CN101023506A - 用于离子束的静电透镜 - Google Patents

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Abstract

一种供离子束注入器使用的透镜结构。该透镜结构包括沿着离子移动的方向间隔开的第一和第二电极。该透镜结构跨过离子束的宽度延伸，用于偏转进入透镜结构的离子。该透镜结构包括用于减速离子的第一电极和用于加速离子的第二电极。透镜结构模式控制器有选择地启动加速或者减速电极，以使进入透镜结构的离子以期望的轨道离开所述透镜结构，而不管离子进入透镜结构的轨道。

Description

用于离子束的静电透镜
相关申请的交叉参考
本申请是2003年6月26日提交的顺序号为10/607,239的在先美国专利申请的部分继续。
发明领域
本发明涉及离子束注入器，更具体地涉及具有透镜的离子束注入器，构成离子束的离子穿过该透镜以在离子和工件之间产生受控角度的碰撞。
背景技术
本发明的受让人Axcelis Technologies销售用于在集成电路制造期间处理硅晶片的产品。一种这样的产品或工具产生改变置入离子束中的晶片的物理特性的离子束。例如，可以使用这种工艺来掺杂硅，由此加工未处理的晶片以生产半导体材料。在离子注入之前利用抗蚀剂材料的遮蔽以及晶片内不同掺杂图案的分层的受控使用生产了供多种应用之一使用的集成电路。
现有技术的King等人的美国专利No.5,177,366和Dykstra等人的No.5,091,655论述了使用两对静电扫描电极来产生平行离子束的方法。该‘366专利涉及一种离子注入系统，其中当离子束穿过由控制电路偏置的间隔开的平行板时，它被可控地从初始轨道偏转。一旦偏转，离子束就穿过沿着束行进路径定位的电极，该电极既再偏转曾经偏转的离子束，又将离子加速到期望的最终能量。束内的离子离开加速器，并且由于离子聚集在扫描平面和垂直交叉平面上，所以以均匀的、可控的碰撞角度碰撞工件。
该‘655专利涉及一种离子束，当该离子束穿过由控制电路偏置的间隔开的平行板时，它被可控地从初始轨道偏转。一旦偏转，离子束就进入加速器，该加速器既再偏转曾经偏转的离子束，又将离子加速到期望的最终能量。当离子束离开加速器时，它沿着碰撞工件的轨道移动。构成离子束的离子全部以均匀的、可控的碰撞角度碰撞工件。
Nagai等人的标题为“The Nissin NH-20SP medium-current ionimplanter”的印刷出版物描述了一种中等强度电流的离子注入器。该注入器具有一对所谓的反冲(kickback)电极H2，其补偿由初始的一组电极引入的横向扫描。施加于H1和H2电极的扫描电压波形由数字波形发生器或者波形控制器来产生。
发明概要
一种离子注入器包括用于发出从源材料产生的离子的离子源以及用于使离子离开该源的结构。扫描电极以受控的方式从一侧到另一侧扫描离子，以形成具有一定宽度的离子束。透镜结构限定离子穿过其中的区域，以当离子进入透镜结构时偏转离子远离扫描电极下游的初始轨道。
该透镜结构包括沿着离子移动的方向间隔开的第一和第二电极，用于偏转进入透镜结构的离子，该方向跨过离子束的宽度在束路径的相对侧上延伸。在透镜结构的一个实施例中，离子首先遇到用于减速离子的第一电极，然后遇到用于加速离子的第二电极。这些电极的综合作用使得进入透镜结构的离子以近似相同的离开轨道离开透镜结构，而不管当离子进入透镜结构时它们的轨道。在可选结构中，透镜结构包括沿着束路径用于加速离子的第一电极和在第一电极下游用于减速离子的第二电极。这个可选实施例还使得进入透镜结构的离子以近似相同的离开轨道离开透镜结构，而不管当离子进入透镜结构时它们的轨道。
另一个实施例以这样的透镜结构为特征，其中控制一系列电极中的每个电极，使得所述电极的子集不工作，例如使得只有一个加速或者一个减速电极正在作用于离子束。
结合附图来更详细地描述本发明的这些和其它的目的、优点以及特征，所述附图被用来描述本发明的典型实施例。
