CN101089954A - 具有导电下层的磁头和磁带驱动系统 - Google Patents

具有导电下层的磁头和磁带驱动系统 Download PDF

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Abstract

一种磁头包括直接在衬底上形成的晶片衬底和导电下层。在导电下层上形成绝缘层。在绝缘层上形成读出器和/或写入器或其阵列。另一种磁头包括衬底和在衬底上形成的绝缘下层。在绝缘下层上形成导电下层。在导电下层上形成绝缘层。在绝缘层上形成至少一个器件，至少一个器件选自读出器，写入器及其组合。还提出了一种磁带驱动系统和用于形成这样的磁头的方法。

Description

具有导电下层的磁头和磁带驱动系统
技术领域
本发明涉及磁头结构，更具体地说，本发明涉及具有在晶片和最近的屏蔽之间沉积的导电下层的磁头结构。
背景技术
商业，科技和娱乐应用依靠计算机处理并记录数据。在这些应用中，经常向非易失性存储介质存储或转移大量数据。这样的存储介质包括磁盘，盒式磁带，盒式光盘，软盘或光磁盘。典型地，磁带是存储或获取数据最经济、最方便的方式。不断推进存储技术以提高存储能力和存储可靠性。例如，通过改进介质材料，改进纠错技术以及降低单位比特尺寸来提高在磁存储介质中数据的存储密度。例如，现在半英寸磁带的数据容量在512或更多数据磁道上以几百千兆字节计。
磁介质数据存储容量的提高部分来自用于在磁存储介质上读出和写入数据的磁头组件的提高。传感器技术中主要的提高来自由IBM公司最先开发的磁阻(MR)传感器。MR传感器将MR带中的磁场变化转换为电阻变化，其经过处理后提供数字信号。可以提高数据存储密度是因为对于给定的读出磁道宽度，MR传感器提供的信号水平高于从常规感应读出头获得的信号水平。另外，MR传感器的输出信号仅依赖于在存储介质中的瞬时磁场强度并不依赖于由相对传感器/介质速率引起的磁场的时间变化率。
通过增加磁带上的数据磁道数目，可以增加磁带上存储的数据量，这也降低相邻磁道间的距离并且促使相邻读出/写入头靠在一起。通过减小读出和写入单元的特征尺寸，例如使用薄膜制造技术和MR传感器，能够制造更多的磁道。在磁存储介质的操作中，如磁带或磁盘表面，从磁读出/写入(R/W)头组件上经过，用于从其上读出数据和向其中写入数据。在适合计算机数据存储的现代磁带记录器中，利用MR传感器的读出同时写入的能力是基本特征，用于提供完全可重新利用的磁存储数据。具有MR传感器的交叉R/W磁带头允许增加磁带介质上的磁道密度，同时提供磁带介质的双向读出同时写入操作，以给出刚刚写入磁带介质的数据的即时回读确认。读出同时写入头组件包括，对于一个或多个数据磁道的每一个，写入元件与读出元件一致，这里称为R/W磁道对，其中读出元件的间隙与写入元件的间隙对准，在介质运动方向上读出元件位于写入元件的下游。通过连续读出刚记录的数据，可以及时确认已记录数据的质量，同时仍在记录系统的临时存储中可获得原始数据。在交叉磁头中，R/W磁道对是交叉的以形成两行交替的读出和写入元件。因此，交替列(磁道对)设置为在磁带介质运动的交替方向上写入后读出。适合在高密度磁带上读出和写入的磁头要求在磁头组件中磁道对元件的精确对准。
图1示出还可以用作读出同时写入磁头的磁头100。如所示，该磁头包括在“级联(piggyback)”结构中的几个R/W变换器对102。伺服读出器104位于R/W变换器对102阵列的外侧。伺服读出器104沿着用于读出或写入的磁带的具体数据“带”的伺服磁道。因此，使用来自伺服读出器的信号以保持磁头与该带对准。磁带可以具有单个数据带或多个数据带，并且每个带可以具有一个或多个伺服磁道。
制造磁头时，在衬底110上形成层，通常，R/W变换器对102的顺序如下：电绝缘层112，直接在绝缘层112上形成第一屏蔽(S1)114，传感器116还称为读出变换器，第二屏蔽(S2)118，以及第一和第二写入磁极端(P1，P2)120，122。还要注意，第二屏蔽118和第一写入磁极端120可以合并为单个结构。
在读出、写入和查找期间磁头不断地接触磁带介质。这种连续的接触会降低磁头的性能，导致出错率的增加。多种机制会引起退化。一种原因是磁记录带的运动引起的磁头磨损。磁带介质在磁头表面上重复经过最终会磨损一部分表面，这会消弱磁头的性能。这在薄膜层结构的耐磨性小于磁带支撑头部分的情况下，对于薄膜磁头是一个突出问题，对于磁头组件会导致不可接受的短寿命。如在磁头的空气轴承表面上的类金刚石碳或碳化钛的较耐磨层抑制了间隙腐蚀。然而，这样的层必须很薄，约20纳米厚以确保近的磁头-磁带间隔。因为它们必须如此薄，所以它们有随时间磨损的倾向。
另一个磁头性能退化问题源于在衬底和最近的屏蔽之间的绝缘层的蚀损和堵塞。人们相信，与屏蔽和/或衬底的偏置耦合的在磁头上运转的磁带的电荷可以在磁头和磁带之间以及绝缘层中产生高电场，并且引起残渣的静电吸引并甚至损坏。这又倾向于使绝缘层破裂或者另外损坏绝缘层，在其中形成凹坑。该凹坑成为残渣积聚区域，其又引起包括穿过绝缘层的短路以及抬高磁带远离变换器的各种问题。同样，在优选晶片衬底材料Al2O3-TiC或“AlTiC”中不规则的电场分布在TiC颗粒拐角处具有热点。期望一种解决此问题的方法。磁头的制造可以脱离可选的陶瓷晶片。然而，通常因为较差的耐磨性，制造问题和导热特性，很少期望其它的晶片材料。
另一种想法是使下覆层变厚以减小电场。然而，这导致更明显的磨擦。似乎旨在更薄的下覆层，但是发现因为高电场和更快的堵塞所以益处不大。
一种明显的感觉是，技术上需要一种具有增强的可靠性的读出/写入磁头组件。技术上已经明显感觉到这些未解决的问题和不足，并且以下面描述的方式通过本发明进行解决。
发明内容
根据本发明的一个实施例的磁头包括晶片衬底和在该衬底上形成的导电下层。在导电下层上形成绝缘层。在绝缘层上形成至少一个器件。至少一个器件选自读出器，写入器及其组合。在优选实施例中，直接在衬底上形成导电下层。
根据本发明的另一个实施例的磁头包括衬底和在该衬底上形成的绝缘下层。在绝缘下层上形成导电下层。在导电下层上形成绝缘层。在绝缘层上形成至少一个器件。至少一个器件选自读出器，写入器及其组合。
根据本发明的另一个实施例的磁头包括晶片衬底。在该晶片衬底上形成至少一个器件。至少一个器件选自读出器，写入器及其组合。形成覆层(closure)。在至少一个器件的一个或多个和覆层之间形成导电下层。
磁带驱动系统包括如上所述的磁头，用于传递磁记录带经过磁头的驱动机构和与磁头通信的控制器。
还提出了用于形成这样的磁头的方法。
当结合附图通过实例示出本发明的原理时，根据下面的详细描述，本发明的其它方面和优点将会更明显。
附图说明
为全面了解本发明的特性和优点以及使用的最佳模式，将参考后面结合附图的详细描述。
图1是具有多个读出器和写入器的典型的现有技术多磁道磁头的示意图。
图2是根据一个实施例的多磁道磁头的示意图。
图3是用于形成图2的磁头的工艺流程图。
图4是根据一个实施例的用于偏置屏蔽的电路图。
图5是根据一个实施例的多磁道磁头的示意图。
图6是根据一个实施例的多磁道磁头的示意图。
图7是根据一个实施例的多磁道磁头的示意图。
图8是根据一个实施例的多磁道磁头的示意图。
图9是磁带驱动系统的示意图。
具体实施方式
下面描述的是当前旨在用于实现本发明的最好的实施例。此描述用于示出本发明的一般原理并且不意味着限制这里要求的本发明的概念。另外，这里描述的具体特征可以与在每个不同可能的组合和改变中描述的其它特征结合使用。
在附图中，所有不同的图中，类似的和等价的元件标号相同。
如这里描述的，本发明的优选实施例包括具有导电薄膜层的磁记录头，导电薄膜层在第一磁屏蔽绝缘体之前，直接沉积在晶片上，这里称为“导电下层”。在另一个实施例中，在导电下层和衬底之间形成薄绝缘下层。
用于磁记录头的优选晶片材料一般公知为AlTiC，其为由大量绝缘铝氧化物(氧化铝，Al2O3)加上不规则但是互相的网状导电碳化钛(TiC)组成的陶瓷复合材料。TiC的不均匀分布产生了延伸进磁带区域和底覆绝缘层中的不规则电场。这促使放电进入绝缘体中电场较高的区域中，例如TiC颗粒的边缘。已经发现，放电会在任何覆盖绝缘体中产生凹坑并且可能在其它磁带-磁头材料转换工艺中起作用。这里描述的磁头中的导电下层避免了带电“热点”并且因此在与传感器的下屏蔽的界面处提供均匀电场。导电下层的另一个益处是它能散热并且因此可以在操作期间辅助冷却传感器。
图2根据本发明的示例性实施例示出了磁头200。如所示，在AlTiC衬底204上形成导电下层202。在优选实施例中，直接在衬底204上形成导电下层202。每个磁头都具有8，16，24或更多组读出器和/或写入器，并且通常不同的R/W对208的屏蔽必须互相隔离。因此，在下屏蔽210和导电下层202之间形成如氧化铝的绝缘层206。
在绝缘层206上形成R/W对208和伺服读出器209。每个R/W对都包括读出器和写入器。读出器包括第一屏蔽(S1)210，还公知为读出元件或MR元件的传感器212，以及第二屏蔽(S2)214。写入器包括第一和第二写入磁极端(P1，P2)216，218。还要注意，第二屏蔽214和第一写入磁极端216可以合并为单个结构。同样注意，已公知如屏蔽和/或磁极端和围绕传感器之间的绝缘层的另外的层以及R/W对部件的成分和织构，因此省略了其描述。
图3示出了执行本发明的实施例的方法300。在方法300的步骤302中，在工艺的第一步的一个中，在晶片上并且优选直接在晶片上沉积导电下层。可以进行任何合适的工艺用于沉积导电下层，包括溅射，镀覆(可以要求导电籽晶层)等。在沉积步骤302后，接着在步骤304中在导电下层上面并且优选在导电下层上沉积薄绝缘层。在绝缘层上进行平整化步骤306，从而使得能够在绝缘层上制造磁传感器。在步骤308中，在绝缘层上形成各种读出器和/或写入器部件。注意，在不偏离本发明的范围下，可以增加另外的层。
为了明白导电下层302的作用，必须明白衬底204的成分。为了说明目的，将描述AlTiC衬底204。注意，相同的规律可以应用于其它现有的和将来的具有导电和非导电颗粒成分的衬底。
AlTiC广泛应用于记录工业中，因为其表现出极好的热和机械性能并且在这些性能和机械加工性之间保持了很好的平衡。
AlTiC不是均匀材料，确切地说，它是氧化铝粉末和TiC颗粒的混合物。混和混合物，然后在加热和加压条件下压缩以形成样片。完成的样片具有好的导热性和很高的电导率。典型的成分是25-35wt％或更多的TiC颗粒随机散布在样片材料中。
然后将样片切割成晶片，抛光晶片表面这样以便每个晶片都可以用作衬底204。抛光的晶片表面具有氧化铝的暴露区域和TiC的暴露区域。TiC是导电的(导电性与一些金属几乎相同)，而氧化铝是电绝缘的。
当在衬底204上放置电接触然后连接到电源时，导电区域达到电源设置的电势。具体地，设置TiC部分到，例如，相对于接地在1.5V。然后，从TiC颗粒发射电场。当颗粒不规则时，这些电场具有大的梯度。根据发明者的指示进行的计算模拟显示，颗粒发射大电场。
如上所述，因为AlTiC是导电的，所以优选在AlTiC衬底204上放置氧化铝层以将其与读出器和写入器隔离。然而，过大的电场导致现有技术绝缘层的氧化铝中的凹坑，参见图1。
通过直接在衬底204上放置导电下层202，导电下层202将具有与衬底204相同的电势。现在，从导电下层202发射并且进入绝缘层206的电场有了明显的减小并且均匀化。模拟显示，从TiC颗粒发射的电场是从导电下层202发射的电场的5倍(或更)高。从导电下层202发射的电场的减小和均匀化减小了上面的绝缘层206中的凹坑和残渣积聚。
虽然优选好的电导体，即具有低电阻率的材料，但是可以由任何导电材料形成导电下层202。特别优选金属，因为它们具有高电导率和高热导率。示意性的耐磨金属包括铁硅铝磁合金(Al-Si-Fe)，NiFe，Ta等。另外的导电材料包括导电陶瓷。导电下层可以是磁性的或无磁的。导电下层的应用使设计者和制造者能够使用常规磁盘和磁带头晶片材料。
虽然没有将下面的金属排除在本发明的范围之外，但是相信与上面描述的其它金属相比较少选择下面的金属。铜不是好的选择，因为它表现出与从其处经过的磁带的相互影响效应。金也不是好的选择，由于磁带的摩擦，它倾向于被污染。
当垂直于沉积平面测量时，优选导电下层202为十分之几微米(μm)或更厚。虽然根据设计者的期望可以选择更厚或更薄的尺寸，但是示意性的厚度范围是约0.01μm到约1μm厚。已经发现此厚度范围可以提供这里列出的益处。
在许多情况下，希望固定屏蔽210，214的电势。图4描述了根据一个实施例的用于MR元件212的偏置电路400以及附带的屏蔽的示意性电路图(示出了下屏蔽210，电路400可以与上屏蔽214(图2)或两个屏蔽210，214耦合)。如图4中所示，MR元件212的引线406，407与电流源408和接地410连接。存在参考电阻器412，414，并且优选相等以提供由引线引起的噪声抑制普通模式。参考电阻器的示意性电阻值为每个150Ω。典型地为约50KΩ的另外的电阻器416，418位于与屏蔽210耦合的节点420上。此构造将屏蔽210的电压设置为约两条引线406，407的平均值。
在图4示出的实施例中，如果参考电压为3.0V，那么在与屏蔽210耦合的节点上的电压为约1.5V。注意，提供电压和电阻的这些值，甚至此具体的电路图仅以实例的方式提供，并且实施本发明可以自由选择任何期望的结构。
发明者已经发现，在特定条件下对一些介质，会在整个绝缘层206上积聚残渣，在下屏蔽210和导电下层202之间产生导电通路。如果发生此现象并且产生的电阻与两个电阻器416，418可比，那么偏置电流会转向并且MR的输出下降。当导电下层和屏蔽210的电势相同时，此效应可以最小化。因此，在前面的实例中，因为屏蔽偏置为1.5V，所以同样期望导电下层202的电势也设置在1.5V，在导电下层202直接放置在衬底204上的实施例中，这可以通过偏置导电下层202和/或衬底204到1.5V完成。
然而，还期望衬底204对接地具有低AC和DC阻抗，这样以便衬底204可以起电屏蔽作用。因此，对于电磁干扰(EMI)屏蔽，旨在将衬底204直接接地，通过电阻器接地或接到具有比屏蔽的电势更低的其它地方。另外，衬底以及相关的电路可以通过耦合电容器AC耦合到接地。
可以在衬底204和导电下层202之间形成可选的薄绝缘层500，如图5所示。因为现在导电下层202与衬底204隔离，设计者可以将导电下层202的电势设置到不同于衬底204的电势的值。如果导电下层202的电势设置到屏蔽210，214的电势，那么任何发生由残渣引起的下屏蔽210和导电下层202之间的短路将会很小或没有(注意，期望在一个R/W对中的屏蔽210，214与另一个R/W对的屏蔽210，214隔离)。
当垂直于其沉积平面测量时，绝缘下层500的优选厚度可以小于约5μm并且优选小于约0.25μm，例如0.2μm，0.1μm等。如这里描述的，绝缘下层500的很薄的尺寸(当存在时)将导电下层202的益处最大化。具体地，从衬底204中的导体颗粒发射的场存在于导电下层202和衬底204之间，并且基本被导电下层202容纳。
虽然可以使用任何常规绝缘材料形成绝缘下层，但是用于绝缘下层500的优选材料是氧化铝。在这样的实施例中，优选氧化铝层是通过慢沉积形成的超硬氧化铝，这样以便它很薄，还可以阻止上述凹坑。理想地，氧化铝为类蓝宝石，并且可以与在磁头中使读出元件绝缘的氧化铝类似或相同。
薄绝缘下层500还用作牺牲层用于残渣积聚。已公知，来自磁带的残渣倾向于积聚，甚至嵌入磁头中。如果发生残渣积聚，优选其发生在衬底204和导电下层202之间的间隙中，而不愿其发生在导电下层202和屏蔽210之间。
可以通过增加交流或直流源510偏置图5的导电下层202，以及本发明的其它实施例。这允许导电下层202的电压，例如，与衬底204的电压匹配。在另一个变化中，如图6所示，导电下层202可以与衬底204电连接。这同样允许导电下层202和衬底204之间的电压匹配。
可以通过改变图3的工艺执行图5的实施例。具体地，代替在步骤302中在衬底204上形成导电下层202，在衬底204上形成绝缘下层500，然后，在绝缘下层500上形成导电下层202。
应该记住，在本发明的每个可能的排列和变化中，可以从这里描述的任何实施例添加另外的层。例如图6示出了图5示出的实施例的变化，其中第二导电下层602位于衬底204和下绝缘层500之间。
图7示出了磁头200的另一个实施例，其中导电下层702位于覆层704和R/W对208之间。因为覆层典型地由AlTiC和其它这样的材料构成，由覆层侧导电下层702提供的益处类似于由衬底侧导电下层202提供的那些益处。
在不同的实施例中的导电下层还可以构图成一些期望的形状。在一个实例中，如图8所示，导电下层202构图成位于靠近伺服读出器209和/或R/W对208的阵列中。在另一个实例中，未示出，导电下层可以构图成位于靠近伺服读出器和/或每个单独的R/W对。导电下层的隔离部分进一步减小了衬底和下屏蔽之间短路的可能性。
任何上述实施例或其部分的组合还可以应用于磁头和磁记录系统的任何类型，这两者都已公知并且已被发明。例如，这里教导的是对交叉磁头的简单修改。
图9示出了可以在本发明的内容中应用的简化磁带驱动器。虽然图9中示出了磁带驱动器的一个具体实施例，应该注意，可以在基于磁的系统的其它类型背景中执行前图的实施例。
如所示，提供磁带支撑盒920和卷带盘921以支撑磁带922。这些可以形成部分可移动磁带盒并且不是系统的必要部分。这里公开的类型的导引器925引导磁带922经过优选的双向磁头926。这样的磁头926又通过I/O电缆930与控制器组件928耦合。控制器928又控制磁头功能，如随后的伺服，写入脉冲，读出功能等。
如图9中示出的磁带驱动器，包括驱动电动机以驱动磁带支撑盒920和卷带盘921在磁头926上线性移动磁带922。磁带驱动器还包括读出/写入通道以将数据传送到磁头926，记录到磁带922上并且接收由磁头926从磁带922读出的数据。还提供界面用于在磁带驱动器和主机(集成的或外置的)之间通信以发送并且接收数据并且用于控制磁带驱动器的操作和向主机传达磁带驱动器的状态，所有的这些都被本领域的技术人员理解。
虽然上面描述了各种实施例，但是应该明白它们仅以实例的形式出现，而不是限制。因此，优选实施例的广度和范围不应该被任何上述典型实施例限制，而是仅根据后面的权利要求以及它们的等价物限定。

Claims (20)

1.一种磁头，包括：
晶片衬底；
导电下层，在所述衬底上形成；
绝缘层，在所述导电下层上形成；以及
至少一个器件，在所述绝缘层上形成，所述至少一个器件选自读出器，写入器及其组合。
2.根据权利要求1的磁头，其中所述衬底是包括导电和非导电材料的混合物的复合材料。
3.根据权利要求1的磁头，其中所述导电下层直接在所述衬底上形成。
