CN101093333A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种高可靠性、显示品质优异的显示装置。本发明一种形态的显示装置的TFT阵列基板(101)具备：形成在显示区域(2)中的多个扫描信号线(3)；形成在显示区域(2)中的显示信号线(5)；在显示区域(2)内配置成矩阵状的TFT(31)；设置在配置于显示区域(2)外侧的边框区域(50)中并与扫描信号线(3)相对应设置的多个扫描引线(4)；设置在多个扫描引线(4)上的栅极绝缘膜(10)；在密封材料(12)的外侧覆盖着多个扫描引线(4)形成在栅极绝缘膜(10)上并被供给了预定电位的第1导电层(8)。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及显示装置。

背景技术

液晶显示装置通常是将分别形成有透明电极的一对上下电极基板通过形成在基板的图像显示部外沿的密封材料粘贴在一起、并在其内部封入液晶而构成。另外，液晶显示装置包括有源矩阵(activematrix)型和无源矩阵(passive matrix)型。有源矩阵型液晶显示装置所具备的TFT阵列基板上形成有呈矩阵状的开关元件即薄膜晶体管。此外，TFT阵列基板和对置基板通过密封材料粘贴在一起。此外，在TFT阵列基板和对置基板之间封入液晶。

在TFT阵列基板的显示区域中形成有扫描信号线、显示信号线和像素电极。通过在扫描信号线中传播的扫描信号控制开关元件即TFT的ON/OFF。在显示信号线中传播的显示信号通过TFT提供给像素电极。此外，当显示信号提供给像素电极时，与显示信号相对应的显示电压施加到对置电极和像素电极之间，对液晶进行驱动。

在扫描信号线中传播的扫描信号以及在显示信号线中传播的显示信号由驱动器(driver)IC提供。因此，在显示区域外侧的边框区域，形成有从驱动器IC到扫描信号线以及显示信号线之间的引线。进而，在边框区域中形成密封材料和公共布线。用于提供公共电位的公共信号通过该公共布线进行传播。

这里，当在边框区域中引线和对置电极包夹着密封材料或液晶而相互面对时，因两者的寄生电容而导致显示信号与公共信号发生干扰。因此，由于这种噪声(noise)而有时候会导致显示品质变差。

为了对此进行改善，公开了一种在与显示信号线相连接的引线的上层形成导电层的文献(参照专利文献1)。此外，通过向导电层提供接地(ground)电位，将显示信号线从对置电极进行屏蔽(shield)，从而减轻信号干扰。由此，能够改善因显示信号与公共信号的干扰而导致的显示品质的恶化。

另外，在显示区域的左右两个外侧形成引线的显示装置中，受到所使用的驱动电路或边框区域的面积的制约，引线长度在局部上有所不同。此时所产生的布线负载(电阻)差异成为扫描信号的延迟量差异。另外，在这种显示装置中，边框区域中存在扫描信号线的引线与显示信号线的引线相互交叉而形成的交叉部。这种交叉部的数量、面积在局部上有所不同。这将成为扫描信号线的引线的布线负载的差异，造成扫描信号的延迟量差异。这种延迟量差异所导致的像素电极电位的偏差在视觉上形成显示色度不均匀(chrominance non-uniformity)，导致显示品质下降。

另外，公开了一种对此做出改善的文献(参照专利文献2)。在该文献中，形成有与配置在边框区域中的扫描信号线的引线的一部分重叠的导电膜。此外，在该导电膜和扫描信号线之间形成电容。进而，对于该导电膜以外的位置上布线负载小的引线，则加大与导电膜重叠的面积。由此降低引线间的布线负载的差异，能够改善显示品质的恶化。

专利文献1

特开2001-183696号公报

专利文献2

特开2005-266394号公报

发明内容

大多数情况下，在设置对置电极的对置基板和TFT阵列基板之间仅有5μm左右的空间(space)。另外，在对置电极上大多不形成作为保护膜的绝缘膜，因此，TFT阵列基板上的引线中产生的腐蚀反应经常发生在与对置电极之间。进而，上述故障并不会在刚刚制造完成后发生，而是大多在使用了一定时间之后发生。尤其是在室外所使用的移动电话、汽车上搭载的显示装置经常在高温或湿度大的环境下使用，因水分的浸入而导致的腐蚀反应加剧。因此，在上述显示装置中故障发生频度增加。

另外，对TFT阵列基板中的TFT进行导通(on)/截止(off)的扫描信号在扫描信号线中传播。因而在大部分时间内扫描信号线上提供有使TFT截止的电位。因此，与提供给对置电极的公共电位之间会产生10V以上的电位差。另一方面，对应于图像数据(data)的显示信号在显示信号线中传播。因而，显示信号线的平均电位与公共电位大致相同或相差数V左右。因此，在对扫描信号线和显示信号线进行比较时，扫描信号线与对置电极的电位差变大。因此，扫描信号线的引线中会产生很多因腐蚀反应而导致的故障。这样，在现有的显示装置中存在着因引线的腐蚀而导致显示品质下降的问题。

本发明借鉴了这些问题点而提出，其目的是提供一种高可靠性、高显示品质的显示装置。

本发明的第1形态的显示装置是一种具备具有像素电极的阵列(array)基板、与上述阵列基板相向配置并具有对置电极的对置基板、包围着显示区域而形成并将上述阵列基板和上述对置基板粘贴在一起的密封(sealing)材料、设置在由上述阵列基板和上述对置基板及上述密封材料所形成的空间中的显示材料的显示装置，上述阵列基板上具备：形成在上述显示区域中的多个扫描信号线；形成在上述显示区域中并与上述多个扫描信号线交叉的多个显示信号线；在上述显示区域内呈矩阵(matrix)状配置并与上述扫描信号线和上述显示信号线相连接的开关(switching)元件；设置在配置于上述显示区域外侧的边框区域中并与上述多个扫描信号线相对应设置的多个扫描引线；设置在上述多个扫描引线上的绝缘膜；在上述密封材料的外侧以覆盖上述多个扫描引线的方式形成在上述绝缘膜上并被供给预定电位的导电层。

根据本发明，能够提供高可靠性、高显示品质的显示装置。

附图说明

图1是表示第1实施方式中的液晶显示装置的液晶显示面板的端部的结构的平面图。

图2是图1的A-A剖面图。

图3是表示TFT阵列基板的缺陷附近的结构的剖面图。

图4是表示TFT阵列基板的轻微的缺陷附近的结构的剖面图。

图5是表示第2实施方式中的液晶显示装置的液晶显示面板的端部的结构的平面图。

图6是图5的B-B剖面图。

图7是表示第2实施方式中的液晶显示装置中修复了断线之后的液晶显示面板的端部的结构的平面图。

图8是表示第3实施方式中的液晶显示装置的液晶显示面板的端部的结构的平面图。

图9是图8的C-C剖面图。

图10是表示第4实施方式中的液晶显示装置的液晶显示面板的端部的结构的平面图。

图11是图10的D-D剖面图。

图12是表示第5实施方式中的液晶显示装置的液晶显示面板的端部的结构的平面图。

图13是表示第6实施方式中的液晶显示装置的液晶显示面板的端部的结构的剖面图。

图14是表示第6实施方式中的液晶显示装置的液晶显示面板的端部的另一结构的剖面图。

符号说明

1液晶显示面板、2显示区域、2a显示区域的边缘、3扫描信号线、4扫描引线、5显示信号线、6显示引线、7公共布线、8第1导电层、9第2导电层、10栅极绝缘膜、11层间绝缘膜、12密封材料、12a密封材料的图案(pattern)端、13对置基板、13a对置基板的边缘、15端子、16传输电极、17膜缺陷、18覆盖缺陷、19修复图案、20切断部、21导通部、22切断部、23导通部、25第5导电层、26第6导电层、28第3导电层、29第4导电层、30液晶、31TFT、32像素电极、33对置电极、36接触孔、37接触孔、50边框区域、101TFT阵列基板

具体实施方式

下面，说明可以适用本发明的实施方式。以下说明是对本发明的实施方式的说明，本发明并不限于以下实施方式。为了使说明更加明确，以下的记载被适当地省略和简化。另外，本领域普通技术人员能够在本发明的范围内对以下实施方式的各个要素很容易地进行变更、增加或变换。此外，在各个附图中赋予相同符号的部分表示相同的要素，适当省略了其说明。

第1实施方式

本实施方式的液晶显示装置具备夹持在TFT阵列基板和对置基板之间的液晶。此外，TFT阵列基板和对置基板通过包围着显示区域而形成为框状的密封材料粘贴在一起。在TFT阵列基板上设有扫描信号线和显示信号线。此外，在与扫描信号线相连接的扫描引线的上层形成有第1导电层。该第1导电层形成为至少在密封材料的外侧覆盖着扫描引线，并被供给了预定电位。此外，在本实施方式中，下面针对显示装置的一个实例即有源矩阵型液晶显示装置进行说明，但本发明并不限于有源矩阵型液晶显示装置。亦即，只要是在阵列基板和对置基板之间设有液晶或粒子或液体等显示材料的显示装置即可应用本发明。因此，也可以应用于具有利用一对基板夹持显示材料的cell结构的电子纸张(paper)等。

使用图1和图2说明本实施方式的液晶显示装置。图1是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置中使用的液晶显示面板(panel)的端部结构的平面图。图1中表示了液晶显示面板1的右下角附近的端部。图2是图1的A-A剖面图。另外，在本实施方式中所说明的是在TFT阵列基板101上形成有底栅(bottom-gate)型TFT31。此外，图2中表示了右侧设有扫描引线4的位置的截面以及左侧设有显示引线6的位置的截面。

矩阵状的TFT阵列基板101上形成有多个平行的扫描信号线3。图1中，多个扫描信号线3沿着横向以一定间隔配置。多个显示信号线5以隔着第1绝缘膜即栅极(gate)绝缘膜10与扫描信号线3交叉的方式形成。亦即，在覆盖着扫描信号线3而设置的栅极绝缘膜10上沿着与扫描信号线3正交的方向设有显示信号线5。图1中，沿着纵向以一定间隔形成多个显示信号线5。TFT阵列基板101可以使用例如玻璃(glass)基板等透明的绝缘性基板。扫描信号线3和显示信号线5大多以相同程度的膜厚形成。栅极绝缘膜10可以使用例如氧化硅(silicon)膜或氮化硅膜形成。扫描信号线3上提供有扫描信号，显示信号线5上则提供有与图像数据相对应的显示信号。扫描信号线3和显示信号线5使用例如Al或Cr等金属薄膜形成。

在扫描信号线3和显示信号线5的交叉点附近形成有开关元件TFT31。TFT31在显示区域2内排列成阵列状。TFT31具备形成在与显示信号线5相同层上的漏极电极和源极(source)电极。源极电极和漏极电极通过半导体层相连接。显示信号线5与像素电极32通过该TFT31相连接。因此，通过由扫描信号使TFT31成为导通状态，从显示信号线5向像素电极32提供显示信号。由此，在与设置在对置基板13上的对置电极33之间施加用于驱动液晶30的驱动电压。对置电极33例如形成在对置基板13的大致整个面上，与像素电极32相向配置。此外，对置电极33和像素电极32例如由ITO等透明导电膜形成。

在像素电极32和显示信号线5之间形成有第2绝缘膜即层间绝缘膜11。此外，TFT的漏极电极和像素电极32通过设置在层间绝缘膜11上的接触孔(contact hole)相连接。像素电极32配置成阵列状。设有像素电极32的各个位置成为像素。多个像素呈阵列状排列的区域成为显示区域2。显示区域2形成为矩阵状。扫描信号线3和显示信号线5形成在显示区域2内。此外，该显示区域2的外侧成为边框区域50。亦即，比显示区域2的边缘2a更靠近内侧(左上侧)的区域成为显示区域2，比显示区域2的边缘2a更靠近外侧(右下侧)的区域成为边框区域50。此外，层间绝缘膜11可以使用例如氧化硅膜或氮化硅膜、或者有机绝缘膜形成。

显示区域2的外侧配置有边框区域50。边框区域50包围着矩阵状的显示区域2而配置。亦即，边框区域50形成为近似口字(frame-like)型。在TFT阵列基板101的边框区域50中形成有端子15。在该端子15上例如安装有驱动IC。驱动IC配设在TFT阵列基板101的下边附近的端部。例如，可以使用兼作扫描信号用驱动器IC和显示信号用驱动器IC的驱动IC。亦即，从驱动IC输出扫描信号和显示信号。驱动IC通过端子15连接到与扫描信号线3相连接的扫描引线4和与显示信号线5相连接的显示引线6。

边框区域50中形成有与多个显示信号线5相对应的多个显示引线6。多个显示引线6相隔预定间隔设置，以便与相邻布线不导通。显示引线6从端子15铺设至显示区域2的下边。此外，显示引线6在显示区域2下侧的边缘2a与显示信号线5相连接。此外，从驱动IC输入到端子15的显示信号通过显示引线6提供给显示信号线5。显示引线6与显示信号线5在同一导电层形成。亦即，显示引线6和显示信号线5被一体化构图(patterning)。此外，在图1的图示中省略了端子15附近部分的各显示信号用引线6。

进而，在边框区域50中形成有与多个扫描信号线3相对应的多个扫描引线4。扫描引线4通过显示区域2的右下角的外侧，从端子15铺设至显示区域2右侧的边缘2a。此外，设置在显示区域2内的多个扫描信号线3和多个扫描引线4分别连接。亦即，来自驱动IC的扫描信号通过扫描引线4输入到扫描信号线3。多个扫描引线4相隔预定间隔设置，以便与相邻布线不导通。扫描信号线3和扫描引线4例如在同一导电层形成。亦即，扫描引线4和扫描信号线3被一体化构图。边框区域50上设置的多个扫描引线4从显示区域2的下边一侧的扫描信号线3开始依次连接。换言之，配置在显示区域2的最下边一侧的扫描信号线3与配置在最左侧的扫描引线4相连接。此外，扫描引线4的条数随着趋近边框区域50的上部一侧而减少。

在扫描引线4的外侧形成有公共布线7。公共布线7形成在边框区域50中。换言之，扫描引线4配设在公共布线7和显示区域2之间。另外，公共布线7形成在密封材料12的外侧。公共布线7的露出部分设有传输(transfer)电极16。传输电极16是例如银膏(paste)之类的导电材料或者在间隔物(spacer)等之上涂敷(coating)导电性物质而形成的材料，与对置电极33相连接。亦即，从驱动IC通过端子15向公共布线7输入用于提供公共电位的公共信号。此外，该公共信号通过与公共布线7相连接的传输电极16输入到对置电极33。依照此种方式，借助于传输电极16使公共布线7与设置在对置基板13上的对置电极33导通。传输电极16例如可以形成在密封材料12的图案下方以外。也可以将公共布线7延伸设置至与设有驱动IC的端部相反一侧的端部，并在此处设置传输电极16。

扫描信号线3和扫描引线4的上方形成有栅极绝缘膜10。亦即，栅极绝缘膜10覆盖着扫描信号线3和扫描引线4而形成。此外，栅极绝缘膜10的上方形成有显示信号线5、显示引线6以及公共布线7。显示信号线5、显示引线6以及公共布线7的上方形成有层间绝缘膜11。亦即，层间绝缘膜11覆盖着显示信号线5、显示引线6以及公共布线7而形成。此外，层间绝缘膜11的上方形成有像素电极32。

对置基板13使用玻璃基板等透明的绝缘性基板。在彩色(color)液晶显示装置中，对置基板13上形成有未图示的矩阵状彩色滤光片(color filter)或黑色矩阵(BM)(black matrix)。进而，在彩色过滤器和BM的上方，与像素电极32相向的对置电极33设置在对置基板13的大致整个面上。该对置电极33与上述传输电极16相连接。TFT阵列基板101和对置基板13相向配置，并通过密封材料12粘贴在一起。密封材料12包围着显示区域2形成为框状。亦即，密封材料12配置在显示区域2的边缘2a外侧。此外，密封材料12配置在扫描引线4和一部分显示信号用引线6的上方。

在这样的对置基板13和TFT阵列基板101之间夹持着液晶30。亦即，在由TFT阵列基板101和对置基板13及密封材料12所包围的空间中封入有液晶30。由此构成液晶显示面板1。另外，也可以配设间隔物(未图示)，使TFT阵列基板101和对置基板13保持一定间隔。在该液晶显示面板的背面一侧配设有背光单元(back light unit)。背光单元是对整个面射出均匀光的面状光源装置。背光单元具备LED或荧光灯管等光源、使来自光源的光引入整个面的导光板、扩散片(sheet)或棱镜(prism)片等光学片。进而，外部的控制电路和TFT阵列基板101例如通过柔性(flexible)布线基板相连接。驱动IC根据来自外部的控制电路的电源电压、控制信号和图像数据输出显示信号、扫描信号和公共信号。此外，通过施加在对置电极33和像素电极32之间的电压驱动液晶。由此，控制液晶显示面板1的透射光量。此外，也可以在TFT阵列基板101或对置基板13设置用于取向液晶30的取向膜。另外，也可以在液晶显示面板上粘贴偏光膜(film)等。

这里，在边框区域50中，在扫描引线4的上方形成第1导电层8，在显示引线6的上方形成有第2导电层9。第1导电层8形成在栅极绝缘膜10上方。第1导电层8可以使用与显示信号线5相同层的金属薄膜。由此能够防止制造工序的增加。第1导电层8与端子15a相连接。此外，第1导电层8沿着扫描引线4在图1中向上方延伸设置。第1导电层8覆盖着多个扫描引线4形成为宽幅度。另外，第1导电层8沿着密封材料12形成，并以大于密封材料12幅度被构图。亦即，第1导电层8从密封材料12露出来而形成。因此，第1导电层8的一部分配置在密封材料12的外侧。此外，第1导电层8从密封材料12的外侧铺设至内侧。由此，多个扫描引线4之中配置在密封材料12外侧的大部分位置都被第1导电层8覆盖。亦即，第1导电层8的图案比多个扫描引线4之中配置在最外侧的扫描引线4更靠近外侧配置。

另外，第1导电层8在设有扫描引线4的区域之中设有对置电极33的区域中覆盖着扫描引线4而形成。亦即，在扫描引线4的上部存在对置电极33的区域，第1导电层8配置在扫描引线4和对置电极33之间。此外，第1导电层8形成在扫描引线4和对置电极33相对的几乎整个区域中，以便保护多个扫描引线4。在第1导电层8上通过端子15a由驱动IC提供预定电位。

进而，在显示引线6上方形成有第2导电层9。第2导电层9形成在层间绝缘膜11的上方。第2导电层9例如可以使用与像素电极32相同的层形成。由此能够防止制造工序的增加。第2导电层9与相对扫描引线4的第1导电层8同样地覆盖着密封材料12外侧的显示引线6而形成。

第2导电层9与端子15b相连接。此外，第2导电层9覆盖着多个显示引线6在图1中的左方向上延伸设置。另外，第2导电层9的图案沿着密封材料12形成。第2导电层9从密封材料12暴露出来而形成。亦即，第2导电层9的一部分配置在密封材料12的外侧。此外，第2导电层9从密封材料12的外侧铺设至内侧。由此，多个显示引线6之中配置在密封材料12外侧的大部分位置都被第2导电层9覆盖。

另外，第2导电层9在设有显示引线6的区域之中设有对置电极33的区域中覆盖着显示引线6而形成。亦即，在显示引线6的上部存在对置电极33的区域，第2导电层9配置在显示引线6和对置电极33之间。此外，第2导电层9形成在显示引线6和对置电极33相对的几乎整个区域，以便保护多个显示引线6。在第2导电层9上通过端子15b由驱动IC提供预定电位。

此外，由于液晶显示面板1的对置基板13的切断工序中的切断偏差，有时候会导致对置基板13的边缘13a从原来的设计位置偏离数百μm左右。在这种情况下，例如图1所示，在端子15一侧，第1导电层8或第2导电层9从对置基板13的边缘13a暴露出来而形成。其结果是，在没有形成对置电极33的区域中，第1导电层8和第2导电层9暴露出来。

这样，利用第1导电层8和第2导电层9能够保护引线。在图3和图4中对此加以说明。图3和图4是示意性地表示TFT阵列基板101的缺陷位置附近的结构的剖面图。例如，在扫描引线4的上方配置有第1导电层8的位置，假定在栅极绝缘膜10中存在膜缺陷17或覆盖(coverage)缺陷18。这里，在膜缺陷17中，栅极绝缘膜10上存在针孔(pinhole)等，第1导电层8和扫描引线4未能绝缘。另外，在覆盖缺陷18中，扫描引线4的图案的端部没有完全被栅极绝缘膜10覆盖。因此，存在膜缺陷17或覆盖缺陷18的扫描引线4中与第1导电层8发生短路。

通过在制造工序中设置对第1导电层8和扫描引线4的导通进行检查的工序，能够将存在缺陷的液晶显示面板1作为初始次品检测出来。例如，将TFT阵列基板101与对置基板13粘贴起来制造出液晶显示面板1之后，检查第1导电层8与扫描引线4的导通。继而，当发现第1导电层8与扫描引线4导通的情况下，作为不合格品检测出来。另一方面，当发现第1导电层8与扫描引线4绝缘的情况下，则作为合格品进入后续的制造工序。由此能够防止不合格品进入后续制造工序中，因此能够提高生产率。此外，检查导通的工序也可以在例如注入液晶并将注入口加以封固的工序之后执行。

另一方面，在栅极绝缘膜10只有微小的膜缺陷17或覆盖缺陷18的情况下，第1导电层8与扫描引线4不会导通。亦即，如图4所示，假定膜缺陷17或覆盖缺陷18很小，小到不会使第1导电层8与扫描引线4发生短路的程度。在这种情况下，第1导电层8覆盖(cover)扫描引线4上的微小的膜缺陷17或覆盖缺陷18。因此，即使在TFT阵列基板101的表面上附着了水分等的情况下，也能够防止水分等侵入膜缺陷17或覆盖缺陷18。这样就保护了扫描引线4免受水分等的侵入，能够防止对扫描引线4的腐蚀反应。因此，能够防止显示品质的恶化。进一步，能够防止出厂后显示品质的恶化，提高可靠性。

此外，在上述说明中，展示了利用第1导电层8保护扫描引线4的实例，但如图3、图4的括弧(parentheses)内所示，也可以利用第2导电层9保护显示引线6。亦即，如图3、图4所示，覆盖着显示引线6的上部设置了第2导电层9。由此能够保护显示引线6免受膜缺陷17或覆盖缺陷18的影响。由此，能够防止显示品质的恶化，提高可靠性。

这里，供给到第1导电层8和第2导电层9的电位优选是接近供给到对置电极33的公共电位的电位。亦即，向第1导电层8和第2导电层9输入信号，使其与对置电极33的电位保持不会在第1导电层8和第2导电层9之间产生腐蚀(电腐蚀)反应的电位差以下。例如，第1导电层8和第2导电层9中可以输入来自端子15的公共信号。由此，第1导电层8和第2导电层9形成与对置电极33相等的公共电位。由此，例如即使在第1导电层8的上方的层间绝缘膜11中存在缺陷的情况下，也能够防止第1导电层8中发生因水分等所导致的腐蚀反应。

此外，当从端子15向第1导电层8或第2导电层9供给公共电位时，也可以使第1导电层8或第2导电层9发挥图1中的公共布线7的功能。例如，可以使第1导电层8的图案幅度扩大至公共布线7。由此，公共布线7的有效布线宽度增加，能够降低布线电阻。由此，能够改善公共信号的延迟，提高显示品质。也可以从驱动IC直接向端子15输入公共信号。

此外，因电路制约或因第1导电层8或第2导电层9与其他布线的交叉等理由而难以设置向第1导电层8或第2导电层9供给电位的端子15的情况下，可以从对置电极33输入公共信号。具体地，在第1导电层或第2导电层9的上方也设置传输电极16。由此，通过传输电极16将第1导电层8或第2导电层9与对置电极33连接起来。在对置电极33例如通过连接到公共布线7的其他传输电极16从驱动IC输入公共信号。因此，通过对置电极33从驱动IC向第1导电层8或第2导电层9供给公共电位。

此外，供给到第1导电层8或第2导电层9的电位并不限于公共电位。例如，也可以供给与公共电位的平均电位相同的电位。或者，也可以供给与在显示信号线5中传播的显示信号电位的中心电位相同的电位。向第1导电层8和第2导电层9供给比扫描信号更接近对置电极33的公共电位的电位。由此，能够减小第1导电层8或第2导电层9与对置电极33之间的电位差，能够防止在缺陷位置发生电腐蚀反应。亦即，在与公共电位的电位差大的扫描引线4上方设置第1导电层8，从而即使当在TFT阵列基板101表面上附着了水分等的情况下，也能够防止扫描引线4中发生腐蚀反应。