附图简述
图1是使用本发明的离子注入器的概观示意图；
图2是在本发明的典型实施例中使用的透镜结构的平面图；
图3是与本发明的可选典型实施例一起使用的可选透镜结构的平面图；以及
图4是示出了透镜结构的垂直聚焦效应的图2的透镜结构的截面图。
图5是图2的透镜结构的截面图，其示出了包括独立电压源的图2的透镜结构的可选实施例；以及
图6是用于图5的透镜结构的电压控制电路的示意图。
发明的典型可选实施例
图1是离子注入器10的示意图，例如由本发明的受让人销售的Axcelis型号MC-3中等强度电流的离子注入器。使用这种离子注入器对工件例如硅晶片进行离子束处理，以用于这些晶片的选择性掺杂。在这种注入器中，在横穿从源到离子注入器位置的束路径之后，正离子撞击工件。尽管图1中所示的离子注入器10是中等强度电流的离子注入器，但是其它类型的注入器也可以使用本发明，包括具有用于加速离子束的离子的直线加速器的高能注入器。
离子注入器10包括用于发出从离子源材料产生的离子的离子源12。典型的源材料是注入到源壳体14中的气体或者是被汽化以在源壳体内产生离子的等离子体的固体。如现有技术中所公知，这种源12通常包括引出电极，用于使离子从该源沿着束路径离开壳体14。
图1中所示的注入器10还包括质量甄别(discriminating)磁体20，用于偏转离子远离沿着离子源下游的离子行进路径的轨道。在源12中产生不同种类的相同离子，并且该磁体在这些种类之间进行甄别。不期望的质量的离子被该磁体滤除，使得离开质量分析磁体20的离子是在工件的离子束处理中使用的单一种类的离子。
离子注入器10还包括束扫描结构30，该结构被定位以在质量甄别磁体20之后拦截离子，并以受控的方式从一侧到另一侧扫描离子，以形成具有一定宽度的离子束。扫描结构30可以是如所示的扫描电极或者磁扫描器。扫描电极具有大约20cm长和间隔2.5cm的两个扫描板。这种间隔在两个扫描电极的出口端向外扩展到大约7.5cm的间隔。将受控幅度高达+/-20千伏的电压施加给耦合到每个板的适当放大器，以获得40kv的总板电压间隔。
将图2中更详细示出的透镜结构40定位在两个扫描电极的下游。透镜结构40接受沿着发散路径移动的离子，并将它们偏转以对于离开透镜结构40的离子产生平行的离子轨道。如在图2和3中可见，透镜结构限定了区域42，离子在离开扫描电极30的区域之后移动到该区域中。由透镜结构40建立的电场将离子远离在它们进入透镜结构时沿着其移动的初始轨道偏转到最终轨道。
图2的透镜结构40包括沿着离子移动的方向间隔开的第一和第二电压间隙44、46。这些间隙被形成在第一间隙上的电极61和62以及第二间隙上的电极63和64之间。这些电极具有槽状开口，其允许该束穿过它们。电极62和63是相同结构的电气部分，并且处于由电源110确定的相同电位。电极61和64可以处于地电位。在典型实施例中，电极由铝构成。在图2中已经说明了x-y坐标系以有助于描述透镜结构的构造。每个电极跨过所扫描的离子束的宽度在中心束路径48的相对侧的“y”方向上延伸。在所说明的实施例中，每个电极在扫描平面(纸平面)的上面和下面的z方向上延伸。电极中的槽状开口(在z方向上窄而在y方向上宽)允许所扫描的束穿过这四个电极。电极61-64关于束中心线48对称。图2的透镜结构包括用于减速离子的第一间隙44和用于加速离子的第二间隙46。由这四个电极建立的电场的综合作用使得进入透镜结构的40离子离开透镜结构，使得所有的轨道通常平行于中心轴48。
图3的透镜结构40’包括沿着离子移动的方向间隔开的第一和第二电压间隙44’、46’。每个间隙跨过离子束的宽度在束路径的相对侧上延伸，用于偏转进入透镜结构的离子。图3的透镜结构包括用于加速离子的第一间隙44’和用于减速离子的第二间隙46’。在这个实施例中，在束中的离子遇到通电的电极之后，它们穿过了间隙44’的接地电极，使得在正“x”方向上存在正电场分量(用于加速离子)。如果入射轨道源于扫描顶点的近似位置，则由这两个间隙建立的电场的综合作用使得进入透镜结构40的离子几乎平行于中心线48离开透镜结构。
