CN101085840A - 聚电解质/CdTe纳米复合薄膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
聚电解质/CdTe纳米复合薄膜的制备方法，涉及一种通过静电自组装制备聚电解质和CdTe纳米晶复合薄膜的方法。先制备CdTe纳米晶溶胶，再将石英基片处理成表面带正电荷或带负电荷，然后配置浓度为0.01～2.0mol·L－1、pH为6～12的阳离子或阴离子聚电解质溶液，最后采用静电自组装方法，将石英基片放入与其表面带相反电荷的聚电解质中，重复“阳离子聚电解质－阴离子聚电解质－阳离子聚电解质”或“阴离子聚电解质－阳离子聚电解质”操作，形成所需层数的聚电解质层，再在其上组装一层CdTe纳米晶。重复以上操作即得所需层数的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜。本发明能精确控制薄膜厚度，设备简单，操作方便，对环境无污染，制备多层薄膜速度快，复合薄膜的均匀性和柔韧性均好。
Description
技术领域
本发明涉及一种制备聚电解质/CdTe纳米复合薄膜的方法。用本发明的方法制备CdTe纳米复合薄膜具有质量稳定、成本低廉、性能优良的优点。
背景技术
CdTe纳米晶具有许多优良的性质，例如荧光发射波长随尺寸改变连续可调、发射光谱宽度窄且呈对称分布、光化学稳定性和生物兼容性好等。此外，做为一种半导体材料，CdTe具有n型和p型两种导电类型，而且两种载流子的迁移率都较好。CdTe纳米晶的这些优良性质使得它在生物医学、电致发光器件、光电器件、生物传感器等研究领域有着十分广泛的应用前景。目前，CdTe纳米晶在生物医学上的应用一般基于CdTe纳米粒子或溶胶，如“CdTe纳米晶直接标记生物分子的方法”(中国发明专利申请号：200310109946.3，公开号：CN1540346)和“CdTe纳米晶偶联链霉亲和素荧光标记生物分子的方法”(中国发明专利申请号：200310109947.8，公开号：CN1540349)中直接将CdTe纳米晶和生物分子通过其它分子链接起来实现了对生物分子的荧光标记。CdTe纳米晶在光电器件如太阳能电池上的应用则是通过近空间升华法、电化学沉积法或溶液旋转涂膜等方法制备厚度约为1μm的CdTe薄膜(1μm厚的CdTe薄膜即可吸收90％以上的入射太阳光)，如“氩氧气氛下沉积的CdTe薄膜及太阳电池的性质”(半导体学报，2005，26(4)：716-720)，“玻璃衬底上CdTe薄膜的制备及其性质”(半导体光电，2005，26(3)：226-228)，“Air-stable all-Inorganic nanocrystal solar cells processedfrom solution”(Science，2005，310(5754)：462-465.)等。CdTe纳米晶如要进一步扩展其在电致发光器件、显示器、生物传感器等方面的潜在应用时，则必须将其以某种方式固定或与其他基体复合组装成纳米尺寸的薄膜。高明远等报道了以电场诱导的静电组装技术在ITO(锡掺杂氧化铟)基底上制备了可用于红色和绿色的电致发光器件的CdTe纳米晶/聚电解质纳米复合薄膜(Journal of Nanoscience andNanotechnology，2001，1(2)：133-136)。不过这种方法需要电场条件，而且由于聚电解质层的厚度远小于CdTe纳米晶的尺寸，因此所得的“CdTe-聚电解质-CdTe”复合层由于相邻的两个CdTe纳米晶之间只有一层阳离子聚电解质层，这样就不可避免地会给薄膜带来某些缺陷，如表面不平整，膜质量不高等。
发明内容
本发明的目的是公开一种成本低廉、工艺简单、质量稳定、性能优良的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜的制备方法。
为了达到上述目的，本发明以巯基丙酸为稳定剂，用水相合成法合成了CdTe纳米晶，然后利用静电自组装的方法将其与聚电解质固定在石英基体表面制得了CdTe纳米复合薄膜。
具体的制备方法是按如下步骤进行的：
第一步，CdTe纳米晶溶胶的制备
A.NaHTe溶液的制备
量取NaBH4∶碲粉(Te)＝2∶1摩尔比。在离心管中加入硼氢化钠(NaBH4)，注入高纯水，待硼氢化钠溶解后迅速加入碲粉(Te)，反应体系用冰冷却，预留排气口排出反应中产生的氢气。反应2～8小时，瓶底生成白色的四硼酸钠沉淀，上层清液即为所需的NaHTe溶液。
B.CdTe纳米晶溶胶的制备