此外，在上述说明中所说明的是第1导电层8形成在与显示信号线5和显示引线6相同层中的实例，但并不限于此。例如，也可以利用与像素电极32相同的层形成第1导电层8。这种情况下，第1导电层8和第2导电层9使用与像素电极32相同的层形成。另外，也可以利用与TFT31的半导体层相同的层形成第1导电层8。这种情况下，第1导电层8形成在栅极绝缘膜10的上方并被层间绝缘膜11覆盖。亦即，与利用与显示信号线5相同的层形成时的情形相同，第1导电层8被设置在栅极绝缘膜10和层间绝缘膜11之间。进一步，在上述说明中所说明的是第2导电层9形成在与像素电极32相同层中的实例，但也可以利用与显示信号线5相同的层形成。这种情况下，利用与扫描布线3相同的层形成显示引线6。此外，形成层(layer)变换部，用于连接显示引线6和显示信号线5。由此，利用相同导电层形成第1导电层8和第2导电层9。另外，在使用依照此种方式向下层一侧进行层变换的显示引线6的情况下，可以利用与TFT31的半导体层相同的层等形成第2导电层9。此外，本发明的液晶显示装置并不限于底栅型TFT31。这样，借助于TFT阵列基板101的布线结构，可以适当改变第1导电层8和第2导电层9的层。

如上所述，在配置于边框区域50的扫描引线4上，隔着栅极绝缘膜10配置第1导电层8。继而，至少在密封材料12的外侧利用第1导电层8覆盖扫描引线4。由此，当栅极绝缘膜10中存在膜缺陷17的情况下，能够检测出短路缺陷。因此能够防止因腐蚀反应导致的出厂后的显示品质的恶化。另外，当栅极绝缘膜10中存在微小的膜缺陷17的情况下，由第1导电层8覆盖了微小的膜缺陷17，因此能够防止腐蚀反应。亦即，能够防止附着在TFT阵列基板101上的水分等侵入TFT阵列基板101的内部。由此能够防止因扫描引线4与对置电极33的电位差引起的腐蚀反应并防止发生断线，能够提高可靠性。进一步，在第1导电层8上供给了接近公共电位的电位，因此能够防止在第1导电层8和对置电极33之间产生的腐蚀反应。

第2实施方式

在本实施方式中，与第1实施方式同样地说明显示装置的一个实例即液晶显示装置。使用图5和图6说明本实施方式的液晶显示装置。图5是表示液晶显示面板1的端部结构的平面图，图6是图5的B-B剖面图。此外，本实施方式的液晶显示装置的基本结构与第1实施方式相同，因此省略其说明。例如，第1导电层8在密封材料12的外侧以覆盖着几乎全部扫描引线4的方式形成。

进而，如图5所示，本实施方式的液晶显示装置的TFT阵列基板101具有修复图案19。通过该修复图案19能够修复扫描引线4的短路。修复图案19形成在比第1导电层8更靠近显示区域2一侧。亦即，修复图案19配置在显示区域2的边缘2a和第1导电层8之间。此外，在进行修复之前，修复图案19与扫描引线4绝缘。

如图5所示，修复图案19从第1导电层8的图案中分支出来。亦即，在第1导电层8和修复图案19之间的区域中在扫描引线4上方未形成有导电膜。另外，如图6所示，修复图案19配置在层间绝缘膜11和栅极绝缘膜10之间。进而，在本实施方式中，如图6所示，第1导电层8形成在层间绝缘膜11的上方。亦即，修复图案19在与显示信号线5同层形成，第1导电层8在与像素电极32同层形成。修复图案19通过设置在层间绝缘膜11中的接触孔36、37与第1导电层8相连接。亦即，修复图案19的两端与第1导电层8重叠，该重叠区域中形成有2个接触孔36、37。

这里，接触孔36配置在密封材料12的外侧。另外，接触孔36形成在没有设置TFT阵列基板101的对置基板13的区域。另一方面，接触孔37配置在密封材料12的内侧。这里，修复图案19形成为与多个扫描引线4的每一个在2个位置交叉。亦即，在没有设置对置基板13的区域中，修复图案19与各个扫描引线4交叉。进而，在显示区域2和第1导电层8之间，修复图案19与各个扫描引线4交叉。这样，修复图案19将各个扫描引线4横穿2次。换言之，在密封材料12外侧的接触孔36从第1导电层8分支出来的修复图案19，在密封材料12的外侧横穿各个扫描引线4上方之后延伸至密封材料12的内侧。进而，延伸至密封材料12内侧的修复图案19再次横穿各个扫描引线4上方之后在接触孔37与第1导电层8相连接。这里，修复图案19延伸设置至与设有接触孔36的一侧相反侧的端部，从而使修复图案19横穿全部扫描引线4的上方。因此，例如接触孔37配置在与驱动IC一侧的端部相反侧的端部附近。

通过形成这种修复图案19，能够修复扫描引线4的短路。例如，如图7所示，假定层间绝缘膜11中存在膜缺陷17，扫描引线4a与第1导电层8短路。这种情况下，以扫描引线4a短路的状态，在与扫描引线4相连接的扫描信号线3无法输入扫描信号。因此，显示区域2中将发生线缺陷。借助于修复图案19就能够修复这种短路。

具体地，在膜缺陷17的两侧形成导通部21、23。亦即，在密封材料12的外侧，在扫描引线4a与修复图案19交叉的位置形成导通部21。另外，在密封材料12的内侧，在扫描引线4a与修复图案19交叉的位置形成导通部23。导通部21例如通过在交叉位置照射激光(laser)而形成。亦即，通过在交叉位置照射激光，使修复图案19与短路的扫描引线4a导通。继而，在切断部22将修复图案19与第1导电层8切断。切断部22形成在比导通部21、23更靠近修复图案19的端部一侧的两个位置。具体地，在导通部21和接触孔36之间形成1个切断部22，在导通部23和接触孔37之间形成另一个切断部22。这里，通过向切断部22照射激光，能够将修复图案19从第1导电层8进行切断。进而，包夹着因膜缺陷17而产生的短路位置而形成2个切断部20。在切断部20，通过激光照射等将扫描引线4a切断。因膜缺陷17而产生的短路位置位于切断扫描引线4a的2个切断部20之间。由此，扫描引线4a的两端部分与短路位置分离开来。切断部20形成在不与第1导电层8重叠的位置。

