电极指交叉长度＝55μm
各反射器的电极指数目＝100
金属化比率＝0.7
电极膜厚＝0.08λr(λr表示反射器的电极指间距所限定的波长，即反射器电极指间距的两倍)
正如由图2中所示虚线表示的具有1Ω终端时的传输特性所能看到的，发现通频带中存在A1峰，而在阻止带域中存在A2峰。也就是说，发现在阻止带域中存在由模式结合所感应的峰。
图3表示纵向结合谐振器型声表面波器件501在N1＝55，N2＝51，N3＝27P1＝1.027μm，P2＝1.026μm，P3＝1.022μm时的传输特性，有如实线所表示的那样；以及有如虚线所表示的具有1Ω终端时的传输特性。也就是说，满足关系N1＞N2，N3，P1＞P2，P3时的传输特性。
有如图3所能看到的，发现由虚线表示的具有1Ω终端时的传输特性中，在阻止带域中出现模式结合所感应的B峰，就像在图2所示的情况那样。
由模式结合所感应的A峰等都需要限定通频带。然而，正如从图2和图3所示的传输特性所看出的，发现如果在阻止带域中，特别是在通频带附近的阻止带域中存在A2峰或B峰，就会引发在通频带的低频侧附近的阻止带域中的衰减量不够大的问题。
图1是表示本发明第一实施例为克服上述问题所构造的声表面波滤波器件的电极结构的平面示意图。
声表面波滤波器件1是一个5-IDT纵向结合谐振器型声表面波器件，在本实施例中，它被用作PCS接收用的带通滤波器。因此，采用从1930MHz至1990MHz的设计通频带区域。
利用压电基板2构成所述纵向结合谐振器型声表面波器件。由40+5°Y-切割、X传播的LiTaO3基板形成所述压电基板2。不过，也可以采用任何其它结晶取向的LiTaO3基板，或者任何其它压电单晶基板或压电陶瓷基板形成所述压电基板2。
在压电基板2上确定所说明过的电极结构。纵向结合谐振器型声表面波器件1包括不平衡信号接线端3和第一、第二平衡信号接线端4、5，因而具有平衡-不平衡转换功能。
把沿表面波传播方向位于5个IDT中心的那个IDT称为第一IDT11。在第一IDT11两侧配置第二和第三IDT12、13。沿声表面波传播方向配置有最外面的第四和第五IDT14、15。
第一IDT11沿声表面波传播方向被分为两部分，从而有第一分割IDT部分11A和第二分割IDT部分11B。
沿配置着第一至第五IDT的声表面波传播方向两侧的部分配置有第一和第二反射器16和17。
第二和第三IDT12和13的第一端共同连到不平衡信号接线端3。第二和第三IDT12和13的第二端被接到地电位。
第四IDT14的第一端和第一IDT的第一分割IDT部分11A的第一端被连接在一起，并与第一平衡信号接线端4相连。第四IDT14和第一分割IDT部分11A的第二端被接到地电位。
第一IDT11的第二分割IDT部分11B和第五IDT15的第一端被连接在一起，并与第二平衡信号接线端5相连。第二分割IDT部分11B和第五IDT15的第二端被接到地电位。
第三IDT13的极性与第二IDT12的极性差180°，并因此而从平衡信号接线端4和5得到相位差180°的信号。
通过IDR11连到地电位的电极，使所述分割IDT部分11A和11B串联连接。
在本实施例的纵向结合谐振器型声表面波器件中，分别由N1和P1表示第一IDT11的电极指的数目和电极指间距；分别用N2和P2表示第二和第三IDT12和13的电极指数目和电极指间距；以及分别用N3和P3表示第四和第五IDT14和15的电极指数目和电极指间距。由于满足关系N1＜N2，N1＜N3，P1＜P2和P1＜P3，所以，在通频带低频侧附近的阻止带域中得到大的衰减量，并可得到陡峭的滤波特性。另外，可以实现通频带中的低插入损耗。下面将关于更为特定的实验数据描述这些优点。