在离开图2和3的透镜结构40、40’后，构成该束的离子通常以平行的方向移动并进入离子注入室50。在离子注入室50内密封的是晶片支架52。借助于加载锁54将晶片插入该室52中。在室50外面，由机器人56操作晶片，该机器人56从存储盒58取出未处理的晶片，并且将处理的晶片送回到第二个盒子60，或者可选择地可以将处理的晶片送回到取出它们的同一盒子。
在图2的实施例中，第一电极或入口电极为进入透镜结构的离子产生电场的第一区域。如从进入透镜的离子的区域所看到的，入口电极是凹的。第二电极或出口电极为已经经过入口电极的离子产生第二电场。如从以入口电极为界的区域所看到的，出口电极是凸的。
透镜结构40在不改变束能量的情况下改变离子离开该结构的角度。电极62、63中的每个都被耦合到具有耦合到导体112、114的输出的公共电源110，所述导体112、114穿过相对于该束支撑电极62、63的绝缘体116、118，并且被耦合到电极62、63以用于给电极通电。利用来自小于150kV的电源的d.c.信号，透镜结构40能够校正所扫描的600keV束的扫描角度。在本发明所说明的实施例中，从扫描结构的中心到第一或入口电极的距离大约是97cm。两个间隙44、46的形状大致是抛物线，并且接近2*S焦距的两个薄透镜的形状，其中S是到扫描顶点的距离，在该实例中对于第一电极62是97cm。由电极61、62和63、64构成的减速和加速间隙的理想形状受场和轨道的静电模型的支配，以实现束方向的最佳校正。沿着束中心线的间隔在每个间隙中大约是5cm的电极的间隔，并且在中心线处电极62和63之间大约是10cm。
117kV的透镜电极电压适用于600keV的束。对于减速间隙，Ep＝Ein-R*Ein，其中Ep是间隙之间的能量，以及R*Ein是在穿过间隙之后的能量变化，在该实例中R＝0.195＝117/600。对于加速间隙，Ein＝Ep+R*Ein。穿过透镜结构从与电极61的前沿重合的点到电极64的后沿的路径长度在25和43厘米之间变化，这取决于束内离子的“y”位置。由电极构成的z方向上的垂直开口大约是5cm。在扫描板和透镜结构的入口和出口处需要抑制器(未示出)，以保持正电位被施加给从离子束中提取电子的这些装置，这将导致空间电荷效应增加。
在图3的实施例中，与接地电极61结合的第一电极或入口电极62为进入透镜结构的离子产生电场的第一区域。如从进入透镜的离子的区域所看到的，入口电极是凸的。第二电极63或出口电极为已经穿过入口电极的离子产生电场的第二区域。如从以入口电极为界的区域所看到的，出口电极是凹的。
应当注意，有可能串联使用两个或更多个组件例如图1或2以实现角度校正，其中较小的校正出现在每个间隙处(在间隙上具有较小的电压)，从而为在透镜结构上具有适度电压的较高能量束实现平行轨道。
还应当注意，当离子束穿过这些电极时，由于电极的边缘场，它将经历在垂直于扫描平面的平面中的聚焦。参见图4。相对于束能量、开口的高度(在z方向上)、以及间隙的宽度(沿着行进的方向x)，由间隙上的电压确定焦距。可以使用该结构的静电模型来实现垂直聚焦，该垂直聚焦在透镜之后的所有位置y处近似相同。还应当注意，对于电极61、62和63、64基本上彼此平行的间隙来说，将出现垂直聚焦。这将产生这样的透镜，其对于扫描束或带状束具有垂直聚焦。
利用两个通电电极和两个接地电极已经描述了两个可选实施例中的每个，这些电极沿着该束的行进路径进行定位，以形成离子所穿过的加速和减速间隙。还有可能使用处于较低电压的更多电极以产生多于两个的间隙。因此，例如该结构可以由限定了加速间隙的较低电压的电极来实施，沿着束路径紧跟着该间隙的是限定了减速间隙的电极，后面是第二加速间隙以及然后是第二减速间隙，它们利用类似抛物线形状的适当电极来实施。
本发明的另一实施例通过包括透镜结构模式控制器(在图6中示意性示出)来实现，该控制器控制要施加给如图5所示的两个电压间隙中的每个的偏置电压，使得在任何给定时间只有一个间隙起作用。在一种结构中，通过在第一间隙44中减速或者通过在第二间隙46中加速，可以将束角度从扫描角度改变到平行于束轴48的方向。在任何给定时间只有一个间隙具有跨过它的电压，并且通过操作图6中所概述的一组联动继电器连接来缩短另一间隙。如果以这种单一间隙模式操作透镜，电极形状将被设计成在一个间隙中而不是在两个间隙中实现平行性。如果以可选的模式操作透镜，例如加速而不是减速，则将电极变成适合于由可选结构所需的能量变化的形状。图6中示出了位于终端内处于启动该操作模式的电位V1的电源和继电器。
对于较高能量束，单一间隙的实施例允许使用加速间隙，其中当补偿扫描角度时获得能量是有益的。在可选方案中，对于较低最终能量的束可以使用减速间隙。例如，在图1中，加速间隙可能将来自离子源12的束能量增加到2.7倍，从而导致在透镜40之后大约110keV的能量。在透镜之后的附加电压间隙将允许束能量升高到较高能级，如果期望的话。
当前只具有加速透镜的离子注入器在透镜40之后需要大的减速比，以获得小于大约5keV的用于低能量注入的最终能量。具有必需的大减速比的减速间隙通常具有强的聚焦特性，并且放大了小的发散角，这使得难于以最低的能量传输束。使用透镜40的减速部分而不是加速透镜来聚焦该束在补偿扫描角度的同时减小了该束的能量。例如，可以使用将来自离子源的能量降低3倍的减速透镜，从而导致在透镜之后15keV或更少的能量。在透镜之后附加的减速间隙然后可以获得具有较小减速比和更易控制的聚焦特性的非常低的能量。
参考图5，下面的表1中示出了对于减速和加速模式在各种电极上的相对偏置电压。在减速模式中，触点K2和K4是闭合的，如图6所示。如在该实例中所示，这使得V1接地，并且V2＝V3＝+30kV。因此，减速间隙44的引导电极61接地，并且第二电极(以及加速间隙46的电极63、64)处于较高电压，在该实例中是+30kV。正离子束从处于电位V1的区域以能量Ein进入透镜。由于间隙44具有跨过它的电压V2-V1，其中V2＞V1，所以正离子被减慢Eout＝C1*Ein倍，(其中对于特定的透镜形状，C1可以是大约1/3)。除了离子的减速之外，使得在穿过该间隙之后所有的离子轨道平行于束轴。在这种情况下，由于电极63、64处于相同的电位，所以在加速间隙46上没有电压降。
在加速模式中，将图6中的触点借助于联动连接切换到图6所示的相对位置，所述联动连接被示意性示出为横断所有触点的虚线。K1和K3闭合，以及K2和K4断开。这种开关组合使得V1＝V2以及V3是-75kV。减速间隙44的电极61和62都处于V1。加速间隙46的引导电极63也处于V1。加速间隙64的第二电极处于较低电压，在该实例中是-75kV。正离子束从处于电位V1的区域以能量Ein进入透镜，并在跨过间隙44没有出现电压降。由于间隙46具有电压V3-V2，其中V2＝V1且V3＜V1，所以正离子获得Eout＝C2*Ein倍的能量，(其中对于特定的透镜形状，C2可以是大约2.7)。除了离子的加速之外，使得在穿过该间隙之后所有的离子轨道平行于束轴。
模式 间隙状态 相对电压
减速 44-起作用，46短路 V2＞V1，V2＝V3
加速 46-起作用，44短路 V3＜V1，V1＝V2
没有示出的另一个实施例将允许两个独立的电源以类似的方式连接到图3所示的可选透镜结构，以允许只有一个加速间隙或者减速间隙的启动来提供如在上面对于图5所述的实例中的扫描角度补偿。
上面的描述涉及使用一系列“开缝透镜”(由静电电压间隙形成的透镜，所述静电电压间隙由具有用于离子束穿过的狭缝开口的曲面来形成)来聚焦离子，其已经在一个平面被扫描，以在透镜之后形成平行线。在这种情况下，透镜将对象(扫描顶点)聚焦到狭缝平面中的无穷远处。对该概念的更一般使用利用了将对象聚焦并成像到有限远距离的透镜。该透镜结构聚焦束，该束具有这样的包络，其在一个平面为宽而在垂直平面中相对较窄。这种开缝透镜让束保持为带状，同时按照需要聚焦以穿过随后的束线孔。