这样，在短路的扫描引线4a与修复图案19的交叉位置形成2个导通部21、23。此外，在修复图案19中形成2个切断部22，并在扫描引线4a中形成2个切断部20。由此，能够将短路的扫描引线4a的信号路径进行旁路(bypass)。亦即，在与短路的扫描引线4a相连接的扫描信号线3上，按照扫描引线4a、导通部21、修复图案19、导通部23、扫描引线4a的顺序从端子15供给扫描信号。由此，能够通过该旁路路径向与扫描引线4a相对应的扫描信号线3中输入扫描信号。由此，能够修复因扫描引线4a与修复图案19的短路所造成的线缺陷。因此，能够提供没有线缺陷、高显示品质的显示装置。

此外，形成导通部21、23或切断部22时的激光照射有时候会造成层间绝缘膜11受到损伤(damage)。如果该损伤位置上附着水分等、并且损伤位置附近存在具有不同电位的布线等，就会在扫描引线4和其布线等之间引起腐蚀反应。为了防止这种腐蚀反应，导通部21和一个切断部22优选是形成在与对置电极33不相向的区域中。亦即，在设有对置电极33的区域外侧照射激光，形成导通部21和一个切断部22。另一方面，导通部23和另外一个切断部22优选是形成在几乎没有水分侵入的密封材料12的内侧。因此，在比对置基板13的边缘13a更靠近外侧照射激光，形成一个切断部22和导通部21。由此，在未设有对置电极33的区域中形成一个切断部和导通部21。进一步，在密封材料12内侧的显示区域2附近照射激光，形成另外一个切断部22和导通部23。由此，填充液晶30，在几乎没有来自外部的水分等侵入的位置形成一个切断部22和导通部23。由此，能够防止激光照射位置的电腐蚀反应，能够提高显示品质。

通过在制造工序中加入上述修复工序，能够修复线缺陷。例如，在对第1导电层8和扫描引线4的导通进行检查的检查工序中，确定与第1导电层8导通的扫描引线4a。检查工序可以在例如将TFT阵列基板101和对置基板13粘贴起来的工序之后实施。针对与第1导电层8短路的扫描引线4a形成导通部21、23。进而形成2个切断部22，将修复图案19与第1导电层8进行切断。由此，能够修复发生了短路的不合格品，使其进入后续的制造工序。由此能够提高生产率。此外，检查导通的工序可以在例如注入液晶并将注入口加以封固的工序之后执行。

依照此种方式，通过设置从第1导电层8分支出来的修复图案19，能够修复第1导电层8与扫描引线4的短路。亦即，由于可以将修复图案19用作避开短路位置的冗余布线，因此能够改善成品率。此外，在上述说明中所做的说明主要是针对相对于扫描引线4的结构，但针对显示引线6也可以设置修复图案19进行修复。此外，也可以不形成上述接触孔36、37而对短路位置进行修复。这种情况下，修复图案19与第1导电层8没有电气连接，成为浮动(floating)状态。利用这种结构，不形成切断部22就能够形成旁路路径。因此能够简单地修复短路。

第3实施方式

在本实施方式中，与第1实施方式同样地说明显示装置的一个实例即液晶显示装置。使用图8和图9说明本实施方式的液晶显示装置。图8是表示液晶显示面板1的端部结构的平面图，图9是图8的C-C剖面图。此外，本实施方式的液晶显示装置的基本结构与第1实施方式相同，因此省略其说明。亦即，第1导电层8在密封材料12的外侧以覆盖着几乎全部扫描引线4的方式形成。

在本实施方式中，扫描引线4除了被第1导电层8覆盖之外，也被第3导电层28覆盖。这里，第3导电层28在密封材料12图案的正下方覆盖着扫描引线4。因此，第1导电层8在密封材料12的外表端的外侧和内表端的内侧分离配置。换言之，第1导电层8沿着密封材料12形成在密封材料12的两侧。此外，在分离开的第1导电层8之间的区域的层间绝缘膜11上方形成有第3导电层28。第3导电层28例如可以形成在与像素电极32相同的层。

这里，第1导电层8与第1实施方式同样地形成在与显示信号线5相同的层，但第3导电层28形成在层间绝缘膜11上方。由此，可以使密封材料12正下方的绝缘膜比其他位置厚。因此，在密封材料12的正下方区域，存在于与扫描引线4的导电层之间的绝缘膜厚度比密封材料12的外侧区域和密封材料12的内侧区域厚。亦即，在密封材料12的正下方区域中，存在于第1导电层8和扫描引线4之间的栅极绝缘膜10以及层间绝缘膜11的合计膜厚比密封材料12正下方以外的区域厚。此外，在密封材料12的形成工序中存在最大200μm程度的位置偏移(shifting)，因此使导电层和扫描引线4之间的绝缘膜变厚的区域考虑该位置偏移的偏差而设定。

依照此种方式，通过对密封材料12正下方的区域形成厚绝缘膜，能够减轻粘贴工序中绝缘膜的损伤。即，在粘贴工序中，在TFT阵列基板101和对置基板13之间设置密封材料12，在将两个基板压合在一起的同时使密封材料12硬化。在压合时，密封材料12正下方有时候会在绝缘膜中产生损伤。特别地，有时候会在密封材料12中包含用于保持预定的液晶盒间隙(cellgap)(基板间隔)的间隔物。这种间隔物是由例如数微米直径(micron-size)的珠子(bead)状或者棒状的玻璃或硬质树脂等坚硬材料构成。在这种情况下，在压合时很有可能会在密封材料12正下方的层间绝缘膜11上产生损伤或凹陷等缺陷。密封材料12中的间隔物有时候会导致第1导电层8与扫描引线4短路。但是，在本实施方式中，在扫描引线4的上层形成了厚绝缘膜，因此损伤程度有所缓解。

这样，在本实施方式中，覆盖着扫描引线4的导电层在密封材料正下方和除此之外的区域以不同层形成。而且，在密封材料12正下方的区域，绝缘膜的合计厚度变厚。这时，既可以仅在密封材料12正下方增加绝缘膜的层数，也可以加大1层以上的绝缘膜的厚度。由此，可以使密封材料12正下方的区域中的绝缘膜的合计厚度变大。因此，能够减轻压合时密封材料12正下方的损伤，提高显示品质。此外，在上述说明中所说明的是扫描引线4，对于显示引线6也是一样。即，在密封材料12的正下方，覆盖着显示引线6的第4导电层29以与第2导电层9不同的层形成。由此，密封材料12正下方的绝缘膜的合计膜厚变大，能够减轻密封材料12正下方产生的损伤。由此能够提高显示品质。此外，在本实施方式中，显示引线6和扫描引线4以相同的层形成。此外，形成层变换部，用于连接显示引线6和显示信号线5。另外，利用相同导电层形成第1导电层8和第2导电层9。因此，显示引线6被与显示信号线5相同层的第2导电层9和与像素电极32相同层的第4导电层29覆盖。