由反射器16和17的电极指间距所确定的波长被表示为γr，利用与上述声表面波滤波器件501同样的材料制成本实施例的声表面波滤波器件1，同时满足下述规格：
电极指的交叉长度＝55μm
各IDT的电极指数目(按第四IDT14、第二IDT12、第一IDT11、第三IDT13和第五IDT15的次序)：59、63、26、63、59
反射器的电极指数目＝100
金属化比率＝0.7
电极膜厚＝0.08λr
IDT11的电极指间距P1＝1.009μm，电极指间距P2＝P3＝1.036μm
图4中的实线表示上述实施例的纵向结合谐振器型声表面波器件的传输特性，虚线表示具有1Ω终端时的传输特性。
正如从具有1Ω终端时的传输特性所清楚看到的，发现由于模式结合而出现C1-C3谐振峰。这就是说，发现谐振峰C1出现在1980MHz附近，谐振峰C2出现在1925MHz附近，在1915MHz附近形成“阱”，并在1900MHz附近出现谐振峰C3。
C1、C2峰是限定通频带所需的谐振峰。在1915MHz附近形成的“阱”和在1900MHz附近出现的C3峰限定通频带低频侧的旁瓣，并可发现通频带低频侧的衰减量增大。
与图2和3相比，恰如从图4所能清楚看到的，发现通频带低频侧附近的阻止带域中的衰减量更大，并且通频带低频侧的滤波特性更加陡峭。这是因为电极指的数目满足关系N1＜N2和N1＜N3。另外，电极指的间距被设定为满足P1＜P2和P1＜P3，从而实现通频带中的低插入损耗。下面将关于更为特定的实验数据描述这些优点。
图5是表示在上述相关技术之纵向结合谐振器型声表面波器件501具有N1＝N2＝N3并且P1＝P2＝P3＝1.024μm结构的情况下，具有1Ω终端时的传输特性变化的示意图，其中按0.005μm的步进减小第一中心IDT的电极指间距P1的值。正如从图5所能清楚看到的，发现随着第一IDT511的电极指间距P1减小，在通频带低频侧产生的“阱”D移向高频侧。在高频侧相对于“阱”D立刻产生一个E峰。发现随着电极指间距P1减小，E峰移向高频侧，同时通频带的带宽变窄。
图6是表示在上述纵向结合谐振器型声表面波器件501中第一IDT511的电极指数目N1从N1＝N2＝N3＝41和P1＝P2＝P3＝1.024μm并且P1＝P2-0.01μm，即P1＝1.014μm的条件以4的阶式减小的情况下，具有1Ω终端时的传输特性变化的示意图。
正如从图6所能清楚看到的，发现电极指的数目N1增大，“阱”D和相对于“阱”D在高频侧附近的E峰都移向高频侧，同时也使通频带的带宽变窄。
正如从图6所能清楚看到的，相反的是，随着第一IDT的电极指数目减少，“阱”D移向低频侧，实现宽的带域，并且，峰的衰减量减小，从而减小插入损耗。
相应地，把具有1Ω终端时的传输特性中所产生的“阱”D和E峰用于限定通频带，从而，在通频带低频侧附近的阻止带域中给出大的衰减量，并提高通频带低频侧的陡峭性。在这种情况下，“阱”D的衰减量越大，衰减量增大的效果越大。另外，通过减小E峰处的衰减量，可使通频带中的插入损耗减小。
图8(a)表示当第一IDT的电极指间距P1和电极指数目N1改变时，“阱”D衰减量的变化。图8(b)表示E峰处衰减量的变化。
从图8(a)能够看出，当N1＞N2和N3时，衰减量聚集在-40dB附近，而当N1≤N2且N1≤N3时，所述衰减量减小得更多。从图8(b)能够看出，当N1＞N2以及N1＞N3时，E峰处的衰减量随着电极指间距P1的减小而增大，而当N1＜N2且N1＜N3时，可使衰减量保持较低。