量取CdCl2∶NaHTe∶巯基丙酸＝2∶1∶2～8摩尔比，将CdCl2和巯基丙酸混合，调pH值至7～14，用微量进样器将上步制得的NaHTe溶液加入其中，在氮气保护条件下，在50～110℃回流5min～50h，即得到CdTe纳米晶溶胶。
第二步，将石英基片处理成表面带正电荷或带负电荷
使石英基片表面带负电荷的工艺是：石英基片在新鲜制备的piranha溶液(30％的H2O2与98％的浓H2SO4按体积比3∶7混合)中90℃的条件下浸泡10～60min，然后依次用无水乙醇和高纯水清洗，晾干备用。
使石英基片表面带正电荷的工艺是：石英基片浸入40℃的体积比为5∶1∶1的H2O/H2O2/NH4OH的混合物中，浸泡30min，再用去离子水或超声波清洗基片；接着，将基片浸入90℃的H2O2/H2SO4(体积比为3∶7)的混合溶液中30min；用去离子水或超声波清洗基片；再用甲醇、甲醇/甲苯(体积比为1∶1)和甲苯依次冲洗基片；再接着将基片浸入5％TMS溶液(10mmol的三羟甲基氨基甲烷盐酸盐(Tris-HCl)，pH＝7.4，56mmol的MgCl2，10％的蔗糖)中15h；将基片取出之后放人热的甲苯溶液中加热1h；然后用甲苯、甲苯/甲醇(体积比为1∶1)和甲醇分别冲洗2min；最后用去离子水彻底清洗基片，最后将处理好的基片置入干燥箱中，在80℃下干燥1h或用N2吹干。
第三步.聚电解质溶液的配制
配置浓度约为0.01～2.0mol·L-1(以单体计算)的阳离子或阴离子聚电解质溶液，用稀盐酸或NaOH将其pH值调到6～12。其中：
阳离子聚电解质的配制是，将市售的分析纯的聚二烯丙基二甲基胺盐酸盐(PDDA)、聚丙烯胺盐酸盐(PAH)、聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDADMAC)、质子化的聚乙撑亚胺(PEI)、聚丙烯酰胺(PAA)、聚乙烯胺(PVA)或聚L赖氨酸(PLL)加入去离子水，使其浓度为0.01～2.0mol·L-1，然后用稀盐酸或NaOH将其pH值调到6～12。
阴离子聚电解质的配制是，将市售的分析纯的聚苯乙烯磺酸钠(PSS)或聚乙烯酸酯(PA)加入去离子水，使其浓度为0.01～2.0 mol·L-1，然后用稀盐酸或NaOH将其pH值调到6～12。
第四步.聚电解质和CdTe纳米复合薄膜的制备
当石英基片表面带负电时，制备聚电解质和CdTe纳米复合薄膜的方法为：将石英基片先放入阳离子聚电解质溶液中浸渍5～50min，高纯水淋洗，自然风干或N2吹干；再将此石英基片放入阴离子聚电解质溶液中浸渍5～50min，高纯水淋洗，自然风干或N2吹干；然后再将此基片放入阳离子聚电解质溶液中浸渍5～50min，高纯水淋洗，自然风干或N2吹干；这样可以在石英基片表面得到一层复合的聚电解质层。重复上述的“阳离子聚电解质-阴离子聚电解质-阳离子聚电解质”浸渍、淋洗和风、吹干操作程序，可在石英基片表面形成应用所需层数的复合聚电解质层。最后将表面覆有聚电解质层的石英基片放入表面带负电荷的CdTe纳米晶溶胶中浸渍5～50min，高纯水淋洗，自然风干或N2吹干。按此方法可获得一层CdTe纳米复合薄膜。重复以上的“聚电解质层-纳米晶”操作，可获得应用所需层数的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜。
当石英基片表面带正电时，制备聚电解质和CdTe纳米复合薄膜的方法为：
将石英基片先放入阴离子聚电解质溶液中浸渍5～50min，高纯水淋洗，自然风干或N2吹干；再将此石英基片放入阳离子聚电解质溶液中浸渍5～50min，高纯水淋洗，自然风干或N2吹干；这样可以在石英基片表面得到一层复合的聚电解质层。重复上述的“阴离子聚电解质-阳离子聚电解质”操作可在石英基片表面形成所需层数的复合聚电解质层。最后将表面覆有聚电解质层的石英基片放入表面带负电荷的CdTe纳米晶溶胶中浸渍5～50min，高纯水淋洗，自然风干或N2吹干。按此方法可获得一层CdTe纳米复合薄膜。重复以上的“聚电解质层-纳米晶”操作，可获得所需层数的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜。
本发明具有以下优点：
1.本发明采用聚电解质和CdTe纳米晶制备纳米复合薄膜，由于所用的聚电解质是一种高分子聚合物，同时它在很宽的pH范围内电性稳定，因此，聚电解质和CdTe纳米晶易于在石英基体表面形成具有均匀性、柔韧性较好的纳米复合薄膜。
2.本发明方法制得的CdTe纳米复合薄膜的品质优良。由于本发明在制备聚电解质/CdTe纳米复合薄膜时，在每两个相邻的CdTe纳米晶层之间预先组装了多层复合的聚电解质层，这样可有效避免CdTe纳米晶相互嵌入单层的聚电解质层而导致薄膜出现质量缺陷的缺点。经测试分析表明，所得薄膜表面平整、厚度均匀、稳定性良好，纳米晶在薄膜上排列整齐。
3.本发明采用静电自组装的方法制备CdTe纳米晶薄膜。该方法具有能精确控制薄膜厚度，设备简单，操作方便不需要电场条件，对环境无污染，制备多层薄膜速度较快等优点。
4.由于本发明在制备纳米晶过程中采用巯基丙酸为稳定剂，它包覆在CdTe纳米晶表面使得CdTe纳米晶具有核/壳结构，同时，由于它的包覆使CdTe纳米晶表面带负电荷，从而有效地阻止了CdTe纳米晶之间的团聚，极大的提高了CdTe纳米晶溶胶的稳定性，为CdTe纳米复合薄膜的组装创造了必要条件。
5.本发明采用水相合成法合成纳米晶，该方法具有可重复性好、原料便宜、荧光发射波长连续可调、发射光谱宽度窄且呈对称分布等优点，因此，用本发明制备CdTe纳米复合薄膜的成本低廉、质量稳定、且性能优良。
具体实施方式
实施例1
在10ml离心管中加入100mg硼氢化钠，并注入2mL高纯水；待硼氢化钠溶解后迅速加入180mg碲粉，反应体系用冰冷却，预留排气口排出反应中产生的氢气。反应2小时后，瓶底生成白色的四硼酸钠沉淀。
配置如下浓度的CdCl2和巯基丙酸混合溶液，调节其pH值至7，用微量进样器加入新制得的NaHTe溶液，其中，CdCl2，NaHTe和巯基丙酸三者的摩尔比为2∶1∶2～8。在氮气保护条件下将原溶液在50℃回流5min即得到CdTe纳米晶溶胶。
将石英基片在新鲜制备的piranha溶液(30％的H2O2与98％的浓H2SO4按体积比3∶7混合)中90℃的条件下浸泡10min，然后依次用无水乙醇和高纯水清洗，之后浸泡在高纯水中备用，使用前晾干。这样可得表面带负电荷的石英基片。
配置浓度约为0.01mol·L-1的PDDA和PSS溶液(均以单体计算)，用稀盐酸将其pH值调到6。
将表面处理后带负电的石英基片先放入PDDA溶液中浸渍5min，用高纯水淋洗，自然风干或N2吹干；再将此石英基片放入PSS溶液中浸渍5min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干；然后再将此石英基片放入PDDA溶液中浸渍5min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干；重复上述操作在石英基片表面组装1～15层的PDDA/PSS/PDDA聚电解质层。然后将石英基片放入CdTe纳米晶溶胶中浸渍5min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干。这样便在石英基片表面吸附了一层CdTe纳米晶，从而得到一个复合层的聚电解质/CdTe纳米薄膜。然后再将基片反复浸入PDDA-PSS-PDDA和CdTe纳米晶溶胶中即得到第二层的聚电解质/CdTe纳米复合膜。重复以上的“聚电解质层-纳米晶”操作，即可在石英基片表面组装2～15层的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜。
实施例2
在10mL离心管中加入150mg硼氢化钠，并注入2mL高纯水；待硼氢化钠溶解后迅速加入270mg碲粉，反应体系用冰冷却，预留排气口排出反应中产生的氢气。反应5小时后，瓶底生成白色的四硼酸钠沉淀。
配置一定浓度的CdCl2和巯基丙酸混合溶液，调节其pH值至9，用微量进样器加入新制得的NaHTe溶液，其中，CdCl2，NaHTe和巯基丙酸三者的摩尔比为2∶1∶2～6.5。在氮气保护条件下将原溶液在80℃回流19h即得到CdTe纳米晶溶胶。
使石英基片表面带正电荷，(1)将石英基片浸入40℃的H2O/H2O2/NH4OH(体积比为5∶1∶1)的混合物中浸泡30min，然后用去离子水或超声波清洗基片；(2)将基片浸入热的H2O2/H2SO4(体积比为3∶7)的混合溶液中30min；用去离子水或超声波清洗基片；然后用甲醇、甲醇/甲苯(体积比为1∶1)和甲苯依次冲洗基片；(3)将基片浸入5％TMS溶液中15h；将基片取出之后放人热的甲苯溶液中加热1h；然后用甲苯、甲苯/甲醇(体积比为1∶1)和甲醇分别冲洗2min；最后用去离子水彻底清洗基片；(4)将处理好的基片置入干燥箱中，在80℃下干燥1h或用N2吹干。这样可得表面带正电荷的石英基片。
配置浓度约为0.5mol·L-1的PAH和PSS溶液(均以单体计算)，用稀的NaOH溶液将其pH值调到8。
将表面处理后带正电的石英基片先放入PSS溶液中浸渍10min，用高纯水淋洗，自然风干或N2吹干；再将此石英基片放入PAH溶液中浸渍10min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干；重复上述操作在石英基片表面组装所需层数的PSS/PAH聚电解质层。然后将此石英基片放入CdTe纳米晶溶胶中浸渍10min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干。这样便在石英基片表面吸附了一层CdTe纳米晶，从而得到一个复合层的聚电解质/CdTe纳米薄膜。然后再将基片反复浸入PSS-PAH和CdTe纳米晶溶胶中即得到第二层的聚电解质/CdTe纳米复合膜。重复以上的“聚电解质层-纳米晶”操作，即可得到2～30层的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜。
实施例3：
在10 mL离心管中加入100mg硼氢化钠，并注入2mL高纯水；待硼氢化钠溶解后迅速加入180mg碲粉，反应体系用冰冷却，预留排气口排出反应中产生的氢气。反应6小时后，瓶底生成白色的四硼酸钠沉淀。
配置一定浓度的CdCl2和巯基丙酸混合溶液，调节其pH值至12，用微量进样器加入新制得的NaHTe溶液，其中，CdCl2，NaHTe和巯基丙酸三者的摩尔比为2∶1∶2～7。在氮气保护条件下将原溶液在85℃回流27h即得到CdTe纳米晶溶胶。
将石英基片按实施例1处理，这样可得表面带负电荷的石英基片。
配置浓度约为1.0mol·L-1的PLL和PA溶液(均以单体计算)，用稀的NaOH溶液将其pH值调到10。
将表面处理后带负电的石英基片先放入PLL溶液中浸渍30min，用高纯水淋洗，自然风干或N2吹干；再将此石英基片放入PA溶液中浸渍30min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干；然后再将此石英基片放入PLL溶液中浸渍5min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干；重复上述操作在石英基片表面组装所需层数的PLL/PA/PLL聚电解质层。然后将此石英基片放入CdTe纳米晶溶胶中浸渍30min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干。这样便在石英基片表面吸附了一层CdTe纳米晶，从而得到一个复合层的聚电解质/CdTe纳米薄膜。然后再将基片反复浸入PLL-PA-PLL和CdTe纳米晶溶胶中即得到第二层的聚电解质/CdTe纳米复合膜。重复以上的“聚电解质层-纳米晶”操作，即可得到所需层数的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜。
实施例4
在10 mL离心管中加入150mg硼氢化钠，并注入2mL高纯水；待硼氢化钠溶解后迅速加入270mg碲粉，反应体系用冰冷却，预留排气口排出反应中产生的氢气。反应8小时后，瓶底生成白色的四硼酸钠沉淀。
配置一定浓度的CdCl2和巯基丙酸混合溶液，调节其pH值至11，用微量进样器加入新制得的NaHTe溶液，其中，CdCl2，NaHTe和巯基丙酸三者的摩尔比为2∶1∶2～7。在氮气保护条件下将原溶液在90℃回流40 h即得到CdTe纳米晶溶胶。
将石英基片按实施例2处理，这样可得表面带正电荷的石英基片。
配置浓度约为1.5mol·L-1(以单体计算)的PEI和PSS溶液，用稀的NaOH溶液将其pH值调到10。
将表面处理后带正电的石英基片先放入PSS溶液中浸渍30min，用高纯水淋洗，自然风干或N2吹干；再将此石英基片放入PEI溶液中浸渍30min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干；重复上述操作在石英基片表面组装所需层数的PSS/PEI聚电解质层。然后将此石英基片放入CdTe纳米晶溶胶中浸渍30min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干。这样便在石英基片表面吸附了一层CdTe纳米晶，从而得到一个复合层的聚电解质/CdTe纳米薄膜。然后再将基片反复浸入PSS-PEI和CdTe纳米晶溶胶中即得到第二层的聚电解质/CdTe纳米复合膜。重复以上的“聚电解质层-纳米晶”操作，即可得到2～40层的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜。