意图是，尽管已经以一定程度的特殊性描述了本发明的几个典型实施例，但是本发明包括落在所附权利要求书的精神或范围内的来自所公开的典型设计的所有修改和替换。

Claims (32)

1、离子注入设备，包括：
离子源，其发出从源材料产生的离子；
质量甄别磁体，其偏转离子远离沿着离子源下游的离子行进路径的轨道；
离子扫描器，其被定位成在质量甄别磁体之后拦截离子，以受控的方式从一侧到另一侧扫描离子以形成具有一定宽度的离子束；
透镜结构，其限定离子穿过其中的区域，当离子进入透镜结构时，该透镜结构偏转离子远离扫描器下游的初始轨道；所述透镜结构包括加速或者减速所述离子的透镜电极对；其中在所述透镜电极对中的电极沿着离子移动的方向间隔开以偏转进入该透镜结构的离子，该方向跨过离子束的宽度延伸；以及
透镜结构模式控制器，其在有助于加速离子的电压与有助于减速离子的电压之间切换施加到该透镜结构的偏置电压，以使进入透镜结构的离子以期望的离开轨道离开所述透镜结构。
2、权利要求1所述的设备，其中离子扫描器包括扫描电极。
3、权利要求1所述的设备，其中离子扫描器包括磁扫描器。
4、权利要求1所述的设备，其中透镜结构包括两个透镜电极对，其中一个是加速透镜电极对，以及其中另一个是减速透镜电极对。
5、权利要求4所述的设备，其中控制器通过将启动的透镜电极对中的一个电极连接到第一偏置电压，以及将启动的透镜电极对中的另一个电极和来自另一电极对中的两个电极连接到第二偏置电压，来启动单一透镜电极对。
6、权利要求4所述的设备，其中控制器包括多个继电器，所述继电器有选择地将加速和减速透镜电极对中的每个电极连接到由一个或多个电源提供的偏置电压。
7、权利要求1所述的设备，其中期望的轨道使得所有离子以离子彼此平行地行进的束路径离开透镜结构。
8、权利要求1所述的设备，其中期望的轨道使得所有离子以将在有限远的距离处会聚的束路径离开透镜结构。
9、权利要求4所述的设备，其中控制器启动两个透镜电极对，使得由加速透镜电极对所引起的离子加速通过由减速电极对所引起的离子减速来降低。
10、权利要求4所述的设备，其中减速透镜电极对包括用于为进入透镜结构的离子产生电场的第一区域的入口电极，以及其中如从进入透镜的离子的区域所看到的，入口电极是凹的，另外其中加速透镜电极包括用于为穿过入口电极的离子产生电场的第二区域的出口电极，以及其中如从以入口电极为界的区域所看到的，出口电极是凸的。
11、权利要求4所述的设备，其中由沿着离子束路径移动的离子所遇到的第一透镜电极对是加速电极透镜对，以及由离子所遇到的第二透镜电极对是减速电极透镜对。
12、权利要求4所述的设备，其中由沿着离子束路径移动的离子所遇到的第一透镜电极对是减速电极透镜对，以及由离子所遇到的第二透镜电极对是加速电极透镜对。
13、供离子注入器的使用，该离子注入器具有：离子束，其在处理工件前从一侧到另一侧被偏转；透镜结构，其限定离子穿过其中的区域，用于当离子进入透镜结构时偏转离子远离初始轨道，所述透镜结构包括沿着离子移动的方向具有间隔开的电极的第一通电电极对以用于偏转进入透镜结构的离子，该方向跨过离子束的宽度延伸；以及透镜结构模式控制器，其在有助于加速离子的电压和有助于减速离子的电压之间切换施加给透镜结构的偏置电压，以使进入透镜结构的离子以期望的离开轨道离开所述透镜结构，而不管离子进入透镜结构的轨道。
14、权利要求13所述的设备，其中透镜结构包括两个透镜电极对，其中一个是加速透镜电极对，以及其中另一个是减速透镜电极对。
15、权利要求13所述的设备，其中控制器通过将启动的透镜电极对中的一个电极连接到第一偏置电压，以及将启动的透镜电极对中的另一个电极和来自另一电极对中的两个电极连接到第二偏置电压，来启动单一透镜电极对。
16、权利要求13所述的设备，其中控制器包括多个继电器，所述继电器有选择地将加速和减速透镜电极对中的每个电极连接到由一个或多个电源提供的偏置电压。
