CN101055883A - 影像传感器及其制造方法 - Google Patents
影像传感器及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101055883A CN101055883A CNA2006100721458A CN200610072145A CN101055883A CN 101055883 A CN101055883 A CN 101055883A CN A2006100721458 A CNA2006100721458 A CN A2006100721458A CN 200610072145 A CN200610072145 A CN 200610072145A CN 101055883 A CN101055883 A CN 101055883A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- chip
- image sensor
- flange layer
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本发明为一种影像传感器及其制造方法，其包括有一基板，其设有一上表面及一下表面，该上表面形成有多数个第一电极，该下表面形成有多数个第二电极连接该对应的第一电极；一芯片，设置于该基板的上表面，其上形成有感测区及多数个焊垫；多数条导线，其电连接该芯片的焊垫至该基板的第一电极；及一凸缘层，其为框型结构，其上镶有透光层，设置于该基板的上表面，用以将该芯片覆盖住。凸缘层以射出成型方式，将透光层镶入其内，可解决上述公知的缺点，使其可靠度提升及有效降低产品的尺寸。
Description
技术领域
本发明为一种影像传感器及其制造方法，特别是指一种在影像传感器制造过程中，可提升产品的良率、生产效率及达到轻薄短小。
背景技术
请参阅图1，为一种影像传感器剖视图，其包括有；一基板10，其设有一第一表面12及一第二表面14，第一表面12四周形成有第一电极15，第二表面14四周形成有第二电极16，第一电极15与第二电极16由延着基板10侧边的导线17相互导通；一凸缘层18设有一上表面20及一下表面22，下表面22黏着固定于基板10的第一表面12上，而与基板10形成一容置室24；一影像感测芯片26设有多数个焊垫27位于其四周，设于基板10与凸缘层18所形成的容置室24内，并固定于基板10的第一表面12上；多数条导线28，其具有一第一端点30及一第二端点32，第一端点30电连接至影像感测芯片26，第二端点32电连接至基板10的第一电极15；一透光层34黏设于凸缘层18的上表面20。
上述影像传感器具有如下的缺点：
1、透光层34设置于凸缘层18上方，因此，产品的体积较大。
2、透光层34经切割后，其周边的削片容易掉落，而影响到产品的可靠度。
3、透光层34与影像感测芯片26间必须预留较大的尺寸，以便于打线作业的进行，因而无法降低产品的尺寸。
发明内容
本发明的目的在于提供一种影像传感器及其制造方法，其具有提高产品良率的效果，制造便利及提升生产效率的功效。
为实现上述目的，本发明提供的影像传感器，包括有：
一基板，其设有一上表面及一下表面，该上表面形成有多数个第一电极，该下表面形成有多数个第二电极连接该对应的第一电极；
一芯片，设置于该基板的上表面，其上形成有感测区及多数个焊垫；
多数条导线，其电连接该芯片的焊垫至该基板的笫一电极；及
一凸缘层，其为框型结构，其上镶有透光层，设置于该基板的上表面，用以将该芯片覆盖住。
所述的影像传感器，其中该凸缘层位于透光层下方形成有防护框，用以环绕该芯片的感测区周边。
所述的影像传感器，其中该透光层与该凸缘层一体射出成型。
所述的影像传感器，其中该防护框与凸缘层一体射出成型。
本发明提供的影像传感器的制造方法，其包括下列步骤；
步骤一、提供一基板，其设有一上表面及一下表面，该上表面形成有多数个第一电极，该下表面形成有多数个第二电极连接该对应的第一电极；
步骤二、提供一芯片，设置于该基板的上表面，其上形成有传感器区及多数个焊垫；
步骤三、提供多数条导线，其电连接该芯片的焊垫至该基板的笫一电极；及
步骤四、提供一凸缘层，以射出成型方式形成一框型结构，将一透光层镶于其中，其设置于该基板的上表面，用以将该芯片覆盖住。
所述的影像传感器制造方法，其中该凸缘层位于透光层下方形成有防护框，用以环绕该芯片的感测区周边。
所述的影像传感器，其中该防护框与凸缘层一体射出成型。
本发明的凸缘层以射出成型方式，将透光层镶入其内，可解决上述的公知的缺点，使其可靠度提升及有效降低产品的尺寸。
附图说明
图1为公知影像传感器的示意图。
图2为本发明影像传感器的第一示意图。
图3为本发明影像传感器的第二示意图。
具体实施方式
本发明的上述及其它目的和特色由以下较佳实例的详细说明并参考附图得以更深入了解。
请参阅图2，为本发明影像传感器的示意图，其包括有一基板40、芯片42、多数条导线44、凸缘层46及透光层48：
基板40设有一上表面50及一下表面52，上表面50形成有多数个第一电极54，下表面52形成有多数个第二电极56连接该对应的第一电极54。
芯片42设置于基板40的上表面50，其上形成有感测区58及多数个焊垫60。
多数条导线44电连接芯片42的焊垫60至基板40的第一电极54；及
凸缘层46为射出成型的框型结构，其在其射出成型时，将透光层48镶入其内，其设置于基板40的上表面50，用以将芯片42覆盖住，使芯片42的感测区58可透过透光层48接收光讯号。
请参阅图3，为本发明影像传感器的第二示意图，凸缘层46位于透光层48下方一体射出成型有一防护框62，用以环绕芯片42的感测区58周边，以降低光线散射及杂散光的影响，提升影像品质。
请配合参阅图2，本发明影像传感器的制造方法，其包括下列步骤：
步骤一、提供一基板40，其设有一上表面50及一下表面52，上表面50形成有多数个第一电极54，下表面52形成有多数个第二电极56连接该对应的第一电极54。
步骤二、提供一芯片42，其设置于基板40的上表面50，其上形成有感测区58及多数个焊垫60。
步骤三、提供多数条导线44，其电连接芯片42的焊垫60至基板40的第一电极54。及
步骤四、提供一凸缘层46，其射出成型的框型结构，在其射出成型时，将透光层48镶入其内，并将其设置于基板40的上表面50，用以将芯片42覆盖住，使芯片42的感测区58可透过透光层48接收光讯号。其中凸缘层46位于透光层48下方一体射出成型有一防护框62，用以环绕芯片42的感测区58周边，以降低光线散射及杂散光的影响，提升影像品质。
在较佳实施例的详细说中所提出的具体实施例仅为易于说明本发明的技术内容，并非将本发明狭意地限制于实施例，凡依本发明的精神及申请专利范围的情况所作的种种变化实施均属本发明的范围。
Claims (7)
1.一种影像传感器，包括有：
一基板，其设有一上表面及一下表面，该上表面形成有多数个第一电极，该下表面形成有多数个第二电极连接该对应的第一电极；
一芯片，设置于该基板的上表面，其上形成有感测区及多数个焊垫；
多数条导线，其电连接该芯片的焊垫至该基板的笫一电极；及
一凸缘层，其为框型结构，其上镶有透光层，设置于该基板的上表面，用以将该芯片覆盖住。
2.如权利要求1所述的影像传感器，其中该凸缘层位于透光层下方形成有防护框，用以环绕该芯片的感测区周边。
3.如权利要求1所述的影像传感器，其中该透光层与该凸缘层一体射出成型。
4.如权利要求2所述的影像传感器，其中该防护框与凸缘层一体射出成型。
5.一种影像传感器的制造方法，其包括下列步骤；
步骤一、提供一基板，其设有一上表面及一下表面，该上表面形成有多数个第一电极，该下表面形成有多数个第二电极连接该对应的第一电极；
步骤二、提供一芯片，设置于该基板的上表面，其上形成有传感器区及多数个焊垫；
步骤三、提供多数条导线，其电连接该芯片的焊垫至该基板的第一电极；及
步骤四、提供一凸缘层，以射出成型方式形成一框型结构，将一透光层镶于其中，其设置于该基板的上表面，用以将该芯片覆盖住。
6.如权利要求5所述的制造方法，其中该凸缘层位于透光层下方形成有防护框，用以环绕该芯片的感测区周边。
7.如权利要求6所述的制造方法，其中该防护框与凸缘层一体射出成型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2006100721458A CN101055883A (zh) | 2006-04-14 | 2006-04-14 | 影像传感器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2006100721458A CN101055883A (zh) | 2006-04-14 | 2006-04-14 | 影像传感器及其制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101055883A true CN101055883A (zh) | 2007-10-17 |
Family
ID=38795609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2006100721458A Pending CN101055883A (zh) | 2006-04-14 | 2006-04-14 | 影像传感器及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101055883A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102738189A (zh) * | 2011-04-07 | 2012-10-17 | 索尼公司 | 固体摄像装置及其制造方法和电子系统 |
| CN103996684B (zh) * | 2014-05-20 | 2017-06-20 | 格科微电子（上海）有限公司 | 图像传感器结构及其封装方法 |
-
2006
- 2006-04-14 CN CNA2006100721458A patent/CN101055883A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102738189A (zh) * | 2011-04-07 | 2012-10-17 | 索尼公司 | 固体摄像装置及其制造方法和电子系统 |
| CN103996684B (zh) * | 2014-05-20 | 2017-06-20 | 格科微电子（上海）有限公司 | 图像传感器结构及其封装方法 |
| US10032824B2 (en) | 2014-05-20 | 2018-07-24 | Galaxycore Shanghai Limited Corporation | Image sensor structure and packaging method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1366715A (zh) | 侧发射型半导体光发射器件及其制造方法 | |
| CN101055883A (zh) | 影像传感器及其制造方法 | |
| CN101034688A (zh) | 光学装置及光学装置的制造方法 | |
| CN100350621C (zh) | 影像感测器模组及其制造方法 | |
| CN1272854C (zh) | 影像感测器及其封装方法 | |
| CN2598149Y (zh) | 光传感器封装改良构造 | |
| CN100350619C (zh) | 影像感测器及其封装方法 | |
| CN1921128A (zh) | 光感测芯片的封装结构 | |
| CN2899332Y (zh) | 影像传感器 | |
| CN1306575C (zh) | 射出成型影像感测器封装方法 | |
| CN1152429C (zh) | 封装影像感测芯片及其封装方法 | |
| CN2599757Y (zh) | 影像感测器堆叠构造 | |
| CN2631045Y (zh) | 影像感测器 | |
| CN2765329Y (zh) | 影像感测器 | |
| CN100350620C (zh) | 影像感测器及其封装方法 | |
| CN200979887Y (zh) | 具有改善亮度的smd二极管支架结构及封装构造 | |
| CN2785142Y (zh) | 影像感测器封装构造 | |
| CN2599759Y (zh) | 影像传感器改良构造 | |
| CN2598136Y (zh) | 晶片堆叠构造 | |
| CN1288730C (zh) | 影像感测器封装方法 | |
| CN2631044Y (zh) | 影像感测器 | |
| CN1853275A (zh) | 半导体装置 | |
| CN1180485C (zh) | 具透光片的封装影像感测晶片及其封装方法 | |
| CN2785140Y (zh) | 半导体芯片的堆叠构造 | |
| CN2653694Y (zh) | 用于影像感测晶片封装的基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20071017 |