图7(a)表示当第一IDT的电极指间距P1和电极指数目N1改变时，“阱”的频率的变化。图7(b)表示当第一IDT的电极指间距P1和电极指数目N1改变时，峰的频率的变化。
正如从图7(b)所清楚看出的，发现当电极指数目N1为21、25或31时，峰值点比N1＝19时的低，这是尤为可取的。
图9表示当第一IDT的电极指间距P1和电极指数目N1改变时，“阱”的衰减量与峰值点的衰减量之间的差。当N1＜N2且N1＜N3时，“阱”的衰减量大，而峰处的衰减量小，导致它们之间的差变大。因此，可使通频带低频侧的陡峭性得到改善，并可使通频带内的插入损失减小。另外，可以使峰值点处的衰减量比N1＝N2＝N3＝41，且P1＝P2＝P3＝1.024μm时的小。
于是，从图7-9表示的结果可以看出，通过满足关系N1＜N2且N1＜N3，可以在邻近通频带低频侧的阻止带域中得到大的衰减量，并可以得到更为陡峭的滤波特性。还可以发现，通过满足关系P1＜P2且P1＜P3，可使通频带内的插入损耗减小。
按“第6届高效能EM电路设备调查专门委员会资料-5-IDT型多模式结合谐振滤波器的SAW模式分析”，对发生峰值点的频率位置进行SAW模式分析。结果发现有如图10所示者，电流分布聚集在第一IDT处。考虑为什么随着第一IDT的电极指数目N1减小，峰值点处的衰减量减小的原因在于，当电极指数目N1小时，第一IDT处更有效地激励电流。然而，如果电极指数目N1太小，相反地会使电阻增大，从而导致峰值点处的衰减量大。因此，按照本实施例，最好使电极指数目N1不小于21。
接下去，除了设计参数有如下的变化外，按与图1所示实施例类似的方式制成第二实施例的5-IDT纵向结合谐振器型声表面波器件。图11表示如此得到的第二实施例纵向结合谐振器型声表面波器件的传输特性，以及具有1Ω终端时的传输特性。
电极指的交叉长度＝45μm
各IDT的电极指数目(按第四IDT14、第二IDT12、第一IDT11、第三IDT13和第五IDT15的次序)：45、45、34、45、45
反射器的电极指数目＝100
金属化比率＝0.68
电极膜厚＝0.08λr
第一IDT11的电极指间距P1＝1.014μm，P2＝1.022μm，P3＝1.027μm
另外，在第二实施例中，满足关系P1＜P2，P1＜P3，N1＜N2且N1＜N3。因此，正如从图11所清楚看出的，发现在通频带低频侧得到陡峭的滤波特性，并使通频带中的插入损耗减小。
本发明的纵向结合谐振器型声表面波器件并不限于具有第一或第二实施例的电极结构。在图12所示的改型纵向结合谐振器型声表面波器件101中，单接线端对的声表面波谐振器102还与第一纵向结合谐振器型声表面波器件1相连。具体地说，单接线端对的声表面波谐振器102串联连接在不平衡信号接线端3与第一纵向结合谐振器型声表面波器件1的第二和第三IDR12、13的公共接点之间。在图13所示的纵向结合谐振器型声表面波器件111中，单接线端对的声表面波谐振器112和113分别串联连接在第一纵向结合谐振器型声表面波器件1和第一平衡信号接线端4之间，以及第一纵向结合谐振器型声表面波器件1和第二平衡信号接线端5之间。