4.根据权利要求3的磁头，其中所述导电下层由金属形成。
5.根据权利要求4的磁头，其中所述金属选自铁硅铝磁合金，NiFe，Ta及其组合。
6.根据权利要求1的磁头，其中在所述导电下层上形成至少三个器件。
7.根据权利要求6的磁头，其中所述器件是级联读出/写入对的阵列。
8.根据权利要求1的磁头，其中还包括覆层和位于所述覆层和所述至少一个器件的一个或多个之间的第二导电下层。
9.根据权利要求1的磁头，其中所述导电下层被构图。
10.根据权利要求1的磁头，其中所述导电下层，当垂至于其沉积平面测量时，具有在约0.1μm到约1μm之间的厚度。
11.一种磁带驱动系统，包括：
如权利要求1中描述的磁头；
驱动机构，用于传递磁记录带经过所述磁头；以及
控制器，与所述磁头通信。
12.一种磁头，包括：
衬底；
绝缘下层，在所述衬底上形成；
导电下层，在所述绝缘下层上形成；
绝缘层，在所述导电下层上形成；
至少一个器件，在所述绝缘层上形成，所述至少一个器件选自读出器，写入器及其组合。
13.根据权利要求12的磁头，其中所述至少一个器件包括具有下和上屏蔽的读出器和位于所述上和下屏蔽之间的写入元件，其中所述下屏蔽的位置比所述上屏蔽更靠近所述绝缘层，其中所述下屏蔽偏置的电势高于所述衬底的电势。
14.根据权利要求13的磁头，其中所述导电下层偏置的电势约等于所述下屏蔽的所述电势。
15.根据权利要求12的磁头，其中所述绝缘体下层是类蓝宝石氧化铝。
16.根据权利要求12的磁头，其中所述绝缘下层，当垂至于其沉积平面测量时，具有小于约1μm的厚度。
17.根据权利要求12的磁头，其中所述器件是级联读出/写入对的阵列。
18.根据权利要求12的磁头，其中所述导电下层，当垂至于其沉积平面测量时，具有在约0.1μm到约1μm之间的厚度。
19.一种磁带驱动系统，包括：
如权利要求12中描述的磁头；
驱动机构，用于传递磁记录带经过所述磁头；以及
控制器，与所述磁头通信。
20.一种磁头，包括：
晶片衬底；
至少一个器件，在所述晶片衬底上形成，所述至少一个器件选自读出器，写入器及其组合；
覆层；以及
导电下层，在所述至少一个器件的一个或多个和所述覆层之间形成。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104715763A (zh) * 2013-12-12 2015-06-17 国际商业机器公司 具有偏移读取器/写入器换能器对的准静态倾斜头
CN114365220A (zh) * 2019-09-17 2022-04-15 国际商业机器公司 具有弹性衬底的记录磁带

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009048745A (ja) * 2007-08-22 2009-03-05 Hitachi Maxell Ltd リニア記録型磁気ヘッドアセンブリ、およびそれを用いた磁気テープ装置
US8824106B1 (en) * 2013-05-18 2014-09-02 Headway Technologies, Inc. Two sensor reader for hard disk drive (HDD)
US9449622B2 (en) 2014-10-29 2016-09-20 International Business Machines Corporation Differing magnetic read sensors on a magnetic head
US9418683B2 (en) 2014-10-29 2016-08-16 International Business Machines Corporation Mass production of multichannel current perpendicular to plane head modules via preferred milling
US9299369B1 (en) 2014-10-29 2016-03-29 International Business Machines Corporation Multichannel data storage apparatus having abrasion resistant barrier

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0133916B1 (en) 1983-08-08 1988-11-23 International Business Machines Corporation Process for forming a thin insulative coating on a substrate
