CN101092684A - 等离子处理高阻隔膜工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及等离子处理包装阻隔膜工艺。本发明可用PET、OPP、铝箔、PE薄膜作基材，第一步薄膜卷材上料并施加张力，第二步真空室抽真空，第三步设定并调整两种等离子惰性气体气源，第四步薄膜放卷进行等离子处理，第五步薄膜等离子沉积铝或二氧化硅并收卷即可。本发明只是将薄膜卷材上料并施加张力，真空室抽真空，设定并调整两种等离子气源，薄膜放卷进行等离子处理，薄膜等离子沉积并收卷即可完成，具有生产成本低、生产工艺简单、产品质量可靠的优点，可替代进口，节省大量外汇，经济效益也很显著。
Description
技术领域
本发明涉及等离子处理包装阻隔膜工艺。
背景技术
食品工业的高速发展对包装物阻氧、阻水汽、阻光的性能提出了更高要求，高阻隔膜的研究在近几年才逐渐被加以重视。目前国内高阻隔膜多采用PET/PE、PET/普通PET镀铝膜/PE、OPP/铝箔/PE通过干式复合或流延复合组合成一个多层膜，以达到高阻隔目的，由于采用多层复合，存在工序复杂成本高、生产过程污染大的缺点。
发明内容
本发明的目的是提供一种成本低、工艺简单、无污染、效率高的高阻隔膜生产工艺。
本发明的目的是这样实现的，可用PET、OPP、铝箔、PE薄膜作基材，第一步薄膜卷材上料并施加张力，第二步真空室抽真空，第三步设定并调整两种等离子惰性气体气源，第四步薄膜放卷进行等离子处理，第五步薄膜等离子沉积铝或二氧化硅并收卷即可。
本发明只是将薄膜卷材上料并施加张力，真空室抽真空，设定并调整两种等离子气源，薄膜放卷进行等离子处理，薄膜等离子沉积并收卷即可完成，具有生产成本低、生产工艺简单、产品质量可靠的优点，可替代进口，节省大量外汇，经济效益也很显著。
附图说明
本发明无附图
具体实施方式
实施例1，用PET作基材。第一步薄膜卷材上料并在镀膜机真空室内施加张力，第二步镀膜机真空室抽真空，第三步镀膜机设定并调整两种等离子气源，第四步薄膜在镀膜机真空室内放卷进行等离子处理，第五步薄膜等离子沉积一层铝并收卷即可。
实施例2，用PET作基材。第一步薄膜卷材上料并在镀膜机真空室内施加张力，第二步镀膜机真空室抽真空，第三步镀膜机设定并调整两种等离子气源，第四步薄膜在镀膜机真空室内放卷进行等离子处理，第五步薄膜等离子沉积一层二氧化硅并收卷即可。
实施例3，用PE作基材。第一步薄膜卷材上料并在镀膜机真空室内施加张力，第二步镀膜机真空室抽真空，第三步镀膜机设定并调整两种等离子气源，第四步薄膜在镀膜机真空室内放卷进行等离子处理，第五步薄膜等离子沉积一层二氧化硅并收卷即可。实施例1，用PET作基材。第一步薄膜卷材上料并在镀膜机内施加张力，第二步镀膜机真空室抽真空，第三步镀膜机设定并调整两种等离子气源，第四步薄膜在镀膜机真空室内放卷进行等离子处理，第五步薄膜等离子沉积一层铝并收卷即可。
实施例4，用OPP作基材第一步薄膜卷材上料并在镀膜机真空室内施加张力，第二步镀膜机真空室抽真空，第三步镀膜机设定并调整两种等离子气源，第四步薄膜在镀膜机真空室内放卷进行等离子处理，第五步薄膜等离子沉积一层铝并收卷即可。
Claims (1)
1、等离子处理高阻隔膜工艺，其特征在于：可用PET、 OPP、铝箔、PE薄膜作基材，第一步薄膜卷材上料并施加张力，第二步真空室抽真空，第三步设定并调整两种等离子惰性气体气源，第四步薄膜放卷进行等离子处理，第五步薄膜等离子沉积铝或二氧化硅并收卷即可。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200610014376 CN101092684A (zh) | 2006-06-20 | 2006-06-20 | 等离子处理高阻隔膜工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| CN101092684A true CN101092684A (zh) | 2007-12-26 |
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| CN 200610014376 Pending CN101092684A (zh) | 2006-06-20 | 2006-06-20 | 等离子处理高阻隔膜工艺 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN101092684A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103882412A (zh) * | 2014-04-09 | 2014-06-25 | 北京印刷学院 | 采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法 |
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2006
- 2006-06-20 CN CN 200610014376 patent/CN101092684A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103882412A (zh) * | 2014-04-09 | 2014-06-25 | 北京印刷学院 | 采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法 |
| CN103882412B (zh) * | 2014-04-09 | 2015-03-11 | 北京印刷学院 | 采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法 |
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Addressee: Wang Haifeng Document name: Notification before expiration of term |
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| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |