CN101084539B - 记录介质以及在该记录介质中记录数据的方法和设备 - Google Patents

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Abstract

公开了一种记录介质和将数据记录在该记录介质中的方法和设备。包括内部区、数据区和外部区的该记录介质包括内部区中所含的第一测试区域以及包含在外部区中的第二测试区,其中第一和第二测试区是由与数据区相同的预定摆动调制方法形成的。因此可将该记录介质应用于蓝光盘制造方法,并且数据能有效地记录/再现至/自诸如蓝光盘等记录介质。

Description

记录介质以及在该记录介质中记录数据的方法和设备
技术领域
本发明涉及一种记录介质,更具体地涉及一种在该记录介质中记录数据时高效使用的物理结构,以及用该物理结构在该记录介质中记录数据的方法和设备。
背景技术
一般而言,作为其中能记录大量数据的记录介质的光盘被广泛地使用。尤其是最近已开发出能够长时间记录/存储高质量视频数据和高质量音频数据的高密度光学记录介质,例如蓝光盘(BD)。
基于下一代记录介质技术的BD已被看作是能存储远超过常规DVD数据量的数据的下一代光学记录方案。最近,许多开发者已对与BD以及其它数字装置相关联的国际标准技术规范进行了深入研究。
然而,BD中使用的优选数据记录方法尚未建立,因此在研发基于BD的光学记录/再现装置时产生很多限制和问题。具体地说,在计算在记录介质中记录数据的最优写功率的特定技术领域内,这些限制和问题变得很严重。
发明内容
因此,本发明针对基本避免由相关技术的限制和缺点造成的一个或多个问题的一种记录介质以及在该记录介质中记录数据的方法和设备。
本发明的一个目的是提供一种适用于诸如BD等记录介质的物理结构,以及使用该物理结构在记录介质中记录数据的方法和设备。
本发明的其它优点、目的和特征的一部分将在后面的说明中展开,其另一部分可由本领域普通技术人员通过对下文的细阅而变得明白或可从本发明实践中获知。本发明的目的和其它优点可由书面说明、所附权利要求书以及附图中特别指出的结构实现和达成。
为了实现这些目的和其它优点,并根据本发明的目的,如本文中所体现和宽泛描述的那样,含内部区、数据区和外部区的记录介质包括:包含在内部区中的第一测试区;以及包含在外部区中的第二测试区,其中第一和第二测试区由与数据区域相同的预定的摆动调制方法形成。
在本发明的另一方面,一种在记录介质中记录数据的方法包括下列步骤:(a)读取包含在记录介质中所记录的管理信息中的、指示分配给记录介质的外部区的测试区的可用区域的位置信息,并识别与所读取的位置信息对应的物理位置;(b)执行最优功率控制(OPC)过程以计算所识别的可用区域中的最优写功率;以及(c)用计算得到的最优写功率在记录介质中记录数据。
在本发明的另一方面,用于在记录介质中记录数据的设备包括:拾取单元,用来读取记录在记录介质中的数据,这些数据包括指示分配给记录介质外部区的测试区的可用区域的位置信息,而这些位置信息被包含在记录在记录介质内的管理信息中,并用于将数据记录在记录介质中;以及控制器,用来识别与从拾取单元读取的位置信息对应的物理位置,通过在所识别的可用区域内进行最优功率控制(OPC)过程来搜索最优写功率,并控制拾取单元以用搜索到的最优写功率将数据记录在记录介质中。
要理解前面对本发明的一般说明和下面对本发明的详细说明均为例示性和说明性的,并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本发明进一步的理解、并被收录并构成本申请的一部分的附图示出了本发明诸实施例,并且与说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中:
图1是根据本发明的能将数据记录于内的光盘结构;
图2是根据本发明的能将数据记录于内的单层光盘结构;
图3a~3b是根据本发明的一个实施例的能够将数据记录于内的双层光盘结构;
图4a~4b是根据本发明另一优选实施例的能够将数据记录于内的双层光盘结构;
图5~8是示出根据本发明的调制方法的图;
图9是示出根据本发明的将管理信息记录在可记录光盘中的方法的概念图;
图10是示出根据本发明的执行OPC过程的方法的概念图;
图11是示出根据本发明的用于搜索OPC起始位置的方法的概念图;
图12是示出根据本发明的光学记录/再现装置的方框图;以及
图13~16是示出根据本发明的将数据记录在记录介质中的方法的流程图。
具体实施方式
现在将详细参照本发明诸优选实施例,其示例在附图中示出。在任何可能的情况下,在所有附图中将使用相同的标记来表示相同或相似的部分。
在描述本发明前,应当注意本发明中公开的大多数术语与本领域内公知的一般术语对应,然而一些术语是申请人根据需要选择的并且随后将在本发明的下列说明中公开。因此,在这些术语在本发明中的含义的基础上理解由申请人定义的这些术语尤佳。
在本发明中使用的记录介质指示根据各种记录方案的所有可记录介质,例如光盘、磁带等。为便于说明和更好地理解本发明,诸如BD的光盘在下文中将示例性地用作为本发明中的上述记录介质。
应当注意,本发明的技术理念可应用于其它记录介质而不会脱离本发明的范围和精神。
术语“最优功率控制(OPC)区域”指示记录介质中被分配用于执行OPC过程的预定区域。术语“最优功率控制(OPC)”指示当将(测试)数据记录在可记录光盘中时能够计算最优写功率的预定过程。
换句话说,如果将光盘置于特定的光学记录/再现装置中,则光学记录/再现装置重复执行预定过程以将数据记录在光盘的OPC区域中并再现所记录的数据,从而来计算适用于该光盘的最优写入功率。此后,当将数据记录在光盘中时,光学记录/再现装置使用计算得到的最优写入功率。因此,OPC区域是可记录光盘所需要的。
术语“驱动器校准区(DCZ)区域”指示记录介质中由光学记录/再现装置(或驱动器)使用的特定区域,并且不仅能实现OPC过程还能实现光学记录/再现装置所需的各种测试。
在这种情形下,OPC区域和DCZ区域可供OPC过程使用。根据本发明,OPC区域和DCZ区域统称为测试区。应当注意,在OPC区域中进行的OPC甚至可适用于DCZ区域。
图1是根据本发明的能够将数据记录于其内的光盘结构。为便于说明和更好地理解本发明,在图1中示出能够将数据记录于其内的单层BD-R/RE。
参阅图1,光盘依次包括内部区、数据区以及在光盘内部区基础上的外部区。内部区和外部区中分别包含的特定区域作为用来记录光盘管理信息的记录区域或测试区域来使用。数据区域将实际用户数据记录于其内。
下文中将对内部区和外部区域进行详细说明。内部区包括PIC(永久信息及控制数据)区域、OPC区域、以及两个信息区域(即信息区)IN1和IN2。PIC区域将光盘管理信息记录为压纹(embossed)HFM(高频已调制)信号。作为测试区的OPC区域被用来执行OPC过程。信息区IN1和IN2记录包括缺陷管理区(DMA)在内的各种光盘管理信息。
与上面的说明相联系,一次可写BD-R还包括邻近OPC区域的临时盘管理区(TDMA),然而BD-RE在OPC区域附近包括一保留区域。该保留区域作为供以后使用的备用区域。外部区包括另外两个信息区IN3和IN4。
用于光盘保护的保护区Pr1和Pr2被包括在内部区中,而用于光盘保护的保护区Pr3被包括在外部区中。具体地说,位于内部区的最内盘区的保护区被称为第一保护区域“Pr1”。位于外部区的最外盘区的保护区被称为第三保护区“Pr3”。内部区中位于PIC区域和信息区IN2之间的保护区被称为第二保护区“Pr2”。特别地,第二保护区域“Pr2”指示压纹PIC区域和可记录区域之间的转换区域,并被称为“转换用缓冲区”。
根据本发明的BD-R/RE将数据记录在由岸台部分和沟槽部分组成的记录层的沟槽部分中。沟槽部分由HFM槽和摆动槽组成。
根据各种调制方案,摆动槽被分类为MSK+HMW调制槽以及MSK(最小相移键控)调制槽。MSK表示最小相移键控的缩写,而HMW表示谐波已调制波的缩写。特别地,摆动槽是在记录层中所包含的沟槽中使用与正弦波相关联的调制方法被配置成摆动形状的形式。该光学记录/再现装置可用上述摆动形状来读取相应沟槽的地址信息(即ADIP:预刻沟槽中的地址)以及一般光盘信息。其详细说明在下文中结合图5~8来描述。
上述调制方法根据区域的独有特性被不同地应用于包含在光盘中的各个区域。包含在内部区中的Pr1区域和PIC区域被配置成HFM槽的形式。包含在外部区中的Pr3区域被配置成仅应用MSK调制的摆动槽的形式。除了上面提到的区域以外,内部区、外部区和数据区被配置成应用MSK+HMW调制的摆动槽,
图2是根据本发明的能将数据记录于其内的单层光盘结构。与图1相比,图2所示的单层光盘结构还包括外部区内的驱动器校准区(DCZ)区域。下面的说明主要在DCZ区域的基础上公开,并且除DCZ区域外的其余部分与图1中的相同,因此为便于说明在这里省略对其的详细说明。
如上所述,DCZ区域指示测试区,在那里光学记录/再现装置可进行各种目的的光盘测试。典型地,可以与在作为另一测试区的OPC区域中相同的方式在DCZ区域中执行OPC过程。对本领域内技术人员而言很明显的是,在DCZ区域中不仅可执行OPC过程,还可执行其它测试,并且应当注意本发明不局限于上述例子,而是可根据需要适用于其它例子。
与图1相比,图2所示的DCZ区域被物理地包含在外部区内。因此,图2的Pr3区域比图1的Pr3区域小了与额外分配的DCZ区域对应的预定大小。较佳的是DCZ区域比包含在内部区中的OPC区域(即2048个簇)小。例如,DCZ区域被分配512个簇。
上述额外分配的DCZ区域使用MSK+HMW调制方法,其中以与内部区和数据区的OPC区域中相同的方式将MSK调制和HMW调制混合。换句话说,新分配的DCZ区域适用于记录/再现测试数据。为了正确地记录测试数据,必须以与一般数据区中相同的方式保证可靠的地址信息(即ADIP)。
图3a~3b是根据本发明的一个优选实施例的能将数据记录于其内的双层光盘结构。图3a中示出了双层BD-RE。图3b中示出了能将数据记录于其内的双层BD-R。与上面的说明相关联地,将两个记录层中的一个称为“层0(L0)”而将另一个称为“层1(L1)”。
如图3a所示,根据本发明的双层BD-RE中的各记录层具有相同结构。记录层L0的外部区包括DCZ区域DCZ0,而记录层L1的外部区包括DCZ区域DCZ1。其中混合了MSK调制和HMW调制的MSK+HMW调制方法以与数据区中的相同方式被应用于DCZ区DCZ0和DCZ1。
如从图3b观察到的那样,根据本发明的一次可写双层BD-R包括各记录层L0、L1的外区域中的DCZ区域。DCZ区DCZ0和DCZ1使用MSK_HMW调制方法,其中MSK调制和HMW调制以与数据区中相同的方式被混合。
与图3a所示的BD-RE相比,图3b所示的一次可写BD-R由于一次可写特性而需要多得多的管理信息记录区域,由此将临时盘管理区(TDMA)添加至内部区,并且第二记录层L1的内部区包括OPC区域(OPC1)而不是由HFM压纹的PIC区域。
与上述说明相关联地,本发明的DCZ区域对于图3b所示的一次可写BD-R更为高效。更详细地说,由于前述的一次可写特性,一次可写BD-R需要多得多的管理信息记录层,由此它将DCZ区域作为能够代替内部区的OPC区域的新测试区域来适用,并且避免了由于OPC区域短缺而导致数据不再被记录在一次可写BD-R中的问题。
图4a~4b是根据本发明另一优选实施例的能将数据记录于其内的双层光盘结构。图4a~4b中示出在各记录层中分配DCZ区域的方法。
与上面的说明相关联地,尽管为便于说明,图4a~4b示例性地示出一次可写的可记录盘(例如BD-R),然而本发明的技术理念可适用于如上所述的可重写盘(例如ED-RE)。
如图4a所示,当向各记录层的各外部区分配DCZ区域DCZ0和DCZ1时,DCZ区域DCZ0和DCZ1在物理上不位于以光束前进方向为基础的相同位置处。
换句话说,假设DCZ区域以与内部区的OPC区域中相同的方式被用于OPC过程,则以从高功率至低功率的方向或从低功率至高功率方向对OPC过程逐步使用预定的功率值,或者将包含在基于基准功率的预定范围内的功率值用于OPC过程。
假设在彼此相邻的记录层之间,DCZ区域DCZ0和DCZ1在物理上位于以光束前进方向为基础的相同位置上,则除了实际使用的DCZ区域(例如DCZ0)外,甚至在相邻记录层中所包含的DCZ区域(例如DCZ1)中产生光束干涉的可能性也会增加,这导致对用OPC过程来计算光学写功率的过程产生消极影响。以这种方式,包含在内部区中的OPC区域OPC0和OPC1在物理上不位于以光束前进方向为基础的相同位置上。
因此,第二记录层的外部区还包括以光束的前进方向为基础与第一记录层的DCZ区域(DCZ0)位于相同位置的缓冲区,随后朝向外方向分配DCZ区域(DCZ1)。不言而喻的是,可以按任一顺序执行第一记录层L0和第二记录层L1各自的外部区分配方法。例如,可在光或光束的前进方向的基础上于与第二记录层L1的DCZ区域(DCZ1)相同的位置处向第一记录层L0的外部区添加缓冲区,并且还可朝向外方向分配DCZ区域(DCZ0)。
与上面提到的说明相关联地,DCZ区域(DCZ0和DCZ1)使用MSK+HMW调制方法,其中以与数据区中相同的方式混合MSK调制和HMW调制。
如从图4b所能看出的那样,DCZ区域的特征在于它不仅被分配给各记录层的外部区,而且还被分配给相邻的数据区。换句话说,记录层被分类为第一类型记录层(例如L1)和第二类型记录层(例如L0)。DCZ区域(DCZ1)被包含在第一类型记录层的外部区中,DCZ区域(DCZ0)被包含在与第二类型记录层中邻近外部区的数据区内,并且第一类型记录层和第二类型记录层被交替包括于光盘内。
图5~8是示出根据本发明的调制方法的图解。
图5示出MSK调制方法。特别地,包含在外部区中的Pr3区域(即保护区3)仅由MSK调制形成。
MSK调制方法是通过以图5所示的摆动频率fwob进行余弦变换而实现的。一般的摆动被称为“单调摆动(MW)”,而通过改变摆动频率fwob和余弦码产生的三个摆动各被称为一个“摆动的MSK标志(MM)”。
图6示出HMW调制方法。特别地,包含在内部区中的OPC区域以及包含在外部区内的DCZ区域和数据区是通过将HMW调制和MSK调制混合的MSK+HMW调制方法形成的。
与上述说明相关联地,如图6所示,HMW调制方法是由以第一摆动频率fwob进行的余弦变换和以第二摆动频率2*fwob进行的正弦变换实现的。如果正弦变换具有正(+)码,则确定值为1。如果正弦变换具有负(-)码,则确定值为0。通过上述方法形成的摆动被称为“锯齿摆动(STW)”。值为1的锯齿摆动(STW)被称为STW(“1”)。值为0的锯齿摆动(STW)被称为STW(“0”)。图7示出使用MSK+HMW调制方法标识ADIP单元的方法。如从图7所能看出的那样,单个ADIP单元包括56个摆动。所有ADIP单元的头三个摆动各由一个MSK标志(MM)构成。根据摆动类型将这些ADIP单元分类成下列单元。
换句话说,由“1MM+53MW”构成的ADIP单元被称为单调单元,而由“1MM+15MW+37STW(“0”)+1MW”构成的ADIP单元被称为基准单元。
由“1MM+13MW+1MM+7MW+1MM+27MW”构成的ADIP单元被称为“同步0单元”。由“1MM+15MW+1MM+7MW+1MM+25MW”构成的ADIP单元被称为“同步1单元”。由“1MM+17MW+1MM+7MW+1MM+23MW”构成的ADIP单元被称为“同步2单元”。由“1MM+19MW+1MM+7MW+1MM+21MW”构成的ADIP单元被称为“同步3单元”。由“1MM+9MW+1MM+3MW+37STW(“0”)”构成的ADIP单元被称为“数据1单元”。由“1MM+11MW+1MM+1MW+37STW(“1”)+1MW”构成的ADIP单元被称为“数据0单元”。换句话说,如果确定为“数据1单元”,则确立值1。如果确定为“数据0单元”则确立值0。
图8示出构建由83个如图7所示的ADIP单元构成的单个ADIP字的方法。
如从图8看到的那样,ADIP字的头9个ADIP单元依次包括“单调单元”、“同步0单元”、“单调单元”、“同步1单元”、“单调单元”、“同步2单元”、“单调单元”、“同步3单元”以及“基准单元”。从第10个ADIP单元(即ADIP单元号=9)至第83个ADIP单元(即ADIP单元号=82)的ADIP单元各自由图7所示的“数据0单元”和“数据1单元”组成。通过将ADIP单元以四位为单位组合而形成五个单元,从而上述单元被称为“ADIP码字半字节号(c0-c14)”。
相应摆动的物理地址(即物理ADIP地址“PAA”)和辅助数据被记录在上面提到的ADIP码字半字节号(c0-c14)中。该光学记录/再现装置读取单个ADIP字,从而能识别当前光盘的PAA位置。
图5~8所示的技术理念被应用于适用MSK+HMW调制方法的所有区域。因此,即使对包含在外部区内的DCZ区域也可应用MSK+HMW调制方法。
将MSK+HMW调制方法应用于DCZ区域的理由如下。DCZ区域指示用于记录实际测试数据的特定区域。因此,如果以与Pr3区域(即保护区3)相同的方式仅将MSK调制方法应用于DCZ区域,则由HMW调制引起的锯齿摆动(STW)没有被使用,从而无法将图7所示ADIP单元当中的“单调单元”与“基准单元”区分开来,并且在区分“数据1单元”和“数据0单元”时会发生无法预料的错误。
较佳地,DCZ区域可使用MSK+HMW调制方法来防止无法预料的错误的发生,这与仅应用MSK调制方法的Pr3区域(即保护区3)不同。
本发明可应用于存在作为记录层的多个层的记录介质。
图9是示出将能够管理OPC区域和DCZ区域的管理信息记录在光盘中的方法的概念图。
更详细地说,光盘的内部区和/或外部区中包括DMA(光盘管理区)和/或TDMA(临时DMA)。OPC区域和DCZ区域的管理信息被记录在TDMA或DMA中。
换句话说,在诸如BD-R等一次可写可记录光盘的情形中,管理信息被记录在TDMA中,而在诸如BD-RE等可重写光盘的情形中,管理信息被记录在DMA中。如图1所示,DMA一般被包含在内部区的信息区IN1和IN2或外部区的其它信息区IN3、IN4中。
与上面的说明相关联地,OPC区域和DCZ区域的管理信息可包括指示光盘的每个记录层的OPC区域和DCZ区域的位置的信息,例如起始地址信息和/或结束地址信息(即“OPC位置信息”和“DCZ位置信息”)以及指示各OPC和DCZ区域中的当前可用位置的信息(即“每个OPC中的下一个可用PSN”以及“每个DCZ中的下一个可用PSN”)。
因此,如果将光盘置于光学记录/再现装置中,则光学记录/再现装置读取包含在TDMA或DMA中的OPC区域和DCZ区域管理信息。因此,光学记录/再现装置识别包含在光盘中的OPC区域的位置信息以及可用OPC区域的其它位置信息,并识别DCZ区域的位置信息和可用DCZ区域的其它位置信息,从而它能在所识别位置处执行OPC处理。
对本领域内技术人员而言很明显的是与OPC区域和DCZ区域相关联的管理信息等同地适用于图2~4b所示的所有光盘。
图10是示出根据本发明的执行OPC过程的方法的概念图。在记录介质中,光学记录/再现装置的记录介质跟踪方向被确定为PSN递增方向,即PSN沿此方向从低PSN(物理段号)向高PSN的方向递增。在记录介质中执行OPC过程的方向被确定为PSN递减方向,即PSN沿此方向从高PSN向低PSN的方向递减。
在OPC过程后的记录方向被确定为以与该跟踪方向相同方式从低PSN至高PSN的PSN递增方向。
与上述说明相关联地,通过在OPC区域中执行OPC过程来记录数据的单位可恰好与1簇的单位对应,而在记录介质的数据区域中记录数据的单位是1簇的单位。然而,通过OPC过程获取的数据记录区域可小于1个簇,也可大于一个簇。
换句话说,被记录以执行OPC过程的数据单位等于地址单元号(AUN)。AUN指示在数据记录时间内使用的地址信息。对本领域技术人员而言很明显的是,作为在数据记录之前形成的前区域的未使用OPC区域不包括上面提到的AUN信息。
在这种情形下,AUN作为范围小于簇的单位,而一个簇包括16个AUN。更详细地说,一个OPC过程执行长度是由光学记录/再现装置选择的,并且不受物理簇数的限制。
图10示出其中执行了三次OPC过程的特定情形。更具体地说,图10示出每个均执行OPC过程的多个部分、以及标识各个部分的多个OPC标记。
用于执行第一OPC过程的部分被表示为“簇#P+1”并包括由“OPC#M”表示的第一部分以及由“OPC标记#M”表示的第二部分。“OPC#M”部分将数据记录于其内,而“OPC标记#M”部分标识“OPC#M”部分。
用于执行第二OPC过程的部分包括“簇#P”、“簇#N”和“簇#N-1”的一些部分。由“OPC#M+1”标识的一部分将数据记录于其内,并且“OPC标记#M+1”标识“OPC#M+1”部分。
用于执行第三OPC过程的部分由“簇#N-1”部分的一些部分构成。更具体地说,用于执行第三OPC过程的部分包括“OPC#M+2”和“OPC标记#M+2”。“OPC#M+2”部分将数据记录于其内,而“OPC标记#M+2”部分标识“OPC#M+2”部分。在这种情况下,“簇#N-2”和“簇#N-1”中位于“OPC标记#M+2”部分前的一些部分作为未使用簇区域。
与上面的说明相关联地,在能够标识与OPC过程相关联的数据记录区域的OPC标记当中的两个连续的OPC标记之间的距离等于或小于与16个簇对应的预定距离。例如,为了满足需要至少16个簇的OPC过程中的上述要求,必须将OPC标记插入到OPC过程中。在这种情形下,上述OPC标记必须具有与至少868个NWL(标称摆动长度)对应的预定长度。
图10所示的“OPC#M”部分占据OPC区域中的单个簇(即1簇)。“OPC#M+1”部分占据OPC区域中大于1个簇的预定区域。“OPC#M+2”部分占据OPC区域中小于1个簇的预定区域。可以理解,OPC过程是以小于簇单位的单位执行的,例如以AUN为单位。
图11是示出根据本发明的用于搜索OPC起始位置的方法的概念图。
图11示出OPC区域当中的1个簇。这一个簇与13944个摆动、249个ADIP单元、498个同步帧以及3个ADIP字对应。与上面的说明相关联地,1个ADIP字包括83个ADIP单元,而ADIP单元包括56个摆动。1个簇包括16个AUN。在这种情况下,摆动指示一个NWL(标称摆动长度)。
例如,包含在1个簇中的预使用(即最近使用的)OPC区域(即AUN6~AUN15)指示10个AUN(地址单元号),并且未使用的OPC区域指示从AUN0-AUN5的6个AUN。可如图10所示通过将OPC标记插入AUN 6之前来检测最后使用的OPC区域中的AUN 6。指示当前OPC过程所要求预定的大小的OPC执行大小是由光学记录/再现装置预定的,并且能以各种方法确立。假设OPC执行大小等于从AUN2到AUN5的4个AUN。
因此,如果用户希望从AUN2的预定位置执行新的OPC过程,则用户必须搜索与AUN2对应的物理位置。
因此,为了用摆动计数过程来确定OPC起始位置,需要寻找摆动计数基准位置。如果在光学记录/再现装置的检测过程中检测到预定基准摆动,则所检测到的基准摆动被认为是摆动计数基准位置。较佳地,摆动计数基准位置可等于簇的起始位置。
指示摆动计数基准位置的上述簇起始位置与ADIP字的起始位置完全相同。参阅图7~8,ADIP字的头9个ADIP单元依次对应于“单调单元”、“同步0单元”、“单调单元”、“同步1单元”、“单调单元”、“同步2单元”、“单调单元”、“同步3单元”以及“基准单元”。因此如果在光学记录/再现装置的搜索时间内依次检测到ADIP字的头9个ADIP单元或检测到第一个“单调单元”,则确立ADIP字起始位置。换句话说,簇起始位置被认为是摆动计数基准位置。
根据上述基准位置的另一例子,将包含在1个簇中的ADIP字起始位置看作摆动计数基准位置是较佳的。
换句话说,1个簇包括三个ADIP字。在这种情况下,如果下一个OPC起始位置处于“ADIP字1”区域或“ADIP字2”区域中,则ADIP字中指示“ADIP字2”起始位置的头9个ADIP单元依次与“单调单元”、“同步0单元”、“单调单元”、“同步1单元”、“单调单元”、“同步1单元”、“单调单元”、“同步2单元”、“单调单元”、“同步3单元”以及“基准单元”对应。否则,如果检测到第一个“单调单元”,则将“ADIP字1”的起始位置或“ADIP字2”的起始位置确定为摆动计数基准位置,从而可对摆动数进行计数。
因此,如果确定了摆动计数基准位置,并且识别出作为已记录区域的预使用OPC区域的大小信息以及当前OPC过程所需的OPC区域的大小信息,则光学记录/再现装置在摆动计数基准位置处对摆动数进行计数,并搜索驱动器所需的OPC起始位置。
根据图11所示的优选实施例,驱动器计数从AUN0到AUN1的两个AUN的摆动。一个AUN与868个摆动的长度对应。因此,两个AUN与868*2个摆动的长度对应,驱动器计数868*2个摆动数以确定OPC起始位置,并执行OPC过程以计算所确定的OPC起始位置处的最优写功率。
图12是示出根据本发明的光学记录/再现装置的方框图。
参阅图12,光学记录/再现装置包括:记录/再现单元20,用于记录/再现数据至/自光盘;以及控制器12,用来控制记录/再现单元20。
记录/再现单元20包括拾取单元11、信号处理器13、伺服单元14、存储器15以及微处理器16。拾取单元11直接将数据记录在光盘中,或读取记录在光盘中的数据。信号处理器13接收从拾取单元11读取的信号,将所接收的信号恢复成合需的信号值,或将待记录信号调制成记录在光盘中的另一种信号,以便于发送经恢复的或已调制的结果。伺服单元14控制拾取单元11的操作,以使其正确地从光盘读取合需的信号并正确地将信号记录在光盘中。存储器15不仅暂存包括PIC数据的管理信息还暂存数据。微处理器16控制上述诸部件的全局操作。上述记录/再现单元20在记录介质的测试区域中执行预定测试,从而计算最优写功率。记录/再现单元20记录计算得到的最优写功率,并且一旦从控制器12接收到记录命令就以计算得到的最优写功率将数据记录在记录介质中。
记录/再现单元20确定作为记录介质的光盘是否已在初始化过程中被格式化。如果光盘未被格式化,则记录/再现单元20执行光盘的格式化。
与上面的说明相关联地,仅由记录/再现单元10组成的光学记录/再现装置被称为驱动器,并且一般被用作计算机的外围装置。
控制器12控制全部组成部件的操作。与本发明相关联地,控制器12通过与用户交互来参照用户命令,并将能记录/再现数据至/自光盘的记录/再现命令发送至记录/再现单元20。
一旦从控制器12接收到控制信号,解码器17就将读取自光盘的信号解码,将经解码的信号恢复成合需的信息,并将经恢复的信号发送给用户。
编码器18从控制器12接收控制信号以将合需的信号记录在光盘中,将接收到的信号转换成特定格式的信号(例如MPEG2传输流),并将特定格式的信号发送至信号处理器13。
下面将结合图13~16对根据本发明的使用上述光学记录/再现装置将数据记录在记录介质中的方法进行说明。
图13示出根据本发明第一优选实施例的使用光学记录/再现装置将数据记录在记录介质中的方法。特别地,在图13中示出了计算最优写功率的方法。
参照图13,如果具有包含OPC区域和DCZ区域的物理结构的光盘被置于光学记录/再现装置中,则记录/再现单元20的微处理器16用伺服单元14控制拾取单元11的操作,它读取于步骤S11记录在所置光盘的TDMA或DMA中的OPC区域管理信息和DCZ区域管理信息(例如“OPC位置信息”、“OPC的下一个可用PSN”、“DCZ位置信息”和“DCZ的下一个可用PSN”),并将OPC区域管理信息和DCZ区域管理信息暂存入存储器15。
微处理器16通过参考步骤S12中的上述管理信息来识别将要执行OPC过程的正确位置。微处理器16接收命令以在步骤S13执行OPC过程,并在由管理信息识别的上述位置处执行OPC过程。特别地,在OPC区域和DCZ区域中执行OPC过程,以在步骤S14和S16计算出所置光盘可用的最优写功率。如果在步骤S14和S16计算出最优写功率,则微处理器16在步骤S15和S17更新作为与下一个OPC位置相关联的管理信息的“OPC的下一个可用PSN”信息以及“DCZ的下一个可用PSN”信息。
特别地,将MSK+HMW方法应用于能够执行OPC过程的OPC区域以及DCZ区域,以从沟槽轨中稳定地读取ADIP信息。从在步骤S12所读取的ADIP信息中可识别与OPC区域管理信息和DCZ区域管理信息对应的物理位置。
一旦从控制器12接收到将数据记录在相应光盘中的命令,记录/再现单元20就用计算得到的最优写功率执行上述记录命令,并且在下文中结合图14对其进行详细说明。
图14示出根据本发明第二优选实施例的用光学记录/再现装置将数据记录在记录介质中的方法。
参阅图14,包含在记录/再现单元20中的微处理器16从控制器12接收记录命令。记录命令由步骤S21中的将被记录在盘中的记录数据和位置信息组成。
因此,微处理器16基于包含在步骤S22的记录命令中的记录位置信息来选择记录数据所要使用的最优写功率。例如,如果记录位置处于光盘的内部区附近,则微处理器16在步骤S23使用在OPC区域计算得到的最优写功率(即在步骤S14计算得到的写功率)。如果记录位置处于光盘的外部区附近,则微处理器16在步骤S23使用在DCZ区域计算得到的最优写功率(即在步骤S16计算得到的写功率)。
图15示出根据本发明第三优选实施例的用光学记录/再现装置将数据记录在记录介质中的方法。
参照图15,如果在步骤S31将包含OPC区域和/或DCZ区域的物理结构的光盘置于光学记录/再现装置中,则包含在光学记录/再现装置中的记录/再现单元20的微处理器16用伺服单元14控制拾取单元11的操作,它从所置光盘读出信息,并在步骤S32确定光盘是否已在盘初始过程中被格式化。
如果在步骤S32确定光盘已被格式化,则微处理器16在步骤S33执行OPC过程以计算最优写功率。
下面将描述与在由两个层“层0(L0)”和“层1(L1)”组成的双层光盘中执行OPC过程的方法相关联的各个优选实施例。
根据本发明的第一优选实施例,用OPC0区域和DCZ0区域进行用于计算层L0的最优写功率的OPC过程,并同时用OPC1区域和DCZ1区域来进行用于计算层L1的最优写功率的另一OPC过程。在这种情形下,用于从用户处接收命令的控制器12可确定哪个测试区域将首先执行OPC过程。
换句话说,根据本发明的上述第一优选实施例,可计算出测试区域的最优写功率,计算得到的信息被记录在测试区域内,并且当将数据记录在数据区域中时,使用计算得到的最优写功率。
根据本发明的第二优选实施例,用作为层L0测试区域的OPC0区域和DCZ0区域来执行计算最优写功率的OPC过程。一旦从控制器12接收到用户记录命令,就在作为层L1的测试区域的OPC1区域以及DCZ1区域中执行计算当将数据记录在层L1中时的最优写功率的OPC过程。
在这种情形下,用于从用户处接收命令的控制器12可确定由OPC0区域和DCZ0区域组成的测试区域中的哪一个将首先执行OPC过程。
根据本发明的第三优选实施例,用作为光盘内部区的测试区域的OPC0区域以及作为内部区的测试区域的OPC1区域两者来执行计算最优写功率的OPC过程。一旦从控制器12接收到用户记录命令,就在作为光盘外部区0的测试区域的DCZ0区域以及作为外部区1的测试区域的DCZ1区域中执行用于计算将数据记录在光盘中时的最优写功率的OPC过程。在这种情形下,用于从用户接收命令的控制器12可确定由OPC0区域和OPC1区域组成的测试区域中的哪一个将首先执行OPC过程。
根据本发明的第四优选实施例,用作为光盘内部区的测试区域的OPC0区域来执行用于计算最优写功率的OPC过程。一旦从控制器12接收到用户记录命令,就在三个区域——即作为光盘的外部区0的测试区域的DCZ0区域,以及作为层L1的测试区域的OPC1和DCZ1区域——中执行计算将数据记录在光盘中时的最优写功率的OPC过程。
与上面的说明相关联地,如果光学记录/再现装置根据本发明的第二优选实施例将数据记录在作为记录介质的光盘中,则层L0执行OPC过程以计算最优写功率,从而它根据记录数据的数据区域位置信息使用计算得到的最优写功率来读取数据。层L1根据记录数据的数据区域位置信息来执行数据记录操作。更详细地说,当将数据记录在光盘数据区域的内部区附近时,层L1利用通过在包含于内部区1中的OPC1区域内执行OPC过程而计算得到的最优写功率。当将数据记录在光盘的数据区域的外部区附近时,层L1利用通过在包含于外部区域1中的DCZ1区域内执行OPC过程而计算得到的最优写功率。以此方式,层L1可根据数据记录位置来用若干最优写功率中的一个来记录数据。
尽管上面的说明将第二优选实施例作为能够执行OPC过程的各种方法的一个范例,然而对本领域内技术人员很明显的是,上面的说明也适用于其它优选实施例,即第一优选实施例、第三优选实施例以及第四优选实施例。
当作为记录介质的光盘是双层光盘时执行OPC过程的方法已在上述说明中公开。如果上述光盘是单层光盘,则只将一个记录层用作记录介质。因此,如果在作为测试区域的OPC0和DCZ区域中执行OPC过程的第一种情形、仅在OPC0区域中执行OPC过程的第二种情形以及在DCZ区域中执行OPC过程的第三种情形在光盘使用时间内要求OPC过程,即如果在双层光盘中接收到用户记录命令,则第一种情形、第二种情形和第三种情形执行OPC过程以计算当将数据记录在光盘时的最优写功率。
对本领域内技术人员而言很明显的是,上述执行OPC过程的方法适用于作为记录层的至少一个层。
假设光盘在步骤S33的OPC过程中已将一测试区域用于预测试,则必须检测OPC起始位置才能在未使用测试区中执行OPC过程。在这种情况下,使用图11所示方法来寻找OPC起始位置是较佳的。如果在步骤S32中光盘未被格式化,则记录/再现单元20在步骤S34确定是否存在外部格式化命令。
如果在步骤S34从控制器12接收到格式化命令,则在步骤S35记录/再现单元20在执行格式化过程的同时执行OPC过程以计算最优写功率。
较佳地,在步骤S35执行OPC过程的方法以与在步骤S33所述的上述优选实施例中相同的方式来执行。与执行格式化过程同时执行OPC过程的方法在步骤S35中描述,从而在步骤S35中不存在用于计算最优写功率以记录数据的测试。在这种情形下,OPC过程在测试区域的可用位置执行。
OPC过程在步骤S33和S35执行,而在步骤S36将计算得到的最优写功率记录在测试区域内。
因此,如果用户的记录/再现命令经由控制器12被发送至记录/再现单元20,则在步骤S37中,记录/再现单元20将数据记录至光盘中或将记录在光盘中的信息再现。
与上面的说明相关联地,在除DCZ区域以外还包括OPC区域的记录介质中执行仅在OPC区域中计算最优写功率的测试是较佳的。
尽管光盘已被格式化,但当将光盘置于光学记录/再现装置中时光学记录/再现装置不立即执行OPC过程的将数据记录在记录介质中的方法将在下面结合图16进行描述。
尽管将记录介质置于光学记录/再现装置中,但是在步骤S41,记录/再现单元20保持待机模式而不形成OPC过程。
在步骤S42,当记录/再现单元20处于待机模式时,确定是否从控制器12接收到记录命令。如果在步骤S42确定已从控制器12接收到记录命令,则在测试区域执行OPC过程以进行数据记录操作,从而在步骤S43计算得到最优写功率。计算得到的最优写功率被记录在测试区域中。
在步骤S44中用计算得到的最优写功率将记录命令适用的数据记录在记录介质的数据区域内。
当将数据记录在光盘的数据区域的内部区附近时,本发明使用在内部区的OPC区域中计算得到的最优写功率。当将数据记录在光盘的数据区域的外部区附近时,本发明使用在外部区的DCZ区域中计算得到的最优写功率。因此,本发明可根据数据记录位置正确地使用最优写功率。换句话说,适用于光盘内部区附近的第一最优写功率是通过在OPC区域中计算得到的结果而获得的,而适用于光盘外部区附近的第二最优写功率是通过在DCZ区域中计算得到的结果而获得的,这能防止数据记录出错。在这种情形下,当以高速将数据记录于诸如BD等高密度光盘的预定数据记录时间内将相同的写功率应用于全部数据区域时,可能产生数据记录出错。又如,在OPC区域中计算得到的第一最优写功率以及在DCZ区域中计算得到的第二最优写功率不是未作任何改变地使用于该例,而是根据数据记录位置将不同的权重施加于第一和第二最优写功率以确定最终写功率。或者,如果数据记录位置处于数据区域中间部分附近,则将计算得到的最优写功率的平均值应用于本发明。
正如从上面说明中明显看出的那样,可将根据本发明的记录介质的包含OPC区域和DCZ区域的物理结构以及使用该物理结构将数据记录/再现至/自记录介质的方法和设备应用于最近研发的BD制造方法,并且能有效地将记录/再现数据至/自光盘。
工业实用性
对本领域内技术人员而言很明显的是,可对本发明作出各种修正和改变而不会脱离本发明精神或范围。因此,本发明旨在覆盖落在所附权利要求及其等效物的范围内的本发明的所有修正和改变。

Claims (27)

1.一种在包括内部区、数据区和外部区的记录介质中形成数据结构的方法,包括:
形成包含在所述内部区中的第一测试区;以及
形成包含在所述外部区中的第二测试区;
其中所述第一和第二测试区的沟槽部分是由与所述数据区的摆动调制方法相同的预定的摆动调制方法形成的,在所述第一和第二测试区以及所述数据区中使用的调制方法是指最小相移键控MSK摆动调制方法和谐波已调制波HMW调制方法,所述外部区包括保护区,并且仅最小相移键控MSK调制方法被应用于所述保护区。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包含在所述内部区中的所述第一测试区以及包含在所述外部区中的所述第二测试区被用于进行最优功率控制OPC。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一和第二测试区包含由所述预定的摆动调制方法在摆动中调制的地址信息。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一和第二测试区包含由所述预定的摆动调制方法在摆动中调制的预刻沟槽中的地址ADIP单元。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述内部区和外部区中的至少一个还包括用于记录能够管理所述第一和第二测试区的管理信息的预定区域。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述管理信息包括分配给记录层的所述测试区的位置信息。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述管理信息包括包含在每个测试区中的可用位置信息。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述记录介质指一次可写可记录蓝光盘BD-R或可重写蓝光盘BD-RE。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二测试区被用于与光束行进方向不同的方向进行的最优功率控制OPC。 
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述第一测试区被用于与光束行进方向不同的方向进行的最优功率控制OPC。
11.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述最优功率控制OPC是以预定单元来执行的,并且最优功率控制OPC所用的测试数据以与光束行进方向相同的方向被写到所述预定单元中。
12.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述最优功率控制OPC是以可变长度来执行的,并且第一数据单元内已使用的测试部分和未使用的测试部分之间的边界由标记信息指示。
13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述第一数据单元是物理簇。
14.一种将数据记录在记录介质中的方法,包括如下步骤:
(a)读取包含在记录于所述记录媒体中的管理信息里的、指示分配给所述记录介质的外部区的测试区的可用区域的位置信息,并识别与所读取的位置信息对应的物理位置;
(b)执行最优功率控制OPC过程以计算所识别的可用区域中的最优写功率;以及
(c)使用计算得到的最优写功率将数据记录在所述记录介质的数据区中,
其中所述测试区是由最小相移键控MSK摆动调制方法和谐波已调制波HMW摆动调制方法形成的,并且所述测试区的调制方法与所述数据区的调制方法相同,所述外部区包括保护区,并且仅最小相移键控MSK调制方法被应用于所述保护区。
15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,所述步骤(a)用由最小相移键控MSK摆动调制方法和谐波已调制波HMW摆动调制方法在摆动中调制的地址信息来识别与所读取的位置信息对应的所述可用区域。
16.如权利要求14所述的方法,其特征在于,所述步骤(b)以预定大小为单元来执行所述最优功率控制OPC过程。
17.如权利要求15所述的方法,其特征在于,所述预定大小的单元小于物理簇。
18.如权利要求16所述的方法,其特征在于,所述单元是地址单元号AUN单 位,其中多个地址单元号AUN构成一个物理簇。
19.如权利要求16所述的方法,其特征在于,执行所述最优功率控制OPC过程的总的大小是可变的。
20.如权利要求16所述的方法,其特征在于,所述步骤(b)包括搜索所述最优功率控制OPC过程的起始位置的步骤,所述起始位置根据单元数目而改变,并随后从所述起始位置起执行所述最优功率控制OPC过程。
21.如权利要求20所述的方法,其特征在于,所述起始位置是通过对摆动进行计数而搜索到的。
22.一种用于将数据记录在记录介质中的设备,包括:
用于读取指示分配给所述记录介质的外部区的测试区的可用区域的位置信息并将数据记录在所述记录介质的数据区中的装置,其中所述位置信息被包含在记录于所述记录介质内的管理信息中;以及
用于识别与所读取的位置信息相对应的物理位置、控制在所识别的可用区域内进行最优功率控制OPC过程从而计算最优写功率、并控制使用所计算的最优写功率将数据记录在所述记录介质中的装置,
其中所述测试区是由最小相移键控MSK摆动调制方法和谐波已调制波HMW摆动调制方法形成的,并且所述测试区的调制方法与所述数据区的调制方法相同,所述外部区包括保护区,并且仅最小相移键控MSK调制方法被应用于所述保护区。
23.如权利要求22所述的设备,包括:
用于使用由最小相移键控MSK摆动调制方法和谐波调制波HMW摆动调制方法在摆动中调制的地址信息来识别与所读取的位置信息相对应的所述可用区域的装置。
24.如权利要求22所述的设备,其特征在于,所述最优功率控制OPC过程是以预定大小为单元来执行的。
25.如权利要求24所述的设备,其特征在于,用于执行所述最优功率控制OPC过程的总的大小是可变的。
26.如权利要求24所述的设备,包括: 
用于搜索所述最优功率控制OPC过程的起始位置的装置,所述起始位置根据单元数目而变化。
27.如权利要求26所述的设备,包括:
用于通过对摆动进行计数来搜索所述起始位置的装置。 
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