依照此种方式，在形成密封材料12的区域，使存在于导电层和扫描引线4之间的绝缘膜比其他区域厚。由此能够防止因间隔物导致的缺陷的发生。此外，在上述说明中主要是针对相对于扫描引线4的结构进行了说明，对于显示引线6也可以在密封材料正下方和除此之外的区域改变上层的绝缘膜的厚度。

第4实施方式

在本实施方式中，与第1实施方式同样地说明显示装置的一个实例即液晶显示装置。使用图10和图11说明本实施方式的液晶显示装置。图10是表示液晶显示面板1的端部结构的平面图，图11是图10的D-D剖面图。此外，本实施方式的液晶显示装置的基本结构与第1实施方式相同，因此省略其说明。亦即，第1导电层8在密封材料12的外侧以覆盖着几乎全部扫描引线4的方式形成。

在本实施方式中，第1导电层8的图案端与密封材料12的图案端12a大致保持一致。即，密封材料12的外表端和第1导电层8内侧的图案端大致位于同一位置。因此，第1导电层8并没有延伸到密封材料12的内侧。进而，在密封材料12正下方的几乎整个区域中都没有设置第1导电层8。

此外，在密封材料12的形成工序中存在最大200μm左右的位置偏移，因此，考虑到该位置偏移的偏差，如图11所示密封材料12和第1导电层8形成一定程度的重叠(overlap)。当然，也可以使第1导电层8和密封材料12以不重叠的方式形成，而仅在密封材料12的外侧配置第1导电层8。即使在采用这种结构的情况下，在密封材料12的外侧与对置电极33相向的区域中，第1导电层8覆盖着几乎整个扫描引线4。因此，能够防止腐蚀反应的发生。

进而，通过采用上述结构，第1导电层8的图案变小。因此，第1导电层8和扫描引线4的重叠区域的面积变小。由此，能够减少第1导电层8和扫描引线4短路的概率。由此，能够提高初期检查时的成品率，能够提高生产率。例如，在注入液晶并封固注入口的工序之后检查导通，由此能够改善成品率。

另外，在本实施方式中，优选是使用具有阻碍(barrier)性的材料作为密封材料12。即，密封材料12本身采用难以渗透水分的材质。这种情况下，能够防止液晶显示面板1外部的水分或液体侵入密封材料12内。这样，在采用减轻水分等的侵入的材质作为密封材料12的情况下，在扫描引线4和对置电极33之间发生腐蚀反应的区域大多是密封材料12的外侧。因此，即使仅在密封材料12的外侧形成第1导电层8的情况下也能够防止显示品质的恶化。

这样，与对置电极33相向并且比密封材料12的图案端12a更靠近外侧的区域中容易产生腐蚀反应。因此，通过以该区域为中心形成第1导电层8，在实践中能够以足够的程度防止腐蚀反应的发生。进一步，由于能够减少第1导电层8和扫描引线4的重叠面积，因此能够降低短路概率。除此之外，能够防止因电容增加而导致的布线负载的增加，可以防止信号延迟。由此能够提高显示品质。

第5实施方式

在本实施方式中，与第1实施方式同样地说明显示装置的一个实例即液晶显示装置。使用图12说明本实施方式中的液晶显示装置。图12是表示液晶显示面板1的端部结构的平面图，此外，本实施方式的液晶显示装置的基本结构与第1实施方式相同，因此省略其说明。亦即，第1导电层8在密封材料12的外侧以覆盖着几乎全部扫描引线4的方式形成。

进而，在本实施方式中，第1导电层8的图案形状与第4实施方式不同。具体地，逐渐改变第1导电层8的图案，使得扫描引线4和第1导电层8的重合面积按照扫描引线4的配置顺序梯度式变化。这里，其大部分配置在密封材料12外侧的扫描引线4与第1导电层8的重叠面积增大。另一方面，其大部分配置在密封材料12内侧的扫描引线4与第1导电层8的重叠面积则减小。通过这种重叠面积的不同，使扫描引线4之间的电容发生变化。亦即，扫描引线4的电容随重叠面积的不同而变化，信号的延迟量发生变化。例如，在其大部分配置在密封材料1 2外侧的扫描引线4中，其电容增大。另一方面，在其大部分配置在密封材料12内侧的扫描引线4中，其电容基本没有增加。

这里，如果重叠面积不同、电容增加量差别很大的扫描引线4相邻，则信号延迟的差别有时候会在显示中表现出来。即，如果在相邻的扫描引线4中信号延迟差异大，就会产生在显示上能够识别的程度的像素电位差，导致产生显示色度不均匀。在这种情况下，如上所述使第1导电层8的图案形状逐渐变化，从而使重叠面积按照每个扫描引线4逐渐变化。由此能够降低相邻的扫描引线4之间的信号延迟的差异。这样，借助于本实施方式，能够使扫描引线4的电容增加呈梯度式变化，因此信号延迟也呈梯度式变化。此外，可以使该变化降低至在显示时无法识别的程度(level)，能够提高显示品质。

具体地说，对于布线长度长的扫描引线4，仅在密封材料12的外侧使第1导电层8重叠。另一方面，对于布线长度短的扫描引线4，在密封材料12的内侧也使第1导电层8重叠。此外，对于其中间的扫描引线4，则在密封材料12正下方的一部分和外侧使第1导电层8重叠。因此，如图12所示，第1导电层8的图案宽度随着上下方向的位置而不同。在密封材料12正下方或者内侧区域中，按照每个扫描引线4逐渐减少形成有第1导电层8的区域。

依照此种方式，使扫描引线4与第1导电层8的重叠面积按照每个扫描引线4逐渐变化。例如，按照扫描引线4的设置顺序，减少密封材料12正下方和内侧的重叠面积。即，在密封材料12的正下方和内侧，扫描引线4与第1导电层8的重合面积随着扫描引线4的配置顺序而变化。由此，扫描引线4的负载逐渐变化。因此，能够将伴随着负载变化的信号延迟量的差异所产生的像素电极电位的差抑制在视觉可辨认的程度以下。

第6实施方式

在本实施方式中，与第1实施方式同样地说明显示装置的一个实例即液晶显示装置。使用图13说明本实施方式中的液晶显示装置。图13是表示液晶显示面板1的端部结构的剖面图，表示图1的A-A截面。此外，本实施方式的液晶显示装置的基本结构与第1实施方式相同，因此省略其说明。亦即，第1导电层8在密封材料12的外侧以覆盖着几乎全部扫描引线4的方式形成。

如图13所示，在本实施方式中，扫描引线4除了被第1导电层8覆盖之外，也被第5导电层25覆盖。第5导电层25具有与第1导电层8大致相同的形状。此外，在比第1导电层8更靠近扫描引线4一侧，以与第1导电层8重叠的方式配置第5导电层25。

这里，利用与TFT31的半导体层相同的层形成第5导电层25。因此，覆盖着扫描引线4的栅极绝缘膜10上方形成第5导电层25，并进一步在其上层叠第1导电层8。即，在第1导电层8和栅极绝缘膜10之间设有利用与TFT31的半导体层相同的层形成的半导体图案(第5导电层25)。由此，在第1导电层8的下侧，扫描引线4被半导体图案(第5导电层25)覆盖。

另外，在图13中，显示引线6除了被第2导电层9覆盖之外，也被第6导电层26覆盖。第6导电层26具有与第2导电层9大致相同的形状。此外，在比第2导电层9更靠近显示引线6一侧，以与第2导电层9重叠的方式配置第6导电层26。

这里，利用与TFT31的半导体层相同的层形成第6导电层26。因此，在与扫描布线3相同的层形成显示引线6并形成层变换部，用于将显示引线6和显示信号线5连接起来。由此，在相同的导电层形成第1导电层8和第2导电层9。因此，覆盖着显示引线6的栅极绝缘膜10的上方形成了第6导电层26。进而，在覆盖着该第6导电层26的层间绝缘膜11的上方重叠第2导电层9。即，在第2导电层9和栅极绝缘膜10之间设有利用与TFT31的半导体层相同的层形成的半导体图案(第6导电层26)。由此，在第2导电层9的下侧，显示引线6被半导体图案(第6导电层26)覆盖。

此外，在上述说明中所说明的是第2导电层9使用与像素电极32相同的层形成的实例，但也可以如图14那样使用与显示信号线5相同的层形成。图14是表示液晶显示面板1的端部的另一个结构的剖面图，表示图1的A-A截面。这种情况下，第2导电层9利用与显示信号线5和第1导电层8相同的层形成。因此，覆盖着显示引线6的栅极绝缘膜10上方形成第6导电层26，并进一步在其上层叠第2导电层9。第5、第6导电层25、26例如使用非晶硅(amorphous silicon)。

这样，在本实施方式中，利用与半导体层相同的层形成的第5导电层25设置在第1导电层8和栅极绝缘膜10之间。即，在比第1导电层8更靠近下侧，扫描引线4被电导率比第1导电层8低的第5导电层25覆盖。由此，能够降低第1导电层8和扫描引线4短路的概率，能够提高成品率。例如，在注入液晶并封固注入口的工序之后检查导通，由此能够防止不合格品进入后续的制造工序，能够提高生产率。另外，对于显示引线6也能收到同样的效果。

此外，在第6实施方式中针对第1导电层8的图案形状与第1实施方式相同的情形进行了示例性说明，但并不限于此。例如，既可以具有与第2至第5实施方式相同的图案形状，也可以对它们进行适当组合。另外，在第1至第6实施方式中，针对在扫描引线4和对置电极33相向的几乎整个区域中形成第1导电层8的情形进行了说明，但并不限于此。也可以在扫描引线4和对置电极33相向的一部分区域中形成第1导电层8，剩余的几乎全部区域则通过树脂涂敷等防止扫描引线的腐蚀。边框区域50之中，在安装有驱动IC的TFT阵列基板101的边缘比较容易实施树脂涂敷。在这种情况下，可以在难以实施树脂涂敷的驱动IC安装区域之外的边形成第1导电层8。上述说明对于显示引线6也同样。

Claims (11)

1.一种显示装置，其具备：具有像素电极的阵列基板、与上述阵列基板相向配置并具有对置电极的对置基板、包围着显示区域而形成并将上述阵列基板和上述对置基板粘贴在一起的密封材料、以及设置在由上述阵列基板和上述对置基板及上述密封材料所形成的空间中的显示材料，

上述阵列基板上具备：

形成在上述显示区域中的多个扫描信号线；

形成在上述显示区域中并与上述多个扫描信号线交叉的多个显示信号线；

在上述显示区域内呈矩阵状配置并与上述扫描信号线和上述显示信号线相连接的开关元件；

设置在配置于上述显示区域外侧的边框区域中并与上述多个扫描信号线相对应设置的多个扫描引线；

设置在上述多个扫描引线上的绝缘膜；

在上述密封材料的外侧以覆盖上述多个扫描引线的方式形成在上述绝缘膜上并被供给预定电位的导电层。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

其具备配置在上述导电层的显示区域一侧的修复图案，

上述修复图案与上述多个引线分别交叉。

3.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，

上述导电层延伸至密封材料的正下方，

在形成上述导电层的区域中位于上述密封材料正下方的区域中，存在于上述扫描引线和上述导电层之间的绝缘膜的厚度比上述密封材料外侧的区域厚。

4.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，

上述导电层延伸设置到上述密封材料的内侧，

在上述密封材料的正下方和内侧，上述扫描引线与上述导电层的重合面积随着上述扫描引线的配置顺序而变化。

5.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，

上述密封材料的图案的外表端与上述导电层的图案端大概一致。

6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

供给到上述导电层的预定电位是供给到上述对置电极的公共电位。

7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

供给到上述导电层的预定电位是与供给到上述对置电极的公共电位的平均电位大致相等的电位。

8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

供给到上述导电层的预定电位是与显示信号线的显示信号电位的中心电位大致相等的电位。

9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

上述导电层利用与上述显示信号线或上述像素电极相同的层形成。

10.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

上述开关元件是薄膜晶体管，上述导电膜利用与上述薄膜晶体管的半导体层相同的层形成。

11.如权利要求1或9所述的显示装置，其特征在于，

上述开关元件是薄膜晶体管，利用与上述薄膜晶体管的半导体层相同的层形成的图案设置在上述导电层和上述绝缘膜之间。

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