17、一种用于形成供离子注入器使用的离子束的工艺，包括：
加速由源材料产生的离子以产生离子束；
以受控的方式从一侧到另一侧扫描在所述束中的离子，以形成具有一定宽度的薄离子束；以及
当离子进入偏转区域时，通过对透镜结构有选择地通电来偏转构成薄离子束的离子远离初始轨道，该透镜结构包括一对沿着离子移动的方向以间隔开的关系来定位的电极，由此产生用来偏转进入偏转区域的离子的电场；以及切换施加给所述透镜结构的偏置电压，以在产生有助于加速离子的场的偏置电压和产生有助于减速离子的场的偏置电压之间进行选择，以使进入偏转区域的离子以近似相同的离开轨道离开所述偏转区域，而不管离子进入偏转区域的初始轨道。
18、权利要求17所述的工艺，其中在该电极对中的电极在跨过薄束的宽度的方向上弯曲，以产生跨过所述束的宽度的非均匀的电场。
19、权利要求17所述的工艺，包括沿着离子束路径定位第二电极对，使得第一或第二电极对之一是加速离子的加速电极对，以及第一或第二电极对中的另一个是减速离子的减速电极对，以及切换偏置电压以启动第一或第二电极对之一，并且使另一电极对不工作。
20、权利要求19所述的工艺，其中通过将启动的透镜电极对中的一个电极连接到第一偏置电压，以及将启动的透镜电极对中的另一个电极和来自另一电极对中的两个电极连接到第二偏置电压，来切换偏置电压。
21、离子注入设备，包括：
离子源，用于发出从源材料产生的离子；
质量甄别磁体，用于偏转离子远离沿着离子源下游的离子行进路径的轨道；
离子扫描器，其被定位成在质量甄别磁体之后拦截离子，以受控的方式从一侧到另一侧扫描离子以形成具有一定宽度的离子束；
透镜结构，其限定离子穿过其中的区域，用于当离子进入透镜结构时偏转离子远离扫描电极下游的初始轨道；所述透镜结构包括沿着离子移动的方向间隔开的第一和第二电极以用于偏转进入该透镜结构的离子，该方向跨过离子束的宽度在束路径的相对侧上延伸；所述透镜结构包括一个用于加速离子的电极和一个用于减速所述离子的电极，以使进入透镜结构的离子以受控的离开轨道离开所述透镜结构。
22、权利要求21所述的设备，另外包括给第一和第二电极中的每个施加静电电压的电源。
23、权利要求22所述的设备，其中该电源给每个电极提供相同的电压。
24、权利要求21所述的设备，其中第一电极包括用于为进入透镜结构的离子产生电场的第一区域的入口电极，以及其中如从进入透镜的离子的区域所看到的，入口电极是凹的，另外其中所述第二电极包括用于为已经穿过入口电极的离子产生电场的第二区域的出口电极，以及其中如从以入口电极为界的区域所看到的，出口电极是凸的。
25、权利要求21所述的设备，其中第一电极包括用于为进入透镜结构的离子产生电场的第一区域的入口电极，以及其中如从进入透镜的离子的区域所看到的，入口电极是凸的，另外其中所述第二电极包括用于为已经穿过入口电极的离子产生电场的第二区域的出口电极，以及其中如从以入口电极为界的区域所看到的，出口电极是凹的。
26、权利要求21所述的设备，其中由沿着离子束路径移动的离子所遇到的第一电极是加速电极，以及由离子所遇到的第二电极是减速电极。
27、权利要求21所述的设备，其中由沿着离子束路径移动的离子所遇到的第一电极是减速电极，以及由离子所遇到的第二电极是加速电极。
28、权利要求21所述的设备，其中相对于与第一电极和第二电极间隔开的第一和第二固定的、较低电位电极来定位第一和第二电极，以产生限定了离子穿过其中的间隙的第一和第二电场。
29、权利要求21所述的设备，其中离子扫描器包括扫描电极。
30、权利要求21所述的设备，其中离子扫描器包括磁扫描器。
31、权利要求21所述的设备，其中受控的轨道使得所有离子以离子彼此平行地行进的束路径离开透镜结构。
32、权利要求21所述的设备，其中受控的轨道使得所有离子以将在有限远距离处会聚的束路径离开透镜结构。
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