US5764446A (en) * 1996-05-01 1998-06-09 International Business Machines Corporation Magnetic head having an air bearing surface with short-resistant leads
JP3212567B2 (ja) 1999-01-27 2001-09-25 アルプス電気株式会社 磁気抵抗効果型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP4193268B2 (ja) 1999-02-26 2008-12-10 ソニー株式会社 薄膜形成装置および薄膜形成方法ならびに案内ガイドロール
US6252741B1 (en) 1999-05-11 2001-06-26 Greenleaf Technologies Thin film magnetic recording head with treated ceramic substrate
JP2002076470A (ja) 2000-08-28 2002-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導電膜、薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6646830B2 (en) 2001-06-07 2003-11-11 International Business Machines Corporation Monolithic magnetic read-while-write head apparatus and method of manufacture
AU2002366475A1 (en) 2001-12-17 2003-06-30 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Slider head having a sic underlayer
JP2005056940A (ja) 2003-08-07 2005-03-03 Tdk Corp 電子デバイス用基板、電子デバイスおよびそれらの製造方法
US7239488B2 (en) 2004-03-09 2007-07-03 Sae Magnetics (H.K.), Ltd. MR sensor on an insulating substrate and method of manufacture
JP2006048869A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Shinka Jitsugyo Kk 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに磁気記録装置
US7333296B2 (en) * 2004-10-07 2008-02-19 Headway Technologies, Inc. Magnetic head for perpendicular magnetic recording including pole-layer-encasing layer that opens in the top surface thereof and nonmagnetic conductive layer disposed on the top surface of the pole-layer-encasing layer
JP2006107673A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Shinka Jitsugyo Kk 磁気ヘッド及びその製造方法、並びにヘッドサスペンションアセンブリ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104715763A (zh) * 2013-12-12 2015-06-17 国际商业机器公司 具有偏移读取器/写入器换能器对的准静态倾斜头
CN104715763B (zh) * 2013-12-12 2017-10-20 国际商业机器公司 具有偏移读取器/写入器换能器对的准静态倾斜头
CN114365220A (zh) * 2019-09-17 2022-04-15 国际商业机器公司 具有弹性衬底的记录磁带

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