实施例5
按实施例1制备CdTe纳米晶溶胶和处理石英基片。
配置浓度约为1.5mol·L-1的PAA和PA溶液(均以单体计算)，用稀的NaOH溶液将其pH值调到12。
将表面处理后带负电的石英基片先放入PAA溶液中浸渍40min，用高纯水淋洗，自然风干或N2吹干；再将此石英基片放入PA溶液中浸渍40min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干；然后再将此石英基片放入PAA溶液中浸渍40min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干；重复上述操作在石英基片表面组装所需层数的PAA/PA/PAA聚电解质层。然后将此石英基片放入CdTe纳米晶溶胶中浸渍40min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干。这样便在石英基片表面吸附了一层CdTe纳米晶，从而得到一个复合层的聚电解质/CdTe纳米薄膜。然后再将基片反复浸入PAA-PA-PAA和CdTe纳米晶溶胶中即得到第二层的聚电解质/CdTe纳米复合膜。重复以上的“聚电解质层-纳米晶”操作，即可得到所需层数聚电解质/CdTe纳米复合薄膜。
实施例6
按实施例2制备CdTe纳米晶溶胶和处理石英基片。
配置浓度约为1.5mol·L-1的PVA和PSS溶液(均以单体计算)，用稀的NaOH溶液将其pH值调到12。
将表面处理后带正电的石英基片先放入PSS溶液中浸渍30min，用高纯水淋洗，自然风干或N2吹干；再将此石英基片放入PVA溶液中浸渍45min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干；重复上述操作在石英基片表面组装所需层数的PSS/PVA聚电解质层。然后将此石英基片放入CdTe纳米晶溶胶中浸渍45min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干。这样便在石英基片表面吸附了一层CdTe纳米晶，从而得到一个复合层的聚电解质/CdTe纳米薄膜。然后再将基片反复浸入PSS-PVA和CdTe纳米晶溶胶中即得到第二层的聚电解质/CdTe纳米复合膜。重复以上的“聚电解质层-纳米晶”操作，即可得到所需层数的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜。
实施例7
按实施例1制备CdTe纳米晶溶胶和处理石英基片。
配置浓度约为2.0mol·L-1的PDADMAC和PA溶液(均以单体计算)，用稀的NaOH溶液将其pH值调到12。
将表面处理后带负电的石英基片先放入PDADMAC溶液中浸渍5min，用高纯水淋洗，自然风干或N2吹干；再将此石英基片放入PA溶液中浸渍5min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干；然后再将此石英基片放入PDADMAC溶液中浸渍5min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干；重复上述操作在石英基片表面组装所需层数的PDADMAC/PA/PDADMAC聚电解质层。然后将石英基片放入CdTe纳米晶溶胶中浸渍5min，用高纯水清洗，自然风干或N2吹干。这样便在石英基片表面吸附了一层CdTe纳米晶，从而得到一个复合层的聚电解质/CdTe纳米薄膜。然后再将基片反复浸入PDADMAC-PA-PDADMAC和CdTe纳米晶溶胶中即得到第二层的聚电解质/CdTe纳米复合膜。重复以上的“聚电解质层-纳米晶”操作，即可得到所需层数的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜。
Claims (3)
1.聚电解质/CdTe纳米复合薄膜的制备方法，先制备CdTe纳米晶溶胶，再将石英基片处理成表面带正电荷或带负电荷，然后配置浓度为0.01～2.0mol·L-1、pH为6～12的阳离子或阴离子聚电解质溶液，其特征在于：采用静电自组装方法在石英基片上制备聚电解质和CdTe纳米复合薄膜，