于是，至少可以将一个声表面波谐振器串联连接在一个纵向结合谐振器型声表面波器件与不平衡信号接线端或平衡信号接线端之间，在这种情况下，可以在通频带的高频侧得到大的衰减量。在图14所示的改型纵向结合谐振器型声表面波器件121中，由不具有分割的IDT部分的普通IDT形成第一IDT131。沿表面波传播方向的第一IDT131和最外面的第四、第五IDT134、135的第一端共同连接在一起，并与不平衡信号接线端3电连接，而第一、第四和第五IDT131、134、135的第二接线端接到地电位。另外，第二和第三IDT132和133的第一端连到地电位，而第二和第三IDT132和133的第二端分别与第一和第二平衡信号接线端4和5相连。按照这种方式，采用不带分割的IDT部分的第一至第五IDT131-135，能够实现平衡-不平衡转换功能。此外，图15所示的纵向结合谐振器型声表面波器件141的结构是，其中，单接线端对声表面波谐振器102与第一纵向结合谐振器型声表面波器件1相连，其中实行串联加权。通过设置浮置电极指143和144，使得沿声表面波传播方向到达第三IDR142两侧的电极指和位于其间的电极指之间所限定的区域，而实行所述串联加权。按与图12所示的纵向结合谐振器型声表面波器件101同样的方式，构造其余部件。
因而，按照本发明，如果需要，可以对5-IDT纵向结合谐振器型声表面波器件实行串联加权。这种串联加权使得能够削弱浮置电极指143和144两侧的激励，并使平衡度得到提高。
本发明并不限于上述具有平衡-不平衡转换功能的纵向结合谐振器型声表面波器件，而可以包括没有平衡-不平衡转换功能的纵向结合谐振器型声表面波器件，如图16所示的5-IDT纵向结合谐振器型声表面波器件。在任何一种纵向结合谐振器型声表面波器件中，通过满足有如上面所述的关系N1＜N2、N1＜N3、P1＜P2和P1＜P3，在通频带的低频侧附近的阻止带域中，可以得到大的衰减量，并可以得到陡峭的滤波特性。另外，可以降低通频带内的插入损耗。
Claims (5)
1.一种纵向结合谐振器型声表面波器件，它包括：
压电基板；
设在压电基板上的第一IDT；
沿表面波传播方向设在第一IDT两侧的第二和第三IDT；
沿表面波传播方向设置有第一至第三IDT的两侧配置的第四和第五IDT；以及
沿表面波传播方向设置有第一至第五IDT的两侧配置的第一和第二反射器；其中，
分别用N1和P1表示第一IDT的电极指数目和电极指间距，分别用N2和P2表示第二和第三IDT和的电极指数目和电极指间距，且分别用N3和P3表示第四和第五IDT的电极指数目和电极指间距，确定第一至第五电极指数目和电极指间距满足关系N1＜N2，N1＜N3，P1＜P2和P1＜P3。
2.如权利要求1所述的声表面波滤波器件，其中，还包括不平衡信号接线端和第一、第二平衡信号接线端；
第二IDT与第三IDT的相位差180°；
第二和第三IDT各自的一端与所述不平衡信号接线端相连；
第一IDT沿表面波传播方向被分成第一分割的IDT部分和第二分割的IDT部分；
所述第一分割的IDT部分及第四IDT与第一平衡信号接线端相连，而所述第二分割的IDT部分及第三IDT与第二平衡信号接线端相连。
3.如权利要求1所述的声表面波滤波器件，其中，还包括不平衡信号接线端和第一、第二平衡信号接线端；
第二IDT与第三IDT的相位差180°；
第一、第四和第五IDT各自的一端与所述不平衡信号接线端相连；
第二IDT与第一平衡信号接线端相连，第三IDT与第二平衡信号接线端相连。
4.如权利要求2或3所述的声表面波滤波器件，其中，至少一个单接线端对声表面波谐振器与第一和第二平衡信号接线端和/或不平衡信号接线端相连。
5.如权利要求1至4任一项所述的声表面波滤波器件，其中，在彼此相邻的第一和第二IDT以及彼此相邻的第二和第四的两个部分，或者彼此相邻的第一和第三IDT以及彼此相邻的第三和第五的两个部分当中的任意两个相邻的IDT中的一个和/或另一个中，把串联加权加给多个电极指，这当中包括与其它电极指最邻近的最外面的电极指。
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