当石英基片表面带负电时，先将石英基片放入阳离子聚电解质溶液中浸渍5～50min，高纯水淋洗，晾干；再将此石英基片放入阴离子聚电解质溶液中浸渍5～50min，高纯水淋洗，晾干；然后再将此基片放入阳离子聚电解质溶液中浸渍5～50min，淋洗，晾干；这样可以在石英基片表面得到一层复合的聚电解质层，重复上述的“阳离子聚电解质-阴离子聚电解质-阳离子聚电解质”操作，可在石英基片表面形成应用所需层数的复合聚电解质层，最后将表面覆有聚电解质层的石英基片放入表面带负电荷的CdTe纳米晶溶胶中浸渍5～50min，高纯水淋洗，晾干，获得一层CdTe纳米复合薄膜；重复以上的聚电解质层和纳米晶溶胶浸渍，淋洗，晾干操作，即组装获得应用所需层数的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜；
当石英基片表面带正电时，将石英基片先放入阴离子聚电解质溶液中浸渍5～50min，高纯水淋洗，晾干；再将此石英基片放入阳离子聚电解质溶液中浸渍5～50min，淋洗，晾干；这样可以在石英基片表面得到一层复合的聚电解质层，重复上述的“阴离子聚电解质-阳离子聚电解质”操作可在石英基片表面形成应用所需层数的复合聚电解质层，最后将表面覆有聚电解质层的石英基片放入表面带负电荷的CdTe纳米晶溶胶中浸渍5～50min，淋洗，晾干，按此方法可获得一层CdTe纳米复合薄膜；重复以上的“聚电解质层-纳米晶”组装操作，可获得应用所需层数的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜。
2.根据权利要求书1所述的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于：阳离子聚电解质溶液是选用聚二烯丙基二甲基胺盐酸盐、聚丙烯胺盐酸盐、聚二烯丙基二甲基氯化铵、质子化的聚乙撑亚胺、聚丙烯酰胺、聚乙烯胺或聚L赖氨酸，将其浓度配置为0.01～2.0mol·L-1，再用稀盐酸或NaOH将其pH值调到6～12。
3.根据权利要求书1所述的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于：阴离子聚电解质溶液选用聚苯乙烯磺酸钠或聚乙烯酸酯，并将其浓度配置为0.01～2.0mol·L-1，再用稀盐酸或NaOH将其pH值调到6～12。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200710041832 CN101085840A (zh) | 2007-06-11 | 2007-06-11 | 聚电解质/CdTe纳米复合薄膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200710041832 CN101085840A (zh) | 2007-06-11 | 2007-06-11 | 聚电解质/CdTe纳米复合薄膜的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101085840A true CN101085840A (zh) | 2007-12-12 |
Family
ID=38937023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101431148B (zh) * | 2008-10-13 | 2010-06-02 | 同济大学 | 一种提高CdTe纳米复合薄膜发光强度的方法 |
| CN101905122A (zh) * | 2010-07-23 | 2010-12-08 | 北京工业大学 | 一种高负载无机纳米粒子杂化有机膜的自组装方法 |
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| CN110846039A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-28 | 浙江传媒学院 | 一种SiO2@CdTe@Au纳米复合材料制备方法 |
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| CN115479407A (zh) * | 2022-08-17 | 2022-12-16 | 北京金茂绿建科技有限公司 | 一种空气源热泵系统的制备方法 |
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2007
- 2007-06-11 CN CN 200710041832 patent/CN101085840A/zh active Pending
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